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元件封装含义简介(部分)
第一篇 电阻
1、 电阻的种类
大功率电阻,25 瓦特,220 欧姆 线绕电阻器 (KNP)、无感性线饶电阻器(KNPN)
精密型金属膜电阻器 SMD 贴片电阻
水泥型饶线电阻器 (SQ) 金属氧化皮膜电阻器
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2、SMD 贴片电阻(以国巨品牌为例)
1、 结构及
尺寸
手机海报尺寸公章尺寸朋友圈海报尺寸停车场尺寸印章尺寸
2、 尺寸
型号 Type
0201 0603 1206 1808 2225
0402 0805 1210 1812 3035
左边型号依据贴片元件的尺寸英制单位来进行的命名的。
3、 结构
2
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上图中代
表
关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf
意义见下:
①代表 陶瓷介质 其材料为瓷粉
②代表 内电极 钯/银/镍
③代表 外电极 银/铜
④代表 镍层 镍
⑤代表 锡或其它焊接媒介层 锡或其它焊接媒介
4、 料盘标识含义
例如上图电阻来料料盘中的标识为:R C 0 6 0 3 J R - 07 1M
a b c d e f g h
a、产品代号 R 指 厚模片式固定电阻器
b、额定功率系列代号 C 指 常规功率系列 S 指 特殊功率系列
c、型号代号
d、电阻值误差精度代号 F ±1% G ±2% J ±5% K ±10%
e、包装型号 R 编带包装 C 塑料盒包装
f、电阻温度系数代号 F ±100ppm/℃ G ±200ppm/℃ I ±100ppm/℃
g、特殊型号 07 指 7 英寸料盘 10 指 10 英寸料盘 13 指 13 英寸料盘
h、电阻值
3
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5、特性
项目 Item
标准
excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载
Specifications 测试方法(JIS C 5202 标准)
端头强度 无可见损伤,△R≤±(1.0%R+0.05Ω) 弯曲速度:1mm/s 弯曲距离:3mm
温度循环 无可见损伤,△R≤±(1.0%R+0.05Ω)
-55℃(30 分钟)~常温(15 分
钟)~125℃(30 分钟) 5 个
循环
短时间负载 无可见损伤,△R≤±(2.0%R+0.05Ω)
2.5 倍额定电压或最大过负荷电
压(取最小者)保持 5s
耐焊接热 无可见损伤,△R≤±(1.0%R+0.05Ω) 260℃±5℃ 10±1 秒
稳态湿热 无可见损伤,△R≤±(3.0%R+0.1Ω)
40℃±2℃ 90%~95%RH 500
小时
70℃耐久性 无可见损伤,△R≤±(3.0%R+0.1Ω) 70℃±2℃ 1000 小时 额定电
压通过 1.5 小时,断 1.5 小时
上限类别温度耐久性 无可见损伤,△R≤±(3.0%R+0.1Ω) 125℃±2℃ 1000 小时
耐溶剂性 无可见损伤,△R≤±(1.0%R+0.05Ω) 浸入 Chloroethylene 10±1 小时
耐电压 无可见损伤,△R≤±(1.0%R+0.05Ω)
施加(10~60)Hz,峰值等于 1.42
倍绝缘电压(即耐电压)的交流
电压,并以大约 100V/S 的速率
从零升到规定电压,然后保持
1min ± 5s
可焊性 可焊面积≥95% 235℃±5% 2±0.5s
附着力 外观无可见损害 施加 5N 的力 10±1s
标识 与实物是否一致 目视及测量
4
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3、色环电阻
一般色环电阻有 4 个色环,前面两个色环表示电阻值,第三环表示零的个数,
第四环表示精度。比如色环为:
1、 黄、紫、红、金,那么阻值为:4700,精度 5%。
2、 如果有 5 个色环,那么前面 3 个是阻值,第四环是零的个数,最后一个
是精度。
3、 电阻值是有标称值的,分为 E12、E24、E96 系列,一般我们用的都是
E24 系列(1-100 之间设 24 个标称值)。设计电路的时候必须按照标
称值进行选择(除非你确定你的电路有非常大的生产量,比如一个月上
千万个),否则你可能买不到合适的电阻。
4、 现在很多电阻不是色环电阻,而是直接标数字的,辨认方法同色环电阻
一样,唯一不同就是色环改成数字。
5、 颜色代表含义为:
色环颜色 第 1 环(第 1 位数)第 2 环(第 2 位数)第 3 环(倍乘数) 第 4 环(误差)
黑 / 0 *1 ±1%
棕 1 1 *10 ±2%
红 2 2 *100 ±3%
橙 3 3 *1000 ±4%
黄 4 4 *10000 /
绿 5 5 *100000 /
蓝 6 6 *1000000 /
紫 7 7 *10000000 /
灰 8 8 *100000000 /
白 9 9 *1000000000 /
金 / / *0.1 ±5%
银 / / *0.01 ±10%
