模拟电子电路练习册
《模拟电子电路》练习册 (
答案
八年级地理上册填图题岩土工程勘察试题省略号的作用及举例应急救援安全知识车间5s试题及答案
)
第一、二章 练习题
填空
1(半导体中的载流子有两种导电运动,一种称为 ( 扩散 ) 运动,另一种称为 (漂
移 )运动。
2(半导体中有两种载流子:一种是 (自由电子) 、另一种是 (空穴) 。 3(半导体中的扩散运动是由于载流子(浓度的不均匀 )而引起的。 4(半导体中的漂移运动是由于载流子 ( 在电场的作用下 ) 而引起的。 5(本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目 ( 少 ) 。 6(在本征半导体中加入五价元素后,将形成 ( N ) 型半导体。 7(在本征半导体中加入三价元素后, 将形成 ( P ) 型半导体。 8(N型半导体中空穴是 ( 少数 ) 载流子。
9(P型半导体中空穴是 ( 多数 ) 载流子。
10(P型半导体中自由电子是 ( 少数 ) 载流子。
11(N型半导体中自由电子是 ( 多数 ) 载流子。
12(PN结中的电流当温度升高时将会 ( 增加 ) 。 13(二极管的主要特性是它的 (单向导电性 ) 。 14(二极管的正向电阻比反向电阻 ( 小 ) 得多。
15(二极管的伏安特性是I = Is(e x p V / Vt — 1 )。 16(硅管的门限电压约为 ( 0.6 ) V 。
17(锗管的门限电压约为 ( 0.2 ) V 。
18(稳压二极管稳压时应工作于 ( 反向击穿区 ) 。
选择 ( 黑体字为答案 )
21. N型半导体或P型半导体都属于(杂质半导体)。
22.半导体中的扩散运动是由于(载流子浓度的不均匀)而形成。 23.二极管的反向电阻比正向电阻( 大 ) 得多。
24. PN结中载流子的漂移运动是由于(电场的作用 )而产生的。 25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻 ( 大得多 )。 26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(变宽),流过PN结的电流(很小 )。 27. P型半导体中空穴是(多数载流子)。
28. N型半导体中自由电子是(多数载流子)。
判断
29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生(空穴 ),形成(P ) 型半导体。 30.P型半导体中空穴是 (多数载流子)。
1
31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动( 相同) 。
32.二极管的反向电阻比正向电阻( 大得多) 。
简答
33.试述何谓P型半导体与N型半导体,
P型半导体:空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子的半导体。 N型半导体:空穴是少数载流子,自由电子是多数载流子的半导体。
34.试述什么是半导体中的扩散运动与漂移运动,
半导体中的扩散运动是由于载流子浓度的不均匀而形成。 漂移运动是由于电场的作用 而产生的。
35.列举出PN结的至少三个主要特性是什么,
PN结的三个主要特性是:1. 单向导电性 ; 2. 反向击穿性 ; 3. 温度特性
36.说明二极管特性曲线中三个区域的特点是什么,
正向区: 正向电阻小, 正向电流大。
反向区: 反向电阻大, 反向电流小。
反向击穿区:反向电阻小, 反向电流大。
37.什么是二极管的单向导电性,
外加正向电压, 正向电流大,正向电阻小。
外加反向电压, 反向电流小,反向电阻大。
计算
38.二极管电路如图所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端电压
V Ao 。设二极管是理想的。
a) b)
a) D1导通,D2截止。 VAO = 0V
b)D1截止,D2导通。 VAO = — 6V
2
39.电路如图所示,电源us为正弦波电压,试绘出负载RL 两端的电压波形,设二极管是理想的。
a) b)
a) 负载RL 两端的电压波形为半波 波形
b)负载RL 两端的电压波形为全波 波形
40.电路如图所示,设VI 如图所示, 试绘出输出电压Vo的波形。设D为硅二极管,使用恒压将(0.7V)模型(Vth = 0.6V, rd = 40Ω)进行
分析
定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析
。
解:输出电压Vo的波形如图所示,
3
