电化学实验报告

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院系：化学化工学院专业班级：学号：姓名：同组者：实验日期：指导老师：实验一：铁氰化钾在玻碳电极上的氧化还原一、实验目的掌握循环伏安扫描法。学习测量峰电流和峰电位的方法。二、实验原理循环伏安法也是在电极上快速施加线性扫描电压，起始电压从ei开始，沿某一方向变化，当达到某设定的终止电压em后，再反向回扫至某设定的起始电压，形成一个三角波，电压扫描速率可以从每秒数毫伏到lv。当溶液中存在氧化态物质ox时，它在电极上可逆地还原生成还原态物质，即ox+ne—red;反向回扫时，在电极表面生成的还原态red则可逆地氧化成ox,即red—ox+ne.由此可得循环伏安法极化曲线。在一定的溶液组成和实验条件下，峰电流与被测物质的浓度成正比。从循环伏安法图中可以确定氧化峰峰电流ipa、还原峰峰电流ipc、氧化峰峰电位©pa和还原峰峰电位©pc。对于可逆体系，氧化峰峰电流与还原峰峰电流比为:ipa/ipc=125°C时，氧化峰峰电位与还原峰峰电位差为:△©条件电位为：©二(©pa+©pc)/2由这些数值可判断一个电极过程的可逆性。=©pa-©pc~56/z(mv)三、仪器与试剂仪器:：电化学分析仪va2020,玻碳电极、甘汞电极、铂电极。试剂：铁氰化钾标准溶液，0.5mol/l氯化钾溶液，蒸馏水。四、实验步骤1、溶液的配制移取铁氰化钾标准溶液(10mol/l)5ml于50ml的塑料杯中，加入0.5mol/l氯化钾溶液，使溶液达到30ml。2、调试(1)打开仪器、电脑，准备好玻璃电极、甘汞电极和铂电极并清洗干净。(2)双击桌面上的valab图标。3、选择实验方法：循环伏安法设置参数：低电位：-100mv；高电位600mv；初始电位-100mv；扫描速度：50mv/s；取样间隔：2mv；静止时间：ls；扫描次数：1；量程：200ua。开始扫描：点击绿色的“三角形”。将上述体系改变扫描速度分别为10mv/s、50mv/s、100mv/s、160mv/s、200mv/s，其他条件不变，作不同速度下的铁氰化钾溶液的循环伏安曲线，其峰值电流与扫描速度的平方根成正比关系。-3五、实验数据及处理找到循环伏安曲线上对应的氧化与还原峰，然后手动做切线。200mv/s100mv/s50mv/s记录对应不同扫描速度下峰电流与峰电位。根据以上数据绘制峰电流和扫描速度曲线，找出他们之间的对应关系。篇二：电化学测量技术实验报告实验报告课程名称:实验地点:同实验者:电化学测试技术 材料 关于××同志的政审材料调查表环保先进个人材料国家普通话测试材料农民专业合作社注销四查四问剖析材料 楼417管先统sq10067034010朱佳佳sql0067034007吴佳迪sql0068052038杨小艳sql0068052028实验一铁氰化钾的循环伏安测试一、实验目的1.学习固体电极表面的处理方法；2.掌握循环伏安仪的使用技术；了解扫描速率和浓度对循环伏安图的影响。二、实验原理铁氰化钾离子[fe(cn)6]3-亚铁氰化钾离子[fe(cn)6]4-氧化还原电对的标准电极电位为[fe(cn)6]3-+e-=[fe(cn)6]4-©e=0.36v电极电位与电极表面活度的nernst方程式为©=©0'+rt/fln(cox/cred)在一定扫描速率下，从起始电位(-0.2v)正向扫描到转折电位(+0.8v)期间，溶液中[fe(cn)6]4-被氧化生成[fe(cn)6]3-产生氧化电流；当负向扫描从转折电位(+0.6v)变到原起始电位(-0.2v)期间，在指示电极表面生成的[fe(cn)64-]3-被还原生成[fe(cn)产生还原电流。为了使液相传质过程只受扩散控制，6],应在加入电解质和溶液处于静止下进行电解。