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漆包线、电气认证、EMC EMI.doc 漆包线介绍 作者:佚名 文章来源:本站原创 点击数:53 更新时间:2010-2-9 13:08:58 一.概述 漆包线是绕组线的一个主要品种，由导体和绝缘层两部组成，裸线经退火软化后，再经过多次涂漆，烘焙而成。但要生产出即符合标准要求，又满足客户要求的产品并不容易，它受原材料质量，工艺参数，生产设备，环境等因素影响，因此，各种漆包线的质量特性各不相同，但都具备机械性能，化学性能，电性能，热性能四大性能。 概念及分类 1.什么是电磁线, 电磁线是一种具有绝缘层的电线，它是以绕组形式来实现电磁能的转化，又称为绕组线。 2.分类: 2.1 按导体材料可分为:铜，铝，合金 2.2 按绝缘材料可分为:漆包线，绕包线，无机绝缘线 2.3 按导体形状可分为:圆线，扁线，异型线 3.漆包线的分类 3.1 按绝缘材料分 3.1.1 缩醛漆包线 3.1.2 聚西酯漆包线 3.1.3 聚氨酯漆包线 3.1.4 改性聚酯漆包线 3.1.5 聚酯亚胺漆包线 3.1.6 聚酯亚胺/聚酰胺酰亚胺漆包线 3.1.7 聚酰亚胺漆包线 3.2 按漆包线的用途可分: 3.2.1 一般用途的漆包线(普通线)主要用于一般电机，电器，仪表。变压器等工作场合的绕组线 如;聚酯漆包线，改性聚酯漆包线。 3.2.2 耐热漆包线;主要用于180?及以上温度环境工作的电机，电器，仪表，变压器等工作场合 的绕组线。如聚酯亚胺漆包线，聚酰亚胺漆包线，聚酯亚胺/聚酰胺酰亚胺复合漆包线。 3.2.3 特殊用途的漆包线;是指具有某种质量特性要求的漆包线，用于特定的场合的绕组线，如: 聚氨酯漆包线(直焊性)，自粘性漆包线 3.3 按导体材料分:铜线，铝线，合金线。 3.4 按材料形状分:圆线，扁线，空心线。 3.5 按绝缘厚度分:圆线:薄漆膜-1 厚漆膜-2 加厚漆膜-3 扁线:普通漆膜-1 加厚漆膜-2 二.型号，代号:及产品表示方法 1.符号，代号 1.1 系列代号:漆包绕组成:Q 1.2 导体材料:铜导体:T(省略) 铝导体:L 1.3 绝缘材料:油性类漆:Y(省略) 聚酯类漆:Z 改性聚酯类漆:Z(G) 缩醛类漆:Q 聚氨酯类漆:A 聚酰胺漆:X 聚酰亚胺漆:Y 环氧漆:H 聚酯亚胺漆:ZY 聚酰胺酰亚胺:XY 1.4导体的特性:扁线:B 圆线:Y(省略) 1.5漆膜厚度:圆线:薄漆膜-1 厚漆膜-2 加厚漆膜-3 扁线:普通漆膜-1 加厚漆膜-2 1.6热级用,XXX表示 2.型号 2.1漆包线产品型号是采用汉语拼音字母和阿拉伯数字组合的方法命名:其组成包括下列几个部份。 把以上几个部分按顺序组合到一起，便是漆包线产品型号。 3.漆包线产品用型号，规格:和标准编号表示。 3.1 产品表示方法举例; A;聚酯漆包铜圆线，厚漆膜:热级为130标称直径1.000mm， 执行GB6109.7--90标准， 表示; QZ-2/130 1.000GB6109(7-90 B;聚酯亚胺漆包铜扁线;普通漆膜，热级180，a边为2(00mm,b边为6.300mm执行GB,T7095(4-1995表示为;QZYB-1,180 2.00X6(30 GB,T7095(4-1995 三.产品标准和试验方法标准; 漆包线 1.1 漆包圆线的产品标准;GB6109-90系列标准: 1.2 漆包扁线的产品标准:GB/T7095-i995系列 漆包圆线和扁线的试验方法标准:GB/T4074-1999 四 常用漆包线的特性和用途。 1. 缩醛漆包线;热级为105和120两种，具有良好的机械强度，附着性，耐变压器油及耐冷媒 性能，但该产品耐潮性能差，热软化击穿温度低，耐用苯-醇混合溶剂性能弱等缺陷，目前 仅少量用于油浸变压器，充油电机的绕组。 2. 聚酯及改性聚酯的漆包线，普通聚酯漆包线，热级为130,经改性后漆包线热级为155级。该 产品机械强度高，并具有良好的弹性，耐刮，附着性，电气性能和耐溶剂性能，它是我国目 前生产量最大的一个品种，约占三分之二:广泛应用在各种电机，电器，仪表，电讯器材及 家电产品上;该产品的弱点是耐热冲击性能差，耐潮性能较低。 3. 聚氨酯漆包线;热级等级为130(155.180(最大特点是具有直焊性，耐高频性能性好，易着 色，耐潮性能好，广泛应于电子家电和精密仪器，电讯，仪表上，该产品弱点是机械强度稍 差，耐热性能不高，且生产大规格线的柔韧性和附着性较差，因此该产品生产的规格以中小 及微细线为多。 4. 聚酯亚胺漆包线，热级180该产品耐热冲击性能好，耐软化击穿温度高，机械强度优良，耐 溶剂及耐冷冻剂性能均较好，弱点是在封闭条件下易水解，广泛用于耐热要求高的电机，电 器，仪表，电动工具电力干式压器等绕组。 5. 聚酯亚胺,聚酰胺酰亚胺复合层漆包线糸目前在国内外使用较为广泛的耐热漆包线，其热级 为200，该产品耐热性高，还具有耐冷冻剂，耐严寒，耐辐射等特性，机械强度高，电气性 能稳定，耐化学性能和耐冷冻剂性能好，超负荷能力强。广泛应用于冰箱压缩机，空调压缩 机，电动工具，防爆电动机及高温，高寒，耐辐射，超负荷等条件下使用的电机，电器。 五.检验和试验 产品制造出来以后，其外观，尺寸及性能是否符合产品的技术标准和用户的技术协议的要求，必须通过检验束判断，经过测量;试验，与产品的技术标准或用户在技术协议对比，符合要求的则是合格，反之，则为不合格，通过检验可反应漆包线产品质量的稳定性及材料，工艺的合理性，所以，质量检验具有把关，预防和鉴别的作用。漆包线检验的内容包括;外观和尺寸的检验测量，性能的测试。其中性能包括:机械性能，化学性能，热性能和电性能。现在我们主要对外观，尺寸进行讲解。 1.漆包线表面(外观)应光洁，色泽均匀，无粒子，无氧化，发毛，阴阳面，黑斑点，脱漆等影响性能的缺陷，排线应整齐，平整紧密，地绕在线盘上，不压线，收放自如影响表面的因素很多，它与原材料，漆料，设备，工艺，环境等因素有关。 2.尺寸 2.1 漆包圆线尺寸包括:外形尺寸(外经)D 导体直径 d 导体偏差 ?d 导体的圆度 f 漆膜的厚度 t 2.1.1 外径是指;导体涂上一层绝缘漆膜后所测得的直径。 2.1.2 导体直径;是指去除绝缘层后金属线 2.1.3 导体偏差;是指导体直径的实测值与标称值之间的差。 2.1.4 不国度(f)值是指导体每个截面上测量的最大读数和最小读数的最大差值。 