41.电路如图所示,设二极管是理想的。(1)画出它的传输特性;(2)若输入电压V i= ui
=20sinωt V, 试根据传输特性绘出一周期的输出电压Vo的波形。
第三章 练习题
填空
1(三极管各极电流Ie、Ib、Ic、之间的关系为: ( Ie = Ib + Ic ) 。 2(三极管的共射极电路输入特性曲线表示( Ib )与( Vbe )之间的关系。 3(三极管的共射极电路输出特性曲线表示( Ic )与( Vce )之间的关系。 4(温度升高时,三极管的β值 ( 增加 ) 。
5(三极管是 ( 电流 ) 控制型元件。
6(三极管工作在放大区时, 应使发射结处于 ( 正偏 ), 集电结处于 ( 反偏 ) 。 7(当NPN型三极管的Vce < 0.2V时, 将工作在 ( 截止) 区。 8(放大器的输出电压动态范围Uop-p是指输出电压的 ( 峰 — 峰 ) 值。 9(放大器的电压放大倍数定义式为 ( Vo / Vi ) 。
10(放大器的源电流放大倍数定义式为 ( Vo / Vs ) 。
11(放大器的电流放大倍数定义式为 ( Io / Ii ) 。
12(放大器的功率放大倍数定义式为 ( Po / Pi ) 。
13(放大器的输入电阻定义为 ( V i / I i ) 。
14(放大器的输出电阻定义为( Vo / Io ) 。
15(温度升高时,三极管的Icbo ( 升高 ) 。
16(温度升高时,三极管的Ube ( 降低 ) 。
17(放大器出现截止失真是因为Q点偏 (_低_) 。
4
18(两个三极管复合后 , 其电流放大倍数 ß = ß1 * ß2 。
19(放大器出现饱和失真是因为Q点偏 ( 高 ) 。
20(共基极放大器的电流放大倍数 ( 小于 1 ) 。
21(共集极放大器的电流放大倍数 ( 约为 ß ) 。
22(共集极放大器的电压放大倍数( 小于 1 )。
23(共基极放大器的输入电阻 ( 很小 ) 。
24(共集极放大器的输入电阻 ( 很大 ) 。
25(共集极放大器的输出电阻 ( 很小 ) 。
26(射极输出器的输入与输出之间相位 ( 相同 ) 。
27(共射极放大器的输入与输出之间相位 ( 相反 ) 。
28(共基极放大器的输入与输出之间相位 ( 相同 ) 。
选择
29.若从三极管的发射极输出,则为 ( 共集 ) 放大电路 ;若从集电极输出则为 (共射 或
共基 ) 放大电路。 (共射 、共集 、共基)。
30.放大器中若三极管的静态工作点设置得过低将首先出现 ( 截止失真 ) 。 (饱和失真 ;截止失真)。
31.求共射放大器的上限频率f h时应采用 ( 高频的混和Π型等效电路 )。 ( h参数等效电路 ;高频的混和Π型等效电路 )。
32.共集电极放大器的输入电阻 ( 很大 ) ,输出电阻 ( 很小 ) 。 (很小 ;很大)。 33.在工作点稳定的分压式电流负反馈电路中,只有当偏置电阻中的电流 (远远大于) (远远大于 ;远远小于)三极管的基极电流并且使βRe (远大于) (远大于 ;远小于)Rb2时,电路的Q点才是稳定的。
34.三极管的输出特性曲线表示的是 (Uce 与 Ic) (Ube 与 Ib ; Uce 与 Ic)之间的关系。
35.共基极放大器的电流放大倍数( 很小 ) 。 (很大 ;很小)
36.多级放大器当采用直接耦合方式时, 其各级的 Q点是 ( 有关联的 ) 。 (相互独立 ;有关联的)。
37.放大器的相频特性是指放大电路的( 相移 ) 与频率之间的关系。
(幅度;输出电压;相移)
38.波特图是用( 直线段 )描绘出放大器频率特性。(曲线、直线段、虚线段) 39.放大电路对不同频率的正弦输入信号的稳态响应称为 ( 频率特性 ) 。 (伏安特性;正向特性;频率特性)。
40.引起放大器频率特性的原因是 ( 电路中包含电抗性元件 ) 。
(电路中包含电阻;电路中包含受控源;电路中包含电抗性元件)。 41.引起放大器放大倍数在高频段下降的原因是因为 ( 电路中三极管的结电容 ) 。
(电路中的耦合电容;电路中的旁路电容;电路中三极管的结电容) 42.低通型电路使 ( 低频信号 ) 容易通过。( 高频信号,低频信号;中频信号) 43.放大器的幅频特性是指 ( 放大系数的幅度与频率之间的关系 )。
5
(放大系数的相移与频率之间的关系;放大系数的幅度与频率之间的关系) 44.放大电路的低频段,影响频率的主要原因是 ( 级间耦合电容;发射极旁路电容 )
( 级间耦合电容;发射极旁路电容;三极管极间电容 )
45.当放大器的上限频率为f l ,下限频率为fh时,放大器的通频带BW为 (f l,f h ) (f h,f l , f h +f l , f l,f h ).
