首页 模拟电子技术 第二版 (刘波粒 刘彩霞 赵增荣 著) 国防工业出版社

模拟电子技术 第二版 (刘波粒 刘彩霞 赵增荣 著) 国防工业出版社

举报
开通vip

模拟电子技术 第二版 (刘波粒 刘彩霞 赵增荣 著) 国防工业出版社模拟电子技术 第二版 (刘波粒 刘彩霞 赵增荣 著) 国防工业出版社 《自测题、思考题与习题》参考答案 第1章自测题一、1.杂质浓度;温度。2.减小;增大。3.单向导电;最大整流电流 IF;最大反向工作电压URM。4.0.5;0.7;0.1;0.2。5. 15V;9.7V;6.7V;1.4V;6V;0.7V。6.大;整流。二、1.?;?;?;?。2. ?;?。3.?。4.?。5.?。6.?。三、1、2、5、6 对; 3、4 错。思考题与习题1.3.1 由直流通路图略得 ID10-0.7/5.1×103?1.82m...

模拟电子技术 第二版 (刘波粒 刘彩霞 赵增荣 著) 国防工业出版社
模拟电子技术 第二版 (刘波粒 刘彩霞 赵增荣 著) 国防工业出版社 《自测题、思考题与习题》参考答案 第1章自测题一、1.杂质浓度;温度。2.减小;增大。3.单向导电;最大整流电流 IF;最大反向工作电压URM。4.0.5;0.7;0.1;0.2。5. 15V;9.7V;6.7V;1.4V;6V;0.7V。6.大;整流。二、1.?;?;?;?。2. ?;?。3.?。4.?。5.?。6.?。三、1、2、5、6 对; 3、4 错。思考题与习题1.3.1 由直流通路图略得 ID10-0.7/5.1×103?1.82mA;则有 rd?26mV/IDmA14.3Ω。再由微变等效电路图略可得输出电压交流分量 uo?14.3/14.325ui?3.6sinωtmV。1.3.2aUD -3V,VD 截止, UAB -12V。b UD1 10V, UD2 25V,VD2 优先导通,VD1截止,UAB -15V。 当1.3.3 当 ui?1.7V 时 VD1 导 通 , 2 截 止 , o1.7V; ui?-1.7V 时 VD2 导通,VD1 截 止 , o - VD u u1.7V;当-1.7V? ui?1.7V 时 VD1、VD2 均截止,uoui。故 uo 为上削顶下削底,且幅值为?1.7V 的波形图略。1.3.4 在等效电路中,两二极管可由图 1.3.2 c来表示。当-0.5Vlt uilt0.5V 时,VD1、VD2均截止,uoui。当 ui?0.5V 时 VD1 导通,VD2 截止,uoui-Uth/RrDrDUth,其最大值为 Uom?1.42V。同理,当 ui?-0.5V 时,Uom? -1.42V。图略。1.3.5 由分压公式分别求得 UA5V,UB8V,UBC5V。因 UCAUC-UAUCBUB-UA -2V。截止。 稳1.4.1 当 uigt8V 时 , 压 管 起 稳 压 作 用 , o8V;-0.7Vltuilt8V 时 , oui;uilt-0.7V 时 , o-0.7V。 u u u图略。1.4.2 1因 RLUI/RLR 18VgtUZ,稳压管起稳压作用, OUZ12V,ILUO/RL6mA,IRUI- UUO/R12mA , IZIR-IO6mA 。 2 当 负 载 开 路 时 , IZIR12mA 。 3 IL6mA , IRUI-UO/R14mA,IZIR-IL8mA。 1 第2章自测题一、1. 15;100;30。2.从左到右饱和;锗管放大;截止;锗管放大;饱和;锗管放大;硅管放大;截止。3. 16V;2 1mA,3V;33kΩ,3kΩ;4 50,-50;5 1V;620μA;730mV。4. 1 1mA,6V;214.1kΩ,3.6kΩ;3 -1.5。5.削底,削底,削底。6.共 集 ;共集;共集和共基;共集;共射。二、1.?。2.?。3. ?。4.?;?;?。5.??。6.?。三、1、5 对;2、3、4、6 错。思考题与习题2.1.1 aNPN 硅管,1-e、2-b、3-c。bPNP 硅管,1-c、2-b、3-e。cPNP 锗管,1-c、2-e、3-b。2.1.2 a放大状态。b截止状态。c因 JC 零偏,管子处于临界饱和状态。2.2.1 图a电路不能放大,因为静态 IB0。图b电路不能放大,因为 VCC 极性接反。图c、电路具有放大功能。2.3.1 1 当 S?A 时,因 RbltβRc,管子处于饱和区,ICICS ?VCC/Rc3mA。