2.2 测量方法; 2.2.1测量工具;微米干分尺，精确度0.001mm 漆包圆线，d<0(100mm 测力0.1-1.0N d?0(100mm 测力I-8N 漆包扁线 测力4-8N 2.2.2 外径 2.2.2.1 (圆线)当导体标称直径d?0.200mm时，在相距各1m的3个位置，各测量一次外径， 记录 混凝土 养护记录下载土方回填监理旁站记录免费下载集备记录下载集备记录下载集备记录下载 3个测量值，取其平均值作为外径。 2.2.2.2 当导体标称直径d>0.200mm时，相距1m的两个位置上，每个位置沿线周均分测量3次外径，记录6个测量值，取其平均值作为外径。 2.2.2.3 (扁线)相距各100mm3个位置上各测量宽边和窄边尺寸1次，取其3个测量值的平均值作为宽边和窄边的外形尺寸。 2.2.3 导体尺寸 2.2.3.1 (圆线)当导体标称直径d?0.200mm时，在相距各1m的3个位置用不损伤导体的任何方法除去绝缘各测量1次导体直径:取其平均值作为导体直径。 2.2.3.2 当导体标称直径d>0.200mm时，用不损伤导体的任何方法除去绝缘，沿导体圆周均分的三个位置分别测量，取其三个测量值的平均值作为导体直径。 2.2.2.3 (扁线)相距各100mm3个位置上，用不损伤导体的任何方法除去绝缘，分别测量宽边和窄边尺寸1次，取其3个测量值的平均值作为宽边和窄边的导体尺寸。 2.3 计算 2.3.1 偏差,d实测-d标称 2.3.2 f值,导体每个截面上测量的任何直径读数的最大差值 2.3.3 t,D-d 实测 举例1(观有一盘QZ-2/1300.710mm的漆;包线，测量数值如下 外径;0.780 0.778 0.781;0.776 0.779 0.779;导体直径;0.706 0.709 0.712;求其的外径，导体直径，偏差，f值，漆膜厚度，并进行判断是否合格。 解:D,0.780+0.778+0.781+0.776+0.779,0.7796 d,0.706+0.709+0.712=0.709mm 偏差,d实测-d标称,0.709-0.710,-0.001mm f=0.712-0.706=0.006 t=D-d实测,0.779-0.709,0.070mm 经测量，该规格漆包线尺寸符合标准要求。 2.3.4扁线;加厚漆膜 0.11,,?0.16mm 普通漆膜 0.06?,?0.11mm Amax=a+?+,max BmaX=b+?+,maX 当A B的外径尺寸不超过Amax Bmax时，允许漆膜厚度超过,max 标称尺寸a(b) 偏差 A(b)?3.15 ?0.030 3.155 题 快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题 日益复杂. 目前,我国整体EMC研究起步较晚,许多企业对EMC认知度不够,缺乏EMC方面的经验和测试设备,在产品 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 、生产工艺和元器件的选择上都有不同程度的困惑,产品生产出来后往往EMC不能符合标准要求.EMC问题是当前多数企业的技术难点!从事机电产品制造的广大企业皆有同感,解决EMC问题,比之解决产品的安全问题要困难得多.这就更加加剧了有些企业面对品牌竞争和价格竞争,偏向于降低成本、牺牲EMC要求的现象. 机电产品3C认证的指标涉及产品的安全、EMC两个方面.从认证检测来看,产品达不到“3C”认证要求的主要原因是EMC方面过不了关.事实上,无论日常检验还是各种产品认证中,EMC测试通不过的情况比较普遍. 随着3C认证顺利开展,部分企业在EMC问题上愁眉不展,帮助企业是我们光荣职责.此稿没有复杂的理论分析和推导,只是扼要地介绍EMC三个规律、EMC问题三要素、电磁骚扰的特性、以及五层次EMC设计法;一方面力求实用,另一方面意图抛砖引玉. 一、认识和利用EMC领域三个重要规律 EMC不是光靠理论就能完全解决的,EMC是一项实践工程.从事EMC行业,如能深刻领会以下三个EMC领域重要规律,实践中坚持运用,必然收到事半功倍的效果. (1) 规律一、EMC费效比关系规律: EMC问题越早考虑、越早解决,费用越小、效果越好. 在新产品研发阶段就进行EMC设计,比等到产品EMC测试不合格才进行改进,费用可以大大节省,效率可以大大提高;反之,效率就会大大降低,费用就会大大增加.经验告诉我们,在功能设计的同时进行EMC设计,到样板、样机完成则通过EMC测试,是最省时间和最有经济效益的.相反,产品研发阶段不考虑EMC,投产以后发现EMC不合格才进行改进,非但技术上带来很大难度、而且返工必然带来费用和时间的大大浪费,甚至由于涉及到结构设计、PCB设计的缺陷,无法实施改进措施,导致产品不能上市. (2) 规律二、高频电流环路面积S越大, EMI辐射越严重. 高频信号电流流经电感最小路径.当频率较高时, 一般走线电抗大于电阻,连线对高频信号就是电感,串联电感引起辐射.电磁辐射大多是EUT被测设备上的高频电流环路产生的,最恶劣的情况就是开路之天线形式.对应处理方法就是减少、减短连线,减小高频电流回路面积,尽量消除任何非正常工作需要的天线,如不连续的布线或有天线效应之元器件过长的插脚. 减少辐射骚扰或提高射频辐射抗干扰能力的最重要任务之一,就是想方设法减小高频电流环路面积S. (3) 规律三、环路电流频率f越高,引起的EMI辐射越严重,电磁辐射场强随电流频率f的平方成正比增大. 减少辐射骚扰或提高射频辐射抗干扰能力的最重要途径之二,就是想方设法减小骚扰源高频电流频率f,即减小骚扰电磁波的频率f. 本文以下内容,就是利用以上三个规律,倡导趁早考虑EMC问题,介绍EMC设计和EMC问题改进. 二、改进EMC问题,如同诊治疾病 如果产品没有通过EMC测试,我们从测量结果中,只能知道哪些频率点“超标”了,而这些频率的电磁骚扰是从哪里出来的,往往是工程师们最不容易发现、最难解决的问题.产品EMC问题,说难亦难,说易亦易.就如给病人治病一样,关键是看你这个病是可治愈的还是不治之症,对可治之症能否辨证施治.中医看病,讲究望闻切诊问;现代医学多讲究量血压、BT、CT、化验等,目的都是为了查清病灶、病因,做到因病施治. 同样,改进EMC问题,看成为诊治疾病,就是科学性与趣味性的结合.