46.画高通型电路的波特图时,应求出其 (下限频率f l )。 (上限频率f h ;下限频率f l )
47.为了降低RC耦合放大器的下限频率f L , 应选择 (较大的级间耦合电容)
(较大的级间耦合电容;较小的级间耦合电容;较小的三极管级间电容)。 48.求解放大器上限频率f h 时,应采用(高频等效电路)。
(低频等效电路 ;高频等效电路)。
49.求共射放大器的上限频率时应采用 (高频混合Π参数)等效电路 。
( h参数 ;高频混合Π参数 )
50.为了降低RC耦合放大器的下限频率f L , 应选择( 较大的耦合电容和旁路电容 )。 (较小的耦合电容和旁路电容 ;较大的耦合电容和旁路电容 ;特征频率高的三极管)。 51.求共射放大器的下限频率时应采用 ( h参数 )等效电路。
( h参数 ;高频混合Π参数 )
52.高通型电路 (高频信号 )容易通过。 (低频信号;高频信号;中频信号)
判断
53.阻容耦合放大电路能放大直流信号。 ( 错 ) 54.放大器中Q点设置得偏低时将首先产生饱和失真。 ( 错 ) 55.求共射放大器的上限频率时应采用大参数等效电路。 ( 错 ) 53.放大器中若三极管的静态工作点设置得过高,将首先出现截止失真。 ( 错 ) 57.共集电极放大器的输入电阻很大。 ( 对 ) 58.共集电极放大器的输出电阻很大。 ( 错 ) 59.交流放大器的大参数等效电路法适用于信号幅度变化范围很大的条件下。 ( 对 ) 60.射极输出器的电压放大倍数Au >> 1。 ( 错 ) 61.射极输出器的输入电阻Ri 很小。 ( 错 ) 62.阻容耦合放大器能放大直流信号。 ( 错 ) 63.放大电路对不同频率的正弦输入信号的稳态响应称为伏安特性。 ( 错 ) 64.高通型电路低频信号容易通过。 ( 错 ) 65.放大器的相频特性是指放大电路的幅度与频率之间的关系。 ( 错 ) 66.波特图是用曲线描绘出放大器的频率特性。 ( 错 ) 67.引起放大器频率特性的原因是电路中包含电阻。 ( 错 ) 68.低通型电路使低频信号容易通过 。 ( 对 ) 69.画高通型电路的波特图时,应求出其上限频率f H 。 ( 错 ) 70.求解放大器上限频率f H时,应采用低频等效电路。 ( 错 ) 71.放大器的幅频特性是指放大倍数的相移与频率之间的关系。 ( 错 )
6
72.放大电路的低频段,影响频率响应的主要原因是级间耦合电容。 ( 对 ) 73.当放大器的上限频率为f H,下限频率为f L时,放大器的通频带BW为f L - f H。
( 错 ) 74.引起放大器放大倍数在高频段下降的原因是,因为电路中的耦合电容。 ( 错 )
简答
75.简述三极管的结构特点是什么,
1)发射区高掺杂 ; 2)基区低掺杂且较薄 ; 3) 集电区面积较大。
76.三极管的主要各极电流公式是什么,
1) Ie = Ib + Ic 2)Ic = ß Ib
77.试述三种组态放大器输出输入相移关系是什么,
1)共集极放大器的输入与输出之间相位 相同 。
2)共射极放大器的输入与输出之间相位 相反 。
3)共基极放大器的输入与输出之间相位 相同 。
78.什么叫三极管的低频小信号等效电路?
在低频小信号条件下将非线性的三极管用线性电路模型来代替的等效电路。
79.共集与共基电路的主要特点是什么?
共集电路:电压放大倍数小于1,输入电阻很大,输出电阻很小。
共基电路:电流放大倍数小于1,输入电阻很小,输出电阻很大。
80.简述什么是放大电路的频率特性?
放大电路对不同频率的正弦输入信号的稳态响应称为频率特性。
81.引起放大电路频率特性的原因是什么?
引起放大器频率特性的原因是电路中包含电抗性元件。
计算
82. 试分析图所示各电路对正弦交流信号有无放大作用,并简述理由(设各电容的容抗
可忽略)。
7
无放大作用,无Q点。 无放大作用,输入端短路。
83.电路如图所示,设BJT的β=80,Vbe = 0.6V, Iceo, Vces可忽略不计,试分析当开关S分别接通A,B,C三位置时,BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流Ic。
解:1)当开关S接通A位置时,BJT工作在其输出特性曲线的饱和区,
相应的Ic = 12V / 4K = 3 mA 。
2)当开关S接通B位置时,BJT工作在其输出特性曲线的放大区,
相应的Ic = ß ( 12V / 500K )= 80 *24 uA = 1.92 mA 。
3)当开关S接通C位置时,BJT工作在其输出特性曲线的截止区,
相应的Ic = 0 mA
84.BJT的输出特性如图所示。求该器件的β值;当ic=10mA和ic=20mA 时,管子的饱和压降 Vces约为多少,
解:该器件的β值约为(8 — 6)mA / (80 — 60)uA = 100 。
当ic=10mA 时,管子的饱和压降 Vces约为 0.2V 。
当ic=20mA时,管子的饱和压降 Vces约为 0.5V 。
8
85(如图电路,β=100,U,3V,U,12V,U=0.7V,R=100kΩ,R=3kΩ。求I、BCBEQBCB
I、U。 CCE
,(解:I,(U,U),RBBBEB
,(3,0.7)/100k,27μA
I,βI,100×27μ,2.7mA CB
U,U,IR CECCC
,12,2.7m×3k,3.9V
86(如图电路,β=100,U=0.7V。 R=20kΩ,R=8.2kΩ,R=2kΩ,R=1kΩ,()BEonB1B2CE
V =12V,求I和U。 CCCCE
解:U,RV,(R+R) BB2CCB1B2
,8.2k×12,(20k+8.2k),3.5V
I,I,(U,U),RCEBBEE
,(3.5,0.7),1k,2.8mA
U,V,I(R+R) CECCCCE
,12,2.8m(2k+1k),3.6V
87(如图的放大电路中,已知三极管β=80,r =200Ω,U=0.7V,R=62kΩ,R=16k,bb’BEQB1B2
R=2.2kΩ,R=4.3kΩ,R=5.1kΩ,V =24V。求 ,ECCC
1 I、U; CQCEQ
2 画出交流小信号等效电路,求A、R、R。 uio
a) 解:(1)U,VR,(R+R) BCCB2B1B2
,24×16k,(62k+16k),4.92V
I,I,(U,U),R CQEQBBEQE
,(4.92,0.7),2.2k,1.92mA
