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SRAM成果简介

SRAM成果简介 SRAM IPSRAM IP成果简介成果简介柏娜（SRAM组）柏娜（SRAM组） baina@seu.edu.cn J 08 2012January 08, 2012 Content z High Speed SRAM IPHigh Speed SRAM IP z Low Power SRAM IP z SRAM IP Compiler High Speed SRAM IP(1) Huffman Decoder Lookup Memory FIFO Array SRAM Writer...

SRAM IPSRAM IP成果简介成果简介柏娜（SRAM组）柏娜（SRAM组） baina@seu.edu.cn J 08 2012January 08, 2012 Content z High Speed SRAM IPHigh Speed SRAM IP z Low Power SRAM IP z SRAM IP Compiler High Speed SRAM IP(1) Huffman Decoder Lookup Memory FIFO Array SRAM Writer Interface y SMIC 65nm LL CMOS Technology High Speed SRAM IP(2) High speed SRAM IP (16Kbit) Technology SMIC 65nm CMOS 1P9M Package 64-pin QFP SRAM organization 128 rows ×128 columns (16Kbit) Test chip area 196.4 um ×115.9 um Supply voltage 1.2V Operating clock frequency ~ 1.2GHz@25℃Operating clock frequency 1.2GHz@25℃ Power Consumption 15.8 uA/MHz 采用的关键技术采用的关键技术：（1）SRAM存储单元阵列的优化划分，实现面积和性能折衷（2）内部自适应脉冲时序产生电路，实现高稳定性低功耗（3）SRAM采用模块化设计，利于编译器优化（4）多级译码器技术，实现性能和功耗折衷 Low Power SRAM IP（1） Huffman Decoder FIFO Huffman Decoder SRAM Writer Interface Lookup Memory FIFO Array Lempel-Ziv Decoder Single Decompression Path Low Power SRAM IP(2) Low Power SRAM IP (16Kbit) Technology SMIC 65nm CMOS 1P9M Package 160-pin QFP SRAM organization 128 rows ×128 columns (16Kbit) Test chip area 204.2 um ×132.8 um Supply voltage 1.2V Operating clock frequency ~ 0.9GHz Power Consumption 12.6 uA/MHz 采用的关键技术：（1）大尺寸晶体管采用Power-gate低漏流技术（2）采用复制下拉管二极管连接实现存储阵列PG（2）采用复制下拉管二极管连接实现存储阵列PG （3）结合模块结构，晶体管级尺寸优化（4）非关键路径采用多阈值管技术 SRAM IP Compiler（1） .gds 多种 .net 多种输出文件 .v lib.lib .lef .ds ¾ 深度：16-8192字，宽度：2-128位可配置（最大容量1MB）； ¾ 高速低功耗两种编译模式； SRAM IP Compiler（2）高速模式编译1.两种编译编译模式高速模式编译低功耗模式编译 2.SRAM按模块划分根据SRAM容量，优化存储阵列划分和版图布局划分版图布局 3.精确的时序与功采用精确的仿真工具时序与功耗模型采用分段差值拟合法快速准确建模 4.灵活的语法编译基于C语言的语法编译简单易用的拼接函数指标总结与对比编译器指标总结（SMIC 65nm technology 16Kbit ）编译器指标总结（SMIC 65nm technology, 16Kbit ）性能 SMIC Very High Speed SMIC High Speed High Speed IP Low Power IP 性能 483ps(TT) 604ps(TT) 540ps（TT） 612ps（TT） 871ps(WC) 1083ps(WC) 883.6ps(WC) 1136ps(WC) 面积 28826.512 um2 24753.397 um2 22762.6 um2 27117.76um2 功耗（％翻功耗（50％翻转率） 17.591 uA/MHz(TT) 15.927 uA/MHz(TT) 14.8 uA/MHz(TT) 12.6 uA/MHz(TT)

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