电力电子器件的比较电力电子器件的比较容量开关频率驱动方式及驱动功率优点缺点最新发展门极可关断晶闸管电压、电流容量较大目前已达9kV/25kA/800Hz及6Hz/6kA/1kHz的水平延迟时间一般为1~2us,下降时间一般小于2us电流驱动型，驱动功率大它比普通晶闸管开通过程快，承受的电压能力强。βOff一般只有5左右在大功率电力牵引中有明显优势电力晶体管耐高压，大电流600V/3A/100kHz开关时间在几电流驱动型，驱动功率大具有自关断能力，开关时间短，饱和压降低，安全工作区宽驱动电流较...
电力电子器件的比较容量开关频率驱动方式及驱动功率优点缺点最新发展门极可关断晶闸管电压、电流容量较大目前已达9kV/25kA/800Hz及6Hz/6kA/1kHz的水平延迟时间一般为1~2us,下降时间一般小于2us电流驱动型，驱动功率大它比普通晶闸管开通过程快，承受的电压能力强。βOff一般只有5左右在大功率电力牵引中有明显优势电力晶体管耐高压，大电流600V/3A/100kHz开关时间在几电流驱动型，驱动功率大具有自关断能力，开关时间短，饱和压降低，安全工作区宽驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替电力场效应晶体管电流容量小60V/200A/2MHz开关时间在10~100ns之间栅极电压控制漏极电流，电压驱动型，驱动功率小驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高电流容量小，耐压低最适合应用于开关电源、高频感应加热等高频场合绝缘栅双极晶体管目前，其研制水平已达4500V/1000AIGBT的开关时间要低于电力MOSFET电压驱动型，驱动功率小综合了GTR和MOSFET的优点开关速度低于电力MOSFET,电压电流容量不及GTO，IGBT已逐步替代GTR成为核心元件
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