场效应晶体管（MOSFET）

ProductOrderTechnicalTools&Support&FolderNowDocumentsSoftwareCommunityCSD75208W1015ZHCSCW3A–JULY2014–REVISEDMAY2017CSD75208W1015双路20V共源P通道NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)1特性产品概要1•双路P通道MOSFETTA=25°C典型值单位•共源配置VDS漏源电压-20V小尺寸封装•1.5mmx1mmQg栅极电荷总量(-4.5V)1.9nC•栅极-源电压钳位Qgd栅极电荷（栅极到漏极）0.23nC•栅极静电放电(ESD)保护-3kVVGS=–1.8V100mΩ漏源RV=-2.5V70m•无铅DS(on)导通电阻GSΩV=-4.5V56mΩ•符合RoHS环保 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 GSVGS=-1.8V190mΩ•无卤素RD1D2（导漏极到漏极VGS=-2.5V120mΩ通）导通电阻V=-4.5V90mΩ2应用GSVGS(th)阈值电压-0.8V•电池管理•负载开关订购信息(1)•电池保护器件数量介质封装出货CSD75208W101530007英寸卷带1.0mm×1.5mm卷带封装3说明CSD75208W1015T2507英寸卷带晶圆级封装此器件 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形(1)如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池绝对最大额定值供电运行空间受限应用的理想选择。TA=25°C值单位VDS漏源电压-20V顶视图VGS栅源电压-6V持续漏极到漏极电流，-1.6ATC=25°C时测得ID1D2脉冲漏极到漏极电流，(1)–22ATC=25°C时测得持续源引脚电流–3AIS(1)脉冲源引脚电流(2)–39A持续栅极钳位电流-0.5AIG脉冲栅极钳位电流(1)-7APD功率耗散0.75WTJ，运行结温和P0099-01-55至150°CTstg储存温度范围(1)最大RθJA=165ºC/W，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%(2)两器件并行1AnIMPORTANTNOTICEattheendofthisdatasheetaddressesavailability,warranty,changes,useinsafety-criticalapplications,intellectualpropertymattersandotherimportantdisclaimers.PRODUCTIONDATA.EnglishDataSheet:SLPS512CSD75208W1015ZHCSCW3A–JULY2014–REVISEDMAY2017www.ti.com.cnRD1D2（导通）与VGS间的关系RDS(on)与VGS间的关系270150))ΩTC=25°C,ID=−1ATC=25°C,ID=−1A240Ω135TC=125°C,ID=−1ATC=125°C,ID=−1A2101201051809015075120609045-On-StateResistance(m)-On-StateResistance(m60)on(30on(30DSD1D215RR0001234560123456−−VGS-Gate-to-SourceVoltage(V)G001VGS-Gate-to-SourceVoltage(V)G0012版权©2014–2017,TexasInstrumentsIncorporatedCSD75208W1015www.ti.com.cnZHCSCW3A–JULY2014–REVISEDMAY2017目录1特性..........................................................................16.1接收文档更新通知.....................................................82应用..........................................................................16.2社区资源....................................................................83说明..........................................................................16.3商标...........................................................................84修订历史记录...........................................................36.4静电放电警告.............................................................86.5Glossary....................................................................85Specifications.........................................................4机械、封装和可订购信息5.1ElectricalCharacteristics...........................................47.........................................9封装尺寸5.2ThermalInformation..................................................47.1CSD75208W1015......................................9建议印刷电路板焊盘图案5.3TypicalMOSFETCharacteristics..............................57.2(PCB).............................107.3卷带封装信息...........................