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第二篇 电容器
电容器一般可以分为没有极性的普通电容器和有极性的电解电容。普通电容器
分为固定电容器、半可调电容器(微调电容器)、可变电容器。
一. 固定电容器:指一经制成后,其电容量不能再改变的电容器。
1. 电容的分类:电容一般按电介质来分类:
1) 纸介电容器:一般容量在几十皮法(pF)到零点几微法(uF),耐压有 250V、
400V、630V 等,容量误差一般为:±5%,±10%,±20%。还有一种是金属化
纸介电容器,最大特点是具有有限的自愈能力。一般不能用于高频电路中,工作
频率只有几十 KHZ。
2) 涤纶电容器:
3) 聚苯乙烯电容器:
4) 聚丙烯电容器:
5) 聚四氟乙烯电容器:
6) 聚酰亚胺薄膜电容器:
7) 聚碳酸酯薄膜电容器:
8) 复合薄膜电容器:
9) 漆膜电容器:
10) 叠片形金属化聚碳酸酯电容器:
11) 云母电容器:
12) 瓷介电容器:价格低廉,应用广泛。分为低压低功率和高压高功率 2 种。
低压低功率瓷介电容器按照所用材料的性能、特点,可以分为 I 和 II 型。I 型的特
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点是介质损耗低,电容量对于温度、频率、电压、时间的稳定性都比较好,常用
于高频电路。II 型的特点是体积小,但稳定性差、介质损耗大,常用于低频电路。
超高频瓷介电容器,可用于频率不超过 500MHZ 的高频电路中。
高压高功率的瓷介电容器,通常只适合在低损耗、功率不大的电路中使用。
13) 玻璃釉电容器:
2. 电容的型号命名:
1) 各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成:
第一部分:用字母表示名称,电容器为 C。
第二部分:用字母表示材料。
第三部分:用数字表示分类。
第四部分:用数字表示序号。
2) 电容的标志方法:
(1) 直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。
(2) 文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示
其电容量的单位:P、N、u、m、F 等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也
和电阻的表示方法相同。小于 10pF 的电容,其允许偏差用字母代替:B——±
0.1pF,C——±0.2pF,D——±0.5pF,F——±1pF。
(3) 色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为 pF。小型电解电容器的耐
压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示:
颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰
耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V
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(4) 进口电容器的标志方法:进口电容器一般有 6 项组成。
第一项:用字母表示类别:
第二项:用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。
第三项:温度补偿型电容器的温度特性,有用字母的,也有用颜色的,其意义如
下表所示:
序号 字母 颜色 温度系数 允许偏差 字母 颜色 温度系数 允许偏差
1 A 金 +100 R 黄 -220
2 B 灰 +30 S 绿 -330
3 C 黑 0 T 蓝 -470
4 G ±30 U 紫 -750
5 H 棕 -30 ±60 V -1000
6 J ±120 W -1500
7 K ±250 X -2200
8 L 红 -80 ±500 Y -3300
9 M ±1000 Z -4700
10 N ±2500 SL +350~-1000
11 P 橙 -150 YN -800~-5800
备注:温度系数的单位 10e -6/℃;允许偏差是 % 。
第四项:用数字和字母表示耐压,字母代表有效数值,数字代表被乘数的 10 的幂。
第五项:标称容量,用三位数字表示,前两位为有效数值,第三为是 10 的幂。当
有小数时,用 R 或 P 表示。普通电容器的单位是 pF,电解电容器的单位是 uF。
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第六项:允许偏差。用一个字母表示,意义和国产电容器的相同。
也有用色标法的,意义和国产电容器的标志方法相同。
3. 电容的主要特性参数:
(1) 容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为 3
级:I 级±5%,II 级±10%,III 级±20%。在有些情况下,还有 0 级,误差为±
20%。
精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等