U,V,I(R+R) CEQCCCQCE
,24,1.92m(4.3k+2.2k),11.52V
(2)小信号等效电路如图
r,r+(1+β)26m,I bebbEQ
9
,200+81×26m,1.92m,1.27kΩ
A,,β(R//R),r uCLbe
,,80(4.3k//5.1k),1.27k,,147
R,R//R//r iB1B2be
,62k//16k//1.27k,1.15kΩ
R,R,4.3kΩ OC
88(放大电路如图,已知三极管β,100,r,200Ω,U=0.7V,R=510Ω,R=40kΩ,bb’BEQSB1
R=10kΩ,R=3kΩ,R=100Ω,R=1kΩ,R=4.7kΩ,V =15V。求 B2CE1E2LCC
1 I、U、I; CQCEQBQ
2 画出小信号等效电路,求出A、R、R、A。 uious
b) 解:(1)U,VR,(R+R) BCCB2B1B2
,15×10k,(40k+10k),3V
I,I,(U,U),(R+R) CQEQBBEQE1E2
,(3,0.7),(100+1k),2.09mA
U,V,I(R+R+R) CEQCCCQCE1E2
,15,2.09m(3k+0.1k+1k),6.4V
I,I,β BQCQ
,2.09m,100,21mA
(2)小信号等效电路如图
r,r+(1+β)26m,I bebbEQ
,200+101×26m,2.09m,1.4kΩ
A,,β(R//R),(r+(1+β)R) uCLbeE1
,,100(3k//4.7k),(1.4k+101×0.1k),,15.9
R,R//R//(r+(1+β)R) iB1B2beE1
,40k//10k//(1.4k+101×0.1k),4.7kΩ
R,R,3kΩ oC
A,AR,(R+R) usuiis
,,15.9×4.7k,(4.7k+510),,14.3
第四章 练习题
填空
1(耗尽型场效应管中,用Vp表示 (夹断 ) 电压。 2(增强型场效应管中,用Vt表示 ( 开启) 电压。 3(场效应管中,跨导g m = Idss(1 — Vgs / Vp )*(1 — Vgs / Vp )。
4(场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻 ( 大 ) 得多。
10
5(MOS场效应管的输入电阻比J型场效应管的输入电阻(大)得多 6(场效应管中,夹断电压表示漏极电流为 ( 0 ) 时的栅源电压。 7(场效应管中,Idss表示栅源电压为零时的 (漏极 ) 电流。 8(MOS场效应管的输入电流为 ( 0 ) 。 选择 ( 黑体字为答案 )
9.结型场效应管用作放大时,其栅源极之间应加(反向 ) 电压。 10.作放大用时,场效应管应工作在(饱和区 )。
11.结型场效应管的栅、源极之间应加(反向)电压。
12.在增强型MOS管中刚出现漏极电流Idss 时所对应的栅源电压Ugs 称为 (开启电压)。
简答
13.什么叫做耗尽型FET ? 什么叫做增强性FET ? 耗尽型FET : 栅源电压Ugs = 0时, 就有较大漏极电流Id 。 增强性FET : 只有 栅源电压Ugs > Vt 时, 才有漏极电流Id 。
14.画出NMOS增强型FET的转移特性与输出特性曲线?
11.画出PMOS增强型FET的转移特性与输出特性曲线?
15.画出NMOS耗尽型FET的转移特性与输出特性曲线?
16.画出PMOS耗尽型FET的转移特性与输出特性曲线?
11
17.画出共射三极管的输入与输出特性曲线?
计算
18.一个JFET 的转移特性曲线如图所示,试问:(1)它是N沟道还是P沟道的FET,
(2)它的夹断电压Vp和饱和漏极电流Idss 各是多少, 解: (1)它是N沟道FET 。(2)它的夹断电压Vp = — 4V ; 饱和漏极电流Idss = 3mA
19.图所示为MOSFET的转移特性,说明属于何种沟通。如是增强型,说明它的开启电
压Vt = ? 如是耗尽型说明它的夹断电压Vp=?
解: (1)它是N沟道耗尽型FET 。
(2)它的夹断电压Vp = — 3V
20.已知电路参数如图所示,FET工作点
上的互导g m=1ms, 设rd>>R5.(1)
画出电路的小信号等效电路模型 ;(2)
求电压增益Av ;(3)求放大器的输入
电阻Ri。
12
解:1)电路的小信号等效电路模型
(2)电压增益
Av = — ( gm R5)/ ( 1 + gmR3 ) = — 10 / 3
(3)放大器的输入电阻Ri = Rg + R1 // R2 = 2M
第五章 练习题
填空
1(功率放大器的输出功率定义为 ( 1/ 2 * Um Im )。
2( 在甲乙类功放电路中,由于静态工作点设置得接近于功放管的截止区,所以可能产
生 ( 交越失真 ) 。
3(功率放大器按三极管的工作状态,可分为 (甲类,乙类和丙类 )三种基本类型。
4(功率放大器的效率是指 ( PE 与Po )之比。
5(在OCL或OTL电路中,由于静态工作点设置得接近于功放管的截止区,所以可能
产生 ( 交越失真 ) 失真。
6(OTL功放电路的最大输出功率Pom = 1 / 8 ( Vc*Vc / RL )。
13
7(OCL功放电路的最大输出功率Pom =1 / 2 ( Vc*Vc / RL )。
8(OTL电路中的大电容,其作用是 1) 作为耦合电容 ,2)作为电源 。
9(OTL电路中静态时输出电容两端的电压为 1 / 2 Vc 。
选择 ( 黑体字为答案 )
10.OCL功率放大器中当电源电压Vc=20V. -Vc.= -20V, RL=8Ω时其最大输出功率
Pom=(25W )›
11. 功率放大器中希望非线性失真(越小越好)
判断
12.在分析功率放大器时应采用图解法。 ( 对 ) 13.在乙类推挽功放电路中,每个三极管在信号的半个周期内工作。 ( 对 ) 14.在OCL电路中功放管应采用型号相同的三极管。 ( 错 ) 15.实际的OCL电路属于甲类功率放大器。 ( 错 ) 16.功率放大器中希望非限性失真越大越好。 ( 错 ) 17.OCL功率放大器中,当电源电压Vc=20V, -Vc=20V, RL=8Ω 时,其最大输出功率
Pom=20w 。 ( 错 ) 18.乙类功率放大器的静态工作电流很大。 ( 错 )
简答
19.功率放大器从工作状态上可分为哪几种? 各有何特点?
