电子科技大学半导体物理期末考试试卷习题练习习题B试卷习题试卷试题答案

精品文档精品文档蝿螃羈膃袁螈薁袈膄PAGEPAGE9精品文档PAGE电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试半导体物理课程考试 题 快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题 B卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2010年元月18日课程成绩组成：平时10分，期中5分，实验15分，期末70分一二三四五六七八九十复核人共计签名得分签名得分一、填空题:（共16分，每空1分）简并半导体一般是重混杂半导体，这时电离杂质对载流子的散射作用不可忽略。2.处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后，电子迁移率会下降/减小，电阻率会上涨/增大。电子陷阱存在于P/空穴型半导体中。4.随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号由正变为负。5.在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们拥有杂质补偿的作用，在制造各样半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。ZnO是一种宽禁带半导体，真空制备过程中往常会致使材料缺氧形成氧空位，存在氧空位的ZnO半导体为N/电子型半导体。7.相对Si而言，InSb是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较高/大。8.掺金工艺往常用于制造高频器件。金掺入半导体Si中是一种深能级杂质，往常起复合中心的作用，使得载流子寿命减小。有效质量归纳了晶体内部势场对载流子的作用，可经过盘旋共振实验来测量。某N型Si半导体的功函数WS是4.3eV，金属Al的功函数Wm是4.2eV，该半导体和金属接触时的界面将会形成反阻拦层接触/欧姆接触。11.有效复合中心的能级地点凑近禁带中心能级/本征费米能级/Ei。MIS构造中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面反型少子的导电能力已经足够强，称此时金属板上所加电压为开启电压/阈值电压。金属和n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势垒高度将降低，空间电荷区宽度将相应地（减少/变窄/变薄）。得分二、选择题（共15分，每题1分）1.如果对半导体进行重混杂，会出现的现象是D。A.禁带变宽B.少子迁移率增大C.多子浓度减小D.简并化2.已知室温下Si的本征载流子浓度为ni1.51010cm3。处于稳态的某混杂Si半导体中电子浓度n1.51015cm3，空穴浓度为p1.51012cm3，则该半导体。存在小注入的非平衡载流子存在大注入的非平衡载流子处于热平衡态是简并半导体3.下面说法错误的选项是D。A.若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必然处于绝对零度计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级地点4.下面说法正确的选项是D。空穴是一种真切存在的微观粒子MIS构造电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联稳态和热平衡态的物理含义是同样的同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比，载流子迁移率要高，这是因为B。无杂质污染晶体生长更完整化学配比更合理宇宙射线的照射作用6.半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于A。复合机构散射机构禁带宽度晶体构造7.若某材料电阻率随温度升高而单一下降，该材料是A。本征半导体杂质半导体金属导体简并半导体8.关于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上涨而D。上涨下降不变经过一极值后趋近Ei9.GaAs拥有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，A。载流子发生能谷间散射载流子迁移率增大载流子寿命变大载流子浓度变小以下4种不同混杂情况的N型Ge半导体中，室温下电子迁移率由大到小的次序是C。掺入浓度1014cm-3的P原子；掺入浓度1015cm-3的P原子；掺入浓度2×1014cm-3的P原子，浓度为1014cm-3的B原子；掺入浓度3×1015cm-3的P原子，浓度为2×1015cm-3的B原子。abcdbcdaacbddcba11.以下4种Si半导体，室温下功函数由大到小的次序是C。掺入浓度1016cm-3的B原子；掺入浓度1016cm-3的P原子；掺入浓度1016cm-3的P原子，浓度为1015cm-3的B原子；纯净硅。abcdcdbaadcbdabc12.以下4种不同混杂情况的半导体，热平衡时室温下少子浓度最高的是D。掺入浓度1015cm-3P原子的Si半导体；掺入浓度1014cm-3B原子的Si半导体；掺入浓度1015cm-3P原子Ge半导体；掺入浓度1014cm-3B原子Ge半导体。（已知室温时：Si的本征载流子浓度n1.51010cm3，Ge的本征载流子浓度ini2.41013cm3）13.直接复合时，小注入的P型半导体的非平衡载流子寿命d决定于B。11A.B.rdn0rdp01D.其余C.rdp在金属-SiO2-p型Si组成的MIS构造中，SiO2中散布的可动正电荷不会影响。