2 当 S?B 时 , 管因 RbgtβRc, 子 处 于 放 大 区 ,BVCC-UBE/RbB0.0228 mA,ICβIB1.824 mA。3 当 S?C I时,截止,IC0。2.3.2 1 由 题 图 2.8b 得 VCC10V , UCE4V , IB40μA , IC2mA , 所 以 RbVCC-UCE/IB232.5kΩ, RCVCC-UCE/IC 3kΩ。又由图可知 ICRL6-42V,故 RL1kΩ。据RLRc//RL 得 RL3/2kΩ 。 2 因 ICRLltUCE -UCES , 所 以 UomICRL2V 。 由 图 知βIC/IB2/0.0450,rbe0.9kΩ。AuβRL/rbe 55.5,故得 UimUom/ Au 36mV,即最大幅值为 36 mV。3当 Uim 继续加大时电路先产生截止失真,需减小 Rb 直到消除失真为止。2.3.3 由图bA 点得 VCC12V;B 点得 RcRE 12/26kΩ;C 点得 RLRc//RL3kΩ。 Rc4kΩ,故RE6-42 kΩ。因 IB10μA 时 IC1mA,得β100。据图a知 VCCIBRB0.71βIBRE ,得RB930kΩ。2.3.4 1 由 UBEIBRBVCC0 得 IB?0.49 mA , IC?9.8mA 。 由 UCEICRcVCC0 得 UCE 7.1V。 PCICUCE?69.6mWltPCM,且ICltICM,UCEltUBRCEO,电路正常。2若基极开路,UCE?12V,管子可能被击穿。2.3.5 1 IC? βIBβVCC -UBEQ/R1,UCE?VCC -ICR2R3。2 Au βR2//RL/rbe,RiR1//rbe;Ro ? R2 。3 若将 C3 开路,rbe 和 Ri 不变,此时 Au βR2R3//RL/rbe,Ro ?R2R3 。2.3.6 1 IB VCC-0.7/ RB1RB2 1βRc , ICβIB , UCEVCC-1βIBRc 。 2 AuβRB2//Rc//RL/rbe,RiRB1//rbe,RoRB2//Rc 。2.4.1 1 UB ?4V,IC?1.65mA,IBIC/β?28μA,UCE ?7.75V。2rbe?1.2 KΩ。3 Au 100。4UomICRc//RL3.3V。5若 UCE4V,则 IC VCC-UCE/ RcRe2.4V,UB0.7 ICRe5.5V,Rb1?38.2kΩ。2.4.2 1 Q 点在交流负载线的中点上时输出幅度最大,由此可得 ICRLUCE,且 UCE VCC-ICRcRe, 故解得 IC1.5mA,UCE3V。 于是得 UE3V,UB 3.7V,Rb1?11.4kΩ。2 rbe 1.85kΩ, 2Au 108。2.4.3 因 UB 3.43V , UE 2.73 V , IEUE /Re1Re2?1.82 mA , 故 rbe0.951kΩ 。RiRb1//Rb2//rbe1βRe1?5.19kΩ 。 Au βRc//RL/rbe 1βRe1? -9.14 , Aus , 7.66 。Ro?Rc3.3kΩ。当 Re 并一大电容,RiRb1//Rb2//rbe0.856kΩ。Au βRc//RL/rbe? -126.54。结果表明,Re 被大电容短路后,Ri 减小而 Au 提高了。2.4.4 1IC? IE VCC-UE/Re1Re2?1.35mA,UCE 10ICRCRE1RE2 3.5V。2图 略 。 3因 rbe ?1.2kΩ,故 Au βRc/rbe1βRE1? 14.5, RiRB1//RB2//rbe1βRE14.6kΩ, Ro Rc3.3kΩ。4因 Au βRc//RL/rbe 1βRE1? 11.4,故 Aus,7.76。5 当 RB1 调大时,Au减小、Ri 增大,而 Ro 将保持不变。2.4.5 1 由 图 得 IC1.5mA , UCE7.5V , VCC15V ; UCEICRc//RL10.5V 得 Rc3KΩ ;VCC/RcRe3mA 得 Re2KΩ 。 2Rb2UB/IRb2ICRe0.7/IRb210KΩ ; Rb1VCC-UB/IRb2IB28KΩ。3PomUcemIcm/22.25mW,PVccVCCIC22.5mW,ηPom/PVcc10,PcPVcc-Pom20.25mW。2.4.6 1 IC?UB-UBE/Re?1.8mA,IBIC/β18μA,UCE?VCC-ICRcRe2.8V。