可分为甲类,乙类和丙类放大器,甲类失真小,效率低;乙类失真大,效率高; 丙类失真大,效率高;
20.功率放大器从电路形式上可分为哪几种? 各有何特点?
功率放大器从电路形式上可分为 OCL ,OTL , BTL 三种
OCL :输出功率大,低频特性好。
OTL :输出功率小,低频特性差。
BTL :输出功率大,低频特性好,所用元件多。
21.试写出OTL ,OCL, BTL输出功率Pom的表达式?
OTL : Pom = 1 / 8 ( Vc*Vc / RL )。
OCL : Pom = 1 / 2 ( Vc*Vc / RL )。
BTL : Pom = 1 / 2 ( Vc*Vc / RL )。
22. 说明OTL电路中输出端为何要采用较大的电容器?
1) 作为耦合电容 ,2)作为电源 。
14
23.功率放大器中的交越失真是何原因引起的?
功率放大器中的交越失真主要是由于功放三极管Q 点设置较低而引起的
24.选取互补式功放三极管时有何要求?
选取互补式功放三极管时要求两个三极管特性一致,极性相反。
计算
25.一双电源互补对称电路如图所示,设已知Vcc=12V, RL=16Ω, u1为正弦波。求:(1)在BJT的饱和压降Vces可以忽略不计的条件下,负载上可能得到的最大输出功率Pom ;(2)每个管子允许的管耗Pcm 至少应为多少,(3)每个管子耐压 V(BR) ceo 应大于多少,
解:(1) 负载上可能得到的最大输出功率Pom = 1 / 2 ( Vc*Vc / RL )= 4.5W (2)每个管子允许的管耗Pcm = 0.2 Pom = 2.25W (3)每个管子耐压 V(BR) ceo = Vc = 12V
26.一单电源互补对称功放电路如图所示,设 ui为正弦波,RL= 8Ω,管子的饱和压降Vces可忽略不计。试求最大不失真输出功率 (不考虑交越失真)为9W时,电源电压Vcc至少应为多少,
解:因为 最大输出功率
Pom = 1 / 8 ( Vc*Vc / RL )= 9 W
所以 Vc = 24 V
第六章 练习题
填空
1(理想集成运放是指 ( Avd 为无穷大; Rid为无穷大;Rod 为0 ;无失调 ) 。
2(集成运放通常由 ( 输入级, 中间级, 输出级和偏置电路 ) 四部分组成。
15
3(集成运放线性应用时的两个重要关系式为 V+ = V - ; I+ = I- = 0 。
4(基本电路形式的反相器的输入输出关系为V o = - V i * ( Rf / R1 ) 。
5(基本电路形式的同相器的输入输出关系为V o = V i * ( 1+ Rf / R1 ) 。
6(基本电路形式的差动器的输入输出关系为V o = Rf / R1 (V i+ — V i - )。
选择 ( 黑体字为答案 )
7.差动式放大电路中,当两个输入端加上大小相等,方向相同的信号时称为 (共模 ) 式输
入。
8.理想运算放大器的输入电阻为(无限大),开环增益为(无穷大)。
9. 差动式放大器中,当两个输入端加上大小相等,方向相反的信号时称为(差模)式输入。 10.差动放大器中,差模输入信号是指放大器的两个输入端输入(大小相同,方向相反)的信号。
11.在运算放大器应用电路中,同相器的两个输入端存在(虚短 )。
12. .差动放大器中,共模输入信号是指放大器的两个输入端输入 (大小相同,方向相同)的信号。
判断
13.理想的集成电路放大器的开环电压增益为无穷大。 ( 对 ) 14.理想的集成电路放大器的输出电阻为0。 ( 对 ) 15.直接耦合放大器不能放大直流信号。 ( 错 ) 16.集成运算放大器的内部电路通常可分为2个。 ( 错 ) 17.在运算电路中运算放大器的反相输入端电压V-与同相输入端电压V+近似相等。
( 对 ) 简答
18.集成运放电路通常有哪几部分组成?
集成运放电路通常有输入级, 中间级, 输出级和偏置电路四部分组成
19.试列举出集成运放器三个技术参数的名称? 并加以说明.
