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模电习题定稿word版第一单元练习 电子技术基础习题集 第一单元练习 二极管及二极管电路 一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是 自由电子 掺杂越多,则其数量一定越 , 多 ,相反,少数载流子应是 , 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 2、二极管最主要的特性是 单向导电性 3、二极管按其击穿的方式分为 齐纳击穿 和 雪崩击穿, 两种。 4、在本征半导体中掺入杂质的目的是为了 改善材料的导电性能。掺杂半导体中影响多数载流子数量的最主要因素 ,掺杂浓度,影响少数载流子数量的最主要因素 ,温度(或本征激发) 二、选...

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第一单元练习 电子技术基础习题集 第一单元练习 二极管及二极管电路 一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是 自由电子 掺杂越多,则其数量一定越 , 多 ,相反,少数载流子应是 , 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 2、二极管最主要的特性是 单向导电性 3、二极管按其击穿的方式分为 齐纳击穿 和 雪崩击穿, 两种。 4、在本征半导体中掺入杂质的目的是为了 改善材料的导电性能。掺杂半导体中影响多数载流子数量的最主要因素 ,掺杂浓度,影响少数载流子数量的最主要因素 ,温度(或本征激发) 二、选择题 1、稳压二极管稳压时,其工作在__C__,发光二极管发光时,其工作在_A___。 A、正向导通区 B、反向截止区 C、反向击穿区 2、当PN结外加正向电压时,扩散电流_A___漂移电流,耗尽层_E___。当PN结外加反向电压时,扩散电流_B___漂移电流,耗尽层__D__。 A、大于 B、小于 C、等于 D、变宽 E、变窄 F、不变 3、 如图1-1所示电路中,当电源V1=5V时,测得I=1mA 。若把电源电压调整到V1=10V,则电流的大小将是__C__;设电路中V1=5V保持不变,当温度为20℃时测得二极管的电压为VD=0.7V,当温度上升到40℃时,则VD大小为_F___。 A、I=2mA B、I<2mA C、I>2mA D、VD=0、7V E、VD >0、7V F、VD<0、7 图1-1 图1-2 4、二极管加反向电压时若电流很小,则管子是_A___ 。 A、反向截止状态 B、反向击穿状态 C、短路状态 D、断路状态 5、由理想二级管组成的电路如图1-2所示,其A、B两端的电压为___C____。 A、-12V B、+6V C、-6V D、+12V 三、综合题 画出图1-3中电路输出电压波形。设二极管正向电压为0.7V。 答 图1-3 2、 画出图1-4中电路输出电压波形。设二极管正向电压为0.7V。 答 图1-4 3、电路如图1-5(a)(b)(c)(d)所示,试判断是导通还是截止,并求出AO两端的电压VAO。设二极管是理想的。 答 3 图(a)D导通,V AO =-6V; 图(b)D截止,V AO =-12V; 图(c)D 1 导通,D 2 截止,V AO =0V; 图(d)D 1 截止,D 2 导通,V AO =-6V 图1-5 4、电路如图1-6所示,稳压管Dz的稳定电压Vz=8V,限流电阻R=3kΩ,设Vi=6sinωt V,试绘出VO的波形。 答.稳压二极管D Z 反偏电压大于 8V才会出现反向击穿,但正向电压大于 0.7V就会 正向导通,把管压降限制在 0.7V 图1-6 5、二极管是非线性元件,它的直流电阻和交流电阻有何区别?用万用表欧姆档测量的二极管电阻属于哪一种?为什么用万用表欧姆档不同量程测出的二极管阻值也不同? 答.二极管的直流电阻是指二极管两端所加的直流电压与流过它的直流电流之比。 交流电阻是动态电阻,不能用万用表测量。 用万用表欧姆档测出的正、反向电阻是二极管的直流电阻。 用万用表欧姆档不同量程去测量二极管的正向电阻, 由于表的内阻不同, 使 测量时流过管子的电流大小不同, 也就是工作点的位置不同, 故测出的二极管阻 值不同 如图1-7(a)(b)所示,设硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,求图中各电路的输出电压Vo。 答6.图(a): D 1 ,D 2 都工作在反向击穿状态,Vo=13V 图(b): D 2 正偏导通,D 2 优先导通导致D 1 反偏截止, Vo=0.7V 第二单元练习 三极管及三极管电路 一、填空题 1、半导体三极管也称为晶体管 ,是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是 放大 和 作用。 2、晶体三极管三个工作区域是 发射区 、 基区 和 集电区 。 3、双极型三极管从结构上看可以分成 NPN型 和 PNP型两种类型,它们工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电。 4、场效应管属于 控制型器件,而晶体三极管则认为是 控制型器件。 5、晶体三极管用来放大时,应使发射结处于 正向 偏置,集电结处于 反向偏置 三极管的穿透电流ICEO是集一基反向饱和电流ICBO的ICEO =(1+β)ICBO倍。在选用管子时,一般希望ICEO尽量 。 7、温度升高时,三极管的共射输入特性曲线将 ,输出特性曲线将 ,而且输出特性曲线之间的间隔将 。 二、简答题 1、测量某硅BJT各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域。 (a)VC=6 V VB=0.7 V VE=0 V (b)VC=6 V VB=2 V VE=1.3 V (c)VC=6 V VB=6V VE=5.4 V (d)VC=6 V VB=4V VE=3.6 V (e)VC=3.6 V VB=4 V VE=3. 4 V 2、测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 VA=-9 V,VB=-6 V,Vc=6.2 V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 3、有两个BJT,其中一个管子的ß=50,Iceo=200μA,另一个管子的ß=50,Iceo=10μA,其他参数一样,你选择哪个管子,为什么? 