2因 rbe?1.66kΩ,故 Au1? 0.79;Au2?0.8。 3RiRb1//Rb2//rbe1βRe?8.2kΩ。4Ro1?Rc2kΩ;Ro2 Re//rbeRb1//Rb2//Rs/1β?31Ω。2.4.7 1 IB28μA,IC1.4mA,UCE?6.4V。2 rbe1.25kΩ,Au 0.99,Ri 76kΩ,Ro?22Ω。2.4.8 1由于基极电流较大, 故用戴维南定理得 IB?0.2mA,IC?10mA,UCE?10V。2 Au25,Ri19Ω,Ro?500Ω。 3 第3章自测题一、1.结型和绝缘栅型;电压控制;输入电阻高; 源 源 漏 不参与导电。 漏 ; ; ; ;源 。 4 m A;- 3 2. 3.V。4. 16mA;4V;8ms。5.减小;减小;减小。6. gm 和 RS。二、1. ?。2. ?。3. ?。4. ?。5.?。6. ?。三、3、4、5 对;1、2、6 错。思考题与习题3.1.1 图a为 N-DMOS,UP -2V,IDSS 2mA;图b为 P-JFET,UP 2V,IDSS 3mA;图c为 P-DMOS,UP 2V,IDSS 2mA;图d为 N-EMOS,UT 1V。3.1.2 图a为 N-EMOS,UT3V;图b为 P-EMOS,UT -2V;图c为 P-DMOS,UP 2V,IDSS -2mA;图d为 N-DMOS,UP -3V,IDSS 3mA。3.1.3 iD/m A iD/m A iD/m A iD/m A _2 2 u GS /V u GS /V 3 _ 2 _3 3 u GS /V u GS /V 3..1.33.1.4 1为 N-DMOS;2 UP -3V;3IDSS? 6mA。3.2.11Au -gmRD -66。2 Au -gmR′L -50。3RiRgRg1//Rg2 ? Rg10MΩ,RoRD33kΩ。4若 Cs 开路,A′u -gmR′L/1gmRs Au/5,即下降到原来的 20。3.2.21将 UGS9.3-11ID 代入转移曲线方程得 ID10.56mA,ID20.4mA;再分别代入 UGS9.2-11ID 中可得 UGS13.04V舍去和 UGS24.8V。故静态漏极电流 ID0.4mA,UGS 4.8V。并且UDS VDD - IDRdRs1Rs2 9.6V。2 Ri 2.08MΩ,Ro? Rd 10kΩ。3因 gm1mA/V,故 Au -gmRd//RL/1gmRs1 -2.5 。3.2.31转移曲线方程得 ID1mA,由 UGS-IDR1 得 R12kΩ。2由 UDS VDD - IDRdR1R2得 R24kΩ。3因 gm1mA/V,故 Au -gmRd/1gmR1R2 -1.43。3.2.41解方程得 ID11.15mA,ID27.8mA舍去,进而得 UGS-1.15V,UDS 5.05V。2 因gm1.23mA/V,Au1 -9.1,Au20.38。3 Ri 1MΩ,Ro1? Rd 12kΩ,Ro2?Rs//1/gm 0.31kΩ。3.2.51解方程得 ID10.82mA,ID20.31mA,再分别代入 UGS-8ID 得 UGS1-6.56V舍去,UGS2 -2.48V,所以当 ID0.31mA,UGS -2.48V 时 , DS?12.5V。2 因 gm0.4mA/V,Au0.76, URi 1MΩ,Ro?Rs//1/gm 1.9kΩ。3.2.61由已知 UGS -0.2V 得 ID10.42mA,UDS15.8V。2 Au0.86,Ri 1.4MΩ,Ro?Rs//1/gm0.77kΩ。 4 第4章自测题 100一 、 1 ( 105 ; 100 。 2 ( 80 ; 104 。 3 ( 负 载 电 阻 ; 信 号 源 内 阻 。 4. amp Ausl ; 1 j 100 / f 100ampAush 。5.不变;下降;不变;减小;不变;增大。 6.窄;低。 1 j f /105 二、1.1 ?;2 ?;3 ?;4 ?。2. 1 ?;2 ?。3.1 ?;2 ?。4. ?。5.?。6.?。三、2、5 对;1、3、4、6 错。思考题与习题4.1.11 IB120μA , IC12mA , UCE1?10V 。 UB25.14V , IC2?IE2 2.96mA , UCE2?7.64V 。2rbe11.4kΩ;rbe20.99kΩ。