变压器耦合式固体继电器传导发射分析方法研究

变压器耦合式固体继电器传导发射分析方法研究 第31卷 第6期 2011年2月25日 中 国 电 机 工 程 学 报 Proceedings of the CSEE Vol.31 No.6 Feb.25, 2011 ?2011 Chin.Soc.for Elec.Eng. 103 (2011) 06-0103-06 中图分类号:TM 581 文献标志码:A 学科分类号:470?40 文章编号:0258-8013 徐乐，王淑娟，翟国富 (哈尔滨工业大学军用电器研究所，黑龙江省 哈尔滨市 150001) Research on Analysis Method of Conducted Electromagnetic Emission of DC Solid State Relay With Transformer Isolation XU Le, WANG Shujuan, ZHAI Guofu (Military Apparatus Research Institute, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, Heilongjiang Province, China) ABSTRACT: In a DC solid state relay (SSR) with transformer isolation circuit, the transformer works at self-oscillating state and the high frequency signal would be transmitted to the secondary coil through the magnet core. The high du/dt and di/dt would produce high conducted electromagnetic interference (EMI), even interfere with other electronic devices. In this paper, a certain type of DC SSR was investigated. An ——————————————————————————————————————————————— accurate time-domain circuit model used for analyzing conducted EMI of SSR was proposed based on the high frequency model of power diode and MOSFET, the equivalent circuit of dual-winding transformer and the parasitic parameters of SSR. The conducted emitting energy at the input port power line of SSR was simulated by Pspice software and the simulation results agreed well with the experiment. In order to suppress the EMI, an EMI filter was connected to the input port in series. The experimental results show that the conducted emitting interference at the input port power line after the optimization satisfied the requirements of the criterion (GJB1515A-CE102) and the electromagnetic compatibility of SSR is improved. The analysis method of the conducted electromagnetic emitting of SSR proposed is of great value for the EMC prediction of the relay. KEY WORDS: transformer isolation; solid state relay (SSR); conducted EMI; EMI filter; electromagnetic capability (EMC) 摘要:在采 用变压器耦合作为隔离电路的固体继电器中，变压器工作在自激振荡 状态，通过磁芯将高频信号传递到变压器次级，较高的du/dt和di/dt 产生较大的对外传导干扰，严重时会影响到其他电子设备的正常工作。 以某型号变压器耦合式直流固体继电器为研究对象，在建立功率二极 管、功率MOSFET的高频模型和变压器等效电路模型，以及考虑寄生 参数对传导发射影响的基础上，建立固体继电器用于传导发射分析的 精确时域电路模型。采用Pspice软件仿真得到固体继电器输入端电源 ——————————————————————————————————————————————— 线对外传导发射量，仿真结果与实验 结果吻合良好。为抑制传导发射，提出在固体继电器输入端串入EMI滤波器的优化 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 。试验结果显示，优化后输入端电源线对外传导发射低于国军标GJB1515A-CE102的规定，提高了固体继电器的电磁兼容性能。该固体继电器传导发射分析方法对继电器的电磁兼容性能预测具有指导意义。 