在O.lmnacl溶液中[fe(cn)6]4-的电子转移速率大，为可逆体系(lmnacl溶液中,25°C时,标准反应速率常数为5.2X10-2cm2s-l；)三、仪器和试剂电化学分析系统；铂盘电极；铂柱电极，饱和甘汞电极；电解池；容量瓶。0.50mol•l-1k3[fe(cn)6]；0.50mol•ITk4[fe(cn)6]；1mol•ITnacl四、实验步骤1.指示电极的预处理铂电极用al2o3粉末(粒径0.05um)将电极表面抛光，然后用蒸馏水清洗。2.支持电解质的循环伏安图在电解池中放入0.1mol•l-1nacl溶液，插入电极，以新处理的铂电极为指示电极，铂丝电极为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极，进行循环伏安仪设定;起始电位为-0.2v；终止电位为+0.6v。开始循环伏安扫描，记录循环伏安图。3.不同扫描速率k3[fe(cn)6]溶液的循环伏安图在0.50mol•l-1k4[fe(cn)6]溶液中，以10mv/s、25mv/s、50mv/s、100mv/s、200mv/s、500mv/s，在-0.15至+0.7v电位范围内扫描，分别记录循环伏安图。五、注意事项1.实验前电极表面要处理干净。2.扫描过程保持溶液静止。六、数据处理分别以ipa、ipc对v作图，说明峰电流与扫描速率间的关系。图1玻碳电极在0.50mol•l-1k4[fe(cn)6]溶液中在10mvs-1下的循环伏安曲线由图1可知，k4[fe(cn)6]在玻碳电极上发生氧化还原反应,氧化峰电位是epa=295mv.峰电流是ipa=58.8ma。还原峰电位为166mv,还原峰峰电流为54.6ma。峰电流的比值为：ipa/ipc=1.07~l,峰电位差为129mv。由此可知，铁氰化钾体系［fe(cn)63-/4-］在中性水溶液中的电化学反应是一个较可逆过程current/mapotential/v(vs.sce)图2玻碳电极在0.50mol・l-1k4［fe(cn)6］溶液中不同扫速下的循环伏安曲线七实验图3玻碳电极在0.50mol・l-1k4［fe(cn)6］溶液中峰电流与扫速根方的线性拟合结论对于表面吸附控制的电极反应过程，峰电流ip与扫描速度呈正比关系，即ip〜v为一直线。(此关系也可利用标准曲线法的线性拟合功能,以峰电流为横坐标,扫描速度的二分之一次方或扫描速度为纵坐标，考察线性关系)?将不同扫描速率的循环伏安曲线进行叠加。随着扫描速度的增加，峰电流也增加。且分别测量他们的峰数据可以得到峰电流与扫描速度的关系。根据电化学理论，对于扩散控制的电极过程，峰电流ip与扫描速度的二分之一次方呈正比关系。用标准曲线法中的线性拟合处理，得出峰电流ip呈线性关系，r为扫描速度。在误差的范围内k3［fe(cn)6］在kcl溶液中电极过程的具有可逆性。对于可逆体系，氧化峰电流ipa与还原峰电流ipc绝对值的比值:ipa/ipc=1。从图中可以看出来随着扫描速率的增大氧化还原峰的距离越来越大，即是可逆性降低。篇三：电化学实验见习报告XXXX大学课程见习报告电化学实验见习报告--XXXXX公司实习目的与意义：走进公司，了解公司的基本概况，熟悉公司运营、工厂生产基本流程。积累社会经验，为以后找工作打下思想基础和实践基础。参观电化学产品的生产过程与生产 工艺 钢结构制作工艺流程车尿素生产工艺流程自动玻璃钢生产工艺2工艺纪律检查制度q345焊接工艺规程 ，我们所学的知识结合，贯彻理论联系实际的原则，使我们通过实习，巩固拓宽所学的理论知识，培养分析问题和解决问题的能力，为大四的实习及以后的工作打下坚实的基础。进一步巩固所学到的有关电化学方面的知识，以便能更好地将所学到的专业技能应用到实际生产中，为毕业 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 和今后工作打下良好的基础。了解电化学产品各过程的生产车间概况及生产操作方式。实习时间及地点：我们于2013年5月21日到XXXXX公司学习工厂的生产产品的加工方法与企业的管理方法。