Ri2?9.8Ω,RiRb0//rbe11β1Re1//Ri2?2.3kΩ。Ro?Rc22kΩ。3Au 0.43×16872.4;Aus64。4.1.21 UB1 8V,IB1 UB1-0.7/Rb31βRe10.0196mA,IC10.98mA。UB23.75V,IC2?IE2 2.03mA。rbe11.65kΩ;rbe20.95kΩ。因 R′L1Re1//Ri20.67kΩ。RiRb3Rb1//Rb2//rbe11βR′L131.57kΩ;RoRc22kΩ。2 AuAu1×Au2 -78.9×0.953 -75.2;Aus -70.7。4.1.3 1 因 VT1 管的 UGS 0V,所以 IDQIDSS2mA, UDSVCC–IDQR21.8V。对于 VT1 管 ,UB R4VCC/R3R45.6V, IC2?IE25.6–0.7/0.627.9mA,IB2?7.9/600.13mA,UCEQVCC-IC2R5R617.6V 。 2 Au1 -gmR2//R3//R4//rbe2 -0.41 , Au2 -βR5//RL/rbe -78.5 ; Au Au1Au232.2。RiRg5.1MΩ。Ro?R50.7kΩ。4.1.4 Rb2R6R7//R8150kΩ, Ri2Rb2//rbe21β2rbe31β3R9?Rb2,Au1-β1R3//Ri2/rbe11β1R4? -61.6,Au2?1,Au? -61.6。RoR9//rbe3rbe2Rb2//R3/1β2/1β3 ?57.6Ω。 amp amp amp g m Rd // rbe β Rc // RL4.1.51Ri?1.1M,Ro Rc2k。2 Au Au1 Au2 ?62, Aus Ri 1 g m Rf rbeAu/RiRs ?61.4。4.1.6 1 UB1 4V,IC11mA,UCE1VCC-IC1RC1RE16.7V,IC2 IE2IC1RC1-0.7/RE22.2mA,UCE2-VCC- IC2RC2RE2 -4.1V。2 rbe12.3kΩ,rbe21.2kΩ,Au215,G20lg21546.6dB。3 Ri2kΩ,RoRC23kΩ。4.2.1 1 Aum -103,60dB。2fL102Hz,fH105Hz。3参见图 4.2.11。4.2.2 1 Aum 103,fL102Hz,fH108Hz,BW108-102?108。260-357dB。4.2.3 1 rbe1kΩ,βgmrb′e36,Aums -36。2fL11/2πRsRiC140Hz,fL21/2πRcRLC23.5Hz,故 fL ?40Hz;fH1/2πrb′e//rbb′ Rb//RsC′π0.64MHz。3参见图 4.2.11。4.2.4 1 UB4V,IE1mA,IB10μA,UCE8.7V。2 rbe2.7kΩ,Ri2.2kΩ,Ro Rc6kΩ,Aum-148,Aums-133。3 C1、C2 和 Ce 各单独作用时的 fL16.4Hz,fL28.8Hz,fL3185Hz, 故故 fL ?185Hz。C′π和11/kCμ各单独作用时的 fH10.7MHz,fH29.9MHz, fH ?0.7MHz。4参见图 4.2.11。4.2.5 1 Au1-gmRL1/1gmRS1-1.07。2 RoRe3//rbeRb3//Rc3/1β359Ω。3 fL1/2πRc2Ri3C336Hz。4.2.6 1经计算只有 C4 起主导作用,fL?96Hz。2用 100μF 电容替换 C4 能改善低频特性, 5此时 fL?48Hz。 第5章自测题一、1.3600;1800;大于 1800 而小于 3600。2.图 解 。 率 ; 3.效 交 甲 78.5; 越 ; 乙 。 2.5 W;3.2 W。5. 4.6.25 W;65.4。6. 4。二、1. ?。2. ?。3. ??。4. ?。5. ?。6.abef。三、1、2、3、6 对;4、5 错思考题与习题 故5.2.1 1由 PomVCC 2/2RL 得 VCC?17.88V, VCC 取 18V。2 ICM ?VCC/RL1.125A,UBRCEO?2VCC36V。3 PVCC12.89W。4PCM1PCM2?0.2Pom2W。5Ui 12.7V。5.2.2 1Uom?10 2 V,Po12.5W;PVcc2VCCUom/πRL?22.5W;Pc PVcc-Po10W;η?55.6。