Avd 开环差模电压增益; Rid差模输入电阻;Rod差模输出电阻
第七章 练习题
填空
1(正反馈使放大器的放大倍数 ( 增大 ) , 负反馈使放大器的放大倍数 ( 减小 )。
2(放大器中引入电流并联负反馈可以使输出电流 ( 稳定 ), 输入电阻变 ( 小 ) 。
16
3(放大器中引入电流负反馈可以使输出 ( 电流 ) 稳定。
4(放大器中引入电压负反馈可以使输出 ( 电压 ) 稳定。
5(放大器中引入串联负反馈可以使 ( 输入 ) 电阻增大。
6(放大器中引入并联负反馈可以使 ( 输入 ) 电阻减小。
7(若要使放大器的输入电阻增大应引入 ( 串联 ) 式负反馈。
8(若要使放大器的输入电阻减小应引入 ( 并联 ) 式负反馈。
9(若要使放大器的输出电压稳定应引入 ( 电压 ) 式负反馈。
10(若要使放大器的输出电流稳定应引入 (电流 ) 式负反馈。
11(加入负反馈后,可以使放大器的通频带变 ( 宽 )。
12(深度负反馈电路的放大倍数表达式为:Af = 1 / F
选择 ( 黑体字为答案 )
13.要使一个放大器的输入电阻增大,输出电压稳定应引入(电压串联负反馈)。 14.深度负反馈放大电路的反馈深度为 (1+ AF>>1 )
15.一个负反馈放大电路的中频闭环放大倍数为80, 反馈系数为0.012, 基本放大电路的放大倍数为 (2000 ) 。
16.要使一个放大器的输入电阻增大,输出电阻减小应采用 (电压串联负反馈)。 17.在放大电路中,为了提高带负载能力,减小对信号源的影响应引入一个(电压串联负反
馈)。
18(射极输出器属于(电压串联负反馈)。
判断
19.要使一个放大器的输入电阻增大,输出电流稳定应引入电流并联负反馈。( 错 )
简答
20.负反馈放器有哪几种基本组态形式? 名称如何?
电流串联负反馈 ;电压并联负反馈 ;
电压串联负反馈 ;电流并联负反馈
17
21.反馈放大器有哪两种基本极性? 特点是什么? 1)正反馈 使放大器的放大倍数增大,
2)负反馈 使放大器的放大倍数 减小。
22.画出负反馈放大器的组成方框图并写出增益的一般表达式.
Af = A /(1 + A F)
23.负反馈可以改善放大器的那些性能指标?
放大器中引入负反馈可以使 1)输出电压或电流稳定 ;
2)非线性失真减小 ;
3)降低噪声 ;4)展宽频带 ;
5)改变输入输出电阻 。
24.说明负反馈对放大器输入输出电阻改变的程度与反馈组态的关系?
放大器中引入串联负反馈可以使输入电阻增大。
放大器中引入并联负反馈可以使输入电阻减小。
放大器中引入电压负反馈可以使输出电阻减小。
放大器中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 25.说明在什么条件下,负反馈放大器可以采用近似计算法?
在深度负反馈的条件下, 可以采用近似计算法? 计算
26.由集成运放A及BJT1 、T2组成的放大电路如图所示,试分别按下列要求将信号源
us 、电阻Rf 正确接入该电路。(1)引入电压串联负反馈 ;(2)引入电压并联负反馈 ;
(3)引入电流串联负反馈 ;(4)引入电流并联负反馈。
解:1)引入电压串联负反馈
18
2)引入电压并联负反馈
3)引入电流并联负反馈
4)引入电流串联负反馈
20.在图所示电路中,在深度负反馈的条件下,试近似计算它的闭环增益Avf =?。
19
a) b)
解:Avf = Vo/Vi= 1/ Fv 解:Avf = Vo/Vi = Io Rc2 / Ii Rif
Fv = Vf/ Vo Aif = Io/Ii = 1/ Fi =,Rf1+Re2,/Re2
Vf = Vo R1/,R1+R2, 所以Avf =,Rf1+Re2,Rc2 / Re2 Rif 所以Avf =,R1+R2,/ R1
= 2
第八章 练习题
填空
1(基本电路形式的二输入加法器的输入输出关系为Uo = - ( U1 + U2 )Rf / R1 。
2(基本电路形式的积分器的输入输出关系为Uo = - 1 / RC { Ui dt 。
3(基本电路形式的微分器的输入输出关系为Uo = - RC dUi / dt 。
4(基本电路形式的对数器输入输出关系为Uo = - Vt ln Vi / R 。
5(基本电路形式的反对数器输入输出关系为Uo = - I es R EXP Vi / Vt。
20
6(模拟乘法器输入输出关系为Uo = - K Vx V y。
7(有源滤波器可分为四种基本形式分别为 高通,低通,带通,带阻 。
选择( 黑体字为答案 )
8.理想运算放大器的输入电阻为(无限大),开环增益为(无穷大 )。 9.理想运算放大器的输出电阻为 ( 零 )。
简答
10.集成运放在线性应用时的两个重要关系式是什么?
V - = V + ; I - = I+ = 0
11.写出基本的反相器,同相器,差动器的输入与输出关系式?
反相器:Uo = - Rf / R * U1
同相器:Uo = ( Rf / R +1 )* U1
差动器:Uo = - Rf / R *( U1 – U2 )
计算
12.同相输入加法电路如图所示,求输出电压Vo 。当R1= R2= R3= Rf时,vo = ?