级。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D——005 级—
—±0.5%;F——01 级——±1%;G——02 级——±2%;J——I 级——±5%;K
——II 级——±10%;M——III 级——±20%。
(2) 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大
直流电压,又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。
(3) 温度系数:在一定温度范围内,温度每变化 1℃,电容量的相对变化值。
温度系数越小越好。
(4) 绝缘电阻:用来表明漏电大小的。一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在
几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言,绝缘电阻
越大越好,漏电也小。
(5) 损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损
耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。
(6) 频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作
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的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小。损耗也随频
率的升高而增加。另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线
和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能。所有
这些,使得电容器的使用频率受到限制。
不同品种的电容器,最高使用频率不同。小型云母电容器在 250MHZ 以内;圆片
型瓷介电容器为 300MHZ;圆管型瓷介电容器为 200MHZ;圆盘型瓷介可达
3000MHZ;小型纸介电容器为 80MHZ;中型纸介电容器只有 8MHZ。
4. 电路中一般符号:
5. 电容的使用:
1) 选择合适的型号;
2) 合理确定电容器的精度;
3) 确定电容器的额定工作电压:对一般电路,电路的工作电压应为电容器额定
电压的 10%~20%;当有脉动电压时,工作电压应为脉动的最高电压。当应用于交
流时,额定电压随频率的增加而要相应增大。当温度环境比较高时,额定电压还
要选用更大;
4) 尽量选择绝缘电阻大的电容;
5) 考虑温度系数和频率特性;
6) 注意使用环境.
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二、 SMD 电容(以 TDK 为例)
1、 外观包装
2、 结构 & 尺寸
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3、 尺寸
贴片电容器同贴片电阻器的尺寸一样
4、 料盘标识含义
C 1608 X7R 1H 223 K T
a b c d e f g
a 代表电容器
(b)系列名称 (b)尺寸 L×W (c)温度特征:
-1005 1-1005:1.0*0.5mm - 代码 -温度系数 -温度范围
-1608 1-1608:1.6*0.8mm -COG -0±30ppm/℃ --55to+125℃
-2012 1-2012:2.0*1.25mm -SL- -+350to-1000ppm/℃ -+20to+85℃
-3216 1-3216:3.2*1.6mm -Codes -±15% --55to+125℃
- -X5R -±15% --55to+85℃
- -X7R -±15% --55to+125℃
-Y5V -±30,-80% --30to+85℃
-(d)额定电压 -(e)Capacitance range (f)电容公差:(10PF 最大)- (g) 包装
-OJ -6.3V - 0.5—100000Pf -C -±0.5PF T 盘装
-1A -10V - 0.5pF—1µF -D -±1PF B 塑料盒散包装
-1C -16V -11200pF—2.2µF -F -±5%
-1E -25V1 -13900pF—10µF -J -±10%
-1H -50V 1 -K -±20%
1 -M -+20,±10%
1 -V -+80,-20%
1 -Z -±0.5PF
5、 使用注意事项
A 安装
1.吸附喷嘴的下死点过低时,安装时对贴片的压力增加,会造成贴片破碎,
吸附喷嘴的下死点,通常在矫正了基板的弯度之后,在贴片上面进行调整,注意
不要使贴片部件上负荷过重.
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(1)为防止贴片破裂,安装时的负荷定为 100~300gf.
(2)定位钩摩损的话,定位时加到贴片上的力不平衡,会造成贴片破裂,因此要定期调
整定位钩的固定尺寸,并进行保养,检查及更换.