................................106器件和文档支持........................................................84修订历史记录ChangesfromOriginal(July2014)toRevisionAPage•ChangedFigure1..................................................................................................................................................................5•已添加社区资源和接收文档更新通知部分添加到了器件和文档支持。.................................................................................8版权©2014–2017,TexasInstrumentsIncorporated3CSD75208W1015ZHCSCW3A–JULY2014–REVISEDMAY2017www.ti.com.cn5Specifications5.1ElectricalCharacteristicsTA=25°CunlessotherwisestatedPARAMETERTESTCONDITIONSMINTYPMAXUNITSTATICCHARACTERISTICSBVDSSDrain-to-SourceVoltageVGS=0V,IDS=–250μA–20VBVGSSGate-to-SourceVoltageVDS=0V,IG=–250μA–6.1–7.2VIDSSDrain-to-SourceLeakageCurrentVGS=0V,VDS=–16V–1μAIGSSGate-to-SourceLeakageCurrentVDS=0V,VGS=–6V–100nAVGS(th)Gate-to-SourceThresholdVoltageVDS=VGS,IDS=–250μA–0.5–0.8–1.1VVGS=–1.8V,ID=–1A100150mΩRDS(on)Drain-to-SourceOn-ResistanceVGS=–2.5V,ID=–1A7088mΩVGS=–4.5V,ID=–1A5668mΩVGS=–1.8V,ID1D2=–1A190285mΩRD1D2(on)Drain-to-DrainOn-ResistanceVGS=–2.5V,ID1D2=–1A120150mΩVGS=–4.5V,ID1D2=–1A90108mΩgfsTransconductanceVDS=–2V,ID=–1A7.5SDYNAMICCHARACTERISTICSCISSInputCapacitance315410pFV=0V,V=–10V,COutputCapacitanceGSDS132172pFOSSƒ=1MHzCRSSReverseTransferCapacitance7.710pFQgGateChargeTotal(–4.5V)1.92.5nCQGateCharge,Gate-to-Drain0.23nCgdVDS=–10V,I=–1AQgsGateCharge,Gate-to-SourceDS0.48nCQg(th)GateChargeatVth0.31nCQOSSOutputChargeVDS=–10V,VGS=0V2.1nCtd(on)TurnOnDelayTime9nstRiseTime5nsrVDS=–10V,VGS=–4.5V,I=–1A,R=0Ωtd(off)TurnOffDelayTimeDSG29nstfFallTime11nsDIODECHARACTERISTICSVSDDiodeForwardVoltageIDS=–1A,VGS=0V–0.75–1VQrrReverseRecoveryCharge4.3nCVDD=–10V,IF=–1A,di/dt=200A/μstrrReverseRecoveryTime9ns5.2ThermalInformationTA=25°CunlessotherwisestatedTHERMALMETRICMINTYPMAXUNITJunction-to-AmbientThermalResistance(1)(2)165RθJA°C/WJunction-to-AmbientThermalResistance(2)(3)95(1)DevicemountedonFR4materialwithminimumCumountingarea(2)Measuredwithbothdevicesbiasedinaparallelcondition.(3)DevicemountedonFR4materialwith1-inch2(6.45-cm2),2-oz.(0.071-mmthick)Cu.4Copyright©2014–2017,TexasInstrumentsIncorporatedCSD75208W1015www.ti.com.cnZHCSCW3A–JULY2014–REVISEDMAY2017P-Chan1.0x1.5CSPTTAMAXRev1P-Chan1.0x1.5CSPTTAMINRev1TypRθJA=95°C/WTypRθJA=165°C/Wwhenmountedonwhenmountedon1inch2(6.45cm2)ofminimumpadareaof2-oz.(0.071-mmthick)2-oz.(0.071-mmthick)Cu.Cu.M0155-01M0156-015.3TypicalMOSFETCharacteristics(TA=25°Cunlessotherwisestated)Figure1.TransientThermalImpedanceCopyright©2014–2017,TexasInstrumentsIncorporated5CSD75208W1015ZHCSCW3A–JULY2014–REVISEDMAY2017www.ti.com.cnTypicalMOSFETCharacteristics(continued)(TA=25°Cunlessotherwisestated)10109887665443-Drain-to-SourceCurrent(A)2VGS=−4.5V-Drain-to-SourceCurrent(A)2TC=125°CDSDSIVGS=−2.5VITC=25°C−1−VGS=−1.8VTC=−55°C0000.10.20.30.40.50.60