NAND Flash存储器 K9F28XXU0C

广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 1 16M 8位 8M 16位 NAND Flash存储器 K9F28XXU0C 产品列表 器件类型 Vcc范围 结构 PKG类型 K9F2808U0C-Y, P TSOP1 K9F2808U0C-V, F 8 WSOP1 K9F2816U0C-Y, P 2.7 3.6V 16 TSOP1 特性 n 电源电压 2.7 3.6V n 结构 存储器单元阵列 8器件 K9F2808U0C 16M+512K 位 8位 16器件 K9F2816U0C 8M+256K 位 16位 数据寄存器 8器件 K9F2808U0C 512+16 位 8位 16器件 K9F2816U0C 256+8 位 16位 n 自动编程和擦除 页编程 8器件 K9F2808U0C 512+16 字节 16器件 K9F2816U0C 256+8 字 块擦除 8器件 K9F2808U0C 16K+512 字节 16器件 K9F2816U0C 8K+256 字节 n 页面读操作 页面规格 8器件 K9F2808U0C 512+16 字节 16器件 K9F2816U0C 256+8 字 随机访问 10us 最大 串行页面访问 50ns 最小 n 快速写周期时间 编程时间 200us 典型值 块擦除时间 2ms 典型值 n 命令/地址/数据复用 I/O口 n 硬件数据保护 电源变化时编程/擦除关闭 n 可靠的 CMOS浮闸技术 耐用性 100K编程/擦除周期 数据保存时间 10年 n 命令寄存器操作 n 特有的 ID版权保护 n 封装 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 2 K9F28XXU0C-YCB0/YIB0 48脚 TSOP 12 20/0.5 mm间距 K9F28XXU0C-PCB0/PIB0 48脚 TSOP 12 20/0.5mm间距 无铅封装 K9F2808U0C-VCB0/VIB0 48脚WSOP 12 17 0.7mm K9F2808U0C-FCB0/FIB0 48脚WSOP 12 17 0.7mm 无铅封装 *除封装外 K9F2808U0C-V/F (WSOPI)和 K9F2808U0C-Y/P (TSOP1)完全相同 概述 K9F28XXU0C是一个含有 4M位备用容量的 128M位 Flash存储器 提供 16M 8位或 8M 16位两种 结构 它的 Vcc为 3.3V 其 NAND单元为固态海量存储器市场提供了最低成本的 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 528字节 8器 件 或 264字 16器件 的页编程操作时间为 200us 16K字节 8器件 或 8K字 16器件 的块 擦除操作时间为 2ms 页面的数据以每个字 8器件或 16器件 50ns的速度被读出 I/O管脚可用作地 址线 数据输入/输出口以及命令输入口 片内写控制自动实现所有编程和擦除功能 包括脉冲的周期 内 部校验和数据冗余 主要需要写操作的系统也可利用 K9F28XXU0C的 100K可靠的编程/擦除周期 通过提 供实时描述算法得出的 ECC 错误校验码 特性来实现 对于诸如固态文件存储和其它需要非易失性存储器的手持式应用等大量非易失性存储器应用 使用 K9F28XXU0C器件可轻松实现 管脚配置 TSOP1 K9F28XXU0C-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0 N.C N.C N.C N.C N.C GND R/B RE CE N.C N.C Vcc Vss N.C N.C CLE ALE WE WP N.C N.C N.C N.C N.C Vss I/O15 I/O7 I/O14 I/O6 I/O13 I/O5 I/O12 I/O4 N.C N.C Vcc N.C N.C N.C I/O11 I/O3 I/O10 I/O2 I/O9 I/O1 I/O8 I/O0 Vss 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 N.C N.C N.C N.C N.C GND R/B RE CE N.C N.C Vcc Vss N.C N.C CLE ALE WE WP N.C N.C N.C N.C N.C N.C N.C N.C N.C I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 N.C N.C N.C Vcc Vss N.C N.C N.C I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 N.C N.C N.C N.C X8X16 X16X8 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 3 封装尺寸 48脚铅/无铅 TSOP封装类型(1) 48 - TSOP1 - 1220F Unit :mm/Inch 