首先,根据EMI产生的途径和机理,也就是EMC问题产生的要素,针对EUT(被测试样品,下同)的电路原理,先作一些判断,比如IT类设备和AV音视频类设备引起EMC问题的原因或者内部骚扰源是什么,先进行推断,再结合测试项目测试图透过现象看本质,分析超差原因--把骚扰源搞清楚,把骚扰途径摸透彻,以便有的放矢. 分析超差原因,可使用高频示波器或频谱分析仪加上近场探头验证分析结果,从频域到时域,再从频域到时域,分析、寻找产生EMC问题的对应电路和器件. 三、EMC问题三要素 开关电源及数字设备由于脉冲电流和电压具有很丰富的高频谐波,因此会产生很强的辐射.电磁干扰包括辐射型(高频) EMI、传导型(低频)EMI,即产生EMC问题主要通过两个途径:一个是空间电磁波干扰的形式;另一个是通过传导的形式,换句话说,产生EMC问题的三个要素是:电磁干扰源、耦合途径、敏感设备.辐射干扰主要通过壳体和连接线以电磁波形式污染空间电磁环境;传导干扰是通过电源线骚扰公共电网或通过其他端子(如:射频端子,输入端子)影响相连接的设备. 传导、辐射 骚扰源-----------------------------(途径)------------------------------ 敏感受体 近场耦合 四、IT、AV设备可能的骚扰源 ? FM接收机、TV接收机本机振荡,基波及谐波由高频头、本机振荡电路产生; ? 开关电源的开关脉冲及高次谐波,同步信号方波及高频谐波,行扫描显像电路产生的行、场信号 及高频谐波; ? 数字电路工作需要的各种时钟信号及高频谐波、以及它们的组合,各种时钟如CPU芯片工作时钟、MPEG解码器工作时钟、视频同步时钟(27MHz,16.9344MHz ,40.5MHz)等; ? 数字信号方波及高频谐波,晶振产生的高次谐波,非线性电路现象(非线性失真、互调、饱和失真、截止失真)等引起的无用信号、杂散信号; ? 非正弦波波形,波形毛剌、过冲、振铃,电路设计存在的寄生频率点. ? 对于敏感受体通过耦合途径接受的外部骚扰包括浪涌、快速脉冲群、静电、电压跌落、电压变化和各种电磁场. 五、电磁骚扰的特性 ? 单位脉冲的频谱最宽; ? 频谱中低频含量取决于脉冲的面积,高频分量取决于脉冲前后沿的陡度; ? 晶体振荡电平必须满足一定幅度, 数字电路才能按一定的时序工作,使晶振产生的骚扰呈现覆盖带宽、骚扰电平高的特点; ? 收发天线极化、方向特性相同时,EMI辐射和接受最严重;收发天线面积越大, EMI危害逾大; ? 骚扰途径:辐射,传导,耦合和辐射、传导、耦合的组合. ? 电源线传导骚扰主要由共模电流产生; ? 辐射骚扰主要由差模电流形成的环路产生. 六、EMC设计 前面已经提过,EMC的根本问题,解决EMC问题的根本办法,无论从市场经济的原则出发,还是从其他方面考虑,都是趁早进行EMC设计.从设计立项的一开始,就把EMC要求纳入设计任务书,作为设计的输入之一.EMC设计,简单地说,就是仔细预测可能发生的各种EMC问题,进行 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 和电路的优化选型,寻找一种优化电路、机械结构和PCB的设计解决方案,提高产品的设计质量,确保达到功能和性能指标的情况下,兼顾成本效益,避免EMC问题. 为抑制和消除骚扰源,减小高频信号频率、减小高频电流回路面积、减小共阻抗耦合或感应耦合,选用低速、低辐射器件,选用屏蔽机箱、屏蔽电缆和I/O滤波器都是常用的措施. 一般来说,EMC设计可分五个层次.以下为五个层次EMC设计要点: 1.方案的选择、主要部件、集成电路的选型、电路和机械结构设计 对于产品的成功与否,第一层次设计是最基本、最重要的,任何错误都意味着该产品项目彻底失败.这一层主要EMC考虑体现在: (1)方案选择、主要部件、集成电路的选型主要考虑减少辐射骚扰或提高射频辐射抗干扰能力,尽量选用本身发射小的芯片,如翻转时间长、工作速率低的器件,多地线脚的芯片(芯片实质就是集成度较高的电路模块,封装时多装地线脚,可以减小高速差模电流环面积S,相应地减小芯片的发射);避免使用大功率、高损耗器件,它们往往是大的辐射源; (2)保证所选器件不工作在非线性区,以免产生谐波分量成为干扰源. (3)电路和机械结构设计除考虑减少辐射骚扰或提高射频辐射抗干扰能力外,主要考虑电源电路防外部骚扰包括浪涌、快速脉冲群、静电、电压跌落、电压变化等; (4)电路设计或方案应不使数字信号波形产生过冲,应使无用的谐波振荡幅度最小,使无用的高次谐波成分最少,避免引发强烈的电磁骚扰; (5)对集总参数电路,增加阻尼、减小Q值,防止振荡; 2.PCB的EMC设计 对于产品的成功与否, PCB的EMC设计是重要的一环.PCB设计不合理,会产生无法补救的后果; PCB良好的EMC设计,有事半功倍的效果.PCB的EMC设计应遵循以下内容: (1)尽量减小所有的高速信号及时钟信号线构成的环路面积,连接线要尽可能短,并使信号线紧邻地回路; (2)使用小型化器件和多层线路板,多层印制板可紧缩布线空间,高频特性好,容易实现EMC; (3)印制板层数选择考虑关键信号的屏蔽和隔离要求,先确定所需信号层数,然后考虑成本的前提下,增加地平面和电源层是PCB EMC设计最好的措施之一; (4)印制板分层原理与布置印刷电路、布置排线的原理一样,元件面下面为地平面,关键电源平面与其对应的地平面相邻,相邻层的关键信号不跨区,所有的信号层特别是高速信号、时钟信号与地平面相邻,尽量避免两信号层相邻; (5)个别电源层、地层不能作为一个连续的平面时,采用多网孔连接形成地格蜂窝网,有效减小电流环路面积,减小公共阻抗R,加大信号与地层分布电容; (6)线路板布线设计时顺序考虑:电源和地/时钟线/信号线,布线应该短、直、粗、匀,不要直角和突变,不应有“之”字形,用圆角代替尖锐走线,尽可能加宽电源和地的布线,电源和地层的分割,尽量符合微带线和带状线要求; (7)走线尽可能远离骚扰源,布线考虑铁氧体材料的使用,预留磁珠和贴片滤波器的位置,以备按需加减; 3.