2.基板断裂
多电路基板在锡焊后,在单位基板上发生断裂,这时挠性张力增加,会造成龟裂、贴片
破碎。设计时请参考下图。
B 、焊接
1、基本设计
回流推荐底面尺寸。
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2、焊接方面一般注意事项
(1) 焊锡温度过高时间过长,端子电极发生损伤,造成粘着力降低或容量下降。
(2) 焊接建议参考下列温度形式
(3) 外部电极 Ag/Pd 产品,Ag 由于扩散到助溶锡焊中,容易发生焊锡损伤,
因此请使用 Sn:Pb=6:4,Ag2-5%的焊锡。
(4) 用烙铁修正时,注意要在贴片外部电极端面使烙铁尖与锡丝同时接触,不要
使烙铁尖直接碰到贴片上。
①射流式焊接(空气中预热)的推荐条件
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②射流式焊接(热板上预热)的推荐条件
③回流式焊接的推荐条件
注意:Ag/Pd 电极品的温度面建议在以下条件下使用
(1)高峰温度尺可能要低
(2)200℃以上的时间不超过 20 秒。
(3)焊剂要使用活性度低(CL 含量在 0.2wt%以下)的制品,另外,焊
剂为水溶性时,清洗不彻底会损坏部件下面的绝缘,要十分注意。
3.清洗
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用超声波清洗时,输出过大,基板发生共振,由于基板的振动会造成龟裂或端子电极
粘着力降低,所以建议清洗条件为。
频率:28KHZ
输出:20W/L
清洗时间:5 分以内
■储存、保管
(1)由于高温多湿,硫黄、氯气的酸化或硫化会使锡焊性能降低,所以要避开含有
硫黄和氯气有毒气体环境。
在周围温度 40 度以下,湿度 70%以下的环境下保管,尺可能 6 个月之内使用。
(2)电容器由陶磁制成,要注意落地以及其它机械性碰撞。
(3)关于长期保管品(超过渡时期个月的),要在确实识锡焊性能后使用。
三、 铝电解电容
1、样板
2、结构&尺寸
生 产
批号 静 电
容量
额定电压
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◆ Specifications
项目 Item 主要特性 Performance Characteristics
使用温度范围
Operating Temperature Range
-40 to +85℃ -25 to +85℃
使用温度范围
Rated voltage Range 6.3 to 100VDC 160 to 450VDC
标称静电容量范围
Capacitance Range 0.1 to 15000µF 0.47 to 470µF
静电容量允许偏差
Capacitance Tolerance ±20%(120Hz +20℃) ±20%(120Hz +20℃)
漏电流
Leakage Current (+20℃,max.)
I≤0.01CV or 3µA
After 1 minutes whichever is greater
measured with rated working
voltage applied.
I≤0.03CV(µA)
After 1 minutes with rated working
voltage applied.
损耗角正切值
Dissipation Factor (tan )
VDC 6.3 10 16 25 35 50 63 100 160 200 250 350 400 450
D.F.(%) 24 20 16 14 12 10 9 8 16 18 18 20 20 20
(+20℃ at 120Hz,)
Low Temperature
Characteristics(120Hz)
Impedance Ratio (max)
Rated Voltage 6.3 10 16 25 35 50 63 100 160 200 250 350 400 450
Z(-25℃)/Z(20℃) 4 3 2 2 2 2 2 2 2 2 3 5 15 15
Z(-40℃)/Z(20℃) 8 6 4 4 3 3 3 3
高温负荷特性
Load Life
Test conditions
Duration time 2000Hrs
Ambient temperature +85℃
Applied voltage Rated DC working voltage
After test requirements at +20℃
Capacitance change ≦±20% of the initial measured value
Dissipation factor ≦150% of the initial measured value