应选用β=100,ICEO=10μA的管子。因为β值适中, ICEO小,温度稳定性好。 4、某BJT的极限参数Icm=100mA,Pcm=150mW,V(BR)ceo=30V,若它的工作电压Vce=10V,则工作电流Ic不得超过多大?若工作电流Ic=1mA,则工作电压的极限值应为多少? 5、对于双极型三极管,是否可以将其发射极和集电极对换使用?为什么? 第三单元 三极管单级放大电路 一、填空题 1、对于共射、共集、共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用 组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望从信号源索取的电流小,应选用 组态;若希望高频性能好,应选用 组态 2、如图3-1所示电路中,Vcc=12V,Rb=100kΩ, Rc=RL=6.2 kΩ,VBE=0.7V,VCE(sat)=0.3V,ß=100,C1、C2足够大,当输入信号f=100kHZ,vi=5mv的正弦波时,耦合电容C1上的电压约为 ,C2上的电压约为 ,此时电路处于 状态。 图3-1 图3-2 3、如图3-1所示电路中,Vcc=12V,Rb=510kΩ, Rc=8kΩ, VBE=0.7V,VCE(sat)=0.3V,当ß=50,静态电流IBQ= ,  ICQ= , 管压降VCEQ= ;若换上ß=80的三极管,则IBQ= , ICQ= ,   VCEQ= ,三极管工作在 状态。 4、如图3-2所示放大电路中三级管ß=40,VBE=0.7V,  稳压管的稳定电压VZ=6V, 则IBQ= ,  ICQ= , VCEQ= 。   5、如图3-3所示射极偏置放大电路中,若在集电极回路中串一只直流电流表(直流电流表只能测量电流平均值,在静态时,电流表读数为ICQ,则下面三种情况下电流表的IC与ICQ的关系为 1)输出没有失真时,IC ICQ 2)输出产生饱和失真时,IC ICQ 3)输出产生截止失真时,IC ICQ 图3-3 6、如图3-3所示放大电路,设输入信号vi为正弦波,若输出波形的负半波被削平,则这是 失真,可以通过 来消除这种失真;若输出电压出现正、负半波被削平的双向失真时,在不减小输入信号幅度的情况下,可采用 来消除这种失真。 二、选择题 1、在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共射电路时,则vo和vi的相位( );当为共集电路时,则vo和vi的相位( );当为共基电路时,vo和vi的相位( )。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90° D.不定 2、既能放大电压,也能放大电流的是( )组态放大电路;可以放大电压,但不能放大电流的是( )组态放大电路;只能放大电流,但不能放大电压的是( )组态放大电路 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D.不定 3、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中,电压放大倍数小于1的是( )组态;输入电阻最大的是( )组态,最小的是( )组态;输出电阻最大的是( )组态,最小的是( )组态 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D.不定 4、在图3-4所示放大电路中,集电极电阻Rc的作用是( )。 A.放大电流 B.调节IBQ C.防止输出信号交流对地短路,把放大了的电流转换成电压 D.调节ICQ 三、简答题 1、试分析如图3-5(a)(b)(c)(d)所示各电路对正弦交流信号有无放大作用,并简述理由(设各电容的容抗可忽略)。 图3-5 2、画出如图3-6所示各电路的小信号等效电路,设电路中各电容容抗均可忽略,并注意标出电压、电流方向。 图3-6 四、计算题 1、电路及参数如图3-7所示,rbb’=100求(1)静态工作点。(2)Av,Ri,Ro 图3-7 2、电路如图3-8下所示,已知BJT的ß=100,VBE=-0.7V,(1)试估算该电路的Q点;(2)求该电路的电压增益Àv,输入电阻Ri,输出电阻Ro;(3)若Vo中的交流成分出现图中所示的失真现象,问是截止失真还是饱和失真?为消除此失真,应调整电路中哪个元件,如何调整。    图3-8 3、电路如图3-9所示,设电容C1、C2、C3对交流信号可视为短路。(1)写出静态电流IC及电压VCE的表达式;(2)写出电压增益Àv,输入电阻Ri,输出电阻Ro表达式;(3)若将电容C3开路,对电路将会产生什么影响? 图3-9 4、电路如图3-10所示,ß=100,试求:(1)Q点;(2)电压增益 Àv1=Vo1/Vs,Àv2=Vo2/Vs; (3)输入电阻Ri;(4)输出电阻Ro1、Ro2 图3-10 第四单元 场效应管 一、填空题 1、场效应管的导电原理为 利用一种载流子(多子)导电 ,而晶体三极管为 ,比较两者受温度的影响 优于 。 场效应管属于 式器件,其G、S间的阻抗要 。晶体三极管属于 式器件。场效应管常把工作区域分为 、 、 。场效应管3个电极G、D、S类同晶体三极管的 电极,而N沟道、P沟道场效应管则分别类同于 、 两种类型的晶体三极管。 3、场效应管从结构上看可分 结型场效应管 和 绝缘栅型场效应管 两大类型,它们的导电过程仅仅取决于 载流子的流动。 4、场效应管属于 电压控制电流 控制型器件,而晶体三极管则认为是 控制型器件 二、简答题 1、某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则该管是什么类型的场效应管? 2、如图4-1所示MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。如是增强型,说明他的开启电压VT=?如是耗尽型,说明它的夹断电压Vp=?(图中iD的假定方向为流向漏极)      图4-1 3、如图4-2所示FET的转移特性。(图中漏极电流iD的方向为它的实际方向)试问它们各是哪种类型的FET? 图4-2 第五单元练习 场效应管放大电路 一、填空题 1、由增强型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图5-1(a)所示,若用示波器观察电路的输入、输出波形,出现如图5-1(b)所示的失真波形,说明该电路的静态工作点靠近 ;若无失真时,该电路的电压放大倍数Av= ,输入电阻Ri= ,输出电阻Ro= 。      