电与接地、高速信号线路及内部线缆的EMC设计 PCB的EMC设计中也提到供电与接地、高速信号线路的EMC设计,此外,还应遵循以下内容: (1)芯片间使用低阻抗地连接(地平面),不同芯片供电脚间阻抗尽量小,芯片供电脚(意思是离芯片供电脚很近的供电线上)与地间接高频旁路电容,供电布线预留磁珠和贴片滤波器的位置,以备按需加减; (2)布线、I/O排线的核心原则就是减小电流环面积S,布置排线的原理与印制板分层原理一样,关键电源线与其对应的地线相邻,所有的信号层特别是高速信号、时钟信号线与地线相邻,尽量避免两信号线相邻; (3)为避免接地线长度过长(接近λ/4),可采用多点就近接地,接地线高频阻抗要小; (4)减小电缆的天线效应及减小偶极子天线效应,跨线、I/O排线采用屏蔽性能好的线缆,内导线采用多股双绞线,使空间场互抵,屏蔽层可作为回线; (5)机内采用屏蔽线防止感应噪声; (6)滤波器的输入输出线应拉开距离,忌并行走线,以免影响滤波效果; (7)I/O接口注意高速电路阻抗匹配,减小、消除反射; 4.屏蔽设计 屏蔽好的要求有三:完整的电连续体;滤波措施;良好的接地. 对于信息技术IT类设备,当主板及配置选定的情况下,提高整机的屏蔽效果和各个部分的隔离效果非常重要,尤其个人计算机和液晶显示器.这里只说屏蔽设计: (1)计算机机壳内骚扰场强较大,机壳塑料部分未涂导电材料或所涂导电材料不佳,机箱有孔洞、缝隙,不是一个完整电连续体,进出线滤波不好,最终都可导致辐射骚扰超出限值.机箱为了更好屏蔽电磁辐射,既能照顾到机箱的散热需求,又能有效地防止电磁波的衍射,开孔尺寸一般不超过4mm; (2)根据产品实际进行屏蔽设计,端口、通风孔、孔洞、连接缝隙的屏蔽性都是值得考 虑的因素; (3)液晶显示器为了更好屏蔽电磁辐射可以采用喷涂导电材料的外壳(接缝处要喷涂导电材料); (4)为了将辐射减到最小,尽量使用通过了CQC (EMC方面)自愿认证的机箱; (5)为保证机箱的密封性,要使用精密模具冲压成型,设计适当的弹点和卷边; (6)变压器加静电屏蔽及接地等 5.输入/输出的滤波设计 电源线滤波和信号线滤波的重要性并不亚于机箱屏蔽,滤波关键是针对EMC要求,兼顾达标和经济的原则.在I/O接口部位,一般采用高频滤波效果好、安装简单的滤波连接器.在电缆上缠绕或套用铁 氧体磁环也能起到一定的滤波吸波作用.设计或使用信号线滤波器时,滤波器的截止频率须高于电缆上要传输的信号频率. (1)传导骚扰问题处理的方法主要是低通滤波.在1MHz以上时,传导发射问题通常是由辐射发射的耦合而引起的,须综合运用抑制传导发射和辐射发射的技术措施,如屏蔽、去耦和滤波. (2)滤波电路的衰减性能与源和负载的阻抗关系很大,失配越大,滤波器衰减电磁骚扰的效果越好.大多数情况下,电源线表现为低阻抗,则滤波器的输入端应为高阻抗.另一方面,设备既可能为高阻抗,也可能为低阻抗.对于线性电源高阻抗,为获得阻抗失配,负载端应设计为低阻抗.对于开关电源和同步电机这样的低阻抗设备,负载端设计为高阻抗. (3)减共模和差模电容,加减共模和差模线圈,调整电容参数和线圈匝数,共模和差模插入损耗对频率的曲线都可改变.滤波器的泄漏电流是指相线和中线与外壳地之间流过的电流.它主要取决于连接在相线与地和中线与地间的共模电容.共模电容的容量越大,共模阻抗越小,共模骚扰抑制效果越好,但安全标准规定泄漏电流不能过大. (4)电源滤波器安装位置应靠近电源线入口处,如能做成与接口一体化更好.对于金属屏蔽机箱,选用独立电源屏蔽滤波器,安装在电源线入口处,并确保滤波器外壳与设备机箱(地)良好电接触,这样的效果是最好的.滤波器接地通常固定在电缆出口处的公共地金属构件上. 七、一些建议 ?了解EMC问题三要素、电磁骚扰的特性、电磁骚扰源和传播途径,掌握五个层次EMC设计法则,坚持利用EMC规律,趁早考虑和解决EMC问题;遇到PCB必须重新设计或结构必须重新设计时,大家只有后悔EMC考虑得迟了.治病不如防病,治病必须对症下手,宜早不宜迟,解决EMC问题是一样的道理. ?当产品的EMC不符合要求需要整改时,首先要如同治病一样,诊断出电磁骚扰源、耦合途径,然后利用EMC设计要点中提到的方法,对症下手,综合运用屏蔽、滤波吸波、接地等措施实施改进. 改进途中,测试再不通过,先检讨问题判断是否正确?对策是否失误?使用器件参数是否需要调整?不要一下子就改变初衷,应不慌不忙.整改时要特别注意,正确诊断出电磁骚扰源、耦合途径后,采用EMC抑制器件时,不但要选择合适,而且所用器件要货真价实,才不会久治不愈. ?工厂应对关键生产工序进行识别,关键工序操作人员应加以培训,制定相应的工艺作业指导书或标准样件(可以采取拍照给出图片的方式),使生产过程受控.取最简化而且EMC又有一定裕量的样机作为标准件,核对生产、装配工艺,检验时,着重进行EMC关键元器件和材料的检验/验证,以及装配工艺一致性检查. ?为验证产品持续符合标准要求,工厂应在适当阶段对产品进行确认检验(本身不具备检测条件时, 抽样送有能力的机构进行检验),以确保产品持续符合EMC要求,万一变化亦能及时发现. ?当产品EMC关键件要改变、调整时,应用新的器件替换原器件重新制造几台样机进行测试,确认EMC关键件改变和调整对整机EMC的影响. 可控硅在自动控制控制，机电领域，工业电气及家电等方面都有广泛的应用。可控硅是一种有源开关元件，平时它保持在非道通状态，直到由一个较少的控制信号对其触发或称“点火”使其道通，一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态，要使其截止可在其阳极与阴极间加上反向电压或将流过可控硅二极管的电流减少到某一个值以下。 可控硅二极管可用两个不同极性(P-N-P和N-P-N)晶体管来模拟，如图G1所示。当可控硅的栅极悬空时，BG1和BG2都处于截止状态，此时电路基本上没有电流流过负载电阻RL，当栅极输入一个正脉冲电压时BG2道通，使BG1的基极电位下降，BG1因此开始道通，BG1的道通使得BG2的基极电位进一步升高，BG1的基极电位进一步下降，经过这一个正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。电路很快从截止状态进入道通状态，这时栅极就算没有触发脉冲电路由于正反馈的作用将保持道通状态不变。如果此时在阳极和阴极加上反向电压，由于BG1和BG2均处于反向偏置状态所以电路很快截止，另外如果加大负载电阻RL的阻值使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少，当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路将很快从道通状态翻转为截止状态，我们称这个电流为维持电流。