0.787±0.008 20.00±0.20 #1 #24 #48 #25 0.039±0.002 1.00±0.05 0.002 0.05 MIN 0.047 1.20 MAX 0.45~0.75 0.018~0.030 0.724±0.004 18.40±0.10 0~8° 0.50 0.020 ( ) 管脚配置 WSOP1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 N.C N.C DNU N.C N.C N.C R/B RE CE DNU N.C Vcc Vss N.C DNU CLE ALE WE WP N.C N.C DNU N.C N.C N.C N.C DNU N.C I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 N.C DNU N.C Vcc Vss N.C DNU N.C I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 N.C DNU N.C N.C 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 4 封装尺寸 48脚铅WSOP1封装类型(1) 48 - WSOP1 - 1217F Unit :mm 15.40±0.10 #1 #24 #48 #25 17.00±0.20 0°~8° 0.45~0.75 0.58±0.04 0.70 MAX (0.01Min) 管脚描述 管脚名称 管脚功能 I/O0 I/O7 (K9F2808U0C) I/O0 I/O15 (K9F2816U0C) 数据输入/输出 这些 I/O口用来输入命令 地址和数据 以及在读操作时输出数据 当芯片未被选 择使用或输出禁止时 I/O口为高阻态 I/O8 I/O15只用在 16器件中 由于命令和地址输入都是 8的操作 因此 I/O8 I/O15不能用于输入命令&地址 I/O8 I/O15只能用作数据输入和输出口 CLE 命令锁存使能 CLE输入控制着发送到命令寄存器的命令的有效通路 当它为有效的高电平时 命 令在WE信号的上升沿通过 I/O口锁存到命令寄存器中 ALE 地址锁存使能 ALE输入控制着地址到内部地址寄存器的有效路径 ALE为高电平时 地址在WE 信号的上升沿被锁存 CE 芯片使能 CE 输入是器件选择控制信号 当器件出于忙状态时 CE 的高电平被忽略 器件 在执行编程或擦除操作时不会返回到等待模式 有关CE 控制信号对读操作的影响 请参考器件操作的 页面读 一节的内容 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 5 续上表 管脚名称 管脚功能 RE 读使能 RE输入控制着串行数据的输出 当该信号有效时 数据被驱动到 I/O总线上 RE 变成上升沿 tREA 后 数据有效 RE每出现一次上升沿 内部列地址计数器就加 1 WE 写使能 WE输入控制着写 I/O口操作 命令 地址和数据在WE脉冲的上升沿被锁存 WP 写保护 WP为电源变化时的无意写提供了写/擦除保护 当WP管脚为有效低电平时 内部 高电压发生器复位 R/ B 读/忙输出 R/ B输出用来指示器件的工作状态 为低时 表明器件正在执行编程 擦除或随机 读操作 这些操作完成后 R/ B返回高电平 该信号是一个开漏输出 当芯片未被 选择使用或输出被禁能时它不呈现高阻态 VCCQ 输出缓冲区电源 VCCQ是输出缓冲区的电源 VCCQ内部连接到 Vcc 因此其值与 Vcc很接近 Vcc 电源 Vcc是器件电源 Vss 地 N.C 不连接 管脚内部不连接 GND 使能备用空间的 GND输入 当执行包括备用空间在内的连续读操作时 该输入脚连接到 Vss或设置成静态低状 态 当执行除备用空间外的连续读操作时 该输入脚连接到 Vcc或设置成静态高状 态 DNU 未使用 该管脚不连接 注 每个器件的所有 Vcc和 Vss管脚都连接到公共的电源输出 Vcc或 Vss不能悬空不连 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 6 VCC X-缓冲区 128M + 4M Bit 命令寄存器 NAND Flash 阵列 (512 + 16)Byte x 32768 Y-Gating 页面寄存器 & S/A I/O缓冲区 &锁存器 锁存器 &译码器 Y-缓冲区 锁存器 &译码器 &高电压发生器 输出驱动器 VSS A9 - A23 A0 - A7 命令 CE RE WE WP I/0 0 I/0 7 VCC/VCCQ VSS A8 CLE ALE 控制逻辑 总缓冲区 图 1.1 K9F2808U0C ( 8)功能框图 512Byte 16 Byte I/O 0 I/O 1 I/O 2 I/O 3 I/O 4 I/O 5 I/O 6 I/O 7 1st Cycle A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 2nd Cycle A9 A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16 