2为尽限状态, omVCC 2/2RL202/2×825W;PVcc2VCC2/πRL?31.85W;PcPVcc-Po6.85W; P效率为η?78.5。5.2.3 由 PomVCC 2/2RL 得 Uom16V,则 ILmUom/RL1A,故 ICM gt1A。因电源电压VCCgt16V,故 UBRCEOgt2VCC32V。由 PCMgt0.2Pom1.6W。 调5.2.41Uo0, R1 或 R3 可满足要求。 则 2增大 R2。3 此时 IB2VCC-2UBE/R1R3, V1、V2上的静耗为 PCβIBUCEβIBVCC2325mWgtgtPCM,两管将烧毁。 调5.2.51UC25V, R1 或 R3。2增大 R2。3PCβVCC/2VCC-2UBE/R1R3896mWgtgtPCM,两管将烧毁。5.2.61 准 互 补 OCL 功 放 电 路 , 工 作 在 甲 乙 类 状 态 。 2PomVCC-UCE-UR5 2/2RL 。3UCEmaxUomVCC VCC-UCESRL/R5RLVCC44.7V; ICmVCC-UCES/R5RL2.59A。5.3.1 因 Uom18/29V , 1PomUom2/2RL5.1W 。 2 因 20lgAu40dB , 则 Au100 ,UimUom/Au9/1000.09V,Ui64mV。 6 第6章自测题一、1.输入级;中间级;输出级;偏置电路;抑制零漂,且输入电阻高;电压增益高;带负载能力强。2.恒定;小;大。3.差模;共模。4.两个特性相同;温度漂移。5.两;两;四 ;相同;半边差模等效电路的电压增益;零;无穷大。6.同相;反相;相同;相反。二、1. ?。2. ?;?。3.?。4. ?。5. ?。6. ?。三、2、3、4、5、6 对;1 错。思考题与习题6.2.1 1 VT1、VT2 和 R 组成镜像电流源电路。由于其等效交流电阻非常大,因此把它作为VT3 的集电极负载可提高电压放大倍数。2 由于 VT1、VT2 特性相同,且β足够大,此时两管基极电流可忽略,则 IC2IC1?IRVCC-UBE/R?VCC/R。6.3.1 1因 UBEIE RP/22ReVEE,故 IC?IE 0.56mA,UCE VCC-ICRc-UE7.1V。2因 uid ui1-ui28mV,且 Aud -βRc//RL/2/rbe1βRP/2 -44.2。故 uoAuduid-44.2 ×8 -353.6 mV 。6.3.2 1Aud -gmRd//rds -13.3;2设从 T1 的漏极输出,Aud1 -gmRd//rds /2 -6.67,Auc1 -gmRd//rds /1 gm2Rs -0.33,KCMR Aud1/Auc1 -6.67/-0.3320.2。6.3.3 1 由 已 知 ui0 时 uo0V 得 IC3VEE /Rc31mA , IB3IC3/β30.0125mA 。 又 因URc2IE3Re3UEB33.2V , IRc2URc2/Rc20.32mA , ? IC1?IC2 IRc2IB3 0.333 mA , 故IRe2IC10.665 mA。 则 故 若设 UB10V, UE1 -0.7V, ReUE--VEE/IRe17kΩ。2 因 rbe1rbe2 4kΩ,rbe32.2kΩ,故 Ri2 rbe31β3Re3245.2kΩ。Aud β2Rc2//Ri2/2Rbrbe248,Au3 -β3Rc3/rbe31β3Re3 -3.92 。uoAud2 Au3 ui -1.9V 。6.3.4 1图a: Aud -β1Rc1RP/2/Rs1rbe1 -220,Rid2Rs1rbe16kΩ,Ro2Rc1RP/222kΩ。2图b:Aud-β1Rc1/Rs1rbe11β1RP/2 -9.4,Rid2Rs1rbe1 1β1RP/2128KΩ,Ro2Rc120kΩ。 则6.3.5 UR2?3.1V, IE3 UR2-UBE3/Re32mA,IE1IE2IE3/21mA。rbe1?1.53kΩ,rbe3?0.86kΩ。1 Aud2 β2Rc2//RL/2Rsrbe21β2Re212。2 Auc2-β2Rc2//RL/Rsrbe21β22rABRe2 -0.0005;KCMR 12 / -0.000524000。3Rid2Rsrbe1 1β1Re113.5kΩ;Ro?Rc24.7kΩ。6.3.6 1IE3 UZ -UBE/Re0.1mA,ID1ID20.5IE30.05 mA。