III类瓷片电容器规格

1、特性 III类瓷，也叫做半导体型（ Semiconductor Type ），是一种具有半导体特徵的陶瓷电容器。该类 电容器适用於作旁路和耦合之用。该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 徵。 其特性符合 GB 11305 - 89 标准的要求。 用途：(1). 晶体管化的电路；(2). 低压电路的旁路耦合；(3). 对损耗、绝缘电阻及容量稳定性要求 一般的鉴定电路。 二、温度系数、额定电压、静电容量关系表： 温度特性 Y5P Y5V Y5U Y5R 额定电压 (VDC) 10-50 10-16 25 50 10-50 10-50 标 称 容 量 范 围 332-104 103-474 103-334 103-224 103-224 102-104 测试条件   1 K Hz±20%, 0.1 Vrms + 0.2Vrms at 25± 1℃ 容量误差 ± 10% ± 20% +80/-20% ± 20% ± 10% 使用温度 范 围 -25~+ 85 ℃ 损耗正切值(%) 5.0 max 绝缘电阻   UR＜25VDC：200MΩ 或10ΩF 取小者，UR (UR≤16VDC测试电压为16V   DC ) 充电60S   UR＝25VD：500MΩ 或10ΩF 取小者，UR充电60S   UR＞25VDC：1000MΩ 或20ΩF 取小者，UR充电60S 耐电压测试   1 .5UR 尺寸 说明： 1. 上图为标准引线长度、形式图形，但也可根据客户要求进行生产。 2. C 尺寸要求为： 1.5mm 最大。 3. D 与 T 尺寸根据标称容量与额定电压大小决定，一般来说：同材质情况   下，容量越大， D 尺寸越大；额定电压越高， T 尺寸越厚。 4. 可根据客户要求生产散件与适合 A/I 自动插件的编带 ( 带装 ) 产品。 三、编带尺寸规格 弯脚型： 直脚型：       编带尺寸规格表： 项目 标记 特征值 备注 标称值(mm) 允许误差(mm) 本体直径 D 11.0 max 本体厚度 T 3.5 max 引脚直径 d 0.6 +0.06/-0.05 元件中心间距 P 12.7 +/-1.0 编带孔中心间距 P0 12.7 +/-0.3 编带孔中心与元件引脚间距 P1 3.85 +/-0.7 编带孔中心与元件中心间距 P2 6.35 +/-1.3 元件脚距 F 5.0 +0.8/-0.2 △H 0 +/-2.0 编带宽度 W 18.0 +1.0/-0.5 胶纸宽度 W0 5.0 min 胶纸内边距 W1 9.0 +/-0.5 胶纸外边距 W2 3.0 max 元件下沿到编带孔中心之高度 H 20.0 +1.5/-1.0 弯脚底部到编带孔中心之高度 H0 16.0 +/-0.5 元件上沿到编带孔中心之高度 H1 32.25 max 元件底部引脚允许超出编带长度 l 1.0 max 编带孔直径 D0 4.0 +/-0.2 编带厚度 t 0.7 +/-0.2 L 11.0 max 四、电性能 4.1静电容量   电容器之静电容量是以图一、图二、图三为原则，依据测定条件定其容量应在规定允许误差范围内，并在室温25℃之状态下进行。 4.2 损耗角(tanδ)及Q值     与静电容量之测量同一条件下进行，并以下式计算时满足下表。 特性 Q规定值 静电容量 Q值 A-U 30pF以上 Q≧10000 及SL 30pF未满 Q≧400+20C V-Z 30pF以上 Q≧500 及YH 30pF未满 Q≧200+10C               损失角(tanδ)=ωCxRx         ω:2πf(f为测试频率，Hz)                  (C1-C2)Q1Q2         Cx:供试电容器之静电容量（F）        Q=         Rx:供试电容器之等效电阻（Ω）            C1(Q1-Q2) 五、特殊试验     5.1折曲试验         保持受测电容器之道线与其正规引出轴垂直，若无特别之规定，在道线之末端悬以0.5Kg之重量，将电容器本体做90。之弯曲，然后返回原位置，再以同样的速度作向后90。之弯曲，仍还回原来位置，如此反复一次道线不致折断。     5.2抗张强度试验       将受测体固定，在道线引出方向末端悬以0.5Kg之重量保持10S，道线不致与本体脱离或折     线。     5.3焊接性试验       将受测体之道线浸于洁焊接剂至离本体切线4.5mm处后，浸人温度约230℃±5℃锡溶液中     致道线跟部4mm直到2±0.5s，取出后道线周围没有裂痕。     5.4高温负荷测试       将温度保持在受测体之最高使用温度开始在两引线间加以工作电压2倍之直流电压500±12     小时，若进行中有短路时，取出不良之受测体，其余继续试验，试验后之特性必须满足如下记：     静电容量变化率为±30%以内，Q 或tanδ为7.5%以下，IR为1000MΩ以上。     5.5耐温负荷试验       将受测之本体转于温度40±20℃湿度90-95%之状态中继续加以工作电压1000±1小时以后，     取出置于常温、常湿中1小时，再测其电特性，其值必须在规定容量范围内。 六、代号标识     6.1应表示事项     (1)种类(2)形状(3)特性 (4)工作电压(5)公称静电容量(6)静电容量允许误差(7)生产日期     6.2特性       6.2.1工作电压           (1)工作电压25V之制品，无标识印记（容量）           (2)工作电压为50V、100V之制品，在静电容量值之下加以横线表示。           (3)工作电压1000V以上之制品，以KV单位表示。       6.2.3公称静电容量       (1)公称静电容量未满100pF，以有效数字表示。例如1pF=1，10pF=10           (2)公称静电容量在100pF以上的如下表所示。 本司规格 EIA规格 数字表示 未满1000pF以pF表示 1000pF以上以uF 表示 例：100pF=101 1000pF=102 10000pF=103 例：100pF=100 1000pF=0.001 10000pF=0.01       6.2.4静电容量允许误差如下表所示。 记号 静电容量允许误差 记号 静电容量允许误差 B ±0.1pF J ±5% C ±0.25pF K ±10% D ±0.5pF M ±20% F ±1% Z -20%/+80%