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N半导体和P半导体

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N半导体和P半导体本篇文档为Word文档,下载即可全文编辑。PAGE\*MERGEFORMAT1N半导体和P半导体  本征半导体的导电力量很弱,热稳定性也很差,因此,不宜直接用它制造半导体器件。半导体器件多数是用含有一定数量的某种杂质的半导体制成。依据掺入杂质性质的不同,杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种。  1.N型半导体  在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置,如.1.3所示。  由图可见,磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个...

N半导体和P半导体
本篇文档为Word文档,下载即可全文编辑。PAGE\*MERGEFORMAT1N半导体和P半导体  本征半导体的导电力量很弱,热稳定性也很差,因此,不宜直接用它制造半导体器件。半导体器件多数是用含有一定数量的某种杂质的半导体制成。依据掺入杂质性质的不同,杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种。  1.N型半导体  在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置,如.1.3所示。  由图可见,磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价电子在共价键之外,只受到磷原子对它微弱的束缚,因此在室温下,即可获得摆脱束缚所需要的能量而成为自由电子,游离于晶格之间。失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子。磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子,又称施主杂质。  在本征半导体中,每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子,而本征激发产生的空穴的数目不变。这样,在掺入磷的半导体中,自由电子的数目就远远超过了空穴数目,成为多数载流子(简称多子),空穴则为少数载流子(简称少子)。明显,参加导电的主要是电子,故这种半导体称为电子型半导体,简称N型半导体。  2.P型半导体  在本征半导体硅(或锗)中,若掺入微量的3价元素,如硼,这时硼原子就取代了晶体中的少量硅原子占据晶格上的某些位置,如.1.4所示。由图可知,硼原子的3个价电子分别与其邻近的3个硅原子中的3个价电子组成完整的共价键,而与其相邻的另1个硅原子的共价键中则缺少1个电子,消失了1个空穴。这个空穴被四周硅原子中的价电子来填充后,使3价的硼原子获得了1个电子而变成负离子。同时,邻近共价键上消失1个空穴。由于硼原子起着接受电子的作用,故称为受主原子,又称受主杂质。  在本征半导体中每掺入1个硼原子就可以供应1个空穴,当掺入一定数量的硼原子时,就可以使半导体中空穴的数目远大于本征激发电子的数目,成为多数载流于,而电子则成为少数载流子。明显,参加导电的主要是空穴,故这种半导体称为空穴型半导体,简称P型半导体。
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