在实际应用中，我们可通过一个开关来短路可控硅的阳极和阴极从而达到可控硅的关断。 应用举例:可控硅在实际应用中电路花样最多的是其栅极触发回路，概括起来有直流触发电路，交流触发电路，相位触发电路等等。 1。直流触发电路:如图G2是一个电视机常用的过压保护电路，当E+电压过高时A点电压也变高，当它高于稳压管DZ的稳压值时DZ道通，可控硅D受触发而道通将E+短路，使保险丝RJ熔断，从而起到过压保护的作用。 2。相位触发电路:相位触发电路实际上是交流触发电路的一种，如图G3，这个电路的方法是利用RC回路控制触发信号的相位。当R值较少时，RC时间常数较少，触发信号的相移A1较少，因此负载获得较大的电功率;当R值较大时，RC时间常数较大，触发信号的相移A2较大，因此负载获得较少的电功率。这个典型的电功率无级调整电路在日常生活中有很多电气产品中都应用它。 什么是安规电容 X 电容 Y电容 根据IEC 60384-14，电容器分为X电容及Y电容， 1. X电容是指跨于L-N之间的电容器， 2. Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。 (L=Line, N=Neutral, G=Ground) X电容底下又分为X1, X2, X3，主要差別在于: 1. X1耐高压大于2.5 kV, 小于等于4 kV, 2. X2耐高压小于等于2.5 kV, 3. X3耐高压小于等于1.2 kV Y电容底下又分为Y1, Y2, Y3，Y4, 主要差別在于: 1. Y1耐高压大于8 kV, 2. Y2耐高压大于5 kV, 3. Y3耐高压 n/a 4. Y4耐高压大于2.5 kV X,Y电容都是安规电容,火线零线间的是X电容,火线与地间的是Y电容. 它们用在电源滤波器里,起到电源滤波作用,分别对共模,差模工扰起滤波作用. 安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 安规电容安全等级 应用中允许的峰值脉冲电压 过电压等级(IEC664) X1 >2.5kV ?4.0kV ? X2 ?2.5kV ? X3 ?1.2kV —— 安规电容安全等级 绝缘类型 额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘 ? 250V Y2 基本绝缘或附加绝缘 ?150V ?250V Y3 基本绝缘或附加绝缘 ?150V ?250V Y4 基本绝缘或附加绝缘 <150V Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义 在滤波电路上有X电容，就是跨接L-N线;Y电容就是N-G线。 在安规标准上有按脉冲电压分X1,X2,X3电容;按绝缘等级来分Y1,Y2,Y3来分。 (这些都不是按什么材质来分的，以后多学习。) 至于安规标准各个国家有一些差别，但额定电压无非就是250和400。 各大厂家做的安规电容就是要满足这个安规标准的需求，一个安规电容可以满足Y电容的要求，也有可以做成满足X电容要求。所以就有的安规电容上标X1Y1,X1Y2... 火线与0线之间接个电容就是是X,而火线与地线之间接个电容像个Y。 由于火线与0线直接电容，受电压峰值的影响，避免短路，比较注重的参数就是耐压等级，在电容值上没有定限制值。 火线与地线直接电容要涉及到漏电安全的问题，因此它注重的参数就是绝缘等级，正如 james bai所说的，太大的容值电容会在电源断电后对人对器件产生影响。 阻抗匹配的基本原理 右图中R为负载电阻，r为电源E的内阻，E为电压源。由于r的存在，当R很大时，电路接近开路状态;而当R很少时接近短路状态。显然负载在开路及短路状态都不能获得最大功率。 根据式: 从上式可看出，当R=r时式中的式中分母中的(R-r)的值最小为0，此时负载所获取的功率最大。所以，当负载电阻等于电源内阻时，负载将获得最大功率。这就是电子电路阻抗匹配的基本原理。 阻抗匹配概念 阻抗匹配是指负载阻抗与激励源内部阻抗互相适配，得到最大功率输出的一种工作状态。对于不同特性的电路，匹配条件是不一样的。 在纯电阻电路中，当负载电阻等于激励源内阻时，则输出功率为最大，这种工作状态称为匹配，否则称为失配。 当激励源内阻抗和负载阻抗含有电抗成份时，为使负载得到最大功率，负载阻抗与内阻必须满足共扼关系，即电阻成份相等，电抗成份只数值相等而符号相反。这种匹配条件称为共扼匹配。 阻抗匹配(Impedance matching)是微波电子学里的一部分，主要用于上，来达至所有高频的微波信号皆能传至负载点的目的，不会有信号反射回来源点，从而提升能源效益。 大体上，阻抗匹配有两种，一种是透过改变阻抗力(lumped-circuit matching)，另一种则是调整传输线的波长(transmission line matching)。 要匹配一组线路，首先把负载点的阻抗值，除以传输线的特性阻抗值来归一化，然后把数值划在史密夫图表上。 改变阻抗力 把电感与负载串联起来，即可增加或减少负载的阻抗值，在图表上的点会沿著代表实数电阻的圆圈走动。如果把电容或电感接地，首先图表上的点会以图中心旋转180度，然后才沿电阻圈走动，再沿中心旋转180度。重覆以上方法直至电阻值变成1，即可直接把阻抗力变为零完成匹配。 调整传输线 由负载点至来源点加长传输线，在图表上的圆点会沿著图中心以逆时针方向走动，直至走到电阻值为1的圆圈上，即可加电容或电感把阻抗力调整为零，完成匹配 阻抗匹配则传输功率大，对于一个电源来讲，单它的内阻等于负载时，输出功率最大，此时阻抗匹配。最大功率传输定理，如果是高频的话，就是无反射波。对于普通的宽频放大器，输出阻抗50Ω，功率传输电路中需要考虑阻抗匹配，可是如果信号波长远远大于电缆长度，即缆长可以忽略的话，就无须考虑阻抗匹配了。阻抗匹配是指在能量传输时,要求负载阻抗要和传输线的特征阻抗相等,此时的传输不会产生反射,这表明所有能量都被负载吸收了.反之则在传输中有能量损失。高速PCB布线时，为了防止信号的反射，要求是线路的阻抗为50欧姆。这是个大约的数字,一般规定同轴电缆基带50欧姆,频带75欧姆,对绞线则为 100欧姆,只是取个整而已,为了匹配方便. 阻抗从字面上看就与电阻不一样，其中只有一个阻字是相同的，而另一个抗字呢,简单地说，阻抗就是电阻加电抗，所以才叫阻抗;周延一点地说，阻抗就是电阻、电容抗及电感抗在向量上的和。