图题5-1(a) 图题5-1(b) 2、在图5-2(a)(b)(c)(d)放大电路中,设T1、T2管的ß=100,rbe=2KΩ;T3、T4管的gm=5ms。在这四个放大电路中,图(a)为 组态,图(b)为 组态,图(c)为 组态,图(d)为 组态;电压放大倍数(绝对值)最大的是 ,其值为 ,最小的是 ,其值为 ;输入电阻最大的是 ,其值为 ,最小的是 ,其值为 ;输出电阻最大的是 ,其值为 ,最小的是 ,其值为 。 图5-2(a) 图5-2(b) 图5-2(c) 图5-2(d) 二、选择题 1、在图5-3(a)(b)(c)(d)所示的几个偏置电路中,能够正常工作的是( ) A、图5-3(a)          B、图5-3 (b)          C、图5-3 (c)        D、图5-3 (d) 图5-3(a) 图5-3(b) 图5-3(c) 图5-3(d) 2、在图5-4中所示共源放大电路中,若源极电阻Rs增大,则该电路的漏极电流IDQ(   ),跨导gm(   );电压放大倍数 (  ) A、增大 B、减小 C、不变 D、不定 图5-4 三、简答题 增强型FET能否用自偏压的方法来设置静态工作点?试说明理由。 2、如图5-5所示放大电路作反相器用。|Vp1|=|Vp2|=Vp,0<|Vp|VT时表示为iD=0.3(VGS-VT)mA,若VT=40V,是计算该电路的静态工作点和跨导gm。 图5-8 3、场效应管放大电路如图5-9所示压控电阻,试分析电路。 图5-9 第六单元练习 功率放大电路 一、选择填空题 1、已知电路如图6-1所示,T1和T2管的饱和管压降|VCES|=3V,VCC=15V, RL=8 。选择正确 答案 八年级地理上册填图题岩土工程勘察试题省略号的作用及举例应急救援安全知识车间5s试题及答案 填入空内。 图6-1 (1)电路中D1和D2管的作用是消除 。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 (2)静态时,晶体管发射极电位VEQ 。 A、>0V B、=0V C、<0V (3)最大输出功率POM 。 A、 28W B、=18W C、=9W (4)当输入为正弦波时,若R1虚焊,即开路,则输出电压 。 A、为正弦波 B、仅有正半波 C、仅有负半波 (5)若D1虚焊,则T1管 。 A、可能因功耗过大烧坏 B、始终饱和 C、始终截止 2、功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大 。 A、交流功率 B、直流功率 C、平均功率 3、功率放大电路的转换效率是指 。 A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 4、在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有 。 A、β B、ICM C、ICBO D、VCEO E、PCM F、fT 二、判断题 1、在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。( ) 2、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。( ) 3、当OCL电路的最大输出功率为1W时,功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。( ) 4、功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是都使输出电压大于输入电压。( ) 5、功率放大电路与电压放大电路的区别是在电源电压相同的情况下,前者比后者的最大不失真输出电压大。( ) 三、计算题 1、在图6-2所示电路中,已知VCC=15V,T1和T2管的饱和管压降│VCES│=2V,输入电压足够大。求解: (1)最大不失真输出电压的有效值; (2)负载电阻RL上电流的最大值; (3)最大输出功率Pom和效率η。 图6-2 2、如图6-3电路中,已知T1,T2的饱和压降为2V,A为理想运算放大器且输出电压幅度足够大,VI为正弦电压。 计算负载上所能得到的最大不失真功率 求输出最大时输入电压幅值VIM 说明D1,D2在电路中的作用 图6-3 3、OTL电路如图6-4所示。 (1)为了使得最大不失真输出电压幅值最大,静态时T2和T4管的发射极电位应为多少?若不合适,则一般应调节哪个元件参数? (2)若T2和T4管的饱和管压降│VCES│=3V,输入电压足够大,则电路的最大输出功率Pom和效率η各为多少? (3)T2和T4管的ICM、V(BR)CEO和PCM应如何选择? 图6-4 第七单元练习 多级放大电路 一、选择题 在三种常见的耦合方式中,静态工作点独立,体积较小是( )的优点。 A、阻容耦合 B、变压器耦合 C、直接耦合 直接耦合放大电路的放大倍数越大,在输出端出现的漂移电压就越( )。 A、大 B、小 C、和放大倍数无关 在集成电路中,采用差动放大电路的主要目的是为了( ) A、提高输入电阻 B、减小输出电阻 C、消除温度漂移 D、提高放大倍数 两个相同的单级共射放大电路,空载时电压放大倍数均为30,现将它们级连后组成一个两级放大电路,则总的电压放大倍数( ) A、等于60 B、等于900 C、小于900 D、大于900 将单端输入——双端输出的差动放大电路改接成双端输入——双端输出时,其差模电压放大倍数将( );改接成单端输入——单端输出时,其差模电压放大倍数将( )。 A、不变 B、增大一倍 C、减小一半 D、不确定 二、填空题 三级放大电路中,已知 , ,则总的电压增益为________ dB,折合为 倍。 在集成电路中,由于制造大容量的 较困难,所以大多采用 的耦合方式。 长尾式差动放大电路的发射极电阻 越大,对 越有利。 多级放大器的总放大倍数为 ,总相移为 ,输入电阻为 ,输出电阻为 。 在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 ,而前级的输出电阻也可看作后级的 。 在阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种耦合方式中,既能放大直流信号,又能放大交流信号的是 ,只能放大交流信号的是 ,各级工作点之间相互无牵连的是 ,温漂影响最大的是 ,信号源与放大器之间有较好阻抗配合的是 ,易于集成的是 ,下限频率趋于零的是 。 