3rd Cycle A17 A18 A19 A20 A21 A22 A23 L* 1st half Page Register (=256 Bytes) 2nd half Page Register (=256 Bytes) 32K Pages (=1,024 Blocks) 512 Byte 8 bit 16 Byte 1 Block =32 Pages = (16K + 512) Byte I/O 0 ~ I/O 7 1 Page = 528 Byte 1 Block = 528 Byte x 32 Pages = (16K + 512) Byte 1 Device = 528Bytes x 32Pages x 1024 Blocks = 132 Mbits 列地址 行地址 (页面地址) 页面寄存器 注 列地址 寄存器的起始地址 00h命令 读 定义寄存器的第一个半页的起始地址 01h命令 读 定义寄存器的第二个半页的起始地址 *A8通过 00h或 01h命令设置成 低 或 高 *器件忽略任何不需要的地址周期的输入 *L必须设置成 低 图 2.1 K9F2808U0C ( 8)阵列结构 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 7 VCC X-缓冲区 128M + 4M Bit 命令寄存器 NAND Flash ARRAY (256 + 8)Word x 32768 Y-Gating 页面寄存器& S/A I/O缓冲区 &锁存器 锁存器 &译码器 Y-缓冲区 锁存器 &译码器 控制逻辑 &高电压发生器 总缓冲区 输出驱动器 VSS A9 - A22 A0 - A7 命令 CE RE WE WP I/0 0 I/0 15 VCC/VCCQ VSS CLE ALE 图 1.2 K9F2816U0C ( 16)功能框图 256Word 8 Word I/O 0 I/O 1 I/O 2 I/O 3 I/O 4 I/O 5 I/O 6 I/O 7 I/O8 to 15 1st Cycle A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 L* 2nd Cycle A9 A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16 L* 3rd Cycle A17 A18 A19 A20 A21 A22 L* L* L* Page Register (=256 Words) 32K Pages (=1,024 Blocks) 256 Word 16 bit 8 Word 1 Block =32 Pages = (8K + 256) Word I/O 0 ~ I/O 15 1 Page = 264 Word 1 Block = 264 Word x 32 Pages = (8K + 256) Word 1 Device = 264Words x 32Pages x 1024 Blocks = 132 Mbits 列地址 行地址 (页面地址) 页面寄存器 注 列地址 寄存器的起始地址 *L必须设置成 低 *器件忽略任何不需要的地址周期的输入 图 2.2 K9F2816U0C ( 16)阵列结构 器件简介 K9F23XXU0C是一个 132Mbit 138,412,032 bit 的存储器 组成 32,768行 页 528 8器件 或 264 16器件 列 备用的 8列位于 512 527列 8器件 或 256 263列 16器件 一个 528字 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 8 节 8器件 或 264字 16器件 的数据寄存器连接到存储器单元阵列来实现页面读和页面编程操作 中 I/O 缓冲区和存储器之间的数据传输 存储器阵列由 16 个单元组成 这 16 个单元串联到一起形成一个 NAND结构 每个单元位于不同的页面 一个块由两个 NAND结构的串组成 一个 NAND结构包含 16个 单元 全部 135168个 NAND单元位于一个块中 阵列的结构见图 2.1 2.2 编程和读操作是对页面的操作 而擦除操作则是对块的操作 存储器阵列由 1024个独立的可擦除的 16K字节 8器件 或 8K字 16 器件 块组成 K9F28XXU0C禁止位擦除 K9F28XXU0C的地址复用到 8位的 I/O口 16器件 低 8位 I/O口 K9F2816U0C允许 16位宽的 数据写入页面寄存器或从页面寄存器中读出 这种方法可显著降低器件的管脚数目 提高性能 并且 允 许系统升级到更高的密度而保持系统板的固有设计不变 当CE 为低时 将WE变低可使地址和数据通过 I/O口写入 数据在WE的上升沿被锁存 命令锁存使能 CLE 和地址锁存使能 ALE 分别用在复用时 对通过 I/O 口的命令和地址进行处理 一些命令只需要 1 个总线周期的执行时间 例如 复位命令 读命 令 状态读命令等都只需要 1 个总线周期 一些诸如页编程和块擦除的其它命令需要 2 个周期 1 个周期 用来建立命令 另一个周期用来执行命令 16K字节 8器件 或 32K字 