高温储存特性
Shelf Life
Test conditions
Duration time 500Hrs
Ambient temperature +105℃
Applied voltage None
After test requirements at
+20℃ Same limits as Load life
Per-treatment for measurements shall be conducted after application of DC
working voltage for 30 minutes
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◆ Multiplier for ripple errant VS. Frequency
CAP (µF)/Hz 50(60) 120 400 1K 10K 50K-100K
0.8 1 1.30 1.30 1.65 1.70
0.8 1 1.23 1.23 1.48 1.53
0.8 1 1.16 1.16 1.35 1.38 Multiplier
CAP≦10
10
+85℃:-55℃~+85℃
A 3.2±0.2 1.6±0.2 1.6±0.2 0.8 1.2 0.7 3216 2000 标准电容量 允许偏差 -±5% ±10% ±20%
B 3.5±0.2 2.8±0.2 1.9±0.2 0.8 2.2 0.7 3528 2000
C 6.0±0.2 3.2±0.3 2.5±0.3 1.3 2.2 1.0 6032 500 漏电流(LO) - 0.01CRVR 或 0.5(UA)
D 7.3±0.2 4.3±0.3 2.8±0.3 1.3 2.4 1.0 7242 500
E 5.8±0.2 4.5±0.2 3.1±0.2 1.3 3.1 1.0 5845 400 标称电容量
UF - 0.1-10. 1.5-6.8 10-68
- <4---<6---<8
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第二篇 电感器
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第四篇 晶体管(半导体分立器件)
半导体分立器件泛指半导体二极管, 三级管以及半导体特殊器件。
一、二极管特性参数:
If 正向直流电流:他定义为二极管低阻方向流过的电流,对整流管定义为,规定使用
条件下载阻性负载的正旋半波整流电路中允许连续通过的最大工
作电流平均值,对硅开关管,则规定为额定功率下允许通过二极管
的最大正向脉冲电流。
Ifm 正向峰值电流:定义为额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
Vf 正向电压降: 他定义为二极管通过额定电流时的电压降平均值。
最高反向工作电压:对硅整流管,为击穿电压的 2/3 ,对硅堆,规定为正旋半波阻性
负载电路中正常工作时所加的最大反向峰值电压值。对锗检波
管, 硅开关管规定为反向电流在极间产生的电压值。
击穿电压: 对于发生软击穿的如,锗检波,开关管,是指在给给定的反向电流
的极间电压值,对于硬击穿的整流开关管,则指反向特性曲线急
剧转弯电的电压峰值。
二、三极管特性参数
HFE 共发射极直流放大系数:当集电极电压与电流为规定值时,Ic 与 Ib 之比。
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Fhfe 共发射极截止频率:定义为当 hfe 下降至 1khz 时的 0.707(即 3db)的频率。
F0 特征频率: 当频率足够高时,hfe 将以每被频程下降 6db 的速度下降,
ft 定义为 hfe=1 的频率。
Icbo 发射极开路集电极与基极电压为规定值时的集电极电流。
Iceo 基极开路,集电极与发射极电压为规定值时的集电极电流。
ICM 集电极的最大允许电流。
PCM 集电极最大允许耗散功率。
VCBO 发射极开路, 集电极,基极的击穿电压。
VCEO 基极开路,集电极,发射极的击穿电压。
VEBO 集电极开路, 发射机,基极的击穿电压。
三、晶体管的温度特性
对二极管而言,正向电流一定时,正向压降随温度的升高而降低,室温时,温度升高
1C,正向压降降低 2-2.5mv 反向漏电流则随温度按指数规律变化,温度升高 1C,锗管
增加 10%,硅管增加为 7%。对三极管而言,受温度影响最大的参数包括:
VBE,ICBO,HFE.。其中,VBE 以-(2-2.5)mv/C 的速率线性变化,Iceo 在温度不很高时,
按指数规律变化,每升高 9-10C ,增加一倍。HEF 随温度增加 1C 增加 2%左右,总之,