解:V - = Vo R3 / Rf +R3 = V+ V+ = Vs1 R2 /(R1 + R2)+Vs2 R1 /(R1 + R2)
所以:
Vo = [Vs1 R2 /(R1 + R2)
+Vs2 R1 /(R1 + R2)] *(Rf +R3)/ R3 当R1= R2 = R3 = Rf时,
Vo = (Vs1+Vs2)
13.电路如图所示,假设运放是理想的,试写出电路输出电压Vo的值。
21
解:Vo1= - 100 / 50 * 0.6 = - 1.2V
Vo = - Vo1 50 / 100 + Vs2 ( 1+ 50 /100 )
= 1.2 * 0.5 + 0.8 ( 1 + 0.5 ) = 1.8V 14.加减运算电路如图所示,求输出电压Vo的表达式。
解: V + = V - , V+ = Vs3( R4//R5 )/ (R3 + R4//R5) + Vs4( R4//R5) / (R3 + R4//R5)
V - = Vs1( Rf//R2)/ (R1 + Rf//R2) + Vs2( Rf//R1) / (R2 + Rf//R1)
+ Vo( R2//R1) / (Rf + R2//R1) 整理后有:
Vo = - 5/4 Vs1 – 2 Vs2 + 51/22 Vs3 + 51/44 Vs4
15.电路如图所示,设所有运放都是理想的。(1)求Vo 1 、 Vo 2 、 Vo 3 及 Vo 的表达式 ;(2)当R1= R2= R3 时的 Vo值。
解: (1)Vo 1 = V1
Vo 2 = V2
Vo 3 = V3
Vo = (R2R3V1+ R2R3V1+R1R2V3)/
(R1R2+R2R3+R1R3)
(2)Vo = ( V1 + V1 + V3 )
22
16.图所示为一增益线性调节运放电路,试推导该电路的电压增益 Av =V o / (V1 -V2)的值(表达式)。
解:因为Vo1 = V1 , Vo2 = V2 , V+3 = V-3 , V04 = - (R3 / R4 )Vo 整理后有:
Av =V o / (V1 -V2) = - R2 R4 / R1 R3
第九章 练习题
填空
1(正弦波振荡器产生自激振荡的条件是 ( Au Fu > 1 , Φa +Φf = 2 nΠ ) 。
2(晶体管正弦波振荡器的两个基本组成部分是 ( 放大器 ,正反馈选频电路 ) 。
3(正弦波振荡器产生平衡振荡的条件是( Au Fu = 1 , Φa +Φf = 2 nΠ )。
4(RC文氏电桥振荡器的起振条件是 ( Rf > 2R1 )。
5(LC振荡器的振荡频率为 ( 1 / 2??LC )。
6(三点式LC振荡器的电抗符号关系为 ( E极所接电抗符号相同 )。
7(石英晶体有两种谐振状态,分别为 ( 串联谐振 和并联谐振 )。
23
8(石英晶体在串联谐振状态时相当于 ( 开路 ) 。
9(石英晶体在并联谐振状态时相当于 ( 短路 ) 。
10(石英晶体在不同频率范围内其电抗性质 ( 不同 )。
11(电压比较器的三种基本电路形式分别为 ( 过零电压比较器, 任意电压比较器, 滞回电压比较器 ) 。
选择 ( 黑体字为答案 )
12.正弦波振荡器的起振条件为( AuFu>1 , Φa +Φf = 2 nΠ n=0.1.2------) 13.石英晶体振荡器的频率稳定度极高的原因是石英晶体的等效 (电感)极大。 14.正弦波振荡器的平衡条件是_____( Au Fu=1、Φa+Φf=2n? (n=0. 1 . 2. 3. …. ) )
15.文氏电桥振荡器其振荡频率fo= (1/2?RC)
16.LC三点式振荡器中三极管发射极所接电抗应(相同)
17.电压比较器传输特性指的是(输出电压Uo 与输入电压U i之间的关系) 18.由运算放大器构成的比较器电路中,运放的两个输入端(既不虚地又不虚短)。
19.石英晶体谐振器在串联谐振频率f s 与并联谐振频率f l 之间等效为(电感) 20.在正弦波振荡器中,通过热敏电阻Rt(稳定输出电压)。
判断
21(正弦波振荡器的平衡条件是AuFu>1。 ( 错 ) 22.文氏电桥振荡器其振荡频率fo = 1/2 LC。 ( 错 ) 23.LC三点式振荡器中,三极管发射极所接电抗应不同。 ( 错 ) 24.正弦波振荡器的起振条件为n=0.1.2---- ; ( 错 ) 25.石英晶体振荡器的频率稳定度极高的原因是石英晶体的等效电容极大。 ( 错 ) 26.电压比较器的传输特性指的是输出电压Uo与时间t的关系。 ( 错 ) 27.石英晶体谐振器在串联谐振频率f s与并联谐振频率f p之间等效为电容。( 错 ) 28.在正弦波震荡器中,通过热敏电阻Rt增大输出电压。 ( 错 )
简答
29.试述理想运算放大器的运用条件是什么?
理想运算放大器的运用条件是 Avd 为无穷大; Rid为无穷大;Rod 为0 ;无失调 。
30.试述正弦波振荡器的起振条件与稳态条件是什么?
正弦波振荡器起振条件是 Au Fu > 1 , Φa +Φf = 2 nΠ 。
稳态条件是 Au Fu = 1 , Φa +Φf = 2 nΠ 。
24
31.说明文氏电桥振荡器输出波形的稳定是靠电路中哪部分电路完成的? 文氏电桥振荡器输出波形的稳定是靠电路中稳幅电路完成的。 32.说明LC三点式振荡器的相位条件是什么?
