微奈米机电工程

*第四章微奈米機電工程4.1前言4.2微機電系統4.3微機電元件之簡介4.4微機電系統的製造技術4.5微機電系統的應用4.6奈米機電系統的優點4.7奈米機電系統的製程4.8奈米機電系統的應用*4.1前言將各式機械元件和電子元件縮小至微奈米尺寸，是成為微奈米科技產品的必經之路，這種縮小技術稱之為微機電系統或微系統(Micro-Electro-MechanicalSystem,MEMS)。微機電系統（MEMS）技術是以TopDown方式來作奈/微米科技元件的關鍵技術。奈米機電系統（NEMS）與微機電系統（MEMS），都是處理微尺度的前瞻科技，常被等同處理。微機電是指在微米尺寸，也就是10尺度下之製程技術，所製造出的迷你機械元件。就電子零組件的觀點而言，SOC（systemonchip）就是一個明顯的例子，這就是把許多不同功能的積體電路（IC）整合在一顆積體電路上，不但可以大幅度縮小元件體積、並且提高系統性能，以求生產成本的降低。就產品的機構而言，以傳統的製造方式無法縮小體積，隨之是一種新的製造技術產生，達到元件的微小化目的，這就是微機電系統（MEMS），藉此微小化許許多多的關鍵組件，進而能製造出更智慧的，更可靠的產品與系統。*機電系統 最早有紀錄的機電系統儀器，是在1785年時由Charles-AugustinedeCoulomb建造用來量測電子電量。他的電扭矩平衡包含了兩個球型金屬球，一個是固定的，另一個則是沿著一根桿移動，這機構的運作有點類似電容板。此例子說明了，大多數機電系統裡兩個常見的基本原件：一個機械原件和一個感測器（transducer)。From”PRINCIPLESOFPHYSICS,SecondEdition”byRaymondSerwayCoulomb’sLaw*微機械電子系統(微機電)Micro-Electro-Mechanical-System(MEMS)在1950年代末期，RichardFeynman博士聲明說要發給第一個「小於1/64英吋」的電子馬達發明者$1000當作獎勵。一位叫做WilliamMcLellan的年輕人用顯微鏡及鉗子做出獲得了此殊榮。(a)RichardFeynman用顯微鏡觀察WilliamMcLellan(左)所做出來小於1/64英吋的馬達。(b)光學顯微鏡下的馬達(3.81mm)。旁邊的巨無霸是一支筆的筆尖。(Picturecredit:CaltechArchives)http://physicsweb.org/article/world/14/2/8*4.2微機電系統MEMS的發展由來，根源於1960年代中期利用半導體製程，製造機械結構於矽晶片上的概念後，吸引了許多人投入該技術的研究。到了1970年代中期，利用該製造技術，結合機械和電子元件的半導體感測器，成功地開發出來。1980年後，研究內容也不侷限於感測器，還包含一些複雜的機構與元件，如幫浦、閥門、齒輪、馬達、夾子等等。研究目標已訂在發展一個完整的微型系統，包含感測、致動、訊號處理、控制等多項功能的系統，例如微型機器人和微型硬碟機。一般而言，對於能夠把每個微結構元件或系統本身尺寸定義在微米範圍，或是微結構的機械運動範圍，能夠達到微米的精準度或位移量，在這樣的精度與尺寸範圍內的微元件，我們皆可以稱之為微機電元件，而把這些微機電元件與其他周邊IC組成的系統稱為微機電系統。*微機電系統的特性與優點微機電系統的特性與優點如下：當一個機械系統從傳統大小縮小至微機械系統時，因其組成元件尺寸的微小化，故系統的精度大為提高。因為尺寸的微小化，質量都很小，許多巨觀世界不需考慮的物理特性與環境因素，在此都無法省略。在生產上所消耗的產品原料少，且在製造與整合上，多利用現有的半導體製程技術或是其他的特殊技術，易於大量的批次生產，大幅降低生產的成本。