简述MOCVD和磁控溅射的区别,论述MOCVD在LED的应用及其最新进展
MOCVD和磁控溅射的区别主要有:组成设备不一样，成膜原理不一样，技术特点不一样等。
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术.它以?族、?族元素的有机化合物和V、?族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种?-V族、?-?族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。MOCVD一般由源供给系统、气体输运系统、反应室和加热系统、尾气处理系统、安全保护及报警系统、手动和自动控制系统等部分组成。
技术特点有P110.
MOCVD技术优点
有:适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体; 非常适合于生长各种异质结构材料; 可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡;生长易于控制;可以生长纯度很高的材料; 外延层大面积均匀性良好; 可以进行大规模生产。缺点:MOCVD设备也有自身的缺点，它与MBE设备一样价格不菲，而且由于采用了有机金属做为源，使得在使用MOCVD设备时不可避免地对人体及环境产生一定的危害;对于一些功能金属氧化物薄膜而言，寻找高蒸气压、热稳定性佳的MO源先体是比较困难
技术特点:磁控溅射把磁控原理与普通溅射技术
相结合，利用磁场的特殊分布控制电场中电子运动轨迹，以此改进溅射的工艺;磁控溅射引入了正交电磁场，使离化率提高到5%-6%，溅射速率可以提高到十倍左右;溅射金属时可避免二次电子轰击而使衬底保持接近冷态。
磁控溅射的优点有:沉积速率大，产量高;功率效率高;可进行低能溅射;向衬底的入射能量低;溅射原子的离化率高等。
MOCVD技术经过近20多年的飞速发展，为满足微电子、光电子技术发展两个方面的需求，制备了GaAlAs,GaAs、InGaAsdGaAs,GaAs、GaInp,GaAs、GaInAs,AlInAs、GMnAs,GaInp、InAs,InSb、InGaN,GaN、A1GaN,GaN、SiGe、HgcdTe、GaInAsp,Inp、A1GaInp,GaAs、A1GaInAs,GaAs等多种薄膜晶体材料系列。MOCVD技术解决了高难的生长技术与量大面广所要求的低廉价格之间的尖锐矛盾。
未来MOCVD设备开发的趋势将围绕如何提高设备稳定性、提高产品良率、降低材料使用量等方面进行
设计
领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计
。具体来看，主要为以下几个方面:从提高产品良率及产能两方面同时着手降低外延成本;提高机台稳定性;在增加产能的同时，减少人工操作，人为干预;开发降低成本，扩大产能的同时可减少MO源的使用量的产品;开发多腔式外延炉等。
未来可能和LED技术融合的技术包括Si基技术和GaN量子线技术。
浙公网安备 33021202002483