.70.80.9100.30.60.91.21.51.82.12.4−−VDS-Drain-to-SourceVoltage(V)G001VGS-Gate-to-SourceVoltage(V)G001VDS=–5VFigure2.SaturationCharacteristicsFigure3.TransferCharacteristics4.540043503.53003250Ciss=Cgd+Cgs2.5Coss=Cds+Cgd200Crss=Cgd21501.5C−Capacitance(pF)100-Gate-to-SourceVoltage(V)1GSV0.550−0000.20.40.60.811.21.41.61.8202468101214161820−Qg-GateCharge(nC)G001VDS-Drain-to-SourceVoltage(V)G001ID=–1AVDS=–10VFigure4.GateChargeFigure5.Capacitance1.1270)ΩTC=25°C,ID=−1A2401TC=125°C,ID=−1A0.92101800.81500.71200.6-ThresholdVoltage(V)90)th-On-StateResistance(m(0.5)60onGS(V−0.430D1D2R0.30−75−50−2502550751001251501750123456−TC-CaseTemperature(ºC)G001VGS-Gate-to-SourceVoltage(V)G001ID=–250µAFigure6.ThresholdVoltagevsTemperatureFigure7.On-StateDrain-to-DrainResistancevsGate-to-SourceVoltage6Copyright©2014–2017,TexasInstrumentsIncorporatedCSD75208W1015www.ti.com.cnZHCSCW3A–JULY2014–REVISEDMAY2017TypicalMOSFETCharacteristics(continued)(TA=25°Cunlessotherwisestated)1501.5)TC=25°C,ID=−1AVGS=−2.5VΩ135TC=125°C,ID=−1A1.4VGS=−4.5V1201.3105901.2751.160145-On-StateResistance(m0.9)30on(NormalizedOn-StateResistanceDS150.8R00.70123456−75−50−250255075100125150175−VGS-Gate-to-SourceVoltage(V)G001TC-CaseTemperature(ºC)G001ID=–1AFigure8.On-StateDrain-to-SourceResistancevsFigure9.NormalizedOn-StateResistancevsTemperatureGate-to-SourceVoltage10100TC=25°CTC=125°C1100.10.011-Drain-to-SourceCurrent(A)−Source-to-DrainCurrent(A)0.00110us10msDSSDII100us100ms−−1ms0.00010.100.20.40.60.810.1110100−−VSD−Source-to-DrainVoltage(V)G001VDS-Drain-to-SourceVoltage(V)G001SinglePulse,MaxRθJA=165°C/WFigure10.TypicalDiodeForwardVoltageFigure11.MaximumSafeOperatingArea2.01.81.61.41.21.00.80.60.4-Drain-to-SourceCurrent(A)DSI0.20.0−50−250255075100125150175200TC-CaseTemperature(ºC)G001Figure12.MaximumDrainCurrentvsTemperatureCopyright©2014–2017,TexasInstrumentsIncorporated7CSD75208W1015ZHCSCW3A–JULY2014–REVISEDMAY2017www.ti.com.cn6器件和文档支持将6.1接收文档更新通知要接收文档更新通知，请导航至ti.com上的器件产品文件夹。请单击右上角的通知我进行注册，即可收到任意产品信息更改每周摘要。有关更改的详细信息，请查看任意已修订文档中包含的修订历史记录。6.2社区资源下列链接提供到TI社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成TI技术规范，并且不一定反映TI的观点；请参阅TI的《使用条款》。TIE2E™在线社区TI的工程师对工程师(E2E)社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在e2e.ti.com中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。设计支持TI参考设计支持可帮助您快速查找有帮助的E2E论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。6.3商标NexFET,E2EaretrademarksofTexasInstruments.Allothertrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.6.4静电放电警告这些装置包含有限的内置ESD保护。存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止MOS门极遭受静电损伤。6.5GlossarySLYZ022—TIGlossary.Thisglossarylistsandexplainsterms,acronyms,anddefinitions.8版权©2014–2017,TexasInstrumentsIncorporatedCSD75208W1015www.ti.com.cnZHCSCW3A–JULY2014–REVISEDMAY20177机械、封装和可订购信息以下页面包括机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。这些数据发生变化时，我们可能不会另行通知或修订此文档。