方便於更多可攜式產品的衍生與複雜系統的簡單微小化。*微機電系統(MEMS)與奈米機電系統(NEMS)將各式機械元件和電子元件縮小至微奈米尺寸，是成為微奈米科技產品的必經之路，這種縮小技術稱之為微機電系統或微系統(Micro-Electro-MechanicalSystem,MEMS)。微機電系統（MEMS）技術是以TopDown方式來作奈/微米科技元件的關鍵技術。近年來矽微細加工（siliconmicromachining）技術發展迅速，已可在矽晶圓（siliconwafer）上製作出三次元的微結構，若將這些微結構及具有換能功能的材料與微電子放大電路整合在同一晶片上，即可製作成微型的感測器與致動器。微機電(MEMS)是指在微米尺寸，也就是10E-6尺度下之製程技術，所製造出的迷你機械元件。奈米機電(NEMS)則是處理更細微的10E-9尺度。微機電技術可說是跨入奈米機電的橋樑之一，如觀測奈米尺寸物質的AFM顯微鏡，其探針與懸臂樑就是微機電產品。*靜電共振器在微機電系統（MEMS）或奈米機電系統（NEMS）中，使用感測器來將機械能轉換成電子或光學訊號。通常來說，微機電系統元件的輸出，是機械元件的移動。 機械式的靜電共振器，由矽絕緣體所組成，此扭轉共振器的轉動，產生一電場，可經由電極量測得知，而當有電子在柵門電極時，電場會改變共振器轉動頻率。(b)第一和第二代的機械式靜電器，由加州理工學院所建造。*4.3微機電元件之簡介光纖耦合光學元件。微流量感測機電控制元件:微流量控制元件，包含微閥門和微幫浦，它們是微流量特性控制之成敗關鍵。非侵入式脈波感測器之研製:非侵入式脈波感測器，可在動脈處作中醫浮、中、沈切脈方式，量測穩定脈波訊號。化學晶片:化學晶片是實現晶片實驗室(Lab-on-a-chip，LOC)的機電元件，可以說是將一化學實驗室完整的濃縮在一晶片，它本身即具備有樣品前處理、分離、偵測等功能，可望成為未來生化與醫療科技的主流。生物晶片:生物晶片(Biochip)包括，去氧核糖核甘酸晶片(DNAchip)，蛋白晶片(Proteinchip)，以及基因晶片(Genechip)等。噴墨印 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 頭:噴墨印表頭噴嘴有微加熱電阻片，瞬間加熱墨水匣內的墨水至沸騰，利用膨脹氣泡的力量，將墨水由發射腔(firingchamber)噴出以進行列印。膠囊內視鏡:膠囊內視鏡只有1130mm大小，約等於一顆魚肝油丸的大小，前端有鏡頭及攝影機、內含影像感應傳送器和電池。*4.4微機電系統的製造技術半導體製程概分為三類：（1）薄膜成長，（2）微影罩幕，（3）蝕刻成型。而微機電元件的製造技術，則是利用半導體製造技術為基礎，再加以延伸應用，其製造技術的彈性與變化比一般的IC製造技術來的大，從薄膜成長，黃光微影罩幕，乾濕蝕刻成型等製程，都在微機電製程的應用範疇。同時配合其他新發展的精密加工與矽微加工技術，包括異方性蝕刻，電鑄，LIGA等技術，而呈現的微機電元件的新製造技術。整個微機電系統的完成，則是靠各個關鍵元件的整合，而最後系統的封裝測試，也是重要的步驟。以下，由製造技術做一簡單的介紹。* 薄膜成長它是在已清潔的矽晶圓上，成長半導體或介電(dielectric)薄膜，作為電性導通或隔絕的材料，通常為了品質的要求，製程溫度會控制在攝氏1000度左右，此型製程機器常被稱為高溫爐管(hightemperaturefurnace)。又按著不同的化學反應，爐管有氧化(oxidation)、低壓化學蒸氣沉積(lowpressurechemicalvapordeposition，LPCVD)、常壓化學蒸氣沉積(atmosphericpressureCVD，APCVD)、磊晶(epitaxy)等之分。