关键词:变压器耦合;固体继电器;传导发射;EMI滤波器;电磁兼容 0 引言 固体继电器(solid state relay，SSR)是一种具有 隔离功能的无触点电子开关。在开关过程中无机械接触部件，因此，固体继电器除具有与电磁继电器一样的功能外，还具有寿命高、灵敏度高、控制功率小、转换快速等特点。固体继电器的隔离耦合电路，目前多采用光电耦合器和高频变压器2种电路形式，其中高频变压器耦合是在一定的输入电压下，形成约5 MHz的自激振荡，通过变压器磁芯将高频信号传递到变压器次级，较高的du/dt、di/dt会产生较大的对外传导干扰，严重时会影响到周围其他电子设备的正常工作[1-2]。 研究 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 明，电路中的共模电流是产生电磁辐射的主要来源，文献[3-4]将复杂电路的全波模型简化为电路中主要回路的共模电流电路模型，通过计算简化的共模电流电路模型的电磁辐射，达到预测整个电路电磁辐射的目的，该方法有效地降低了模型与分析过程的复杂性。姜艳姝、徐殿国等分析了三电平PWM逆变器产生共模电压的原因，——————————————————————————————————————————————— 提出一种新颖的逆变器输出有源滤波器来消除共模电压[5-6]。浙江大学的吴昕、钱照明等采用EMC扫描测量仪得到开关电源PCB表面的干扰电场的分布图，依据实时的耦合系数计算结果来及时调整导线的方向、 104 中 国 电 机 工 程 学 报 第31卷 大小和形状。这种方法简单易行，但需要价格昂贵的EMC扫描测量仪[7]。 本文以某型号变压器耦合式直流固体继电器为研究对象，提出了建立用于传导发射分析的固体继电器精确时域电路模型的方法和步骤。首先依据集总电荷模型建立了功率二极管的高频模型，采用子电路的建模方法建立了功率MOSFET的高频模型，采用等效电路方法建立了考虑铁心损耗和绕组铜损的变压器高频模型，利用Ansoft Q3D软件建立了固体继电器的三维有限元模型并提取寄生参数，从而得到固体继电器用于传导发射分析的精确时域电路模型。根据GJB151A-CE102的规定，在继电器输入端加入阻抗稳定网络(line impedance stabilization network，LISN)，通过仿真及实验得到固体继电器输入端电源线对外传导发射量，仿真与实验结果吻合良好，均表明该继电器对外传导发射量超出国军标的规定。为抑制传导发射，文中提出在固体继电器输入端串入EMI滤波器的优化方案，试验表明该方案对提高固体继电器电磁兼容性能具有很好的效果。 磁芯和地平面间的寄生参数产生多种电场耦合效应。本文主要考虑的寄生参数如图1所示。图中，Cp1表示原边和磁芯对金属外壳的——————————————————————————————————————————————— 集总电容;Cp2表示副边和开关管V7的源极对金属外壳的集总电容;Cp3表示变压器原副边间的耦合电容。由于变压器原边、副边的电位变化，不断对寄生电容Cp1和Cp2进行充放电，从而引起共模电流，共模干扰传播通道如图1中带箭头的虚线所示。 2 固体继电器传导发射模型的建立 2.1 功率二极管高频模型的建立 根据集总电荷模型，将基区划分为几个区域，各区域的电荷以集总电荷的形式出现，将双极扩散方程转换为集总电荷的方程在电路中求解[8-10]。完整的功率二极管电压、电流描述如下: ?u=2Uj+2UM+Rsi ? dUj (1) ? i=i+i+CEMj?dt? 其中， UM= UttM0RM0i (2) UttM0,IsτRM0*exp(Uj/Ut)?1+/(1,tM0/τ) iE=ISE*exp(2Uj/Ut)?1+ (3) iM=Is*exp(Uj/Ut)?1+/(1,tM0/τ) (4) 1 传导发射的传播通道分析 某型号变压器耦合式直流固体继电器的主电路及传导发射测量原理如图1所示，其中固体继电器主要由输入电路、隔离耦合电路、——————————————————————————————————————————————— 功能电路、触发电路和输出电路构成。 S1Uj? CCm=(1+ Uj?0?jj0 Φ?bi (5) ? U?C=C/(1?jm, Uj<0j0?jΦbi? 式中:Uj为P+N结电压;UM为基区电压的一半; iE为端区复合电流;iM为基区扩散电流;Cj为PN结结电容;Ut为温度电压当量。 模型中共有9个未知模型参数需要提取:Is为饱和电流;ISE为端区复合饱和电流;τ 为载流子寿命;tM0为电荷在没有耗尽层时穿越基区的时间;Rs为体电阻;RM0为基区初始电阻;Cj0为平衡状态时的结电容;Φbi为PN结内建电势;m通常取为0.2~0.6。 本文以功率二极管MUR860为例，根据产品特性曲线，采用遗传算法拟合模型方程提取模型参 数[11]。表1为利用Matlab中的遗传算法优化工具包提取得到的模型参数。图2为实测正向特性曲线和拟合得到的正向特性曲线，由图2可见本文所建立的高频模型与实测结果相吻合。 图1 直流固体继电器主电路及传导发射测量原理图 Fig. 1 Main circuit of DC SSR and EMI testing circuit 固体继电器中高频变压器在一定的输入电压下，形成约5 MHz的自激振荡，较高的du/dt、di/dt产生以共模干扰为主的对外传导干——————————————————————————————————————————————— 扰。共模干扰起源于公共金属结构中的公共电流，典型的发生条件是电流从导电平面内意料之外的通路流过。