Flash存储器

Flash存储器 求助百科名片?? FLASH ?存 储存的英文名是称"Flash Memory"～一般储储称"Flash"～于存器件的一储～是它属内 一储不储储性; Non-Volatile ,存。内储存的物理特性常储的存有根本性的差,目前各储与内异 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都于储储性存～只要停止储流供储存中的据便无法保属内内数 持～因此每次储储储机都需要把据重新储入存～储存在有储流供储的件下也能储储久地保持数内没条 数当数据～其存储特性相于硬储～储储特性正是储存得以成储各储便携型字储储的存储介储的基储。目储 flash memory 的要介???? flash memory 的工作原理 flash memory 的要介???? flash memory 的工作原理 展储 储储本段 flash memory的储要介储 概述 　　储存是一储不储储性; Non-Volatile ,存～在有储流供储的件下也能储储内没条 久地保持据～其存储特性相于硬储～储储特性正是储存得以成储各储便携型字数当数 储储的存储介储的基储。 　　NAND 储存的存储储元 储采用串行储～存储储元的储是以储和储储储位储行构写来 ;一储包含若干字储～若干储储储成储存储～ NAND 的存储储大小储 8 到 32KB ,～储储储最大的储点在于容量可以做得大～超储 构很512MB 容量的 NAND 储品相当普遍～ NAND 储存的成本储低～有利于大储模普及。 　　NAND 储存的缺点在于储速度储慢～的 它I/O 端口只有 8 个～比 NOR 要少多了。储 区区8 个 I/O 端口只能以信储流储送的方式完成据的储送～速度号数 要比 NOR 储存的行储储模式慢得多。再加上 并NAND 储存的储储储储子储模储储～构内数坏将靠部不存在储储的存储控制器～一旦出储据储无法修～可储性储 NOR 储存要差。 　　NAND 储存被泛用于移储存储、储相机、 广数MP3 播放器、掌上储储等新储数字储储中。由于受到储储储强储储展的储储～ 数NAND 储存一直呈储指储的超高速增储数. 　　NOR和NAND是储在市储上储主要的非易失储存技储。两Intel于1988年首先储储出NOR flash技储,储底改储了原先由EPROM和EEPROM一储天下的局面。储接着,1989年,储芝公司 储 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 了NAND flash储构,强储降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁储一储可以通储接口储松升储。但是储储了十多年之后,仍然有相多的当硬件工程储分不清NOR和 NAND 储存 。 　　相“flash存储器”储常可以相“与NOR存储器”互储使用。储多储人士也内搞清不楚NAND储存技储相储于NOR技储的储越之储,因储大多情下储存只是用数况 来存储少量的代储,储储NOR储存更适合一些。而NAND储是高据存储密度的理数 想解 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 。 决 　　NOR的特点是芯片储行内(XIP, eXecute In Place),储储储用程序 可以直接在flash储存行内运,不必再把代储储到系储RAM中。NOR的储储效率高很,在1,4MB的小容量储具有高的成本效益很,但是低的入和擦除速度大大影了很写响 它的性能。 　　NAND储能提供高的储元密度构极,可以到高存储密度达,并写且入和擦除的速度也快。储用很NAND的困储在于flash的管理和需要特殊的系储接口。 性能比储 　　flash储存是非易失存储器,可以储储储的存储器储元储储行擦和再储程。任何称写 flash器件的入操作只能在空或已擦除的储元储行写内,所以大多情下数况,在储行写入操作之前必储先储行擦除。NAND器件储行擦除操作是十分储储的,而NOR储要求在储行擦除前先要目储储所有的位都储将内写0。 　　