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01锂电池保护ICDW一、主要特性静态电流典型值：待机电流（检测到过放之后）典型值：过充检测精度（Topt=25℃）±50mV过充检测精度（Topt=0到50℃）±60mV过放检测精度±100mV过放检测电压到，每步过流保护到，每步过充延迟（VDD=）110mS过放延迟（VDD=带有内置电容）22mS（最小值）封装SOT23-6/6-pin二、基本描绘DW01是一款单节可充电锂电池保护集成电路，拥有过充、过放、过流及短路保护功能。IC内部包含：三个电压检测电路、一个基准电路、一个延迟电路、一个短路保护电路和一个逻辑电路。当充电电压渐渐增大超过过充检测电路的阈值VDET1时，CoutPin的输出电压即过充检测电路的输出电压VD1会变到低电位，也就是充电器负端的电位。在进入过充保护状态后，当VDD电压降低到VREL1下方或许当电池组脱离充电器而接一个负载，且VDD介于VDET1与VREL1之间时VD1能够复位，即CoutPin输出变为高电位。当放电电压低于过放检测电路的阈值VDET2时，经过一段固定的延迟时间，DoutPin的输出即过放检测电路的输出VD2会变为低电位。这时，若给电池充电，当电池电压上涨到过放检测电路的阈值电压之上时，VD2恢复，Dout的输出电压变为高电平。当有过流情况出现时，内部过流检测电路会检测到，经过一段固定的延迟时间后，VD3和Dout变为低电平，放电回路被切断。这时，若将电池组从负载系统中分开，VD3会恢复使Dout变为高电平。当有外部短路电流时，短路保护电路会立刻使Dout变为低电位，当外部短路电流消失后，Dout会变换为高电位。在检测到过放之后，会经过封闭一些内部电路使电源电流特别低。IC过充检测电路的延迟时间能够经过连结外部电容进行设置。CoutPin和DoutPin的输出种类是CMOS。封装形式为SOT23-6。1DW01锂电池保护IC三、电路框图四、Pin脚图DW01五、Pin脚定义Pin脚位符号Pin描绘1Dout过放检测电路的输出，CMOS输出2V-充电器的负端输入Pin3Cout过充检测电路的输出，CMOS输出4空脚位5VDD电源6Vss地2DW01锂电池保护IC六、最大绝对额定值符号项目额定值单位V-输入电压V-VDD-18到VDD+VVcoutCoutPinVDD-18到VDD+VVdoutDoutPin到VDD+VPD功耗150mWTopt工作温度范围-30到85℃Tstq储藏温度范围-55到125℃最大绝对额定值是极限值，在任何情况下都不能片晌超过。而且，任两项不能同时达到此值。在最大绝对额定值以上工作会惹起器件特性衰败或许永远破坏。这里仅强调额定值，并不 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 示在额定值下实际的工作情况。七、电气特性符号项目条件最小值典型值最大值单位VDD1输入电压VDD到VSS之间的电压10V温度25℃V检测电源电VDET1过充阈值电压VREL1过充检测恢复电压tVDET1过充保护延迟时间VDET2过放阈值电压VREL2过放检测恢复电压tVDET2过放保护延迟时间VDET3过流阈值电压tVDET3过流保护延迟时间Vshort短路保护电压tshort短路保护延迟时间Vol1CoutPinN沟道导通电压Voh1CoutPinP沟道导通电压Vol2DoutPinN沟道导通电压Voh2DoutPinP沟道导通电压IDD静态电流Istandby待机电流0~50℃压的上涨沿*NoteVVVDD=to80110140ms检测电源电压的下降沿VVVDD=to22ms检测“V-”pin电压的上涨沿VVDD=51015msVDD=VVDD=1050usVDD=VIol=50uA,VDD=VIol=-50uA,VDD＝VIol=50uA,VDD=VVDD=,V-=0V46uAVDD=uA*注意：考虑到工艺参数的波动，我们采用trim来补偿与温度相关的参数。