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当温度升高时,都将使集电极电流增大。
四、半导体分立器件的型号命名方法
1、 国标命名方法(引自 GB249-74 ,1975)
半导体器件有 5 部分组成
第一部分:用数字表示器件的电极数目。2,二极管。3,三极管
第二部分:用汉语拼音表示器件的材料极性。
二极管:A,N 锗材料,B,P 锗材料,C,N 硅材料,D,P 硅材料;
三极管:A,PNP 锗材料,B,NPN 锗材料,C,PNP 硅材料,D,NPN 硅材料,E,化合物
材料。
第三部分:用汉语拼音表示器件的类型。
P 普通管,V 微波管,W 稳压管,C 参量管,Z 整流管,L 整流堆,S 隧道管,N 阻
尼管,U 光电管,X 低频小功率,G 高频小功率,D 低频大功率,A 高频大功率,T
体效应管,B 雪崩管,J 阶跃恢复管,CS 场效应管,BT 半导体特殊器件,FH 复合
管,PIN,PIN 管,JG 激光管。
第四部分:用数字表示器件的序号。
第五部分:用汉语拼音表示规格号。
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2、日本半导体器件的命名方法:
第一部分:用数字表示器件的电极数, 0,光电管,1 二极管,2 三极管
第二部分:S:已在日本电子工业协会(JEIA)注册的标志。
第三部分:用字母表示材料的类型:A,PNP 高频,B,PNP 低频,C,NPN 高频,D,NPN
低频,F, P 控制极可控硅,G, N 控制极可控硅,H, N 基极单结晶体
管,J, P 沟道场效应管,K, N 沟道场效应管,M,双向可控硅。
第四部分:器件在 JEIA 的登记号,性能相同,但不同厂家的产品可用同号。
第五部分:A,B,C,表示该型号是原型号的改进型号。除以上基本符号外,有时还附有
一些后缀,如:
M:表示器件符合日本海上自卫队参谋部有关标准;
N,(外加圈)符合日本广播协会标准;
H,(外加圈)日立通信用;
K,(外加圈)日立通信用;
Z,(外加圈)松下通信用;
G,(外加圈) 东芝通信用;
S,(外加圈)三洋通信用。后缀的第二个字母通常表示 HEF 分档标志。
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3、 美国半导体器件的命名方法
美国半导体器件的命名比较混乱,这里介绍的是美国电子工业协会(EIA)规定的晶
体管分立器件的命名法。
第一部分:用符号表示用途和类别,JAN,或 J 军用。无,民用。
第二部分:用数字表示 PN 结数,1,二极管,2 ,三极管。。。。
第三部分: 美国电子工业协会(EIA)注册标志,N
第四部分: 美国电子工业协会(EIA)登记序号。
第五部分: 同型号的不同档别,A,B,C…
美国半导体器件的命名特点:
1, 除前缀以外, 凡以 1N,2N,3N 开头的器件, 大多为美国制造,或美国专利。
2,第四部分只是登记序号,无其他意义,所以相邻号参数也许相差很大。
3,不同厂家生产性能一致的器件使用同一登记号,故可以通用。
4、欧洲半导体分立器件的型号命名方法
目前欧洲各国没有明确统一的型号命名方法,但大部分欧洲共同体的国家一般使用国
际电子联合会的标准版导体分立器件的型号命名方法。
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第一部分:用字母表示材料:A 锗材料,B 硅材料, C 砷化钾,D 锑化铟,R 复合
材料。
第二部分:用字母表示类型。
A 检波开关和混频二极管,B 变容二极管,C 低频小功率三极管,D 低频大功率三极管,
E 隧道二极管,F 高频小功率三极管,H 磁敏二极管,K 开放磁路霍尔器件,M 密封
磁路霍尔器件,P 光敏器件,Q 发光器件,R 小功率可控硅,T 大功率可控硅,U 大
功率开关管,X 倍增二极管, Y 整流二极管,Z 齐纳二极管,L 高频大功率管,S 小功
率开关管
第三部分:通用半导体器件的登记序号。
第四部分:同一型号器件的分档标志。
五、晶体管的代换基本原则
类型相同:包含以下三点。
1 材料相同,即硅管代换硅管,锗管代换锗管。
2 极性相同,即 NPN 代换 NPN 管。
3 种类相同,即一般三极管代换一般三极管。场效应管代换场效应管。
特性相近:代换管的主要参数与原管的参数相近,一般用途的三极管,只要以下
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主要参数相近即可代换,PCM,ICM,VCEO,F0.在以上参数中,均
要考虑代换管的参数大于或者等于原管的参数。对于特殊用途的三极管,还要考
虑相应的其他参数,如:低噪声三极管等。外形相似:小功率管外形均相似,只