高频变压器中存在着电压、电流跳变，通过原边、副边、 表1 MUR860模型参数 Tab. 1 Model parameters of MUR860 τ /ns Cj0 /pF tM0 /ns Rs /m? Is /A ISE /A 304 80 13 1.39×108 1.17×1017 Φbi /V m RM0 /? — — 3)UT>UGS>UGS(fb)，UGD(fb)>UGD>UGD(th)，此 时有 4(UGS?UGS(th))?1/2 CGS=CGSO[1+=CGSD (10) 2 γB 325 0.86 0.39 2 000 正向电流/A 30拟合特性曲线 20 实测特性曲线 10 04)UGS>UT，UGD(fb)>UGD>UGD(th)，此时有 CGS=CGSC (11) ——————————————————————————————————————————————— CGD=CGDC+CGDD (12) 5)UGS>UT，UGD>UGD(fb)，此时有 式中:UGS CGD=CGDO+CGDC (13) 为栅源电压;UGD为栅漏电压;UGS(fb) 0.8 图2 实测正向特性曲线与拟合正向特性曲线 Fig. 2 Comparation between test curve and fitting curve of forward characteristic 1.41.8正向电压/V 2.2为P型体区平带电压;UT为P型体区门槛电压; UGD(fb)为漏区平带电压;U GS(th)为源区门槛电压;UGD(th)为漏区门槛电压; γB为P型体区体效应因子; γD为N?型漏区体效应因子。 在Saber仿真器中，以LDMOS的模型为核心， 用子电路来模拟各极间电容，从而构建用于瞬态分析的功率MOSFET高频模型，如图4所示。各开关条件与开通各阶段的对应关系如表2所示。 S 2.2 MOSFET高频模型的建立 功率MOSFET在开关过程中的du/dt、di/dt是固体继电器主要的电磁干扰源，必须精确地模拟其开关状态。图3为简化的功率MOSFET——————————————————————————————————————————————— 电路结构示意图，忽略了体电阻和沟道电阻的影响。图中，虚线框内为小信号MOSFET采用的LDMOS(横向双扩散MOS)结构;CGS为栅源表面电容;CGD为栅漏表面电容;CGSO为栅源绝缘层覆盖电容(常量)， CGDO为栅漏绝缘层覆盖电容(常量);CGSC为 LDMOS的栅源电容;CGDC为LDMOS的栅漏电容。 图4 功率MOSFET的子电路模型 Fig. 4 Circuit model of power MOSFET 图3 功率MOSFET电路结构示意图 Fig. 3 Structure frame of power MOSFET 表2 功率MOSFET各阶段对应子电路模型各开关状态 Tab. 2 State of switch in circuit model of power MOSFET 开关 阶段1 断开 断开 左闭合 断开 阶段2 闭合 左闭合 右闭合 断开 阶段3 闭合 左闭合 断开 闭合 阶段4 闭合 左闭合 断开 断开 阶段5 闭合 右闭合 断开 断开 本文采用子电路建模方法，以集总电荷原理为基础，分析了功率MOSFET的极间电容在开关过程中的变化，可以将开通过程分为5个阶段 [12-13] S1 S2 S3 S4 ——————————————————————————————————————————————— : 1)UGS<UGS(fb)，UGD<UGD(th)，此时有 CGS=CGSO+CGDO=CGS1 (6) CGD=0 (7) 2)UGS<UGS(fb)，UGD(fb)>UGD>UGD(th)，此时有 CGS=CGSO (8) 4(UGD(fb)?UGD)?1/2 =CGDO[1+=CGDD (9) 2 本文以功率MOSFET IRF840为例，采用2.1节所述的根据产品特性曲线，利用遗传算法拟合模型方程提取模型参数的方法，提取得到IRF840模型参数如表3所示。表中，ΦSB为P型体区表面电 ΦSD为N?型漂移区表面电势;RG为栅极等效电势; 阻;RD为漏极等效电阻;LS为源极等效电感;LD为漏极等效电感。 CGD γD 106 中 国 电 机 工 程 学 报 表3 IRF840模型参数 Tab. 3 Model parameters of IRF840 参数 UGS(fb)/V 数值 ?0.86 参数 数值 ——————————————————————————————————————————————— CGSOCGDO/nF 1.956 UGD(fb)/V 0.628 UT— — 第31卷 γD/(V1/2γB/(V1/2) 5.326 ΦSD/V ?0.8 ΦSB/V 0.8 RD/?RG /? 3.48 LSLD/nH 4.7 图6 固体继电器三维有限元模型 Fig. 6 3D finite element model of SSR 2.5 固体继电器传导发射模型的建立及仿真分析 在功率二极管、功率MOSFET的高频模型和变压器等效电路模型的基础上，考虑寄生参数对传导发射的影响，可以得到该变压器耦合式直流固体继电器用于传导发射分析的精确时域电路模型。 采用Orcad Pspice仿真软件，在输入电压5 V、额定输出电压50 V、100 ?阻性负载的情况下，对输入电源线正极和负极对外传导发射分别进行了仿真分析，仿真结果如图7所示。 传导发射量/dBμV f /MHz 2.3 变压器高频模型的建立 高频变压器工作在自激振荡状态，是主要的传导干扰源，建立其等效电路模型尤为重要。 ——————————————————————————————————————————————— 考虑铁心损耗和绕组铜损的变压器等效电路模型如图5所示。 图5 双绕组铁心变压器的电路模型 Fig. 5 Circuit model of dual-winding transformer 图5中，Ll1、Ll2分别为原边漏感和副边漏感; Lmp为变压器原边绕组的励磁电感;Rac1、Rac2分别 传导发射量/dBμV 为变压器原、副边绕组的交流电阻。 