16器件 的物理空间需要 24根地址线 8器件 或 23根地址线 16器件 因此 字寻址方式需要 3个周期 按照列地址 行 地址低字节和行地址高字节的顺序 页面读和页面编程需要相同的 3 个地址周期 它们在所需的命令输入 后开始执行 在块擦除操作中 只使用 2 个行地址周期 器件的操作通过将指定的命令写入命令寄存器来 选择 表 1定义了 K9F28XXU0C的指定命令 器件还包含一个块的 OTP 一次性可编程 可用来增强系统的安全性或提供系统识别能力 有关的详 细信息请与 Samsung公司联系 表 1 命令 功能 第一个周期 第二个周期 忙时可接受的命令 读 1 00h/ 01h(1) - 读 2 50h - 读 ID 90h - 复位 FFh - O 页编程 80h 10h 块擦除 60h D0h 读状态 70h - O 注 1. 00h命令定义了寄存器的第一个半页的起始地址 01h命令定义了寄存器的第二个半页的起始地址 当使用 01h命令访问完寄存器的第二个半页的数据后 起始指针在下个周期自动移至寄存器的第一 个半页 00h 注意 除表 1中定义的命令外 禁止输入任何未定义的命令 绝对最大额定值 参数 符号 额定值 单位 VIN/OUT -0.6 +4.6 VCC -0.6 +4.6 相对于 VSS的任何管脚电压 VCCQ -0.6 +4.6 V K9F28XXU0C-XCB0 -10 +125 温度 K9F28XXU0C-XIB0 TBIAS -40 +125 K9F28XXU0C-XCB0 存储温度 K9F28XXU0C-XIB0 TSTG -65 +150 短路电流 LOS 5 mA 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 9 注 1. 输入/输出管脚上的 DC 电压最小值是-0.6V 转变过程中 这个电平在小于 30ns 的周期内可以下降到 -2.0V 输入/输出管脚上的 DC电压最大值是 VCC+0.3V 转变过程中 这个电平在小于 20ns的周期内 可上升到 VCC+2.0V 2. 如果超出绝对最大额定值 可能造成器件的永久损坏 功能操作的限制条件在本数据手册中有详细描 述 长期工作在最大额定值条件下会影响器件的可靠性 建议工作条件 电压以 GND为参考点, K9F28XXU0C-XCB0 TA=0 70 K9F28XXU0C-XIB0 TA= -40 85 K9F28XXU0C 3.3V 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 电源电压 VCC 2.7 3.3 3.6 V 电源电压 VCCQ 2.7 3.3 3.6 V 电源电压 VSS 0 0 0 V DC和工作特性 建议的工作条件 除非特别说明 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续读 ICC1 tRC=50ns CE =VIL IOUT=0mA - 10 20 编程 ICC2 - - 10 20 工作 电流 擦除 ICC3 - - 10 20 等待电流 TTL ISB1 CE =VIH WP =0V/VCC - - 1 mA 等待电流 CMOS ISB2 CE = VCC –0.2 WP =0V/VCC - 10 50 输入漏电流 ILI VIN=0 VCC 最大值 - - 10 输出漏电流 ILO VOUT=0 VCC 最大值 - - 10 uA I/O管脚 2.0 - VCCQ+0.3 输入高电压 VIH* 除了 I/O管脚 2.0 - VCC+0.3 输入低电压 所有 输入 VIL* - -0.3 - 0.8 输出高电压电平 VOH IOH=-400 A 2.4 - - 输出低电压电平 VOL IOL=2.1mA - - 0.4 V 输出低电流 R/ B IOL (R/ B ) VOL=0.4V 8 10 - mA 注 对于 20ns或小于 20ns的时间内 VIL可以降低到-0.4V VIH可以上升到 VCC +0.4V 有效块 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 有效块数量 NVB 1004 - 1024 Block 注 1. 当首次出厂时 器件可能包含无效块 使用过程中可能会出现其它的无效块 有效块的数量与出 现无效块的情况有关 无效块是指含有 1 个或多个错误数据位的块 不能擦除或编程出厂时已被 屏蔽的坏的块 有关无效块的处理请参考相应的技术注意事项 2. 第 1块的地址为 00h 这个块保证有效 整个 1k的编程/擦除周期内都无需进行错误校验 3. 