要明确了各个电极的极性,即可代换,大功率管外形差异较大,最好选选择与原
封装相同的管子,以满足和接近原来的散热条件。
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第五篇 显示器件
显示器件目前主要包括以下几类:1,磷化稼,磷砷化镓发光二极管,字符管以及
数码管;2,液晶显示器件;3, 辉光显示器件
以及电致,场致显示器件。
一、发光二极管:
型号命名方法:(电子工业部标)
第一位:FG 型号。
第二位:材料,1GAASP 2 GAALAS 3GAP 4GAAS
第三位:颜色:0 红外 1 红 2 橙 3 黄 4 绿 5 蓝 6 复合 7 紫蓝 8 紫 9 紫外, 黑, 白。
第四位:封装:1 无色透明 2 无色散射 3 有色透明 4 有色散射
第五位:外形: 0 圆形 1 长方 2 符号 3 三角 4 方型 5 组合 6 特殊
第六位:序号(由电子工业部标准化所统一给出)
二、普通发光二极管电参数
型号:例如:BT101 外形尺寸:3*3mm 材料:GAASP 发光颜色: 红
极限功率:50mw 极限电流:20ma 反向耐压:5v
正向压降:10ma <2.0v 反向漏电流:电压 5v <50ua
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输出电容:1mhz<100pf 发光强度:10ma>0.5 豪坎(mcd)半强度角 180C
发光峰值波长:10ma 0.650um 半峰宽度:20ma 0.03um
例如:型号:BT201 外形尺寸:6*7mm 材料:GAP 发光颜色: 绿
极限功率:90mw 极限电流:40ma 反向耐压:5v
正向压降:10ma <2.0v 反向漏电流:电压 5v <50ua
输出电容:1mhz<100pf 发光强度:10ma>0.5 豪坎(mcd)半强度角 30C
发光峰值波长:10ma 0.585um 半峰宽度:20ma 0.03um
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第六篇 FUSE
一、保险丝
保险丝也被称为熔断器,IEC127 标准将它定义为"熔断体(fuse-link)"。它是一种
安装在电路中,保证电路安全运行的电器元件。保险丝的作用是:当电路发生故障或
异常时,伴随着电流不断升高,并且升高的电流有可能损坏电路中的某些重要器件或
贵重器件,也有可能烧毁电路甚至造成火灾。若电路中正确地安置了保险丝,那么,
保险丝就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候,自身熔断切断电流,从而起
到保护电路安全运行的作用。最早的保险丝于一百多年前由爱迪生发明,由于当时的
工业技术不发达白炽灯很贵重,所以,最初是将它用来保护价格昂贵的白炽灯的。
二、保险丝的工作原理
我们都知道,当电流流过导体时,因导体存在一定的电阻,所以导体将会发热。
且发热量遵循着这个
公式
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:Q=0.24I2RT;其中 Q 是发热量,0.24 是一个常数,I 是流
过导体的电流,R 是导体的电阻,T 是电流流过导体的时间;依此公式我们不难看出
保险丝的简单的工作原理了。
当制作保险丝的材料及其形状确定了,其电阻 R 就相对确定了(若不考虑它的电
阻温度系数)。当电流流过它时,它就会发热,随着时间的增加其发热量也在增加。
电流与电阻的大小确定了产生热量的速度,保险丝的构造与其安装的状况确定了热量
耗散的速度,若产生热量的速度小于热量耗散的速度时,保险丝是不会熔断的。若产
生热量的速度等于热量耗散的速度时,在相当长的时间内它也不会熔断。若产生热量
的速度大于热量耗散的速度时,那么产生的热量就会越来越多。又因为它有一定比热
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及质量,其热量的增加就表现在温度的升高上,当温度升高到保险丝的熔点以上时保
险丝就发生了熔断。这就是保险丝的工作原理。们从这个原理中应该知道,您在设计
制造保险丝时必须认真地研究您所选材料的物理特性,并确保它们有一致几何尺寸。
因为这些因素对保险丝能否正常工作起了致关重要的作用。同样,您在使用它的时候,
一定要正确地安装它。
三、保险丝的构造、功效、要求
一般保险丝由三个部分组成:一是熔体部分,它是保险丝的核心,熔断时起到
切断电流的作用,同一类、同一规格保险丝的熔体,材质要相同、几何尺寸要相同、
电阻值尽可能地小且要一致,最重要的是熔断特性要一致;二是电极部分,通常有两
个,它是熔体与电路联接的重要部件,它必须有良好的导电性,不应产生明显的安装
接触