高溫爐管通常允許50片或更多的矽晶片，進行批次性的加工，成本極為經濟。另外常用來沈積金屬薄膜的是蒸鍍(Evaporation)，與濺鍍(Sputter)。*(2)微影罩幕以薄膜成長法之薄膜係均勻地成長在矽晶片上，另外必須以光蝕微影法(photo-lithography)，來進行平面圖形化(patterning)。其程序是先塗敷一層感光性極強的光阻(photo-resist)，輔以光罩(photo-mask)進行對準(alignment)、曝光(exposure)，最後顯影(development)、烤乾(hardbaking)。對準曝光可在曝光機(maskaligner)或步進機(stepper)上，以紫外光(UVlight)進行之；也有直接以電子束書寫機(E-beamwriter)，一點一點進行曝照。顯影，係將曝光區域之光阻洗去或留存，剩下之光阻圖形在烤乾後，即可作為下一道蝕刻之遮幕或掩膜(etchingmask)使用。基本上，微影是半導體製程中常用的昂貴步驟，因為必須一片一片進行，無法批次製作。*(3)蝕刻成型在所需要圖形之光阻保護遮掩下，矽晶片可浸入腐蝕酸液中，進行薄膜之濕蝕刻(wetetching)。傳統之化學蝕刻，通常在清洗槽中操作，機具成本低廉，但加工側向誤差大。較先進之腐蝕，是利用電漿(plasma)之乾蝕刻法(dryetching)，優缺點恰與濕蝕刻法互補之。以上三個步驟，算是完成了半導體元件一層結構之製作，其他數層或數十層之半導體或金屬結構，也將如法泡製。若每一層結構，都盡如設計般連接，該晶片製作可算初步成功。*矽微加工技術接下來的矽半導體之矽微加工技術，也是基於半導體製程技術，但把矽半導體視為一機械性材料，進行切削或堆疊，又可分為下列三種技術： 塊材微加工技術 面型微加工技術 LIGA技術*（1）塊材矽微加工技術（Bulksiliconmicromachining）塊材矽微加工技術，就是把矽晶片等材料當成一塊加工母材，來作蝕刻切削的加工技術。常用的材料為矽晶片及玻璃，利用這些材料製成零件後，可因零件之加工處理，如摻雜，而有接合溫度限制；或因含有電子電路，而有接合溫度及電場限制。若利用高溫來增強接合強度，在降回室溫時，不同材料會有熱應力產生，因而導致元件破裂及良率降低。在特殊用途的元件，常有材料上的限制，例如電泳分離晶片，使用高電壓，必須採用絕緣材料如玻璃，因而在接合方式不同。在蝕刻方面，主要還是以濕蝕刻為主，而加工之尺寸，約在mm至數十微米的範圍。深度由數十微米至晶片厚度（蝕穿晶片400~700微米）不等。*IsotropicWetEtching等方向性濕蝕刻AnisotropicWetEtching非等方向性濕蝕刻(100surfaceorientation)*（2）面型矽微加工技術（Surfacesiliconicromachining）面型矽微加工，是比較靠近積體電路半導體製程的作法，主要是利用蒸鍍、濺鍍或化學沈積方法，將多層薄膜疊合而成，此種方法較不傷及矽晶片。因為任何微機械結構，都是以薄膜沉積製作，所以不管是加工的精確度或者是解析度，面型微細加工技術都遠勝於塊材微加工技術。因此在整合晶片電路（on-chipcircuitry）與微結構（micro-structure）或微感測器（micro-sensor）方面，面型微加工都比塊材微加工法佔有優勢。但是此兩種方式，在微機電製程技術中的優劣，要看所要製作元件的特性與方式，有時甚至可將此兩種方式結合為一。