由于擦除NOR器件储是以64,128KB的储储行的,储行一入个写/擦除操作的储储储5s,与此相反,擦除NAND器件是以8,32KB的储储行的,储行相同的操作最多只需要4ms。 　　储行擦除储储尺寸的不同储一步拉大了NOR和NADN之储的性能差距,储储表明,储于储定的一套入操作写(尤其是更新小文件储),更多的擦除操作必储在基于NOR的储元中储行。储储,当决储储存储解方案储,储储储 必储储衡以下的各储因素。 　　? NOR的储速度比NAND稍快一些。 　　? NAND的入速度比写NOR快多。 很 　　? NAND的4ms擦除速度储比NOR的5s快。 　　? 大多入操作需要先储行擦除操作。 数写 　　? NAND的擦除储元更小,相储的擦除储路更少。 接口差储 　　NOR flash储有SRAM接口,有足储的地址引脚来储址,可以容易地存很取其内个部的每一字储。 　　NAND器件使用储储的I/O口串行地存来数取据,各储品或个厂商的 方法 快递客服问题件处理详细方法山木方法pdf计算方法pdf华与华方法下载八字理论方法下载 可能各不相同。8个来数引脚用储送控制、地址和据信息。 　　NAND储和操作采用写512字储的储,储一点有点像硬储管理此储操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬储或其他储储储。 容量和成本 　　NAND flash的储元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生储储程更储储储,NAND储可以在储定的模具尺寸提供更高的容量构内,也就相储地降低了价格。 　　NOR flash占据了容量储1,16MB储存市储的大部分,而NAND flash只是用在8,128MB的储品中当,储也储明NOR主要储用在代储存储介储中,NAND适合 于据存储数,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡份市储上所占储最大。 可性和靠耐用性 　　采用flahs介储储一需要重点个靠考储的储储是可性。储于需要储展MTBF的系储储来,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交储和储储理坏个三方面比储来NOR和NAND的可性。 靠 寿命(耐用性) 　　在NAND储存中每储的最大擦次是一百个写数万次,而NOR的擦次是写数十万次。NAND存储器除了具有10比1的储擦除周期储储,典型的NAND储尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器储在储定的储储的储除次要少一些。 内数 位交储 　　所有flash器件都受位交储储象的困储。在某些情下况(很少储,NAND储生的次要比数NOR多),一比特位储个会生反储或被储告反储了。 　　一位的储化可能不明储很,但是如果储生在一储储文件上个,储小小的个故障可能储致系储停机。如果只是储告有储储,多储次几决就可能解了。 　　然当,如果储位的改储了个真,就必储采用储储探储/储储更正(EDC/ECC)算法。位反储的储储更多储于NAND储存,NAND的供储商建储使用NAND储存的储候,同储使用EDC/ECC算法。 　　储储储储于用个NAND存储多媒体当信息储倒不是致命的。然,如果用本地存储储储存储来操作系储 、配置文件或其他敏感信息储,必储使用EDC/ECC系储以保可确靠性。 坏储储理 　　NAND器件中的储是机分坏随坏布的。以前也曾有储消除储的努力,但储储成品率太低,代价太高,根本不划算。 　　NAND器件需要储介储储行初始化储描以储储储坏,并将坏储储储储不可用。在已制成的器件中,如果通储可的方法不能储行储储储理靠,将储致高故障率。 易于使用 　　可以非常直接地使用基于NOR的储存,可以像其他存储器那储储接,并可以在上面直接行代储。 运 　　由于需要I/O接口,NAND要储储得多。各储NAND器件的存取方法因厂家而。 异 　　在使用NAND器件储,必储先入储储程序写,才能储储储行其他操作。向NAND器件入信写当息需要相的技巧,因储储储储储不能向坏写储储入,储就意味着在NAND器件上自始至储都必储储行储虚映射。 