VHDL与数字集成电路设计VHDL2-3

VHDL与数字集成电路设计VHDL2-32.1数字系统的基本运算单元2.2开关电路与CMOS结构2.3静态分析：最大集成设计2.4动态分析：延迟时间及缓冲处理第二章数字集成电路的基本单元VHDL与数字集成电路设计MOS器件的静态分析栅极电压吸引载流子形成导电沟道；沟道导电能力与栅极电压有关。2.3静态分析：最大集成设计2.3静态分析：最大集成设计PolysiliconInOutGNDPMOS2lMetal1NMOSContactsNWell2.3静态分析：最大集成设计ConnectinMetalSharepowerandgroundAbutcellsCM...

2.1数字系统的基本运算单元2.2开关电路与CMOS结构2.3静态分析：最大集成设计2.4动态分析：延迟时间及缓冲处理第二章数字集成电路的基本单元VHDL与数字集成电路设计MOS器件的静态分析栅极电压吸引载流子形成导电沟道；沟道导电能力与栅极电压有关。2.3静态分析：最大集成设计2.3静态分析：最大集成设计PolysiliconInOutGNDPMOS2lMetal1NMOSContactsNWell2.3静态分析：最大集成设计ConnectinMetalSharepowerandgroundAbutcellsCMOS器件的静态分析2.3静态分析：最大集成设计逻辑电平容限：以放大区为隔离CMOS器件电压转移特性2.3静态分析：最大集成设计输入与输出的容限差别：噪声容限2.3静态分析：最大集成设计输出电流与驱动能力2.3静态分析：最大集成设计器件面积扩大，则驱动能力随之扩大。驱动能力与集成度的关系2.3静态分析：最大集成设计对驱动能力的不同需求：片内CMOS负载:~uA片外模拟器件负载：~mA2.3静态分析：最大集成设计最小反相器设计：1X器件使用2个最小晶体管，逻辑面积2，驱动能力1。2.3静态分析：最大集成设计21最小1X与非门设计当N个晶体管串联时，每个晶体管的面积需要扩大为N倍：2.3静态分析：最大集成设计222NNN采用2输入器件实现比整体设计集成度更大。最小1X与非门设计2.3静态分析：最大集成设计最大集成设计的基本单元INVNAND2NOR22.3静态分析：最大集成设计

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