在直流电的世界中，物体对电流阻碍的作用叫做电阻，世界上所有的物质都有电阻，只是电阻值的大小差异而已。电阻小的物质称作良导体，电阻很大的物质称作非导体，而最近在高科技领域中称的超导体，则是一种电阻值几近于零的东西。但是在交流电的领域中则除了电阻会阻碍电流以外，电容及电感也会阻碍电流的流动，这种作用就称之为电抗，意即抵抗电流的作用。电容及电感的电抗分别称作电容抗及电感抗，简称容抗及感抗。它们的计量单位与电阻一样是奥姆，而其值的大小则和交流电的频率有关系，频率愈高则容抗愈小感抗愈大，频率愈低则容抗愈大而感抗愈小。此外电容抗和电感抗还有相位角度的问题，具有向量上的关系式，因此才会说:阻抗是电阻与电抗在向量上的和。 阻抗匹配是指负载阻抗与激励源内部阻抗互相适配，得到最大功率输出的一种工作状态。对于不同特性的电路，匹配条件是不一样的。 在纯电阻电路中，当负载电阻等于激励源内阻时，则输出功率为最大，这种工作状态称为匹配，否则称为失配。 当激励源内阻抗和负载阻抗含有电抗成份时，为使负载得到最大功率，负载阻抗与内阻必须满足共 扼关系，即电阻成份相等，电抗成份只数值相等而符号相反。这种匹配条件称为共扼匹配。 一.阻抗匹配的研究 在高速的设计中，阻抗的匹配与否关系到信号的质量优劣。阻抗匹配的技术可以说是丰富多样，但是在具体的系统中怎样才能比较合理的应用，需要衡量多个方面的因素。例如我们在系统中设计中，很多采用的都是源段的串连匹配。对于什么情况下需要匹配，采用什么方式的匹配，为什么采用这种方式。 例如:差分的匹配多数采用终端的匹配;时钟采用源段匹配; 、 串联终端匹配 1 串联终端匹配的理论出发点是在信号源端阻抗低于传输线特征阻抗的条件下，在信号的源端和传输线之间串接一个电阻R，使源端的输出阻抗与传输线的特征阻抗相匹配，抑制从负载端反射回来的信号发生再次反射. 串联终端匹配后的信号传输具有以下特点: A 由于串联匹配电阻的作用，驱动信号传播时以其幅度的50,向负载端传播; B 信号在负载端的反射系数接近，1，因此反射信号的幅度接近原始信号幅度的50,。 C 反射信号与源端传播的信号叠加，使负载端接受到的信号与原始信号的幅度近似相同; D 负载端反射信号向源端传播，到达源端后被匹配电阻吸收;, 反射信号到达源端后，源端驱动电流降为0，直到下一次信号传输。 E 相对并联匹配来说，串联匹配不要求信号驱动器具有很大的电流驱动能力。 选择串联终端匹配电阻值的原则很简单，就是要求匹配电阻值与驱动器的输出阻抗之和与传输线的特征阻抗相等。理想的信号驱动器的输出阻抗为零，实际的驱动器总是有比较小的输出阻抗，而且在信号的电平发生变化时，输出阻抗可能不同。比如电源电压为，4.5V的CMOS驱动器，在低电平时典型的输出阻抗为37Ω，在高电平时典型的输出阻抗为45Ω[4];TTL驱动器和CMOS驱动一样，其输出阻抗会随信号的电平大小变化而变化。因此，对TTL或CMOS电路来说，不可能有十分正确的匹配电阻，只能折中考虑。 链状拓扑结构的信号网路不适合使用串联终端匹配，所有的负载必须接到传输线的末端。否则，接到传输线中间的负载接受到的波形就会象图3.2.5中C点的电压波形一样。可以看出，有一段时间负载端信号幅度为原始信号幅度的一半。显然这时候信号处在不定逻辑状态，信号的噪声容限很低。 串联匹配是最常用的终端匹配方法。它的优点是功耗小，不会给驱动器带来额外的直流负载，也不会在信号和地之间引入额外的阻抗;而且只需要一个电阻元件。 2、 并联终端匹配 并联终端匹配的理论出发点是在信号源端阻抗很小的情况下，通过增加并联电阻使负载端输入阻抗与传输线的特征阻抗相匹配，达到消除负载端反射的目的。实现形式分为单电阻和双电阻两种形式。 并联终端匹配后的信号传输具有以下特点: A 驱动信号近似以满幅度沿传输线传播; B 所有的反射都被匹配电阻吸收; C 负载端接受到的信号幅度与源端发送的信号幅度近似相同。 在实际的电路系统中，芯片的输入阻抗很高，因此对单电阻形式来说，负载端的并联电阻值必须与传输线的特征阻抗相近或相等。假定传输线的特征阻抗为50Ω，则 R值为50Ω。如果信号的高电平为5V，则信号的静态电流将达到100mA。由于典型的TTL或CMOS电路的驱动能力很小，这种单电 阻的并联匹配方式很少出现在这些电路中。 双电阻形式的并联匹配，也被称作戴维南终端匹配，要求的电流驱动能力比单电阻形式小。这是因为两电阻的并联值与传输线的特征阻抗相匹配，每个电阻都比传输线的特征阻抗大。考虑到芯片的驱动能力，两个电阻值的选择必须遵循三个原则: ( 两电阻的并联值与传输线的特征阻抗相等; ? ?( 与电源连接的电阻值不能太小，以免信号为低电平时驱动电流过大; ?( 与地连接的电阻值不能太小，以免信号为高电平时驱动电流过大。 并联终端匹配优点是简单易行;显而易见的缺点是会带来直流功耗:单电阻方式的直流功耗与信号的占空比紧密相关,;双电阻方式则无论信号是高电平还是低电平都有直流功耗。因而不适用于电池供电系统等对功耗要求高的系统。另外，单电阻方式由于驱动能力问题在一般的TTL、CMOS系统中没有应用，而双电阻方式需要两个元件，这就对PCB的板面积提出了要求，因此不适合用于高密度印刷电路板。 当然还有:AC终端匹配; 基于二极管的电压钳位等匹配方式。 二 .将讯号的传输看成软管送水浇花 2.1 数位系统之多层板讯号线(Signal Line)中，当出现方波讯号的传输时，可将之假想成为软管(hose)送水浇花。一端于手握处加压使其射出水柱，另一端接在水龙头。当握管处所施压的力道恰好，而让水柱的射程正确洒落在目标区时，则施与受两者皆欢而顺利完成使命，岂非一种得心应手的小小成就, 2.2 然而一旦用力过度水注射程太远，不但腾空越过目标浪费水资源，甚至还可能因强力水压无处宣泄，以致往来源反弹造成软管自龙头上的挣脱!不仅任务失败横生挫折，而且还大捅纰漏满脸豆花呢～ 2.3 反之，当握处之挤压不足以致射程太近者，则照样得不到想要的结果。过犹不及皆非所欲，唯有恰到好处才能正中下怀皆大欢喜。 2.4 上述简单的生活细节，正可用以说明方波(Square Wave)讯号(Signal)在多层板传输线(Transmission Line，系由讯号线、介质层、及接地层三者所共同组成)中所进行的快速传送。