三、计算题 1、如图7-1,设 ,晶体管β=50, , , , , , , , , , ,请计算 、 和 。(提示:先求静态工作点 ,再求 ) 图7-1 2、在图所示的两级放大电路中,已知β1,β2和rbe2,求电路的Au,Ri和Ro的表达式。 图7-2 3、多级放大器如图7-3所示,设电路元件及 、 、 参数 、 、 、 、 、 、 、 、 均为已知。试求: 1. 、 、 判断级联成何种组态电路; 2. 估算各级静态工作点; 3. 推导 、 及 表达式。 图7-3 第八单元练习 差分放大电路 一、选择题 差动放大电路两输入端的信号为 =100.5mV, =99.5mV,则差模输入信号和共模输入信号分别为( )。 A、差模1mV,共模100mV B、差模1mV,共模0.5mV C、差模0.5mV,共模100mV D、差模0.5mV,共模0.5mV 差动放大电路用恒流源代替 是为了( )。 A、提高差模电压放大倍数 B、提高共模电压放大倍数 C、提高共模抑制比 D、提高差模输入电阻 差分放大器由双端输入变为单端输入,其共模电压增益是( )。 A、不变 B、为双端输入时的1/2 C、增加一倍 D、不确定。 差分放大电路由双端输出改为单端输出,共模抑制 比减小的原因是( )。 A、 不变, 增大 B、 减小, 不变 C、 减小, 增大 D、 增大, 减小 二、填空题 若差动放大电路两输入端电压分别为 , ,则等值差模输入信号为 mV,等值共模输入信号为 mV。若双端输出电压放大倍数 ,则输出电压 mV。 三、计算题 1、 图8-1是集成运放BG303偏置电路的示意图,已知±UCC =±15V,外接偏置电阻R=1MΩ, 设三极管的值均足够大, 试估算基准电流IREF以及输入级放大管的电流IC1和IC2。 2、由JFET构成的普通电流源电路,已知 =-2V, =4mA, =10K, =1K,求: =? =? 3、图8-3所示电路中,设晶体管T1、T2、T3的参数完全一样,试推导输出电流Io与参考电流IREF 的关系式。 4、如图8-4,已知 , 。 1)计算静态时的 、 、 、 。设 的压降可忽略。 2)计算 、 、 。 3)当 =0.8V时(直流), =? 5、 图8-5中设 ~ 的 =120, =200 , =50K , =10K , = =100 ,R=4.3K , =1K , =12V, =6V, =0.7V。求: 1. 计算 、 的静态工作点 、 、 、 ; 2. 、 、 ; 3. 及 。 6、在图电路中,晶体管 均为50, 均为0.6V。 的滑动端位于中间位置。 当 =0V, =0V,求 、 和 的值。 设 =1.5K, =0.57K,计算 =0.1V时的 值。 输入电阻 ,输出电阻 。 图8-6 第九单元练习 集成运算放大电路 一、选择题 1、集成运放的输出级一般采用( )。 A、共基极电路 B、阻容耦合电路 C、互补对称电路 2、集成运放的中间级主要是提供电压增益,所以多采用( )。 A、共集电极电路 B、共发射极电路 C、共基极电路 3、集成运放的输入级采用差分电路,是因为( )。 A、输入电阻高 B、差模增益大 C、温度漂移小 4、集成运放的制造工艺,使得相同类型的三极管的参数( )。 A、受温度影响小 B、准确性高 C、一致性好 集成运放中的偏置电路,一般是电流源电路,其主要作用是( )。 A、电流放大 B、恒流作用 C、交流传输 二、填空题 1、集成运放是一种采用_________耦合的放大电路,所以低频性能__________,最常见的问题是_________________。 理想集成运放的Ad=________,输入电阻Rid=________,输出电阻Ro=​​​​​​​​​​​​​__________。 通用型集成运放的输入极大多采用__________电路,输出极大多采用__________电路。 集成运放的两个输入端分别为___________输入端和__________输入端,前者的极性与输出端__________,后者的极性与输出端____________。 三、判断题 1、运放的有源负载可以提高电路的输出电阻。( ) 2、理想运放是其参数比较接近理想值。( ) 3、运放的共模抑制比KCMR越高,承受共模电压的能力越强。( ) 4、运放的输入失调电压是两输入端偏置电压之差。( ) 5、运放的输入失调电流是两输入端偏置电流之差。( ) 6、只要是理想运放,不论工作在线性还是非线性状态,两个输入端都不从信号源取电路。( ) 四、问答题 1、通用型集成运算放大器一般由哪几个部分组成?每一部分常采用哪种基本电路?对每一基本电路又有何要求? 2、 理想运放的基本特征是什么?理想运放工作在线性和非线性各有哪些特征?什么是:“虚短”、“虚断”、“虚地”? 第十单元练习 负反馈放大电路 一、选择题 对于放大电路,所谓开环是指 。 A、无信号源 B、无反馈通路 C、无电源 D、无负载 而所谓闭环是指 。 A、考虑信号源内阻 B、存在反馈通路 C、接入电源 D、接入负载 在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的反馈是负反馈。 A、输入电阻增大 B、输出量增大 C、净输入量增大 D、净输入量减小 直流负反馈是指 。 A、直接耦合放大电路中所引入的负反馈 B、只有放大直流信号时才有的负反馈 C、在直流通路中的负反馈 交流负反馈是指 。 A、阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B、只有放大交流信号时才有的负反馈 C、在交流通路中的负反馈 为了实现下列目的,应引入 A、直流负反馈 B、交流负反馈 为了稳定静态工作点,应引入 ; 为了稳定放大倍数,应引入 ; 为了改变输入电阻和输出电阻,应引入 ; 为了抑制温漂,应引入 ; 为了展宽频带,应引入 。 选择合适答案填入空内。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 为了稳定放大电路的输出电压,应引入 负反馈; 为了稳定放大电路的输出电流,应引入 负反馈; 为了增大放大电路的输入电阻,应引入 负反馈; 为了减小放大电路的输入电阻,应引入 负反馈; 为了增大放大电路的输出电阻,应引入 负反馈; 为了减小放大电路的输出电阻,应引入 负反馈。 引入反馈系数为0.1的并联电流负反馈,放大器的输入电阻由1kΩ变为100Ω,则该放大器的开环和闭环电流增益分别为_________。 