实习内容：实习单位介绍：公司简介XXXXX公司是XXXX在XX投资的一家电子部品生产企业，隶属于世界500强企业的lg集团。XXXXX公司位于福建省XX市经济技术开发区江滨大道40号，占地约89,065平方米(合120.9亩)。员工600多人，注册资本5800万美元，总投资1亿7千多万美元。2002年正式投产，目前拥有从国外引进的先进生产线，利用先进的技术及成熟的生产工艺，生产高质量、高技术的半导体集成电路用引线框架(leadframe)、半导体磁带基摆(tapesubstrate)、led(lf)等电子部件。公司高度重视人才的持续增值，内部拥有完善的培训体系，对于不同阶段、不同岗位的员工设计和规划了不同的职业培训。在这里你可以接触到e-learning、语言、六西格玛、lg商学院等教育课程，也为员工提供社外及海外专业技能培训与学习机会，将让您有机会接受各类职业及管理培训，同时lg完善的晋升体系也为优秀员工提供广阔的晋升空间和职业发展。在薪资方面，公司提供同行业中极具竞争力的薪酬及福利待遇，通过内部评价及调薪机制确保优秀员工获得更多的认可与激励。?工厂的工艺流程：当天工作人员向我们讲解了半导体集成电路用引线框架(leadframe)的生产流程，随后带我们进入车间参观了半导体集成电路用引线框架(leadframe)的实际生产流程、生产设备及生产工艺。引线框架(leadframe)作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。产品类型有to、dip、zip、sip、sop、ssop、tssop、qfp(qfj)、sod、sot等。主要用模具冲压法和化学刻蚀法进行生产。引线框架使用的原材料有：kfc、cl94、c7025、feni42、tamacT5、pmc-90等。材料的选择主要根据产品需要的性能：(强度、导电性能以及导热性能)来选择。半导体集成电路用引线框架(leadframe)的生产流程如下：生产的过程中有剧毒性物质，所以在生产和参观的过程中须做好防护措施。工作人员让我们佩戴好口罩、鞋套后方可进入生产车间，一方面防止污染车间生产过程，另一方面以免发生中毒事故。参观过程中，不宜穿衣带、裙摆过长的衣服，也不宜披头散发，一面沾到毒性药品。食物和水也不允许带入生产车间，走出生产车间须清洗双手。公司福利：—公司为转正后的员工办理养老、医疗、失业、工伤、生育等社会保险；—公司免费提供三餐—上下班有厂车接送—每个法定节日都有过节费—年末享有年终奖—优秀员工享有海外旅游和进修的机会—公司内部设有医务室、此外每年还会进行一次年度健康体检—公司每年还有年度旅游活动、带薪假期等福利项目，最大限度的保障员工的生活和工作。此外，在公司内部有登山、篮球、足球、游泳、羽毛球、瑜伽等多种兴趣协会，定期会组织相关活动和交流，每年的运动会及中秋晚会也能大大丰富员工工作之余的生活。遵守基本充满热情的lg人会在革新意识的引导下，向世界第一电子部品生产企业大步迈进。存在的问题及改进的措施：对公司的建议：虽然公司的产品中有很多国际知名品牌，但是还该公司可以加大宣传力度，该公司的产品品牌比起同行中的品牌推广宣传力度不够。加强对公司员工的生产安全教育，由于生产过程中有有毒物质，如生产过程中安全意识不够容易出现安全事故，所以公司要高度重视员工的日常安全教育。要提高在各大高校中的知名度，有利于吸引广大高素质应届毕业生，为公司增添年轻有为的知识技术型人才。对见习安排的建议：a.见习时间安排过于紧凑，每组安排的时间不合理，使每组参观不同的设备时的讲解有些详细有些省略。建议见习可安排期末考试结束之后的一两天，给学生时间进行见习前的预习和问题准备。b见习内容丰富，但是内容有点空泛，不能真正的融入其中，最多属于旁观者(虽然确实是。)，记忆不犹新。C.见习次数少，时间过于紧凑。？见习收获与感想：这次能再有机会去工厂见习，我感到十分荣幸。