半导体表面势平带电压平带电容器件的稳定性不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是A。In(Wm=3.8eV)Cr(Wm=4.6eV)Au(Wm=4.8eV)Al(Wm=4.2eV)得分三、问答题（共31分，共四题，6分＋10分＋10分＋5分）1.写出下面能带图代表的半导体种类，混杂程度。（6分）ECECECEFEiiFEEEFEEEVVV(a)(b)(c)ECECECEEFiEiEiEFEVEFEEVV(d)(e)(f)答：(a)强n型(b)弱p型(c)本征型或高度补偿型(d)简并、p型(e)弱n型(f)强p型型半导体衬底形成的MIS构造，画出外加不同偏压下积累、平带、耗尽、反型四种状态的能带图。画出理想的低频和高频电容-电压曲线。解释平带电压。(10分)答：图略（各2分，共8分）平带电压：功函数或许绝缘层电荷等因素惹起半导体内能带发生弯曲，为了恢复平带状态所需加的外加栅偏压。或许使半导体内没有能带弯曲时所加的栅电压。（2分）3.写出起码两种测试载流子浓度的实验方法，并说明实验测试原理。（10分）答：能够采用C-V测试以及霍耳效应来测试载流子浓度；（2分）方法⑴：CV测试法：a)采用金半接触构造，测试CV曲线，能够获得1:V曲线为一--C2条直线，斜率为2，因此能够求出混杂浓度ND或NA；b)若采用MIS构造，测试qsND(NA)高频CV曲线，由CV曲线的最大值求出氧化层厚度d0，再联合最小值能够求出混杂浓--度；（4分）方法⑵：霍耳效应。霍耳实验中，根据Ix，Bz，d，测出霍耳电压VH，由霍耳电压正负判断导电种类，因为VHd，因此求出霍耳系数H；再根据RH1或RH1求出载流RHRpqnqIxBz子浓度。（4分）在一维情况下，描绘非平衡态半导体中载流子（空穴）运动规律的连续方程为：p2ppEpEpDpgp，请说明上述等式两边各个单项所代表的物理意pptx2xxp义。（5分）答：p――在x处，t时刻单位时间、单位体积中空穴的增加数；（1分）tDp2p――由于扩散，单位时间、单位体积中空穴的积累数；（1分）x2pEpppEx――由于漂移，单位时间、单位体积中空穴的积累数；（1分）x――由于复合，单位时间、单位体积中空穴的消失数；（1分）pgp――由于其他原因，单位时间、单位体积中空穴的产生数。（1分）得分四、计算题（共38分，8＋10＋10＋10，共4题）-3有一块半导体硅材料，已知在室温下（300K）它的空穴浓度为p0=2.25×10cm,室温时10-3，k0T=0.026eV。（8分）硅的Eg=1.12eV，ni=1.5×10cm⑴计算这块半导体材料的电子浓度；判断材料的导电种类；⑵计算费米能级的地点。解：（1）n0p0ni2n0ni21.5101021104(cm3)p2.251016（2分）因为p0n0，故该材料为p型半导体。（2分）（2）（4分）p0niexp(EiEF)k0TEiEFk0Tlnp0ni0.026ln2.2510161.510100.37eV即该p型半导体的费米能级在禁带中线下0.37eV处。（1分＋2分＋1分）-3某p型Si半导体中受主杂质浓度为NA=10cm且在室温下完全电离，Si的电子亲和能为4.05eV，禁带宽度为1.12eV，ni1.51010cm3，试求：Si半导体费米能级地点及功函数；若不计表面态的影响，该p型Si半导体与银接触后是否能够形成阻拦层？已知银的功函数为WAg=4.81eV。若能形成阻拦层，求半导体一侧的势垒高度和势垒宽度。0εrε0-14F/cm，19）（室温下kT=0.026eV，Si介电常数=12，=8.85×10q1.610C(10分)解：1)费米能级：EF1017Ei0.41(eV)（2分）Eik0Tln10101.5即位于禁带中心以下0.41eV地点（即qVB=0.41eV）功函数：WsEnEg/2qVB5.03(eV)（2分）2)关于p型Si，因为WsWm能够形成空穴阻拦层（2分）3)半导体一侧的势垒高度：qVDWmWs0.22(eV)（2分）114122势垒宽度：xd2r0VD2128.851010170.225.4106(cm)（2分）qNA1.61019假定室温下某金属与SiO2及p型Si组成理想MIS构造，设Si半导体中受主杂质浓度为NA=1.5×1015/cm3,SiO2厚度0.2mm，SiO2介电常数3.9，Si介电常数12。求开启电压VT；若SiO2-Si界面处存在固定的正电荷,实验测得VT=2.6eV,求固定正电荷的电荷量。（k0T=0.026eV，Si:ni1.51010cm3,ε0=8.85×10-14F/cm，q1.61019）分)C(10解：1)费米势：VBk0Tln(NA)0.36()（2分）qniV12表面电荷量：QsqNAxdmqNA4rs0VB6.05108(C)（1分）qNA绝缘层电容：C0ri0/d01.72108(F/cm2)（1分）开启电压：VTV0Qs2VB3.50.724.22(V)（2分）VsC02)开启电压变化即平带电压的变化：VTVFBQfc1.62()（2分）C0V固定电荷量：QfcVTC02.79108(C)（2分）4．Pt/Si肖特基二极管在T=300K时生长在混杂浓度为ND=1016cm-3的n型<100>Si上。肖特基势垒高度为0.89eV。计算1）En=E-E，2）qV,，3）忽略势垒降低时的2J，4）使J=2A/cmCFDST时的外加偏压V。（10分）解：NDNcexp(EcEF)k0TEcEFk0TlnNcND（1分）EcEF0.026ln2.810190.206eV1016（1分）2)qVDnsEn0.684eV3)JSTAT2exp(qns)k0T2.11203002exp(0.89)3.09108A/cm20.0264)JJSTexp(qV)1k0TVk0TJ1)0.026ln(21)0.467Vqln(JST3.09108（2分）（2分）（1分）2分）1分）