如欲获取此产品说明 书 关于书的成语关于读书的排比句社区图书漂流公约怎么写关于读书的小报汉书pdf 的浏览器版本，请参见左侧的导航栏。7.1CSD75208W1015封装尺寸NOTE:全部尺寸单位为mm（除非另外注明）。表1.引脚分配位置名称B1，B2源极C1栅极1C2漏极1A2栅极2A1漏极2版权©2014–2017,TexasInstrumentsIncorporated9CSD75208W1015ZHCSCW3A–JULY2014–REVISEDMAY2017www.ti.com.cn7.2建议印刷电路板(PCB)焊盘图案Ø0.2512A0.50B1.00C0.50M0158-01NOTE:全部尺寸单位为mm（除非另外注明）。7.3卷带封装信息4.00±0.102.00±0.05Ø1.50±0.102°Max+0.30–0.108.001.75±0.103.50±0.054.00±0.10Ø0.60+0.05–0.101.65±0.050.86±0.050.254±0.022°Max1.19±0.05M0159-01NOTE:全部尺寸单位为mm（除非另外注明）。10版权©2014–2017,TexasInstrumentsIncorporatedPACKAGEOPTIONADDENDUMwww.ti.com11-Jul-2017PACKAGINGINFORMATIONOrderableDeviceStatusPackageTypePackagePinsPackageEcoPlanLead/BallFinishMSLPeakTempOpTemp(°C)DeviceMarkingSamples(1)DrawingQty(2)(6)(3)(4/5)CSD75208W1015ACTIVEDSBGAYZC63000Green(RoHSSNAGCULevel-1-260C-UNLIM-40to8575208&noSb/Br)CSD75208W1015TACTIVEDSBGAYZC6250Green(RoHSSNAGCULevel-1-260C-UNLIM-40to8575208&noSb/Br)(1)Themarketingstatusvaluesaredefinedasfollows:ACTIVE:Productdevicerecommendedfornewdesigns.LIFEBUY:TIhasannouncedthatthedevicewillbediscontinued,andalifetime-buyperiodisineffect.NRND:Notrecommendedfornewdesigns.Deviceisinproductiontosupportexistingcustomers,butTIdoesnotrecommendusingthispartinanewdesign.PREVIEW:Devicehasbeenannouncedbutisnotinproduction.Samplesmayormaynotbeavailable.OBSOLETE:TIhasdiscontinuedtheproductionofthedevice.(2)RoHS:TIdefines"RoHS"tomeansemiconductorproductsthatarecompliantwiththecurrentEURoHSrequirementsforall10RoHSsubstances,includingtherequirementthatRoHSsubstancedonotexceed0.1%byweightinhomogeneousmaterials.Wheredesignedtobesolderedathightemperatures,"RoHS"productsaresuitableforuseinspecifiedlead-freeprocesses.TImayreferencethesetypesofproductsas"Pb-Free".RoHSExempt:TIdefines"RoHSExempt"tomeanproductsthatcontainleadbutarecompliantwithEURoHSpursuanttoaspecificEURoHSexemption.Green:TIdefines"Green"tomeanthecontentofChlorine(Cl)andBromine(Br)basedflameretardantsmeetJS709Blowhalogenrequirementsof<=1000ppmthreshold.Antimonytrioxidebasedflameretardantsmustalsomeetthe<=1000ppmthresholdrequirement.(3)MSL,PeakTemp.-TheMoistureSensitivityLevelratingaccordingtotheJEDECindustrystandardclassifications,andpeaksoldertemperature.(4)Theremaybeadditionalmarking,whichrelatestothelogo,thelottracecodeinformation,ortheenvironmentalcategoryonthedevice.(5)MultipleDeviceMarkingswillbeinsideparentheses.OnlyoneDeviceMarkingcontainedinparenthesesandseparatedbya"~"willappearonadevice.IfalineisindentedthenitisacontinuationofthepreviouslineandthetwocombinedrepresenttheentireDeviceMarkingforthatdevice.