由 IDIDSS1-UGS/UP2 得 UGS -1.91V。2因 gm-2IDSS/UP1-UGS/UP0.20Ms,故单端输出 Aud 1/2gmRd//RL6。6.3.7 1 Aud -gm Rd -50。2 IC32ID1mA,IR1IC31mA。R1 VCCVEE-UBE/IR129.3kΩ。6.3.8 设 UB10 , UE3 -1.3V , IE -1.36 /4.71mA , IE3IE4IE/20.5mA , IE1IE2IE3/β30.005mA。 rbe3 rbe4?5.5kΩ, rbe1 rbe2?161.5kΩ。 Aud1 -β1β3Rc/2 rbe11β1rbe3 -28;Auc1-β1β3Rc/rbe11β1rbe31β3 2Re -0.63;KCMR -28 / -0.6344.4;Rid2rbe11β1 rbe3664kΩ。6.3.91IRIC5 VCC-UBE6--VEE/R?0.1mA,ID1IC5/20.05 mA。UB3?VCC-ID1RD7V,IC3IE3VB3-UBE3- -VEE/RP/22Re?0.5mA。2 rbe35.6k,Rid22rbe31β3RP/250.6k,Aud1 -gmRD//Rid2/2 -30.3。Aud2 -β3Rc//RL/2rbe31β3RP/2 -22.6, 7AudAud1×Aud2?685。 第7章自测题一、1. 0.19V;0.15V;0.34V。2. 10;0.009。3. 34dB。4. 10;0.09。5. 909;900??.自 激 。二、1. ?。2. ?。3. ?。4. ?。5. ?。6. ?。三、4、5、6 对;1、2、3 错。思考题与习题7.1.1 图a:Re1 和 Re3 分别引入一、三级直流和交流负反馈;Re2 和 Ce2 引入第二级直流负反馈;Re3、Rf1 和 Re1 引入一、三级间直流和交流负反馈;Re2、Ce2 和 Rf2 引入一、二级间直流负反馈。图b:Re1、Ce1 和 Re2、Ce2 分别引入一、二级直流负反馈;Re3 引入第三级直流和交流负反馈;Rf 引入一、三级间直流和交流负反馈。图c:Rf 引入级间直流和交流负反馈。图d:Rf 和 Rb 引入级间直流和交流负反馈。图e:R4 引入第二级直流和交流负反馈;R2 引入级间直流和交流负反馈。图f:R3 和 R6 分别引入一、二级直流和交流负反馈;级间引入了正反馈。7.1.2 由 G20lgA40 得 A100 。 1 AF100 × 1/1010 , 1AF11 。 2 AfA/1AF9.09,20lgA/1AF 19.2dB。7.2.1 图a:Re1 和 Re3 分别引入一、三级的交流电流串联负反馈; Re3 、Rf1 和 Re1 引 入 一 、三级间交流电流串联负反馈。图b:Re3 引入第三级交流电压串联负反馈;Rf 引入一、三级间交流电流并联负反馈。图c:Rf 引入级间交流电压并联负反馈。图d:Rf 和 Rb 引入级间交流电压串联负反馈。图e:R4 引入第二级交流电压并联负反馈;R2 引入级间交流电压并联负反馈。图f:R3 和 R6 分别引入一、二级交流电压.
本文档为【模拟电子技术 第二版 (刘波粒 刘彩霞 赵增荣 著) 国防工业出版社】,请使用软件OFFICE或WPS软件打开。作品中的文字与图均可以修改和编辑, 图片更改请在作品中右键图片并更换,文字修改请直接点击文字进行修改,也可以新增和删除文档中的内容。
该文档来自用户分享,如有侵权行为请发邮件ishare@vip.sina.com联系网站客服,我们会及时删除。
[版权声明] 本站所有资料为用户分享产生,若发现您的权利被侵害,请联系客服邮件isharekefu@iask.cn,我们尽快处理。
本作品所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权,请谨慎使用。
网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽..)目的在于配合国家政策宣传,仅限个人学习分享使用,禁止用于任何广告和商用目的。
下载需要: 免费 已有0 人下载
最新资料
资料动态
专题动态
is_281650
暂无简介~
格式:doc
大小:30KB
软件:Word
页数:9
分类:企业经营
上传时间:2017-12-23
浏览量:81