68HC08Flash存储器的使用方法

M68HC08 Flash存储器编程 1 编程方法 M68HC08具有 Flash存储器，它一般用作程序存储器，不能在运行时随时擦除、写入。 许多单片机应用场合需要使用掉电不丢失内容的数据存储器，这一般用 EEPROM实现。为 节省成本，可使用 M68HC08 的 Flash 存储器作这种数据的存储器。由于擦除、写入 Flash 存储器的程序不能位于 Flash 存储器中，所以必须把该程序放于 RAM或 ROM 中，这种程 序应使用特殊的编程方法。 一、一般MC68HC908的 Flash存储器的在线擦除、编程方法 MC68HC908 具有 Flash 编程寄存器(FLCR)，它控制 Flash 存储器的擦除和编程。一般 位 0为 PGM位，编程时置位；位 1为 ERASE位，擦除时置位；位 2为MASS位，用作数 据存储器，不应使用(0)；位 3位 HVEN位，执行编程或擦除操作时置位，在 FLCR不为零 时不能读出 Flash存储器(包括执行程序)。 M68HC908还有 Flash块保护寄存器，它对应于 Flash保护区首地址的高位地址线。用 户程序必须位于保护区内，而需改写的数据存储区应位于保护区外。 注意：有的芯片的该寄存器采用 Flash单元，有的采用 RAM单元。后者在复位后应写 入保护地址。 M68HC908的 Falsh擦除、编程方法见第二章，这里不再重复。 二、GP32等 Flash编程方法 对于有较大 RAM的M68HC908，如 GP32、SR12、MR32等，可采取以下编程方法： (1)在用户程序(Flash保护区)内编写、存放 Flash的擦除和编程子程序。 (2)在对 Flash编程前，把擦除子程序从 Flash拷贝至 RAM中。 (3)在对 Flash编程前，把将擦除的 Flash数据区的内容拷贝至 RAM中。它的大小取决 于所使用芯片型号，例如 GP32擦除时一块大小为 128字节。对需改写的单元，应在 RAM 中进行修改。 (4)转至 RAM执行控除 Flash的子程序，执行完返回主程序(Flash中)。 (5)把编程子程序从 Flash拷贝至 RAM中。 (6)转至 RAM 执行编程子程序，完成把 RAM 中数据(包括新数据和不改写但已被擦除 的数据)写入 Flash中。执行完返回主程序，即完成了一次编程操作。 三、GP32等 Flash的在线擦除、编程程序 WBF1 EQU $50 ；Working Buffer 1 WBF2 EQU $51 ; Working Buffer 2 COUNT EQU $52 ; Write Counter1~128 WTME EQU $53 ; Wait Time 32MHz: 24,16MHz: 12 TMP EQU $54 DBUF EQU $100 ; Data to be writen to Flash CBUF EQU $180 FLCR EQU $FE08 FLSPR EQU $FF7E FLSH EQU $8000 FRGM： SEI ；Flash memory PGM Subroutine CLRH CLRX PRGM1： LDA EFLASH，X ；Erase Flash Code→RAM：CBUF STA CBUF，X INCX CPX #EFEND-EFLASH BLO PRGM1 LDHX #FLSH ；Erase Address MOV #24，WTIME ；32MHz JSR CBUF ；Execute Flash erase CLRX CLRH PRGM2： LDA WFLASH，X ；Write Flash Code→RAM：CBUF STA CBUF，X INCX CPX #EFLASH-WFLASH BLO PRGM2 LDHX #FLSH ；Programming address MOV #24，WTIME ；32MHz MOV #128,COUNT ；128 Bytes JSR CBUF ；Execute Flash Write RTS WFLASH： CLR WBF2 ；Entry:H:X Flash Address LDA COUNT CMP #64 BLS WFLSH0 SUB $64 STA COUNT LDA #64 BRA WFLSH1 WFLSH0： CLRA WFLSH1： PSHA LDA #1 ；1→PGM STA FLCR LDA FLSPR ；Read Flash Protect Reg STA ,X BSR P1DL10 LDA #9 ；1→HVEN STA FLCR BSR P1DL10 WFLSH2： PSHH PSHX CLRH LDX WBF2 LDA DBUF,X ；Read