A、90和9 B、90和10 C、100和9 在以下关于深度负反馈的论述中,( )是错误的。 A、深度负反馈,放大器增益与晶体管参数几乎无关 B、深度负反馈,放大器不易自激 C、深度负反馈,放大器中频段增益稳定性很高 D、深度负反馈,放大器的通频带展宽 在负知反馈放大电路中,当环路增益 时,相移 。由此可知,该电路_________。 A、可能产生自激振荡 B、一定会产生自激振荡 C、一定不会产生自激振荡 10、负反馈放大器在下列情况中最容易引起自激的是( )。 A、闭环增益 大 B、开环增益A大 C、环路增益AF大 D、反馈系数F大 二、填空题 对于串联负反馈放大电路,为使反馈作用强,应使信号源内阻​​​​​_________________。 为使电流并联负反馈电路的输出电阻尽可能大,应使信号源内阻_______​​​____​​​__​​​_。 欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入 。 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入 。 负反馈放大电路是以降低电路的_____________来提高电路的其它性能指标。 当电路的闭环增益为40dB时,基本放大电路的增益变化10%,电路的闭环增益相应变化1%,则此时电路的开环增益为___________dB。 三、判断题 若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。( ) 负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。 ( ) 若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。 ( ) 阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后,越容易产生低频振荡。 ( ) 只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。 ( ) 放大电路的级数越多,引入的负反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定。 ( ) 负反馈所能抑制的干扰和噪声是指反馈环内的干扰和噪声。 ( ) 负反馈放大电路产生自激振荡的一定发生在高频区。 ( ) 四、分析计算题 1、判断图10-1所示各电路中是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈。若引入了交流负反馈,则判断是哪种组态的负反馈,并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数 或 。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 ​​(a) (b) (c) (d) (e) 第十一单元练习 信号运算与处理电路 一、填空题 1、现有电路: A. 反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路 C. 积分运算电路 D. 微分运算电路 E. 加法运算电路 F. 乘方运算电路 选择一个合适的答案填入空内。 (1)欲将正弦波电压移相+90O,应选用 。 (2)欲将正弦波电压转换成二倍频电压,应选用 。 (3)欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用 。 (4)欲实现Au=-100的放大电路,应选用 。 (5)欲将方波电压转换成三角波电压,应选用 。 (6)欲将方波电压转换成尖顶波波电压,应选用 。 2、 (1) 运算电路可实现Au>1的放大器。 (2) 运算电路可实现Au<0的放大器。 (3) 运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 (4) 运算电路可实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均大于零。 (5) 运算电路可实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均小于零。 (6) 运算电路可实现函数Y=aX2。 3、电路如图11-1所示,T1、T2和T3的特性完全相同,填空: (1)I1≈ mA,I2≈ mA; (2)若I3≈0.2mA,则R3≈ kΩ。 图11-1 二、选择题 1、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用 滤波电路。已知输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用 滤波电路 。为了获得输入电压中的低频信号,应选用 滤波电路 。为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用 滤波电路 。 A、带阻 B、带通 C、低通 D、有源 2、当集成运放工作在 时,可运用 和 概念,而 是 的特殊情况。   A、线性区   B、开环  C、闭环  D、虚短   E、虚地     F、虚断 三、判断题 1、运算电路中一般均引入负反馈。( ) 2、在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。( ) 3、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。( ) 4、各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。( ) 四、计算题 1、分别求解图11-2所示各电路的运算关系。 图11-2 2、在图11-3所示电路中,已知输入电压uI的波形如图(b)所示,当t=0时uO=0。试画出输出电压uO的波形。 图11-3 3、试分别求解图11-4所示各电路的运算关系。 图11-4 4、分别推导出图11-5所示各电路的传递函数,并说明它们属于哪种类型的滤波电路。 图11-5 第十二单元练习 正弦波振荡电路 一、选择填空题 1、现有电路如下: RC桥式正弦波振荡电路 LC正弦波振荡电路 石英晶体正弦波振荡电路 选择合适答案填入空内,只需填入A、B或C。 (1)制作频率为20Hz~20kHz的音频信号发生电路,应选用 。 (2)制作频率为2 MHz~20MHz的接收机的本机振荡器,应选用 。 (3)制作频率非常稳定的测试用信号源,应选用 。 2、选择下面一个答案填入空内,只需填入A、B或C。 A、容性 B、阻性 C、感性 (1)LC并联网络在谐振时呈 ,在信号频率大于谐振频率时呈 ,在信号频率小于谐振频率时呈 。 (2)当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时,石英晶体呈 ;当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈 ;其余情况下石英晶体呈 。 (3)当信号频率f=f0时,RC串并联网络呈 。 二、判断题 1、在RC桥式正弦波振荡电路中,若RC串并联选频网络中的电阻均为R,电容均为C,则其振荡频率f0=1/RC。( ) 2、电路只要满足 ,就一定会产生正弦波振荡。( ) 3、负反馈放大电路不可能产生自激振荡。( ) 4、在LC正弦波振荡电路中,不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。( ) 5、只要集成运放引入正反馈,就一定工作在非线性区。( ) 三、简答题 1、判断图12-1所示各电路是否可能产生正弦波振荡,简述理由。设图(b)中C4容量远大于其它三个电容的容量。 图12-1 2、接上题问,(1)若去掉两个电路中的R2和C3,则两个电路是否可能产生正弦波振荡?为什么?(2)若在两个电路中再加一级RC电路,则两个电路是否可能产生正弦波振荡?为什么? 四、计算题 1、电路如图题12-2所示, 稳压管DZ起稳幅作用,其稳定电压±UZ=±6V。试估算: (1)输出电压不失真情况下的有效值; (2)振荡频率。 图12-2 2、用相位条件来判断图12-3中的振荡电路能否起振,并回答问题:若电路能起振。为满足辐射条件,图(a)中的R 和R 之间应满足什么关系?图(b ) 中R 的数值应为多少?(计算R 和R 的串联值即可) 图题4.2 图12-3 五、分析题 分别判断图12-4所示各电路是否满足正弦波振荡的相位条件。 图12-4 第十三单元练习 直流稳压电源 一、选择题 1、整流的目的是 。 A、将交流变为直流 B、将高频变为低频 C、将正弦波变为方波 2、在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,则 。 A、 输出电压约为2UD B、 变为半波直流 C、 整流管将因电流过大而烧坏 3、直流稳压电源中滤波电路的目的是 。 A、 将交流变为直流 B、将高频变为低频 C、将交、直流混合量中的交流成分滤掉 4、滤波电路应选用 。 A、高通滤波电路 B、低通滤波电路 C、带通滤波电路 5、若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源,则应采用 。 A、电容滤波稳压管稳压电路 B、电感滤波稳压管稳压电路 C、电容滤波串联型稳压电路 D、电感滤波串联型稳压电路 6、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 。 A、基准电压 B、 采样电压 C、基准电压与采样电压之差 二、判断题 1、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。( ) 2、电容滤波电路适用于小负载电流,而电感滤波电路适用于大负载电流。( ) 3、在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。( ) 4、对于理想的稳压电路,△UO/△UI=0,Ro=0。( ) 5、线性直流电源中的调整管工作在放大状态,开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。( ) 6、因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈,因此也可能产生自激振荡。( ) 三、简答题 分别判断图13-1所示各电路能否作为滤波电路,简述理由。 图13-1 四、计算题 1、电路如图13-2所示,变压器副边电压有效值为2U2。 (1)画出u2、uD1和uO的波形; (2)求出输出电压平均值UO(AV)和输出电流平均值IL(AV)的表达式; (3)二极管的平均电流ID(AV)和所承受的最大反向电压URmax的表达式。 图13-2 2、试分别求出图13-3所示各电路输出电压的表达式。 图13-3 第一单元练习 数电绪论、数制码制 一、填空题 是用统一的符号和规则来表示数的方法,它包含两个基本因素: 和 。 二进制数有 、 两个符号,其基数为 ,计数规则是“ ”。 用一定规则组合而成的若干位二进制码来表示数或字符(字母或符号)的过程称为 。 数字信号的特点是在 上和 上都是断续变化的,其高电平和低电平常用 和 来表示。 分析数字电路的主要工具是 ,数字电路又称作 。 在数字电路中,常用的计数制除十进制外,还有 、 、 。 常用的BCD码有 、 、 、 等。常用的可靠性代码有 、 等。 (10110010.1011)2 =( )8 =( )16 (35.4)8 =( )2 =( )10 = ( )16 =( )8421BCD (39.75 )10=( )2 =( )8 =( )16 (5E.C)16=( )2 =( )8 =( )10 = ( )8421BCD (0111 1000)8421BCD =( )2 =( )8 =( )10 =( )16 二、选择题 以下代码中为无权码的为 。 A、8421BCD码 B、5421BCD码 C、余三码 D、格雷码 一位十六进制数可以用 位二进制数来表示。 A、1 B、2 C、4 D、16 十进制数25用8421BCD码表示为 。 A、10 101 B、0010 0101 C、100101 D、10101 在一个8位的存储单元中,能够存储的最大无符号整数是 。 A、(56)0 B、(27)0 C、(FF)16 D、(255)10 与十进制数(53.5)10等值的数或代码为 。 A、(0101 0011.0101)8421BCD B、(35.8)16 C、(110101.1)2 D、(65.4)8 矩形脉冲信号的参数有 。 A、周期 B、占空比 C、脉宽 D、扫描期 与八进制数(47.3)8等值的数为: 。 A、(100111.011)2 B、(27.6)16 C、(27.3)16 D、(100111.11)2 8、常用的BCD码有 。 