* MCNC,USA 3Poly0-1-2 1metal 2oxidesHFetching(MCNC-MUMPS-http://mems.mcnc.org)*(3)LIGA技術 微光刻電鑄造模（LIGAprocess）是另外一種加工技術，其中LIGA是德文字LithographieGalvanoformungAbformung的縮寫，主要是綜合光學、電鍍、模造等三項技術來製作微機械元件，可知LIGA技術是由德國所發展出來的。 LIGA技術是以X-ray為主的光蝕刻技術，利用製程圖型的光罩或光阻，選擇性地保護工件表面後，以各種不同光源蝕刻未被光罩或光阻覆蓋的部分，再結合電鑄翻模與射出成型技術，而得到欲加工的幾何形狀。 LIGA技術可以得到高深寬比的微結構，所應用的材料種類也較廣泛。 LIGA-LithographyGalvanoformung[Electroplating]Abformung[InjectionMolding];Usedtomakeveryhighaspectratiomicromouldsthatcanbeusedforhighvolumemanufacture LIGA,aGermanacronymforlithography,electroplating,andmolding,hasbecomethedominantmethodologyforHighAspectRatioMicromachining(HARM),whichcanbestbedescribedasmicro-fabricationprocesseswhichproducetallmicrostructureswithverticalsidewalls.HARMdeviceshavethebenefitofstifferstructures,increasedmass,largeractuationforces,andaneasier"fit"withthemacro-world.*4.5微機電系統的應用微機電系統（MEMS）的應用有：壓力、溫度、化學和磁場感測器；加速度計、迴轉儀元件；航太產業、醫學用品；感測器、致動器(actuators)和控制流體的微閥；可變式電容器、可變式誘導器、微射頻開關；化學與生物 分析 定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析 微系統；流體混合與傳輸系統；生物/化學反應器；微機電系統為主的顯示器系統；光纖零件與開關；光學應用的致動器；和微機械光學平台晶片。接下來，只簡單說明兩種應用。(1)微機電系統於人工義肢的應用(2)微機電系統於航太產業的應用*(1)微機電系統於人工義肢的應用長期以來人工義肢，由於工程技術與相關輔助系統的無法提昇，使得各項復健研究受到阻礙，例如量測截肢者殘肢與義肢承套界面間之應力感測器體積過大、個數太少，導致無法精確得知應力分布情形，進而難以了解義肢穿戴者不適的來源，更無法提供義肢製造師修補承套形狀的依據。承套／殘肢界面是影響病人能否接受一個義肢的一個重要因素，承套的設計，必須考慮截肢的部份以及縫合的狀況。然而臨床上，多半藉助義肢師的經驗來製作承套，若想大幅改善義肢穿戴者的舒適度，則有必要量取承套殘肢界面上的應力分佈，以便大幅提高承套設計的水準。*一般利用傳統的壓力感測器或應變規，量測承套殘肢界面上的應力分佈，但是由於傳統的感測器體積大，無法安裝足夠數目於承套上，因而只能量測到概略的應力分佈。因此，極需發展微小、成本低、適合與軟組織接觸的感測器，而其中的微壓力感測器便是MEMS的產品，如此體積微小的微壓力感測器，便可以陣列式排列環繞在承套殘肢界面上，精確量測出整體的應力分佈。近幾年來，隨著MEMS發展之成熟，使得復健工程能更進一步的發展，主要是由於MEMS具有體積小、質量輕、大量製造成本低、性能佳等優點，例如視覺義肢：利用類似上述陣列觀念的微電極陣列，就是以MEMS的微加工製程技術製造出，可供視網膜電刺激的一種復健裝置。