IGBT是由场效应管MOSFET和大功率晶体管组GTR合而成的,属于全控型器件。
场效应管MOSFET结构:
MOSFET导电过程:控制导通的电压是VGG,这个电压产生电场,进而在绝缘层上吸引电子形成导电沟道,S和D两极就导通了,可以使用工作了:
沟道中只有一种类型的载流子参与导电,所以场效应管也叫做单极型三极管。
场效应管的符号:
由上图知道B衬底是和S极相连的,所以一些图上用的是右边这个与S极相连的符号。
IGBT的开关频率可以做到非常高,联系PWM的原理,用IGBT不断地开断可以变压。连接成桥还能整流:
IGBT的通断是通过控制栅极G和发射极E之间 电压
来实现的。来看看IGBT桥实物:
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