每个邻近的 64M存储器空间至少含有 502个有效块 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 10 AC测试条件 K9F28XXU0C-XCB0 TA=0 70 K9F28XXU0C-XIB0 TA= -40 85 K9F28XXU0C VCC 2.7 3.6V 除非特别说明 参数 K9F28XXU0C 输入脉冲电平 0.4V 2.4V 输入上升和下降时间 5ns 输入和输出时序电平 1.5V 输出负载 VCCQ 3.0+/-10% 1 TTL GATE和 CL=50pF 输出负载 VCCQ 3.3+/-10% 1 TTL GATE和 CL=100pF 电容 TA=25 VCC=3.3V f=1.0MHz 参数 符号 测试条件 最小值 最大值 单位 输入/输出电容 CI/O VIL=0V - 10 pF 输入电容 CIN VIN=0V - 10 pF 注 电容是采样得到的 并未经 100%测试 模式选择 CLE ALE CE WE RE GND WP Mode H L L H X X 读模式 L H L H X X H L L H X H 写模式 L H L H X H L L L H L H 数据输入 L L L H L X L L L H H L X 在K9F2808U0C_Y或P or K9F2808U0C_V,F上读操作过程中 忙 X X X X H L X 除K9F2808U0C_Y,P和 K9F2808U0C_V,F之外的其它器件的读 操作过程中 X X X X X L H X X X X X X H X X(1) X X X X L X X H X X 0V 0V/VCC(2) 命令输入 地址输入 3个时钟 命令输入 地址输入 3个时钟 数据输出 编程过程中 忙 擦除过程中 忙 写保护 等待 注 1. X可以是 VIL或 VIH 2. 备用模式下WP应为 CMOS高或 CMOS低 编程/擦除特性 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 编程时间 tPROG - 200 500 us 主阵列 - - 2 周期 同一页的部分编程周期数 备用阵列 Nop - - 3 周期 块擦除时间 tBERS - 2 3 ms 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 11 命令/地址/数据输入的 AC时序特性 参数 符号 K9F2808U0C 单位 CLE建立时间 tCLS 0 - ns CLE保持时间 tCLH 10 - ns CE 建立时间 tCS 0 - ns CE 保持时间 tCH 10 - ns WE脉冲宽度 tWP 25 - ns ALE建立时间 tALS 0 - ns ALE保持时间 tALH 10 - ns 数据建立时间 tDS 20 - ns 数据保持时间 tDH 10 - ns 写周期时间 tWC 50 - ns WE高电平保持时间 tWH 15 - ns 注 如果 tCS小于 10ns tWP的最小值必定为 35ns 否则 tWP的最小值可能是 25ns AC工作特性 参数 符号 K9F2808U0C 单位 从存储单元到寄存器的数据传输 tR - 10 us ALE到 RE的延时 tAR 10 - ns CLE到 RE的延时 tCLR 10 - ns 准备就绪到 RE低电平 tRR 20 - ns RE脉冲宽度 tRP 25 - ns WE高到忙 tWB - 100 ns 读周期时间 tRC 50 - ns CE 访问时间 tCEA - 45 ns RE访问时间 tREA - 30 ns RE高到输出高阻 tRHZ - 30 ns CE 高到输出高阻 tCHZ - 20 ns RE或CE 高到输出保持 tOH 15 - ns RE高电平保持时间 tREH 15 - ns 输出高阻到 RE低 tIR 0 - ns WE高到 RE低 tWHR 60 - ns 器件复位时间 读/编程/擦除 tRST - 5/10/500 1 s 上一个 RE高到忙 连续读 tRB - 100 ns CE 高到准备就绪 读过程 中被CE 中途终止 tCRY - 50+tr R/ B 3 ns 只有 K9F2808U0C- Y, P, V, F CE 高电平保持时间 上一 次串行读操作 2 tCEH 100 - ns 注 1. 如果复位命令 FFh 在准备状态被写入 器件进入忙状态 最长时间为 5us 2. 要中断连续读周期 CE 高电平的时间必须大于 tECH 3. 准备状态的时间取决于 R/ B管脚连接的上拉电阻值 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 12 NAND Flash技术注意事项 无效块 无效块定义成包含一个或多个无效位的块 无效块的可靠性不能得到 Samsung的保证 有关无效块的 信息被称之为无效块信息 含有无效块的器件性能和包含的块都是有效的器件的性能相同 具有相同的 AC 和 DC 特性 无效块并不影响有效块的性能 因为两者的位线和公共的电源利用一个选择晶体管隔离 系 统必须设计成无效块能通过地址映射来屏蔽 第 1 个块的开始地址为 00h 它必须是一个有效块 在高达 1K的编程/擦除周期内都不需要进行错误检查 识别无效块 器件的所有地址单元都可被擦除 FFh 出厂前被写入无效块信息的地址单元除外 无效块的状态由 备用空间的第 6个字节 8 器件 或第 1个&第 6个字 16器件 来定义 Samsung公司确保每个无 效块的第 1页或第 2页在 517 8器件 列地址处或 256和 261 16 列地址处会有非 FFh 8器件 或非 FFFFh 16器件 的数据存在 由于在大部分情况下无效块信息也被擦除 因此一旦执行擦除操作 无效块的信息就不可能再恢复了 所以 系统必须能够根据最初的无效块信息识别出无效块 再通过下面 的流程图 图 3 建立无效块表 禁止对最初的无效块信息进行刻意地擦除 * 开始 设置块地址= 0 检查 "FFh" ? 