文中采用网络测量仪ACR Databridge 8501，将副边线圈短路，测得的原边线圈电感即为原边漏感，反之可测得副边漏感;将副边线圈开路，测得的原边线圈电感即为原边励磁电感。采用六位半万用表测量原、副边绕组的直流电阻Rdc1、Rdc2，对于圆铜线，当温度为20?，f=5 MHz时，Rac/Rdc=2，测量结果如表4所示。 表4 变压器等效电路模型参数 Tab. 4 Parameters of equivalent circuit model of transformer Ll 1 /μH Ll2/μH Lmp/μH RC/? Rdc1/? Rdc2/? ——————————————————————————————————————————————— (a) 输入电源线正极 f /MHz (b) 输入电源线负极 图7 直流固体继电器对外传导发射仿真结果 Fig. 7 Simulating results of conducted EMI 3.2 23.4 2 0.2 0.084 0.238 仿真结果表明，该固体继电器在变压器振荡频 最率5 MHz及各高次谐波处均存在对外传导发射， 大发射量约为100dBμV，超出国军标中规定的60 dBμV。 2.4 寄生参数的提取 为建立固体继电器用于传导发射分析的精确时域电路模型，需要精确提取寄生参数 Cp1、Cp2和 3 传导发射实验 参照GJB151A-CE102(10 kHz~10 MHz电源线实验电路主传导发射)布局测量实验，如图1所示。 要由阻抗稳定网络(LISN)、控制输入信号、固体继电器、被控负载电路组成。文中采用电磁兼容全功能抗饶度测试器TRA-2000，测量该型号变压器耦合式直流固体继电器输入端电源线对外传导发射。输入端电源线正极测量结果(U+)和输入端电源线负极测量结果(U?)如图8所示，输入端电源线共模干扰测量结果如图9所示。 Cp3 ——————————————————————————————————————————————— [14-16] 。由于在固体继电器中寄生电容难于测量和 计算，因此文中采用Ansoft Q3D软件模块建立固体继电器三维有限元模型，如图6所示。根据固体继电器实际工作时的电流流向，分别设置各条导线的源端和接受端，求解频率设置为5MHz，边界条件为无穷远边界条件，可以计算得到Cp1=33pF， Cp2=182 pF，Cp3=52 pF。 第6期 传导发射量/dBμV 010f /Hz 传导发射量/dBμV (a) 输入电源线正极 图10 EMI滤波器电路结构 Fig. 10 Circuit of EMI filter 0?40f /Hz 传导发射量/dBμV 1010f /Hz 传导发射量/dBμV (b) 输入电源线负极 (a) 输入电源线正极 图8 输入端电源线对外传导发射测量结果 Fig. 8 传导发射量/dBμV 400?40104 ——————————————————————————————————————————————— 105 106 f /Hz 107 108 f /Hz (b) 输入电源线负极 图9 输入端电源线共模干扰测量结果 Fig. 9 Testing results of common-mode EMI at input port 图11 优化后固体继电器对外传导发射测量结果 Fig. 11 Testing results of conducted EMI after optimizing 传导发射量/dBμV 图8所示的测试结果与图7所示的仿真结果相吻合，验证了所建立的固体继电器传导发射时域电路模型的准确性。图9所示共模干扰测试结果表明固体继电器传导干扰以共模干扰为主。 4 传导发射的抑制 为抑制该固体继电器对外传导发射，提高其电磁兼容性能，本文提出在继电器输入端串入EMI滤波器的优化方案，要求频率为10 kHz~10 MHz时，具有40 dB的插入损耗。 根据最差情况下EMI滤波器的 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 步骤 [17-19] ?f /Hz 图12 优化后固体继电器输入端共模干扰测量结果 ——————————————————————————————————————————————— Fig. 12 Testing results of common-mode EMI after optimizing 对以上测试结果的分析表明，在固体继电器输入端加入图10所示EMI滤波器后，输入电源线正极、输入电源线负极对外传导发射以及共模干扰均下降后小于60 dBμV，满足国军标下降约40 dBμV， ， 在插入损耗要求不太高时，选用单级LC滤波电路，并在其输入端接一个“p”(并联)匹配网络，在其输出端接一个“s”(串联)匹配网络，以消除阻抗失配带来的不良影响。文献[20]对EMI滤波器LC匹配网络的设计进行了详细说明。图10所示为最终设计得到的EMI滤波器的电路结构。 在固体继电器的输入端加入图10所示的EMI滤波器，采用TRA-2000对输入电源线正极、负极对外传导发射重新进行了测试，测试结果如图11所示，共模干扰测试结果如图12所示。 GJB1515A-CE102的规定，电磁兼容性能显著提高。 