2011年清华大学研究生入学考试半导体物理、器件及集成电路试题150分，180分钟（请将答案写在答题纸上）图示比较BJT和MOSFET饱和区，解释其产生物理机制（15分）列举MOSFET由于尺寸缩小引起的四种非理想效应，简要说明其产生的物理机制及对晶体管电学特性的影响（10分）考虑一个npn硅双极性晶体管，T=300K，参数如下：，，，，，,。已知复合系数为1，求共基极电流增益、共发射极电流增益。（15分）n+多晶硅P型MOSFET，空穴浓度，氧化层电荷，氧化层厚度为，相对介电常数为，，室温下，。求以下三种情况的阈值电压：（a）；（b）；（c）五、（15分）均匀的n型Si样品，在左半部用稳定的光照均匀产生电子空穴对，产生率为g0，若样品足够长，求稳态时样品两边的空穴浓度分布。(已知p0、、Lp)六、（15分）n+多晶硅P型mos系统，空穴浓度，氧化层电荷，相对介电常数为，，室温下，。若测得阈值电压为，求氧化层厚度七、有一种硅材料形成的n+n结，n+区掺杂浓度为5*1018cm-3，n区掺杂浓度为5*1014cm-3。1、定性画出能带图；2、定性画出载流子分布；3、求接触电势差。八、下图为理想MIS结构的在不同栅电压下的电荷分布，由图判断：（1）半导体类型（2）两图中的MIS结构分别处于什么状态？九、在图3中，假设所有NMOS器件的衬底均接地，电源电压为2.5V。设输入IN的摆幅为0V至2.5V，NMOS管的VT0=0.54V，|ΦF|＝0.32V。考虑静态情形，并忽略寄生电容。（1）设衬偏系数γ=0，晶体管M2工作在什么模式（线性？饱和？截止？）（2）设衬偏系数γ=0，当IN=0V时，OUT=?（3）设衬偏系数γ=0.5，求节点X处的电压。十、电路如图所示，，Mr有W/L=0.375/0.375，Mn有W/Leff=0.375/0.25。并假设输出反相器在输入没有达到VDD/2之前不会翻转如果In的电压0V，B点电压2.5V，Mn把X点电压从2.5V拉到1.25V需要多少时间？如果In的电压2.5V，B点电压2.5V，Mn把X点电压从0V拉到1.25V需要多少时间？In的电压是0V时，如果要把Vx从2.5V拉到1.25V，VB的电压最小是多少？十一、如下图，所有的门均为CMOS静态对称逻辑门，kn’=2kp’。门A每个输入端的电容为8，门X每个输入端的电容为X，门Y每个输入端的电容为Y，负载电容为CL=45。求使从Cin至Cout的延时最短时，各个逻辑门输入端的电容之比，即8：X：Y十二、（15分）下图给出了一个宽带放大器的电路图，其中各个晶体管均工作于饱和区，它们具有相同的沟道长度，且跨导效率均为gm/ID=10V-1，特征频率均为fT=10GHz。各晶体管沟道宽度之间的关系为:W2=8W1、W3=2W1。若忽略晶体管的沟道长度调制效应、衬底调制效应和除Cgs之外的所有晶体管电容，vi是一个小信号电源，静态工作点时可认为短路，CF是一个足够大的滤波电容，试回答如下问题：a)计算该放大器的低频小信号增益；b)计算该电路的-3dB带宽；c)电容CF的作用是什么？十三、一个基本两级OTA的差模半边电路可等效为如图所示的行为级模型，其中,,。若采用该OTA构成一个负反馈放大器，反馈网络所提供的反馈系数为f=0.5并且不会对OTA造成负载效应，试回答如下问题：采用负载补偿
方案
气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载
，使得环路增益的相位裕度达到72º,计算所需的负载补偿电容CL及闭环-3dB带宽采用Miller补偿方案，在第二级的输入端和输出端之间并联补偿电容Cc,使得环路增益的相位裕度达到72º,计算所需的补偿电容Cc及闭环-3dB带宽为了消除Miller补偿所引入的右半平面零点，新插入一个电阻Rz与补偿电容Cc串联，计算完全消除右半平面零点影响时电阻Rz的值
浙公网安备 33021202002483