块地址递增 最后一个块 ? 结束 No Yes Yes 建立 或更新 无效块表 No 在每块的第1页和第2页的列地址517 8器件 或256和261 16器件 列地址处检查 FFh 数据 图 3 建立无效块表的流程图 写/读操作中的错误 在 NAND Flash 存储器的使用期限内 额外的无效块伴随出现 请参考真实数据的检查 报告 软件系统测试报告下载sgs报告如何下载关于路面塌陷情况报告535n,sgs报告怎么下载竣工报告下载 在设计 一个高度可靠的系统时应该考虑可能出现的以下错误模式 当擦除或编程操作后状态读取失败时 应当执 行块代替 由于页编程操作时的编程状态出错并不影响同一块中的其它页面的内容 因此 块代替操作只 要在一个页面规格的缓冲区内进行 只需寻找一个被擦除了的空的块 将当前的目标数据重新编程写入该 空块 再把被代替的块的其余数据复制过来即可 为了提高存储器空间的使用效率 当由于一位数据出错 而导致读或校验失败时 建议通过 ECC来修复 不需要执行任何的块代替 这里说的额外的块出错率不包 含那些被修复的块 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 13 出错模式 检测 工程第三方检测合同工程防雷检测合同植筋拉拔检测方案传感器技术课后答案检测机构通用要求培训 和纠正序列 擦除出错 擦除后的状态读取 块代替 写 编程出错 编程后的状态读取 块代替 读回 编程后的校验 块代替或 ECC校验 读 一位数据出错 校验 ECC ECC校正 ECC 错误校验码 汉明码 Hamming Code 等 例 1位校验 & 2位检测 编程流程图 开始 I/O 6 = 1 ? 写 00h I/O 0 = 0 ? No* 写 80h 写地址 写数据 写 10h 读状态寄存器 写地址 等待tR时间 校验数据 No 编程结束 或 R/B = 1 ? 编程出错 Yes No Yes 如果使用了ECC 则不需要这部分校验操作 * 编程出错 Yes :* 如果编程操作导致出错 找到包含错误的页面所在的块将目标数据拷贝到另一块中 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 14 擦除流程图 读流程图 起始 I/O 6 = 1 ? I/O 0 = 0 ? No* 写60h 写块地址 写 D0h 读状态寄存器 或 R/B = 1 ? 擦除出错 Yes No :* 擦除结束 Yes 起始 校验 ECC No 写00h 写地址 读数据 ECC产生 修复错误 页面读操作结束 Yes 如果擦除操作导致出错 找到出错的块 用另一个 块将其取代 块代替 控制器的缓冲区存储器 1st Block A Block B (n-1)th nth (page) 1 2 1st (n-1)th nth (page) 出现一个错误 *第 1步 擦除或编程操作过程中在 Block A 的第 n页出现一个错误 *第 2步 将缓冲存储器的 Block A 的第 n页的数据复制到另一个空的块 Block B 的第 n页 *第 3步 然后 将第 1页 第(n 1)页的数据复制到 Block B 的相同位置 *第 4步 通过建立一个 无效块 表无需再进一步擦除 Block A 或使用其它合适的方法来实现 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 15 K9F2808U0C ( 8)指针操作 Samsung NAND Flash有 3个地址指针命令 可用来代替 2个最高列地址 00h 命令将指针设置成指 向 A 区域 0 255 字节 01h 命令将指针设置成指向 B 区域 256 511 字节 50h 命令将 指针设置成指向 C 区域 512 527 字节 使用这些命令 起始列地址可被设置为整个页面 0 527 字节 内的任何一个值 00h 或 50h 保持不变 直到输入另一个地址指针命令 但是 01h 命令只 能用于一个操作 在任何读 编程 擦除 复位操作后 通过 01h 命令可执行一次上电 地址指针自动 返回到 A 区域 为了从 A 或 C 区域开始编程 在写入 80h 命令之前必须输入 50h 命令 在 80h 命令发布之前无需执行一次完整的读操作 为了从 B 区域开始编程 01h 命令必须恰好在 写入 80h 命令之前输入 表 2 指针方向 命令 指针位置 区域 00h 0 255字节 第 1个半阵列 A 01h 256 511字节 第 2个半阵列 B 50h 512 527字节 备用阵列 C "A"区域 256字节 (00h plane) "B"区域 (01h plane) "C"区域 (50h plane) 256字节 16字节 "A" "B" "C" 内部页面寄存器 指针选择命令 (00h, 01h, 50h) 指针 图 4 指针操作方框图 (1) 编程 A 区域的命令输入序列 00h 