A、奇偶校验码 B、格雷码 C、8421码 D、余三码 9、与模拟电路相比,数字电路主要的优点有 。 A、容易设计 B、通用性强 C、保密性好 D、抗干扰能力强 10、下述字节“53 4D 49 54 48”(用十六进制表示)表示了一个人的姓名在计算机内存中的存储形式,每个字节是添零的ASCII码。则此人的姓名为 。 A、SMITH B、CANDY C、MARIE D、SMILE 三、判断题(正确打√,错误的打×) 周期性方波的占空比为0.5。( ) 8421BCD码1001比0001大。( ) 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。( ) 格雷码最重要的特性是,任何两个相邻码只有一位码元不同。( ) 八进制数(17)8比十进制数(17)10小。( ) 在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号,话筒采集的语音信号是数字信号。( ) 占空比的公式为:q = t w / T,则周期T越大占空比q越小。( ) 十进制数(9)10比十六进制数(9)16小。( ) 十进制数转换为非十进制数时,整数部分采用“除基取余法”,小数部分采用“乘基取整法”。( ) 10、根据工作特点来看,数字电路可分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。( ) 第二单元练习 基本逻辑运算、逻辑代数公理定理 一、填空题 逻辑代数又称为 代数。最基本的逻辑关系有 、 、 三种。常用的几种导出的逻辑运算为 、 、 、 。 逻辑函数的常用表示方法有 、 、 、 。 逻辑代数的三个重要规则是 、 、 。 已知逻辑函数F= ,则根据摩根定律,其反函数(反演式) = ,根据对偶定律,其对偶式F’= 。 由于等式 恒成立,对两边都取对偶式可得等式 亦成立。 可化简为 。 逻辑函数F= = 。 已知函数的对偶式为 + ,则它的原函数为 。 二、选择题(不定项选择题) 以下表达式中符合逻辑运算法则的是 。 A、C·C=C2 B、1+1=10 C、0<1 D、A+1=1 逻辑变量的取值1和0可以表示: 。 A、开关的闭合、断开 B、电位的高、低 C、真与假 D、电流的有、无 当逻辑函数有n个变量时,共有 种变量取值组合? A、n B、2n C、n2 D、2n 逻辑函数的表示方法中具有唯一性的是 。 A、真值表 B、表达式 C、逻辑图 D、卡诺图 = 。 A、 B、 C、 D、 逻辑函数F= = 。 A、B B、A C、 D、 求一个逻辑函数F的对偶式,可将F中的 。 A、”.”换成“+”,“+”换成“.” B、原变量换成反变量,反变量换成原变量 C、变量不变 D、常数中“0”换成“1”,“1”换成“0” E、常数不变 A+BC= 。 A、A+B B、A+C C、(A+B)(A+C) D、B+C 在何种输入情况下,“与非”运算的结果是逻辑0。 A、全部输入是0 B、任一输入是0 C、仅一输入是0 D、全部输入是1 10、在何种输入情况下,“或非”运算的结果是逻辑0。 A、全部输入是0 B、全部输入是1 C、任一输入为0,其他输入为1 D、任一输入为1 三、判断题(正确打√,错误的打×) 逻辑变量的取值,1比0大。( )。 异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。( )。 若两个函数具有相同的真值表,则两个逻辑函数必然相等;若两个函数具有不同的真值表,则两个逻辑函数必然不相等。( )。 因为逻辑表达式A+B+AB=A+B成立,所以AB=0成立。( ) 图2-1所示的逻辑符号描述的逻辑运算是异或逻辑, 运算规律是“相异出一,相同出零”。 ( ) 仅当决定事件发生的所有条件均满足时,事件 才能发生,这种关系可用逻辑或表示。 ( ) 图2-1 逻辑函数两次求反则还原,逻辑函数的对偶式 再作对偶变换也还原为它本身。 ( ) , 。 ( ) 因逻辑表达式A + B +AB=A+B+AB成立,所以A + B= A+B成立。( ) 四、变换题 1、已知 , 求其反函数 和对偶式 。 五、简答题 (1)如果已知 ,那么 。正确吗?为什么?  (2)如果已知 ,那么 。正确吗?为什么? (3)如果已知 ,那么 。正确吗?为什么?  (4)如果已知 ,那么 。正确吗?为什么? 第三单元练习 逻辑函数的代数化简与变换 一、填空题 数字电路的输入量和输出量之间的关系,可以用 来描述。 最简与或式有两个特点,即:① ;② 。 代数化简法中常用方法有: 、 、 。 逻辑函数F= +A+B+C+D= 。 可化简为 。 A B C L 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 可化简为 。 的最简形式是 。 逻辑函数L真值表如表3-1所示,则函数的最小项表达式可以写成L=Σm( )= ,最简与或式为 。 n个变量可构成 个最小项,由n个变量构成的任何一个最小项有 种变量取值使其值为1。 二、判断题 逻辑函数Y=A + B+ C+B 已是最简与或表达式。( ) 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 与或式是由最小项之和构成的逻辑表达式,一个函数的标准与或式的表达式形式是唯一的。( ) 最小项m3是与项 的缩写。( ) 对于有4个变量的逻辑函数,最小项有16个。( ) 若两个函数具有不同的逻辑函数式,则两个逻辑函数必然不相等。( ) 三、化简与变换 求下列各式的最简与或式(要求写出化简过程) (1) (2) (3) (4) (5) (6) 用代数法将下列等式写成与非式的形式,并画出与非形式的逻辑电路图。 (1) (2) 与非式 逻辑图 四、证明题(用代数法证明下列等式成立) (1) (2) 第四单元练习 逻辑函数的卡诺图化简法 一、写出下列各式的标准与或式(最小项表达式) (1) (2) (3) 二、用卡诺图化简下列逻辑函数(必须在卡诺图上画出卡诺圈) (1) (2) Y(A,B,C,D)=∑m(0,1,2,3,4,5,6,7,13,15) (3) Y(A,B,C,D)=∑m(0,1,2,3,4, 6,8,9,10,11,14) (4) (5) P (A,B,C,D)= (6) 三、根据卡诺图,写出逻辑函数的最简与或式(必须在卡诺图上画出卡诺圈) BC A 00 01 11 10 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 CD AB 00 01 11 10 00 1 0 1 1 01 1 1 1 1 11 1 0 0 0 10 1 0 0 1 (1) (2) 四、用卡诺图判断下列两个逻辑函数Y和Z有何关系。 