但是，此规格书是由 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 而不是产品测试来保证的。3DW01锂电池保护IC八、工作过程1．VD1/过充检测VD1监控VDDpin的电压。当VDD电压渐渐升高明过过充检测电路的阈值VDET1时，VD1会检测到过充，同时将CoutPin的输出转为低电位使得担当外部充电控制的NMOS管关断。有两种情况能够让VD1复位，使CoutPin的输出从头回到高电位，进而使系统从头恢复到充电过程。第一种情况是VDD电压拉低到“VREL1”以下；第二种情况，是将电池组与充电器断开，并连结一负载放电，使VDD值降低到介于“VDET1”和“VREL1”之间。在检测到过充并且VDD电压高于VDET1时，电池连结到负载使负载电流流过外部充电控制MOSFET的寄生二极管。当VDD经过负载电流的持续抽取被拉低到VDET1以下时，CoutPin输出转为高电平。当VDD高于VDET1后在一定的输出延迟时间内又降回到低于VDET1，VD1将不会输出一个信号来关断充电控制的MOSFET。CoutPin的电平变换器与缓冲驱动器联合在一同使CoutPin的低电平为V-Pin的电压，而且CoutPin的高电平为VDD电压。2．VD2/过放检测VD2监控VDDPin的电压。当VDD电压低于过放检测电路的阈值电压VDET2时，VD2会检测到过放，同时DoutPin输出为低电平使得外部过放控制NMOS管关断。在进入到过放保护状态后，为了使VD2复位并且DoutPin的输出恢复到高电平，对DW01而言，必须要给电池组充电。如果VDD电压维持在过放检测电路的阈值电压VDET2之下，充电电流会经过外部放电控制MOSFET的寄生二极管路径。当VDD电压从头升高到VDET2之上时，DoutPin变换为高电平，这时放电过程将能够经过导通的放电控制MOSFET持续进行。将电池组连结到充电器，当VDD电压高于VDET2时，DoutPin电位立刻变为高电平。对DW01来说，当VDD电压等于或许高于过放恢复电压/VDET2时，过放保护情况会被排除。过放检测电路的延迟时间是固定的，当VDD=时tVDET2最小为22ms。当VDD电压低于VDET2后在一定的输出延迟时间内又从头被拉高到高于VDET2，VD2将不会输出一个信号来关断放电控制的MOSFET。VD2检测到过放之后，静态电流会减小到典型值（VDD=），此时只有充电检测电路工作。DoutPin的输出种类拥有CMOS特性，即输出高电平为VDD，输出低电平为Vss。4DW01锂电池保护IC3．VD3/过流检测，短路检测过流检测电路和短路保护电路在两个控制MOSFET同时为“ON”时才能工作。当V-Pin的电压值介于短路保护电压Vshort和过流保护阈值电压VDET3之间时，过流检测电路工作并且提高V-Pin的电压高于Vshort使短路保护电路工作，进而使DoutPin的输出为低电平，外部放电控制NMOS管被关断。过流检测电路的延迟时间是固定的，在VDD=时，典型值是10ms。在这个延迟时间内，如果V-Pin从介于Vshort和VDET3之间的一个电位迅速恢复，会使放电控制MOSFET保持“H”。当短路保护电路开始工作时，DoutPin将会输出低电平，其延迟时间的典型值为10us。V-Pin有一个连结到VssPin的内置下拉电阻，典型值为100kOhm。当IC进入过流或短路保护状态后，如果将惹起过流或外部短路的因素除去，能够使外部放电控制MOSFET自动导通，同时V-Pin的电位经过内部下拉电阻拉低到Vss。如果VDD电压升高到VDET2以上同时又检测到过流时，DW01不会进入待机模式，除非VDD电压低于VDET2，DW01才会进入待机模式。九、应用电路DW01R1和C1能够使得提供给DW01的电源电压稳定。建议R1的阻值小于1kOhm。R1值太大将致使检测电压升高，产生错误。R1和R2可能会致使IC功耗超过DW01的功耗额定值，R1+R2的总值要超过1kOhm。566