地址/数据输入 80h 10h 00h 80h 10h 地址/数据输入 ’00h’可被省略 它们的规格取决于输入的数据量 ’A’,’B’,’C’区域可被编程 地址指针设置成指向 ’A’区域(0~255),并保持 (2) 编程 B 区域的命令输入序列 01h 地址/数据输入 80h 10h 01h 80h 10h 地址/数据输入 ’B’, ’C’区域可被编程 它们的规格取决于输入的数据量 ’01h’命令必须在每次编程操作前再被重新写一次 地址指针设置成指向 B 区域 256 512 执行完一次 编程操作后指针被复位指向 A 区域 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 16 (3) 编程 C 区域的命令输入序列 50h 地址/数据输入 80h 10h 50h 80h 10h 地址/数据输入 只有 ’C’区域可被编程 ’50h’命令可被省略 地址指针设置成指向 C 区域 512 527) 并保持 K9F2816U0C 16 指针操作 Samsumg NAND Flash有 2个地址指针命令 可用作最高列地址 00h 命令将指针设置成指向 A 区域 0 255字 50h 命令将指针设置成指向 B 区域 256 263字 使用这些命令 起始列地址 可被设置为整个页面内的任何一个值 0 263字 00h 或 50h 保持不变 直到输入另一个指针命令 为了从 A 或 B 区域开始编程 00h 或 50h 命令必须在 80h 命令写入之前输入 在 80h 命令发布之前无需执行一次完整的读操作 表 3 指针的方向 命令 指针位置 区域 00h 0 255字 主阵列 A 50h 256 263字 备用阵列 B "A"区域 256 Word (00h plane) "B"区域 (50h plane) 8 Word "A" "B" 内部页寄存器 指针选择命令 (00h, 50h) 指针 图 5 指针操作方框图 (1) 编程 A 区域的命令输入序列 00h 地址/数据输入 80h 10h 00h 80h 10h 地址/数据输入 ’00h’命令可被省略’A’,’B’区域可被编程 地址指针设置成指向'A'区域 0 255 并保持 它们的规格取决于输入的数据量 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 17 (2) 编程 B 区域的命令输入序列 50h 地址/数据输入 80h 10h 50h 80h 10h 地址/数据输入 只有 ’B’区域可被编程 ’50h’命令可被省略 地址指针设置成指向 B 区域 256 263)并保持 与CE无关的系统接口 对于较为简单的系统接口 在数据装载或连续数据读取过程中 CE 可能无效 见下面各图 内部 528 字节 8器件 264字 16器件 的页面寄存器在数据装载或数据读取操作中被用作独立的缓冲区 使得系统设计变得更加灵活 另外 视频或音频应用中的周期时间很长 以 us来计量 在数据装载和读取 过程中使CE 无效可大大降低功耗 CE WE tWP tCHtCS 起始地址 3个周期80h 数据输入 CE CLE ALE WE 数据输入 CE 不关心 10h 起始地址 3个周期00h CE CLE ALE WE 数据输出 连续的 CE 不关心 R/B tR RE tCEA 出 tREA CE RE I/O0~15 在 K9F2808U0C_Y,P 或 K9F2808U0C_V,F下tR期间 I/Ox I/Ox CE 必须保持低电平 图6 与CE无关的编程操作 图7 与CE无关的读操作 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 18 I/O 数据 器件 I/Ox 数据输入/输出 K9F2808U0C 8器件 I/O0 I/O7 528字节 K9F2816U0C 16器件 I/O0 I/O151) 264字 注 1. 输入命令或地址时 I/O8 I/O15必须设为 0 I/O8 15只能用作数据总线 命令锁存周期 CE WE CLE ALE I/Ox 命令 tCLS tCS tCLH tCH tWP tALS tALH tDS tDH 地址锁存周期 CE WE CLE ALE I/Ox AO~A7 tCLS tCS tWC tWP tALS tDS tDH tALH tALS tWH tWC tWP tDS tDH tALH tALS tWH tWP tDS tDH tALH A17~A23A9~A16 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 19 输入数据锁存周期 CE CLE WE DIN 0 DIN 1 DIN n ALE tALS tCLH tWC tCH tDS tDH tDS tDH tDS tDH tWP tWH tWP tWP I/Ox 读操作后的串行访问周期 CLE=L, WE =H, ALE=L RE CE R/B Dout Dout Dout tRC tREA tRR tOH tREA tREH tREA tOH tRHZ* I/Ox tRHZ* tCHZ* tRP 注 跳变在带负载的稳定状态电压的 