储件支持 　　储储当储件 支持的储候,储储储基本的储区/写/擦操作和高一储的用于磁储和储存仿真管理算法的储件,包括性能储化。 　　在NOR器件上行代储不需要任何的储件运支持,在NAND器件上储行同储操作储,通常需要储储程序,也就是存技储储储程序内(MTD),NAND和NOR器件在储行写入和擦除操作储都需要MTD。 　　使用NOR器件储所需要的MTD要相储少一些,储多厂商都提供用于NOR器件的更高储储件,储其中包括M-System的TrueFFS储储,储储储被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。 储储本段 flash memory的工作原理 原理 　　储典物理储储～物越储储储～有一储储能量～学体粒子能量小于此能量储不能越储～大于此能量储可以越储。例如储自行储储小坡～先用力储～如果坡很蹬低～不自行储也能储性储靠很蹬去。如果坡高～不自行储～储到一半就停住～然后退回去。 　　量子力学即很冲储储储～使粒子能量小于储储能量～多粒子向储储～一部分粒子反储～储有一些会个称粒子能储去～好象有一隧道～作“量子隧道;quantum tunneling,”。 　　可储～宏储上的定性在确确况微储上往往就具有不定性。储然在通常的情下～隧道效储不影储并响几极条典的宏储效储～因储隧穿率小～但在某些特丁的件下宏储的隧道效储也出储。 会 储储者 　　1957年～受雇于索尼公司 的江崎玲於奈;Leo Esaki～1940,,在改良高储晶体管2T7的储程中储储～增加当PN储端的储储储储流反而少～两减将江崎玲於奈储储反常的储储阻储象解储储隧道效储。此后～江崎利用储一效储制成了隧道二极管;也称江崎二极管 ,。 　　1960年～美裔挪威 籍科学家加埃沃;Ivan Giaever～1929,,通储储储储明了在超储体隧道储中存在储储子隧道效储。在此之前的1956年出储的“储珀储”及BCS理储被公储储是储超储储象的完美解储～储储子隧道效储无疑是储超储理储的一重个要储充。 　　1962年～年储20储的英储储大国学 储储物理学研究生储瑟夫森 ;Brian David Josephson～1940,,储言～超储之储储当两个体个构置一储储薄储成 SIS;Superconductor-Insulator-Superconductor,储～储子可以穿储储储一体从个超储到一超储。储体达另个体瑟夫森的储一储言不久就储P.W.安德森和J.M.储厄耳的储储储储所储储储子储通储储超储——两属金储的薄储储储;厚度储储10埃,储储生了隧道效储～于是之储“称储瑟夫森效储 ”。 宏储量子隧道效储 确立了微储子器件储一步微型化 的极当限～微储子器件储一步微型化储必储要考储上述的量子效储。例如～在制造半储体集成储路 储～储路的尺寸接当近储子波储储～储子就通储隧道效储而穿透储储储～使器件无法正常工作。因此～宏储量子隧道效储已成储微储子、学学光储子中的重要理储。 储用 　　储存 　　储存的存储储元储三端器件～储效储管有相同的名,与称极极极源、漏和储。储极与氧来极会构硅储底之储有二化硅储储储～用保储浮置储中的储荷不泄漏。采用储储储～使得存储储元具有了储荷保持能力～就像是储子装瓶当你里的水～倒入水后～水位就一直保持在那里～直到再次你倒入或倒出～所以储存具有储储能力。 　　储效储管一储～储存也是一储储储控制型器件。与NAND型储存的擦和写均是基于隧道效储～储流穿储浮置储极与极写数硅基储之储的储储储～储浮置储储行充储;据,或放储;擦除据,。而数NOR型储存擦除据仍是基于数从极隧道效储;储流浮置储到硅基储,～但在入据储储是采用储储子写数从极极注入方式;储流浮置储到源,。 　　储效储管工作原理?????效晶体管??;Field Effect Transistor储写(FET),储储效储称管。一般的晶体两极管是由储储性的储流子,即数极数多储流子和反性的少储流子参与储储,因此储称双极体型晶管 ,而FET储是由多储流子储储数参与,它与双极型相反,也储称储型极体晶管 。于储储控制型它属体半储器件～具有储入储阻高;108,109Ω,、噪声没区小、功耗低、储储范储大、易于集成、有二次储穿储象、安全工作域储等储点～储已成储型双极体体争晶管和功率晶管的强大储者。