5 结论 本文以某型号变压器耦合式直流固体继电器为研究对象，提出了分析固体继电器对外传导发射的方法和步骤，得到以下结论: 1)通过建立功率二极管、功率MOSFET的高 频模型和变压器的等效电路模型，并采用Ansoft 108 中 国 电 机 工 程 学 报 第31卷 Q3D提取固体继电器的寄生参数，得到固体继电器用于传导发射分析的精确时域电路模型; ——————————————————————————————————————————————— 2)采用Pspice软件仿真计算得到固体继电器输入端电源线对外 传导发射量，仿真与实验结果吻合良好，均表明该继电器输入端电源 线在变压器振荡频率5 MHz及各高次谐波处存在较大的对外传超出 GJB151A-CE102导发射，最大处达100 dBμV，规定的60 dBμV; 3)为抑制对外传导发射，本文提出在继电器试验结果表明输入 端串入EMI滤波器的优化方案， 优化后输入端对外传导发射量下降40 dBμV，满足 GJB151A-CE102的规定，固体继电器的电磁兼容性能得到了提高。 参考文献 [1] 国防科学技术工业委员会(GJB151A-1997军用设备和分系统 电磁 发射和敏感度要求[S](北京:国防科学技术工业委员会，1997( [2] 穆新华，杨志勇(开关电源中印刷电路板寄生参数对传导电磁干 扰影响的研究[J](中国电机工程学报，2004，24(11):121-125( Mu Xinhua，Yang Zhiyong(Parasitic parameters of circuit traces and their effects on conducted EMI in switching power supply [J](Proceedings of the CSEE，2004，24(11):121-125(in Chinese)( [3] Deng Shaowei，Hubing T，Beetner D(Estimating maximum radiated emissions from printed circuit boards with an attached cable[J](IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility，2008，50(1): 215-218( [4] Deng Shaowei，Todd H H，Beetner D G(Using TEM cell measurements to estimate the maximum radiation from PCBs With ——————————————————————————————————————————————— cables due to magnetic field coupling[J](IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility，2008，5(2):419-423( [5] 姜艳姝，徐殿国，赵洪，等(多电平SPWM变频器中共模电压抑 制技术的研究[J]，中国电机工程学报，2005，25(3):18-22( Jiang Yanshu，Xu Dianguo，Zhao Hong，et al(Research on common-mode voltage reduction in multi-level inverter [J](Proceedings of the CSEE，2005，25(3):18-22(in Chinese)( [6] 姜艳姝，徐殿国，陈希有，等(一种新颖的用于消除PWM逆变 器输出共模电压的有源滤波器[J](中国电机工程学报，2002，22(10):125-129( Jiang Yanshu，Xu Dianguo，Chen Xiyou，et al(A novel PWM inverter output active filter for common-mode voltage cancellation [J](Proceedings of the CSEE，2002，22(10):125-129(in Chinese)( [7] 吴昕，钱照明，庞敏熙，等(开关电源印刷电路板EMC 辅助设 计的方法[J](电工技术学报，2000，15(4):62-66( Qian Zhaoming，Pang Minxi，et al(A computer aided EMC Wu Xin， design method for printed circuit board of switching power supply [J](Transactions of China Electro-technical Society，2000，15(4):62-66(in Chinese)( [8] 袁义生，谌平平，穆斯塔法，等(用于传导EMI仿真的二极管高 频模型的研究[J](电力电子技术，2001，35(6):48-51( ——————————————————————————————————————————————— Chen Pingping，Kchikach M，et al(Study of the model Yuan Yisheng， of PIN diode for conducted EMI simulation[J](Power Electronics， 2001，35(6):48-51(in Chinese)( [9] Ma C L，Lauritzen P O(A simple power diode model with forward and reverse recovery[J](IEEE Transactions on Power Electronics， 1993，8(4):342-346( [10] Ma C L，Lauritzen P O，Sigg J(Modeling of power diodes with the lumped-charge modeling technique[J](IEEE Transactions on Power Electronics，1997，12(3):398-405( [11] 李尊朝，张瑞智，张效娟，等(基于遗传算法的亚100 nm SOI MOSFET模型参数提取[J](电子学报，2007，35(11):2032-2037( Li