200mV变化范围内测得 该参数采样得到 未经 100﹪测试 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 20 状态读周期 CE WE CLE RE I/Ox 70h 状态输出 tCLR tCLH tCS tWP tCH tDS tDH tREA tIR tOH tOH tWHR tCEA tCLS tRHZ tCHZ 读 1操作 读 1页 tOH CE CLE R/B WE ALE RE Busy Read A0~A7 A9~A16 A17~A23 Dout N Dout N+1 Dout N+2 Dout N+3 列地址 页 行 地址 tWB tAR tR tRC tRR Dout m tWC tOH tCHZ tCEH tRB tCRY N地址 CMD 1) 1) I/Ox 在 K9F2808U0C_Y,P or K9F2808U0C_V,F下tR期间 CE必须保持低电平 tRHZ 8器件 m 528 读命令 00h或 01h 注 1) 只用在 K9F2808U0C_Y, P或 K9F2808U0C_V, F 16器件 m 264 读命令 00h 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 21 读 1操作 被CE中途阻止 CE CLE R/B WE ALE RE 忙 Dout N Dout N+1 Dout N+2 Dout N+3 页 行 地址列地址 tWB tAR tCHZ tR tRR tRC N地址 CMD读I/Ox 列地址 行地址1 行地址2 On K9F2808U0C_Y,P or K9F2808U0C_V,F CE must be held low during tR tOH 读 2操作 读 1页 8器件 A0 A3为有效地址 & 与 A4 A7无关 n 512 m 16 16器件 A0 A2为有效地址 & A3 A7为低 n 256 m 8 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 22 连续行读操作 仅对一个块内的 K9F2808U0C_Y, P和 K9F2808U0C_V, F有效 CE CLE R/B I/Ox WE ALE RE 00h M 输出 Dout N Dout N+1 Dout N+2 Dout 527 Dout 0 Dout 1 Dout 2 Dout 527 M+1 输出N 忙 忙 就绪 列地址 行地址1 行地址2 页面编程操作 CE CLE R/B WE ALE RE 80h 70h I/O0DinN Din Din 10hmN+1 连续数据 输入命令 列地址 页 行 地址 1到m个数据串行输入 编程命令 读状态命令 tPROGtWB tWC tWC tWC N地址 I/Ox 8器件 m 528字节 16器件 m 264字 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 23 块擦除操作 擦除一个块 CE CLE R/B WE ALE RE 60h 擦除命令 读状态命令 I/O0=1擦除出错 DOh 70h I/O 0 忙 tWB tBERS I/O0=0成功擦除 页 行 地址 tWC 自动块擦除 建立命令 I/Ox A9~A16 A17~A23 厂商&器件 ID读操作 CE CLE WE ALE RE 90h 读 ID命令 制造商代码 设备代码 00h tREA 地址 1个周期 tAR I/Ox ECh 设备代码* 器件 器件码* K9F2808U0C 73h K9F2816U0C XX53h 器件操作 页面读操作 初始上电时 器件操作默认为读 1模式 该操作也可通过向命令寄存器和 3个地址周期写入 00h来启 动 只要命令被锁存 就不必再为接下来的页面读操作写入命令 操作包含 2 种类型 随机读 串行数据 读 广州周立功单片机发展有限公司 Tel 020 38730976 38730977 Fax 38730925 http //www.zlgmcu.com 24 随机读模式在页面地址变化时被使能 所选页面内的 528字节 8器件 或 264字 16器件 的 数据在 10us tR 内传输到数据寄存器 系统控制器通过 R/ B管脚的输出状态来检测数据传输的结束 tR 一旦页面内的数据装载到寄存器 在连续的 RE脉冲作用下 这些数据可在 50ns的周期时间内被读出 RE 信号高到低的跳变可将从所选列地址到最高列地址 列 511/527 8 器件 或 255/263 16 器件 由 GND输入管脚的状态来决定 范围内的数据都读出 读 1和读 2命令的操作就像是将一个指针分别指向主 区域或备用区域 512 527 字节 8 器件 或 256 263 字 16 器件 的备用区域可通过读 2 命令来 选择访问 此时 GND输入管脚必须为低电平 地址线 A0 A3 8器件 或 A0 A1 16器件 用来 设置备用区域的起始地址 而地址线 A4 A7在 8器件中被忽略 A3 A7地址线在 16器件中必须为低 电平 可通过读 1命令使指针移回到主区域 图 8 图 9所示为每个读操作的典型顺序和时序