(6)Lead/BallFinish-OrderableDevicesmayhavemultiplematerialfinishoptions.Finishoptionsareseparatedbyaverticalruledline.Lead/BallFinishvaluesmaywraptotwolinesifthefinishvalueexceedsthemaximumcolumnwidth.ImportantInformationandDisclaimer:TheinformationprovidedonthispagerepresentsTI'sknowledgeandbeliefasofthedatethatitisprovided.TIbasesitsknowledgeandbeliefoninformationprovidedbythirdparties,andmakesnorepresentationorwarrantyastotheaccuracyofsuchinformation.Effortsareunderwaytobetterintegrateinformationfromthirdparties.TIhastakenandcontinuestotakereasonablestepstoproviderepresentativeandaccurateinformationbutmaynothaveconducteddestructivetestingorchemicalanalysisonincomingmaterialsandchemicals.TIandTIsuppliersconsidercertaininformationtobeproprietary,andthusCASnumbersandotherlimitedinformationmaynotbeavailableforrelease.InnoeventshallTI'sliabilityarisingoutofsuchinformationexceedthetotalpurchasepriceoftheTIpart(s)atissueinthisdocumentsoldbyTItoCustomeronanannualbasis.Addendum-Page1PACKAGEOPTIONADDENDUMwww.ti.com11-Jul-2017Addendum-Page2IMPORTANTNOTICE重要声明德州仪器(TI)公司有权按照最新发布的JESD46对其半导体产品和服务进行纠正、增强、改进和其他修改，并不再按最新发布的JESD48提供任何产品和服务。买方在下订单前应获取最新的相关信息，并验证这些信息是否完整且是最新的。TI公布的半导体产品销售条款(http://www.ti.com/sc/docs/stdterms.htm)适用于TI已认证和批准上市的已封装集成电路产品的销售。另有其他条款可能适用于其他类型TI产品及服务的使用或销售。复制TI数据表上TI信息的重要部分时，不得变更该等信息，且必须随附所有相关保证、条件、限制和通知，否则不得复制。TI对该等复制文件不承担任何责任。第三方信息可能受到其它限制条件的制约。在转售TI产品或服务时，如果存在对产品或服务参数的虚假陈述，则会失去相关TI产品或服务的明示或暗示保证，且构成不公平的、欺诈性商业行为。TI对此类虚假陈述不承担任何责任。买方和在系统中整合TI产品的其他开发人员（总称“设计人员”）理解并同意，设计人员在设计应用时应自行实施独立的分析、评价和判断，且应全权负责并确保应用的安全性，及设计人员的应用（包括应用中使用的所有TI产品）应符合所有适用的法律法规及其他相关要求。设计人员就自己设计的应用声明，其具备制订和实施下列保障措施所需的一切必要专业知识，能够(1)预见故障的危险后果，(2)监视故障及其后果，以及(3)降低可能导致危险的故障几率并采取适当措施。设计人员同意，在使用或分发包含TI产品的任何应用前，将彻底测试该等应用和该等应用中所用TI产品的功能。TI提供技术、应用或其他设计建议、质量特点、可靠性数据或其他服务或信息，包括但不限于与评估模块有关的参考设计和材料（总称“TI资源”），旨在帮助设计人员开发整合了TI产品的应用，如果设计人员（个人，或如果是代表公司，则为设计人员的公司）以任何方式下载、访问或使用任何特定的TI资源，即表示其同意仅为该等目标，按照本通知的条款使用任何特定TI资源。TI所提供的TI资源，并未扩大或以其他方式修改TI对TI产品的公开适用的质保及质保免责声明；也未导致TI承担任何额外的义务或责任。TI有权对其TI资源进行纠正、增强、改进和其他修改。除特定TI资源的公开文档中明确列出的测试外，TI未进行任何其他测试。设计人员只有在开发包含该等TI资源所列TI产品的应用时，才被授权使用、复制和修改任何相关单项TI资源。但并未依据禁止反言原则或其他法理授予您任何TI知识产权的任何其他明示或默示的许可，也未授予您TI或第三方的任何技术或知识产权的许可，该等产权包括但不限于任何专利权、版权、屏蔽作品权或与使用TI产品或服务的任何整合、机器制作、流程相关的其他知识产权。涉及或参考了第三方产品或服务的信息不构成使用此类产品或服务的许可或与其相关的保证或认可。使用TI资源可能需要您向第三方获得对该等第三方专利或其他知识产权的许可。TI资源系“按原样”提供。TI兹免除对资源及其使用作出所有其他明确或默认的保证或陈述，包括但不限于对准确性或完整性、产权保证、无屡发故障保证，以及适销性、适合特定用途和不侵犯任何第三方知识产权的任何默认保证。TI不负责任何申索，包括但不限于因组合产品所致或与之有关的申索，也不为或对设计人员进行辩护或赔偿，即使该等产品组合已列于TI资源或其他地方。对因TI资源或其使用引起或与之有关的任何实际的、直接的、特殊的、附带的、间接的、惩罚性的、偶发的、从属或惩戒性损害赔偿，不管TI是否获悉可能会产生上述损害赔偿，TI概不负责。除TI已明确指出特定产品已达到特定行业标准（例如ISO/TS16949和ISO26262）的要求外，TI不对未达到任何该等行业标准要求而承担任何责任。如果TI明确宣称产品有助于功能安全或符合行业功能安全标准，则该等产品旨在帮助客户设计和创作自己的符合相关功能安全标准和要求的应用。在应用内使用产品的行为本身不会配有任何安全特性。设计人员必须确保遵守适用于其应用的相关安全要求和标准。设计人员不可将任何TI产品用于关乎性命的医疗设备，除非已由各方获得授权的管理人员签署专门的合同对此类应用专门作出规定。关乎性命的医疗设备是指出现故障会导致严重身体伤害或死亡的医疗设备（例如生命保障设备、心脏起搏器、心脏除颤器、人工心脏泵、神经刺激器以及植入设备）。此类设备包括但不限于，美国食品药品监督管理局认定为III类设备的设备，以及在美国以外的其他国家或地区认定为同等类别设备的所有医疗设备。TI可能明确指定某些产品具备某些特定资格（例如Q100、军用级或增强型产品）。设计人员同意，其具备一切必要专业知识，可以为自己的应用选择适合的产品，并且正确选择产品的风险由设计人员承担。设计人员单方面负责遵守与该等选择有关的所有法律或监管要求。设计人员同意向TI及其代表全额赔偿因其不遵守本通知条款和条件而引起的任何损害、费用、损失和/或责任。邮寄地址：上海市浦东新区世纪大道1568号中建大厦32楼，邮政编码：200122Copyright©2017德州仪器半导体技术（上海）有限公司