Zunchao，Zhang Ruizhi，Zhang Xiaojuan，et al(Genetic-algorithm- based model parameter extraction for sub-100nm SOI MOSFET [J](Acta Electronica Sinica，2007，35(11):2032-2037(in Chinese)( [12] 袁义生，钱照明(分析传导EMI的功率MOSFET建模[J](浙 江 大学学报:工学版，2003，37(2):198-201( Yuan Yisheng，Qian Zhaoming(Modeling of power MOSFET for conducting EMI analysis[J](Journal of Zhejiang University:Engineering Science，2003，37(2)，198-201(in Chinese)( [13] Budihardjo I，Lauritzen P G(The lumped-charge power mosfet model ——————————————————————————————————————————————— including parameter extraction[J](IEEE Transactions on Power Electronics，1995，10(3):379-387( [14] 翟国富，王新宇，楚兵(基于等效电路法的高频继电器建模 与研 究[J](中国电机工程学报，2009，29(15):119-124( Zhai Guofu，Wang Xinyu，Chu Bing(Modeling and study of high frequency relay based on equivalent circuit method[J](Proceedings of the CSEE，2009，29(15)，119-124(in Chinese)( [15] 孟进，马伟明，潘启军，等(基于部分电感模型的回路耦合 干扰 分析[J]，中国电机工程学报，2007，27(36):52-56( Meng Jin， Ma Weiming，Pan Qijun，et al(Loop coupled EMI analysis based on partial inductance models[J](Proceedings of the CSEE， 2007，27(36)， 52-56(in Chinese)( [16] 咸哲龙，钟玉林，孙旭东，等(用于传导电磁干扰分析的接 地回 路模型与参数[J](中国电机工程学报，2005，25(7):156-161( Xian Zhelong，Zhong Yulin，Sun Xudong，et al(Grounding circuit model and parameters for conducted EMI analysis[J](Proceedings of the CSEE，2005， 25(7)，156-161(in Chinese)( [17] Gago J，Balcells J，Gonzalez D，et al(EMI susceptibility model of signal conditioning circuits based on operational amplifiers[J](IEEE ——————————————————————————————————————————————— Transactions on Electromagnetic Compatibility，2007，49(4):849-859( [18] Chen Henglin，Qian Zhaoming，Zeng Zhaohui，et al(Modeling of parasitic inductive couplings in a pi-shaped common mode EMI filter [J](IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility，2008，50(1):71-79( [19] 甘本袚，吴万春(现代微波滤波器的结构与设计[M](北京:科学 出版社，1973:90-93( Gan Benfu，Wu Wanchun(Structure and design of modern microwave filters[M](Beijing:Science Press，1973:90-93(in Chinese)( [20] 钱照明，程肇基(电力电子系统电磁兼容设计基础及干扰抑制技 术[M](杭州:浙江大学出版社，2000:153-158( Qian Zhaoming，Cheng Zhaoji(EMC design basis and interference inhibition for power electronic system[M](Hangzhou:Zhejiang University Press，2000:153-158(in Chinese)( 收稿日期:2010-06-23。 作者简介: 徐乐(1981)，在职博士研究生，讲师，从事航天电子模块电磁兼容性分析的相关技术研究，xule_hit@163.com; 王淑娟(1967)，教授，博士生导师，从事电子 徐乐 设备可靠性设计与测试技术研究; ——————————————————————————————————————————————— 翟国富(1964)，教授，博士生导师，从事军用电器和车辆电器的可靠性与测试技术。 (编辑 李婧妍) ———————————————————————————————————————————————