*(2)微機電系統於航太產業的應用MEMS就是微米級裝置，它將新奇的感測與致動功能，與傳統的資料處理及控制系統相結合。大體上它都是利用半導體產業所發展的相同製造與封裝技術，並以矽化合物或金屬基材質製成。比較獨特的是，它們也整合機械或結構元件，諸如加速計、微鏡片或電子裝置如微處理器和射頻(RF)發射器。它們也可以包含流體、光學、電磁和電偶極等系統。MEMS的各種特性可以具有不同的優點，對於應用在太空衛星、微飛機、或在戰場上，可由單兵所攜帶的裝備來操作。MEMS的輕重量和低能源消耗，有著獨特的吸引力。矽晶是非常強壯堅固的材料，其破裂極限甚至高於大多數的鋼，但是其密度卻非常低，亦即重量可以很輕。未來可以發展的產品包括微加速計、慣性量測組、整合式導引與導航電子組、微陣列雷達組件、監視用微感測器、微機械感測器和制動器，以及應用在發動機的壓力感測器、溫度感測器、應變感測器、紊流和化學感測器等。*而且即使大型的結構體，諸如飛機都可因MEMS而受惠，例如微機械感測器和致動器，可以在後掠角度大的三角翼前緣，修正其所產生的渦流，從而產生足夠飛行控制所需的動量。在高攻角時，渦流貢獻升力至少達40%，而彈性表層所含有的剪應力感測器可以偵測到瞬間流體剝離線，微致動器即可運作控制氣流在邊界層內的剝離區域，從而改變漩渦結構，使其產生飛機操控所需的俯仰/滾動/橫搖力矩。若由傳統的控制翼面達成，則需液壓或電控系統，而微致動器僅需折動1至2公釐，就可達到所需的結果*4.6奈米機電系統的優點(1/3)奈米機電元件，對於極小的位移和極小的力，特別是針對分子等級的量測，有著革命性的改革。奈米技術已經可以製作出百億分之一克（10g）的質量及截面積10nm的奈米元件，如下圖所示。有效質量正比於L，而有效彈簧係數正比於L3。當等比例地縮減儀器的尺寸，自然角頻率則線性地增加。此說明了欲達成快速響應，不需要增強結構的剛性，縮小其尺寸即可。機械系統的自然角頻率（naturalangularfrequency）的計算公式為；有效彈簧係數；有效質量*奈米機電系統的優點(2/3)奈米機電元件的優點分述如下： 以最進步的10nm級的奈米蝕刻技術（nano-lithography），可製造出基礎頻率高於10GHz的共振器，這樣高頻的元件是空前的，它包括了微波頻率的低耗能機械式訊號及新型式的快速掃瞄探針技術，除可應用於基礎研究，甚至可做為機械式電腦研發的基石。 系統的能量逸散非常低，而這特徵與系統的Q品質共振因子（Qfactorofresonance）有關。因此，NEMS對於外部阻尼機制非常敏感，於感測器的製作非常重要。除此之外，強生雜訊（Johnsonnoise）的熱機雜訊（thermo-mechanicalnoise）反比於Q值，因此，高Q值對於共振性的和偏移性的感測器，以及抑制隨機機構上的振動有極高的貢獻，因此會使得這些NEMS元件對外力的敏感度提高。NEMS元件本質上是低耗能的元件，這項量度可由熱量除以共振時間來決定。舉例來說，當溫度在300K時，在10W等級的NEMS只會被溫度擾動所影響。因此在10W級下驅動的NEMS，其訊號對雜訊比（signal-to-noiseratio）會達到10。即有一百萬個這類型的儀器，同時在NEMS訊號產生器上操作時，整個系統的總能量散失不過是百萬之一瓦。NEMS在能量上低耗損的特性，與傳統上藉由電子來回穿梭的電子微處理器的不同，基本上來說，NEMS的能量耗損是遠低於後者的。*奈米機電系統的優點(3/3)3.超小的有效質量及轉動慣量，這使NEMS對於外加的質量，有著驚人敏感度。世人所可以做的最敏感的儀器，可由被附著在儀器表面上的數個原子質量所影響。