半导体二极管的伏安特性半导体二极管的伏安特性
半导体二极管的伏安特性
半导体二极管最重要的特性是单向导电性。即当外加正向电压时，它呈现的电阻(正向电阻)比较小，通过的电流比较大，当外加反向电压时，它呈现的电阻(反向电阻)很大，通过的电流很小(通常可以忽略不计)。反映二极管的电流随电压变化的关系曲线，叫做二极管的伏安特性，如图10,2所示。图10,2中右上方为正向伏安特性，左下方为反向伏安特性。当外加正向电压时，随着电压U的逐渐增加，电流I也增加。但在开始的一段，由于外加电压很低。外电场不能克服PN结的内电场，半导体中的多数载流子不...
半导体二极管的伏安特性
半导体二极管的伏安特性
半导体二极管最重要的特性是单向导电性。即当外加正向电压时，它呈现的电阻(正向电阻)比较小，通过的电流比较大，当外加反向电压时，它呈现的电阻(反向电阻)很大，通过的电流很小(通常可以忽略不计)。反映二极管的电流随电压变化的关系曲线，叫做二极管的伏安特性，如图10,2所示。图10,2中右上方为正向伏安特性，左下方为反向伏安特性。当外加正向电压时，随着电压U的逐渐增加，电流I也增加。但在开始的一段，由于外加电压很低。外电场不能克服PN结的内电场，半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层，所以这时的正向电流极小(见曲线的OA段，该段所对应的电压称为死区电压，硅管的死区电压约为0,0(5伏，锗管的死区电压约为0,0(2伏)。当外加电压超过死区电压以后，外电场强于PN结的内电场，多数载流子大量通过阻挡层，使正向电流随电压很快增长(曲线中的AB段)。当外加反向电压时，所加的反向电压加强了内电场对多数载流子的阻挡，所以二极管中几乎没有电流通过。但是这时的外电场能促使少数载流子漂移，所以少数载流子形成很小的反向电流(曲线中的OC段)。由于少数载流子数量有限，只要加不大的反向电压就可以使全部少数载流子越过PN结而形成反向饱和电流，继续升高反向电压时反向电流几乎不再增大(曲线中的CD段)。当反向电压增大到某一值(曲线中的D点)以后，反向电流会突然增大，这种现象叫反向击穿，这时二极管失去单向导电性。所以一般二极管在电路中工作时，其反向电压任何时候都必须小于其反向击穿时的电压。
2003-11-23 《教学参考资料》初中物理第二册
本文档为【半导体二极管的伏安特性】，请使用软件OFFICE或WPS软件打开。作品中的文字与图均可以修改和编辑，
图片更改请在作品中右键图片并更换，文字修改请直接点击文字进行修改，也可以新增和删除文档中的内容。
该文档来自用户分享，如有侵权行为请发邮件ishare@vip.sina.com联系网站客服，我们会及时删除。
[版权声明] 本站所有资料为用户分享产生，若发现您的权利被侵害，请联系客服邮件isharekefu@iask.cn，我们尽快处理。
本作品所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权，请谨慎使用。
网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽..)目的在于配合国家政策宣传，仅限个人学习分享使用，禁止用于任何广告和商用目的。
浙公网安备 33021202002483