LC三点式振荡器中的相位条件是三极管发射极所接电抗应相同。
33.石英晶体有哪几种谐振频率? 画出其阻抗频率特性曲线?
石英晶体有串联谐振频率f s与并联谐振频率两种谐振频率。
34.串联谐振时的石英晶体可等效为一个什么电路模型?
串联谐振时的石英晶体可等效为一个阻抗为零的纯电阻。
35.试列举出三种基本形式的电压比较器的名称?
电压比较器的三种基本电路形式分别为 过零电压比较器, 任意电压比较器, 滞回电压比较器 。
36.试画出反相输入过零比较器的电压传输特性曲线?
37.试画出同相输入过零比较器的电压传输特性曲线?
计算
38、1)从相位平衡条件分析电路能否产生正弦波振荡;2)若能振荡,Rf和Re1的值应有何关系,振荡频率是多少,为了稳幅,电路中哪个电阻可采用热敏电阻,其温度系
数如何,
解:1)电路满足相位平衡条件能产生正弦波振
荡。
2)Rf和Re1的值应为:Rf > 2Re1
振荡频率fo = 1 / 2?RC
为了稳幅,电路中Re1或Rf电阻可采用
热敏电阻,其Re1为正温度系数,
25
Rf为负温度系数。
39、设运放A是理想的,试分析图题所示正弦波振荡电路:1)为满足振荡条件,试在图中用+、—标出运放A的同相端和反相端;2)为能起振,Rp和R2两个电阻之和应大于何值,3)此电路的振荡频率fo = ,
解:1)A的上端为 + ,A的下端为 - 。
2)为能起振,Rp和R2两个电阻
之和应大于 2R1
3)此电路的振荡频率fo = 1 / 2?
RC
40、电路如图所示,试用相位平衡条件判断哪个能振荡,哪个不能,说明理由。不振荡的修改电路使之能振荡。
解:在石英晶体串联谐振频率f s 改变运放的正负端后电路能振荡
电路能振荡
电路能振荡
26
第十章 练习题
填空
1(直流稳压电源通常由四部分组成,分别为 (电源变压器 ,整流电路,稳压器,
滤波器 )。
2(整流电路通常的三种形式为 (半波整流器,全波整流器,桥式整流器 ) 。
3(硅稳压二极管通常应工作于( 反向击穿 )区。
4(稳压器稳压系数的定义式为(Sv = dVL / dVi ),输出电阻的定义式为(Ro = dVL / dIi)。
5(串联式集成稳压器内部电路一般有六个组成部分,分别为(启动电路、保护电路、
取样电路比较放大电路、基准电路、调整电路)。
6(集成式稳压器通常的两种形式为(输出固定式,输出可调式)。
选择( 黑体字为答案 )
7.若要使双路稳压器输出正15V ,负12 V的电压,应选用( CW7815 ,CW7912)。 8.若想设计一个输出电压稳定在 -12V的直流稳压电源,应选用( CW7912)型集成稳压器。
9.无电容滤波时,全波整流器输出电压U0 与变压器次级电压有效值U2之间的关系为
U0,(0.9U2 )
10.串联型稳压器中的调整管工作在(放大区)
11.整流器中有电容滤波比无电容滤波时的输出电压(高)。
判断
12.稳压二极管稳压时应工作于正向区。 ( 错 ) 13.串联开关式稳压器中,调整管工作于截止区。 ( 错 ) 14.无电容滤波时,全波整流器输出电压Uo与变压次级电压有效值U2之间的关系为
Uo=0.45U2。 ( 错 ) 15.串联型稳压器中调整管工作在饱和区。 ( 错 ) 16.整流器中有电容滤波比无电容滤波时的输出电压低。 ( 错 ) 17.若要使双路稳压器输出正15V, 负12V的电压,应选用CW7805。 ( 错 ) 18.若想设计一个输出电压稳定在-12V的直流稳压电源,应选用CW7812型集成稳压器。
( 错 )
27
简答
19.试画出两个周期内的半波整流器的输出电压波形图?
20.试画出两个周期内的全波整流器的输出电压波形图?
?
21.试描述基本的串联式稳压器的稳压过程?
Vi??Vo??Vb??Vbe??Ic2??Vbe2??Vce2??Vo?
(Ve保持不变)
22.试画出两个周期内的桥式整流器的输出电压波形图?
23.稳压器的三个主要质量指标名称是什么? 写出其定义表达式? 1)稳压系数的定义式为 Sv = dVL / dVi ,
2)输出电阻的定义式为 Ro = dVL / dIi 。
3)温度系数的定义式为 ?T = dVL / dT。
计算
24(电路如图所示整流二极管的正向压降和变压器内阻忽略不计,试求:1)RL1、RL2
两端的电压V L1、V L2和电流I L1、I L2(平均值);2)通过D1、D2、D3的平均电流和
28
二极管承受的最大反向电压。
解:1)V L1 = 0.45 V2 = 45V
V L2 = 0.9 * 10 = 9V
I L1 = 4.5 mA
I L2 = 90 mA
2) 通过D1、D2、D3的平均电流:
Id1 = 4.5mA ; Id2 = Id3 = 45mA
二极管承受的最大反向电压:
V r m1 = 141V
V r m2 = V r m3 = 28.2V
29
30