4.NEMS的小體積對於空間上的要求相當嚴格，並且，NEMS的幾何外型可被修飾得，只對某一個特定方向上的外力有反應，這項特點非常適合新的掃瞄式顯微鏡探針的設計。5.NEMS或MEMS的另一項優點是，它可以從矽鎵砷化物或銦砷化物中製造，而這些與其他物質的相容性，正是電子工業的基礎。一些輔助性的NEMS感測器元件等，均可與電子元件製作於同一個晶片上。因此，晶片將更趨複雜化，並具有更多的功能。*4.7奈米機電系統的製程MEMS或NEMS製程與半導體製程，具許多相似性及相容性。製程可以右圖之a、b、c、d四個步驟表示：（a）為一個異質結構（heterostructure）包含三個部分，由上而下分別為結構層（structural）、犧牲層（sacrificial）和一個基材層（substrate）。（b）光罩(mask)部分，是由光學和電子束蝕刻技術做成的記號，並覆蓋一層薄片沈積物保護。（c）未受保護的部分經由電漿技術蝕刻之。（d）最後，利用選擇性的定點蝕刻步驟，將犧牲層中特定地區的物質蝕刻，創造一個懸浮的奈米結構。*整個步驟會被重複好幾次，並結合不同的沈積步驟，以製造出更複雜的奈米結構。這樣彈性的製程，可使異質結構的層數達到幾十層，因此，懸浮結構就可更趨複雜化。下圖是碳化矽(SiC)雙邊固定的樑。碳化矽(SiC)雙邊固定的樑，寬150nm，長2～8μm不等(左圖)，厚600nm，長8～17μm不等(右圖)*…betterthandefinitions©WEBsources*台大微機電中心的成果SamplesofNTUMEMSCapabilities*4.8奈米機電系統的應用(1/2)磁共振力顯微鏡學西雅圖華盛頓大學的JohnSidles在1991年發表：核磁共振儀可偵測到單一光子的自旋。傳統的方式：磁共振造影(magneticresonanceimaging,MRI)需偵測到1014~1016個核子才能產生訊號。M.L.Roukes,TechnicalDigestofthe2000Solid-StateSensorandActuatorWorkshop,HiltonHeadIsl.,SC,6/4-8/2000一個奈米磁鐵提供電場讓核子共振，在一個原子的大小範圍內，這磁場與自旋的核子作用後會產生”反饋力”。在與單一原子核作用下最多產生10E-18牛頓，足以使懸樑臂震動。MRI的解析度為1mm。MRFM的解析度可以達到1um。MRFM*(a)此為一列平行的矽樑，長度為1至8um、寬100nm、厚度200nm。每支的共振頻率都有些許的不同，其中最大為380MHz。以靜電方式驅動。(b)極細小的懸臂樑寬5um，高260um，以用來量測微小至10-18牛頓範圍的力。(c)由Ludwings-Maximilian大學所製造。用來搬運電極間穿梭的單一電子。(Picturecredit:HCraighead/CornellUniversity,RBlick/LMU,TKenny/StanfordUniversityandDRugar/IBM260)UHF響應、UL的質量及力量測奈米機電系統的應用(2/2)奈米級電量偵測器*奈米機電的挑戰(ChallengesforNEMS)RichardFeynman於1959年12月發表:『在原子級的世界中，我們將發現全新的力、全新的可能性、以及全新的效應。物質在加工與製造上所遇到的問題將與之前大相逕庭。』奈米機電為未來奈米科技在科學及工程上一重要的基石。我們面臨的挑戰： 將奈米級的訊號在我們的大世界反映出來。 瞭解及控制介觀的機構。 使奈米製造成為量產的技術。註：理想的奈米機電換能器，必須有長度範圍在10E-12～10E-15m的解析度，同時頻率在Giga-Hertz以上。