这一次来到的工厂，与我想象的嘈杂不同，是一个严谨的的地方。工作室非常安静，而我们进入时需要穿鞋套和佩戴口罩。细节见真知，一个工厂就是要在这样的一个又一个细节的堆积下才能慢慢的成长。经常一个上午的学习，我们拓展了我们的理论知识，理论知识的实践让我们对我们专业以及我们自己所要前进的方向变得更加明确。在这次见习中我们还锻炼了我们思考问题的能力，培养了我们解决问题的能力。希望下一次见习或下一次踏入社会，会变得更加全面，更加有能力。总之，在今后的学习中，自己要更加脚踏实地的学习，学习好基础理论知识，多深度多层次学习，把自己的专业知识学好，打下一个坚实的基础，才能使自己将来更好的参加工作。在将来的工作中也要不耻下问，专心学习，积累工作经验。不断的学习来丰富和提高自己的能力，把理论和实践相结合，自我提高，丰富自己的羽翼。篇四：电化学原理与方法实验报告实验一铁的极化和钝化曲线的测定1.极化曲线图图1-1ph=1.0的1.0m硫酸溶液中的极化曲线由图1T得：&co=-0.943v,lgicor=-2.303,icor二e-2.303=0.100a，铁电极的表面直径为d=0.6cm,其表面积s=0.2827cm2,jcor=i/s=0.100a/0.2827cm2=0.354a•cm-2m?456?32u?j?3.73?10??0.354?3.697?10(g/m?h)cornf2将两条切线拟合后可得斜率bh=0.195,bfe=-0.359。钝化曲线图1-2ph=4.0的0.25m硫酸钠溶液中的钝化曲线由图1-2得：钝化电势&p=0.576v，钝化电流ip=e-2.785=0.0617a，钝化电流密度：jp=ip/s=0.0617a/0.2827cm2=0.2183a•cm-2实验二弱酸性kcl溶液中zn离子在铜电极上沉积机理的探究图2-1zn在cu电极上沉积的循环伏安图从图2-1可以看出，在阴极有一个峰从电位来看,-0.77v处的峰可能是氢在铜电极上析出的还原峰,-0.99v处的峰则为zn2+的还原峰。在T.20v回扫，阳极方向在-0.78v和T.10v处各出现一个峰，根据电位分折，-0.78v处的峰可能是h2在铜电极上的脱附峰，-1.10v的峰是zn在铜电极上的氧化峰。图2-2-1.15v下zn2+电沉积的阻抗图图2-1和2-2是在不同电位下阴极过程的阻抗图，由图可以看出，阴极过程在T.15v和-0.97v的电化学行为不太一致。在-1.15v时，高频区是电化学反应控制的，低频区是扩散控制的；而在-0.97v时，整个频区基本上都显示扩散控制的特征。实验三电化学循环伏安技术和电位阶跃技术研究金属电结晶(1)利用pt电极在硫酸中的cv实验所得的电量估算pt电极的真实面积。图3-10.5mol/lh2so4溶液循环伏安图。通过求积分面积可以得出qh-脱附=9.94503x10-5c=99.4503uc,由于铂表面只能吸附一层氢，且其吸附电量为铂片面积为210uc/cm2o求得铂电极的表面积为s=qh-脱附/210卩c/cm2=0.4736cm21/2图3-2电流i对v1/2关系曲线图从图中可以看出脱附峰电流与vl/2基本成线性关系，该反应为可逆反应。(3)利用实验(2)01结果估算ag的沉积层数。图3-3ag在pt电极上电结晶过程cv图计算：在图上读取开路电位为：0.4197v,然后再截取ag沉淀峰部分的数据作图，求该图的积分，得到qag=3.20X10-2c,ag晶格参数：4个ag原子组成立方格子，每个ag原子由4个晶体所有，所以每个晶格表面有1个ag原子，晶格参数a=b=c=408.53pm,a=90°,B=90°,Y=90°，，铂电极表面积a=0.4736x10-4m2,电子电荷e=1.6X10T9。由qag(ab)2=ane可知：n=qag(ab)2/ae=3.20X10-2X(408.53X10-12)2/0.4736X10-4X1.6X10-19解得：n=1129,故沉积的ag的层数大概为1130层。