第五单元练习 逻辑门电路 一、填空题 与模拟电路不同,数字电路中的二极管、三极管、场效应管工作在 状态。 二极管从反向截止到正向导通所需的时间称为 ;从正向导通到反向截止所需的时间称为 。 SSI是 的简称,中规模集成电路简称 。 OC门称为 门,多个OC门输出端并联到一起可实现 功能。 三态门的三种状态分别为: 、 、 。 CMOS或非门与TTL或非门的逻辑功能 。(完全相同,不同) 对于增强型NMOS管,当VgsVT达到一定正电压值时,可使其进入饱和区,管子为 状态,漏极和源极之间相当于开关 。 集成逻辑门电路的主要参数有 、 、 、 。 二、简答题 试比较TTL和CMOS集成电路的优、缺点。 三、计算题 计算图5-1电路中的反相器GM能驱动多少个同样的反相器。要求GM输出的高、低电平符合VOH≥3.2V,VOL≤0.25V。所有的反相器均为74LS系列TTL电路,输入电流IIL≤-0.4mA,IIH≤20μA。VOL≤0.25V时输出电流的最大值IOL(max)=8mA,VOH≥3.2V时输出电流的最大值为IOH(max)=-0.4mA。GM的输出电阻可忽略不计。 图5-1 四、作图题: 已知CMOS逻辑门电路如图5-2(a)所示,请画出对应的逻辑符号,并画出图5-2(b)所示A、B的输入波形下,对应输出F的波形。 图5-2(a) 图5-2(b) 五、分析题 试分析图示电路的逻辑功能,写出输入输出之间关系的逻辑表达式。 图5-3(a) 图5-3(b) 第六单元练习 组合逻辑电路分析与设计 一、分析题 分析图6-1所示电路,写出输出函数F的表达式。 A B 图6-1 由与非门构成的某表决电路如下图所示。其中A、B、C、D表示4个人,L=1时表示决议通过。 (1)试分析电路,说明决议通过的情况有几种。 (2)分析A、B、C、D四个人中,谁的权利最大。 图6-2 试分析右图所示逻辑电路的功能。要求: 写出输出的逻辑表达式; 列出真值表,说明电路的逻辑功能。 图图6-3 二、设计题 试用2输入与非门和反相器设计一个4位的奇偶校验器,即当输入4个变量中有奇数个1时输出为0,否则输出为1。 已知某组合逻辑电路的输入A、B、C和输出F的波形如图6-4所示,试列出真值表,写出F的最简与或表达式。 图6-4 某雷达站有3部雷达A、B、C,其中A和B功率消耗相等,C的功率是A的功率的两倍。这些雷达由两台发电机X和Y供电,发电机X的最大输出功率等于雷达A的功率消耗,发电机Y的最大输出功率是X的3倍。要求设计一个逻辑电路,能够根据各雷达的启动和关闭信号,以最节约电能的方式启、停发电机。逻辑门自选。要求:(1)定义变量,列真值表;(2)写出逻辑表达式;(3)画出逻辑电路图。 第七单元练习 组合逻辑器件及应用 一、填空题 二进制编码器若有16个输入端,应该有 个输出端。 根据功能表,74LS148编码输入是 电平有效,输出端代码以 (原码,反码)形式出现。 二进制译码器通常有n个输入端, 个输出端,并且每一个输出端对应一个n个输入变量组成的 。 74LS47可驱动共 极数码管,74LS48可驱动共 极数码管。 在四位二进制加法电路74LS283的一组数据输入端A3A2A1A0输入8421BCD码,另一组数据输入端B3B2B1B0输入二进制代码 ,可在输出端S3S2S1S0得到8421BCD码对应的余3码。 要实现两个6位二进制数的大小比较,需要采用 片集成芯片 。 消除竞争冒险的方法有 、 、 等。 二、分析题 设优先编码器74LS148工作在表7-1所列输入情况下,分别确定输出端的状态。 表7-1 输入 输出 A2 A1 A0 EO GS (1)6=0,3=0,其余为1; (2)EI=0,6=0,其余为1; (3)EI=0,6=0,7=0,其余为1; (4)EI=0,0~7全为0; (5)EI=0,0~7全为1 用集成译码器74LS138构成图7-1所示电路,写出输出F的逻辑表达式,列出真值表并说明电路的逻辑功能。 图7-1 分析由四位超前进位全加器74LS283组成的图7-2所示电路,说明在表7-2所列情况下电路输出CO和S3S2S1S0的状态。 表7-2 输入 输出 K A3A2A1A0 B3B2B1B0 CO S3 S2 S1 S0 0 0101 1001 0 0111 1101 1 1011 0110 1 0101 1110 图7-2 三、设计题 试用集成八选一数据选择器74151实现逻辑函数Y=A⊙B⊙C。要求写出设计过程,画出完整电路图。 某组合逻辑电路(一位二进制数全加器)的真值表如表7-3所示,试用译码器74LS138和与非门设计该逻辑电路。 表7-3 A B C S C 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 第八单元练习 触发器 一、选择题 N个触发器可以构成能寄存 位二进制数码的寄存器。 A、N-1 B、N C、N+1 D、2N 一个触发器可存储 位二进制代码,它有 个稳态。 A、1,0 B、2,1 C、1,2 D、2,3 存储8位二进制信息要 个触发器。 A、2 B、3 C、4 D、8 对于T触发器,若现态Qn=0,欲使次态Qn+1=1,应使输入T= 。 A、0 B、1 C、Q D、 对于D触发器,欲使Qn+1=Qn,应使输入D= 。 A、0 B、1 C、Q D、 对于JK触发器,若J=K,则可完成 触发器的逻辑功能。 A、 RS B、 D C、 T D、 Tˊ 欲使JK触发器按Qn+1= n工作,可使JK触发器的输入端 。 A、J=K=1 B、J=Q, K= C、J= , K=Q D、J=Q, K=1 E、J=1, K=Q 欲使D触发器按Qn+1= n工作,应使输入D= 。 A、0 B、1 C、Q D、 9、下列触发器中,没有约束条件的是 。 A、基本RS触发器 B、主从RS触发器 C、同步RS触发器 D、边沿D触发器 10、描述触发器的逻辑功能的方法有 。 A、状态转换表 B、特性方程 C、状态转换图 D、驱动表 11、为实现将JK触发器转换
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分类:工学
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