此时可将传输线(常见者有同轴电缆Coaxial Cable，与微带线Microstrip Line或带线Strip Line等)看成软管，而握管处所施加的压力，就好比板面上“接受端”(Receiver)元件所并联到Gnd的电阻器一般，可用以调节其终点的特性阻抗(Characteristic Impedance)，使匹配接受端元件内部的需求。 三. 传输线之终端控管技术(Termination) 3.1 由上可知当“讯号”在传输线中飞驰旅行而到达终点，欲进入接受元件(如CPU或Meomery等大小不同的IC)中工作时，则该讯号线本身所具备的“特性阻抗”，必须要与终端元件内部的电子阻抗相互匹配才行，如此才不致任务失败白忙一场。用术语说就是正确执行指令，减少杂讯干扰，避免错误动作”。一旦彼此未能匹配时，则必将会有少许能量回头朝向“发送端”反弹，进而形成反射杂 讯(Noise)的烦恼。 3.2 当传输线本身的特性阻抗(Z0)被设计者订定为28ohm时，则终端控管的接地的电阻器(Zt)也必须是28ohm，如此才能协助传输线对Z0的保持，使整体得以稳定在28 ohm的设计数值。也唯有在此种Z0=Zt的匹配情形下，讯号的传输才会最具效率，其“讯号完整性”(Signal Integrity，为讯号品质之专用术语)也才最好。 四.特性阻抗(Characteristic Impedance) 4.1 当某讯号方波，在传输线组合体的讯号线中，以高准位(High Level)的正压讯号向前推进时，则距其最近的参考层(如接地层)中，理论上必有被该电场所感应出来的负压讯号伴随前行(等于正压讯号反向的回归路径 Return Path)，如此将可完成整体性的回路(Loop)系统。该“讯号”前行中若将其飞行时间暂短加以冻结，即可想象其所遭受到来自讯号线、介质层与参考层等所共同呈现的瞬间阻抗值(Instantanious Impedance)，此即所谓的“特性阻抗”。 是故该“特性阻抗”应与讯号线之线宽(w)、线厚(t)、介质厚度(h)与介质常数(Dk)都扯上了关系。 阻抗匹配不良的后果 由于高频讯号的“特性阻抗”(Z0)原词甚长，故一般均简称之为“阻4.2 抗”。读者千万要小心，此与低频AC交流电(60Hz)其电线(并非传输线)中，所出现的阻抗值(Z)并不完全相同。数位系统当整条传输线的Z0都能管理妥善，而控制在某一范围内(?10,或 ?5,) 但当上述微带线中Z0的者，此品质良好的传输线，将可使得杂讯减少，而误动作也可避免。 四种变数(w、t、h、 r)有任一项发生异常，例如讯号线出现缺口时，将使得原来的Z0突然上升(见上述公式中之Z0与W成反比的事实)，而无法继续维持应有的稳定均匀(Continuous)时，则其讯号的能量必然会发生部分前进，而部分却反弹反射的缺失。如此将无法避免杂讯及误动作了。例如浇花的软管突然被踩住，造成软管两端都出现异常，正好可说明上述特性阻抗匹配不良的问题。 4.3 阻抗匹配不良造成杂讯 上述部分讯号能量的反弹，将造成原来良好品质的方波讯号，立即出现异常的变形(即发生高准位向上的Overshoot，与低准位向下的Undershoot，以及二者后续的Ringing)。此等高频杂讯严重时还会引发误动作，而且当时脉速度愈快时杂讯愈多也愈容易出错。 一、基础知识 电容器是一种储 能元件，在电路中用 于调谐、滤波、耦合、 旁路、能量转换和延 时。电容器通常叫做 电容。 按其结构可分为 固定电容器、半可变 电容器、可变电容器 三种。 1( 常用电容的结构和特点 常用的电容器按其介质材料可分为电解电容器、云母电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容等。 表1 常用电容的结构和特点 电容种类 电 容 结 构 和 特 点 实物图片 它是由铝圆筒做负极，里面装有液体电 解质，插入一片弯曲的铝带做正极制成。 还需要经过直流电压处理，使正极片上 形成一层氧化膜做介质。它的特点是容 铝电解电容 量大，但是漏电大，误差大，稳定性差， 常用作交流旁路和滤波，在要求不高时 也用于信号耦合。电解电容有正、负极 之分，使用时不能接反。有正负极性， 使用的时候，正负极不要接反。 用两片金属箔做电极，夹在极薄的电容 纸中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，然 后密封在金属壳或者绝缘材料(如火漆、 纸介电容 陶瓷、玻璃釉等)壳中制成。它的特点 是体积较小，容量可以做得较大。但是 有固有电感和损耗都比较大，用于低频 比较合适。 结构和纸介电容基本相同。它是在电容 金属化纸介器纸上覆上一层金属膜来代替金属箔， 电容 体积小，容量较大，一般用在低频电路 中。 它是把纸介电容浸在经过特别处理的油油浸纸介电 里，能增强它的耐压。它的特点是电容容 量大、耐压高，但是体积较大。 以玻璃釉作介质，具有瓷介电容器的优玻璃釉电容 点，且体积更小，耐高温。 用陶瓷做介质，在陶瓷基体两面喷涂银 层，然后烧成银质薄膜做极板制成。它 的特点是体积小，耐热性好、损耗小、陶瓷电容 绝缘电阻高，但容量小，适宜用于高频 电路。 铁电陶瓷电容容量较大，但是损耗和 温度系数较大，适宜用于低频电路。 结构和纸介电容相同，介质是涤纶或者 聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介电常数较 高，体积小，容量大，稳定性较好，适薄膜电容 宜做旁路电容。 聚苯乙烯薄膜电容，介质损耗小，绝 缘电阻高，但是温度系数大，可用于高 频电路。 用金属箔或者在云母片上喷涂银层做电 极板，极板和云母一层一层叠合后，再云母电容 压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制 成。它的特点是介质损耗小，绝缘电阻 大、温度系数小，适宜用于高频电路。 它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等 配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化 钽、铌电解 膜做介质制成。它的特点是体积小、容 电容 量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、 温度特性好。用在要求较高的设备中。 也叫做微调电容。它是由两片或者两组 小型金属弹片，中间夹着介质制成。调 半可变电容 节的时候改变两片之间的距离或者面 积。它的介质有空气、陶瓷、云母、薄 膜等。 