DATA PULX PULH STA ,X ；Write to Flash BSR P1DL30 AIX #1 INC WBF2 DBNZ COUNT,WFLSH2；Loop 1 Page(1—64 Bytes) LDA #8 STA FLCR BSR P1DL10 LDA #0 STA FLCR PULA TSTA BEQ WFLSH3 STA COUNT ；Second Write BRA WFLSH0 WFLSH3： RTS P1DL30： MOV #3，WBF1 ；Delay 30 s BRA P1DL1 P1DL10： MOV #1，WBF1 ；Delay 10 s P1DL1： LDA WTIME P1DL2： DBNZA P1DL2 DEC WBF1 BNE P1DL1 RTS EFLASH： LDA #2 ；H：X=Erase Address STA FLCR ；1→ERASE LDA FLSPR ；Read Flash Protect Reg STA ，X EFLASH0： BSR EDL10 LDA # $A ；1→HVEN STA FLCDR BSR EDLK LDA #8 STA FLCR BSR EDL10 CLRA STA FLCR RTS EDLK： MOV #100，WBF1 BRA EDL1 EDL10： MOV #1，WBF1 EDL1： LDA WTIME EDL2： DBNZA EDL2 DBNZ WBF1，EDL1 RTS EFEND： NOP 程序中 EFLASH为 Flash擦除程序，WFLASH为 Flash写入程序(编程)，它们必须拷贝 至 RAM中执行。PRGM为擦除、写入执行程序。它先把 Eflash拷贝至 RAM的 CBUF中， 再执行CBUF的程序擦除Flash $8000~$807F的数据，然后把WFLASH拷贝至RAM的CBUF 中，最后执行 CBUF的马 DBUF中的数据（128字节）写入 Flash的$8000~$807F中。WTIME 中存放延时参数(与晶振频率有关)(32MHz为 24,10MHz为 8)。执行 PRGM前，应先把 Flash $8000~$807F的内容拷贝至 RAM的 DBUF中，并按需修改其中的数据。执行本程序时，应 禁止中断和 COP，否则应加入清 COP的指令。 2 JL3等 Flash的编程方法 JL3/JK3有 4K字节 Flash，但它的 RAM仅有 128字节。而它一次擦除的 Flash块大小 为 64字节，剩余 RAM不足以放入擦除或编程程序。但 JL3/JK3的监控 ROM比较大，它包 含了许多子程序，包括擦除和写入子程序。 一、擦除子程序 入口地址：$FC06 入口时，RAM$89为延时参数(与晶振频率有关，32MHz为 32,10MHz为 10)，$88应为 0，H：X指向擦除地址。 调用它，擦除 H：X指向的 64字节块 Flash存储器。 二、写入子程序 入口地址：$FC09 入口时，RAM$89为延时参数(同上)，H：X为写入开始地址，$8A：$8B为写入结束地 址，$8C开始为写入数据。 调用后，把 RAM从$8C开始的数据写入从(H：X)开始到($8A：$8B)为止的 Flash存储 器中。 三、使用方法 首先把要写入的 Flash存储器所在的一页(64字节)内容拷贝到 RAM的从$8C开始的单 元中，按需要修改其中的数据，然后执行以下子程序(假设写入$EC00~$EC3F)。 四、JL3等 Flash的在线控除编程程序 PRGM： LDA # $62 ；保护区为$EC40~$FFFF STA $FE09 ；FLSPR MOV $32，$89 ；32MHz LDHX # $EC00 ；Flash擦除子程序 JSR $FC06 ；擦除子程序 MOV #32，$89 ；32MHz LDHX # $EC3F ；Flash写入结束地址 STHX $8A LDHX # $EC00 ；Flash写入首地址 JSR $FC09 ；写入子程序 RTS 五、其他M68HC908编程、擦除子程序 除了 JL3/JK3外，其他片内 RAM较少的M68HC908的监控 ROM中也有编程、擦除子 程序。但它们的入口地址和数据地址与 JL3/JK3略有不同，见下表： JL3/JK3 JB8 GR8 KX8 擦除子程序入口地址 $FC06 $FC06 $1C06 $1006 写入子程序入口地址 $FC09 $FC09 $1C09 $1009 全局控除控制单元 $88 $48 $48 $48 延时参数存放单元 $89 $49 $49 $49 写入结束地址存放单元 $8A：$8B $4A：$4B $4A：$4B $4A：$4B 写入数据开始地址 $8C $4C $4C $4C