首页 IGBT知识总结

IGBT知识总结

举报
开通vip

IGBT知识总结IGBT是由场效应管MOSFET和大功率晶体管组GTR合而成的,属于全控型器件。 场效应管MOSFET结构: MOSFET导电过程:控制导通的电压是VGG,这个电压产生电场,进而在绝缘层上吸引电子形成导电沟道,S和D两极就导通了,可以使用工作了: 沟道中只有一种类型的载流子参与导电,所以场效应管也叫做单极型三极管。 场效应管的符号: 由上图知道B衬底是和S极相连的,所以一些图上用的是右边这个与S极相连的符号。 IGBT的开关频率可以做到非常高,联系PWM的原理,用IGBT不断地开断可以变压。连接成桥还能...

IGBT知识总结
IGBT是由场效应管MOSFET和大功率晶体管组GTR合而成的,属于全控型器件。 场效应管MOSFET结构: MOSFET导电过程:控制导通的电压是VGG,这个电压产生电场,进而在绝缘层上吸引电子形成导电沟道,S和D两极就导通了,可以使用工作了: 沟道中只有一种类型的载流子参与导电,所以场效应管也叫做单极型三极管。 场效应管的符号: 由上图知道B衬底是和S极相连的,所以一些图上用的是右边这个与S极相连的符号。 IGBT的开关频率可以做到非常高,联系PWM的原理,用IGBT不断地开断可以变压。连接成桥还能整流: IGBT的通断是通过控制栅极G和发射极E之间 电压 来实现的。来看看IGBT桥实物:
本文档为【IGBT知识总结】,请使用软件OFFICE或WPS软件打开。作品中的文字与图均可以修改和编辑, 图片更改请在作品中右键图片并更换,文字修改请直接点击文字进行修改,也可以新增和删除文档中的内容。
该文档来自用户分享,如有侵权行为请发邮件ishare@vip.sina.com联系网站客服,我们会及时删除。
[版权声明] 本站所有资料为用户分享产生,若发现您的权利被侵害,请联系客服邮件isharekefu@iask.cn,我们尽快处理。
本作品所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权,请谨慎使用。
网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽..)目的在于配合国家政策宣传,仅限个人学习分享使用,禁止用于任何广告和商用目的。
下载需要: 免费 已有0 人下载
最新资料
资料动态
专题动态
is_574951
暂无简介~
格式:doc
大小:21KB
软件:Word
页数:4
分类:互联网
上传时间:2019-05-28
浏览量:7