它由一组定片和一组动片组成，它的容 量随着动片的转动可以连续改变。把两 组可变电容装在一起同轴转动，叫做双 连。可变电容的介质有空气和聚苯乙烯 可变电容 两种。空气介质可变电容体积大，损耗 小，多用在电子管收音机中。聚苯乙烯 介质可变电容做成密封式的，体积小， 多用在晶体管收音机中。 2( 主要性能指标 标称容量和允许误差:电容器储存电荷的能力，常用的单位是F、uF、pF。电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表2。常用固定电容的标称容量系列见表3。一般，电容器上都直接写出其容量，也有用数字来标志容量的，通常在容量小于10000pF的时候，用pF做单位，大于10000pF的时候，用uF做单位。为了简便起见，大于100pF而小于1uF的电容常常不注单位。没有小数点的，它的单位是pF，有小数点的，它的单位是uF。如有的电容上标有“332”(3300pF)三位有效数字，左起两位给出电容量的第一、二位数字，而第三位数字则表示在后加0的个数，单位是pF。 额定工作电压:在规定的工作温度范围内，电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大值不能 超过电容的直流工作电压值。常用的固定电容工作电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、2500V、400V、500V、630V、1000V。 表2 常用固定电容允许误差的等 允许误差 ?2% ?5% ?10% ?20% (+20% -30%) (+50% -20%) (+100%-10%) 级 别 02 ? ? ? ? ? ? 表3 常用固定电容的标称容量系列 电容类别 允许误差 容量范围 标 称 容 量 系 列 纸介电容、金属化100pF-1uF 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 纸介电容、纸膜复5% 合介质电容、低频?10% 1 2 4 6 8 10 15 20 30 1uF-100uF (有极性)有机薄?20% 50 60 80 100 膜介质电容 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 5% 高频(无极性)有 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 机薄膜介质电容、 9.1 1pF-1uF 瓷介电容、玻璃釉 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 电容、云母电容 10% 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2 20% 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 10% 铝、钽、铌、钛电?20% 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 1uF-1000000uF 解电容 +50/-20% (容量单位uF) +100/-10% 绝缘电阻:由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上，电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻，大小是额定 工作电压下的直流电压与通过电容的漏电流的比值。漏电电阻越小，漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。因此，漏电电阻越大越好。 介质损耗:电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示。损耗角越大，电容器的损耗越大，损耗角大的电容不适于高频情况下工作。 表4 常用电容的几项特性 直流工作电运用频率漏电电阻(>M 电容种类 容量范围 准确度 压, V, ,MHz, Ω) 中小型纸介电容 470pF-0.22uF 63-630 8以下 -? >5000 金属壳密封纸介电容 0.01uF-10uF 250-1600 直流，脉动直?>-? >1000-5000 流 中小型金属化纸介电0.01uF-0.22uF 160、250、400 8以下 ?>-? >2000 容 金属壳密封金属化纸0.22uF-30uF 160-1600 直流，脉动电?>-? >30-5000 介电容 流 薄膜电容 3pF-0.1uF 63-500 高频、低频 ?>-? >10000 云母电容 10pF-0.51uF 100-7000 75-250以下 02-? >10000 瓷介电容 1pF-0.1uF 63-630 低频、高频 02-? >10000 铝电解电容 1uF-10000uF 4-500 直流，脉动直?? 流 钽、铌电解电容 0.47uF-1000uF 6.3-160 直流，脉动直?? 流 瓷介微调电容 2/7pF-7/25pF 250-500 高频 >1000-10000 可变电容 7pF-1100pF 100以上 低频，高频 >500 3(命名方法 根据部颁标准(SJ-73)规定，电容器的命名由下列四部分组成:第一部分(主称);第二部分:(材料);第三部分(分类特征);第四部分(序号)。它们的型号及意义见下表。 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 用字母表示主称 用字母表示材料 用数字或字母表示特征 序号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 C 瓷介 T 铁电 I 玻璃釉 W 微调 O 玻璃膜 J 金属化 Y 云母 X 小型 V 云母纸 S 独石 Z 纸介 D 低压 J 金属化纸 M 密封 B 聚苯乙烯 Y 高压 F 聚四氟乙烯 C 穿心式 L 涤纶 C 电容器 S 聚碳酸酯 包括: Q 漆膜 品种、尺寸、代号、温 度特性、直流工作电 H 纸膜复合 压、标称值、允许误差、 标准代号。 D 铝电解 A 钽电解 G 金属电解 N 铌电解 T 钛电解 M 压敏 E 其他材料 表6 第三部分是数字时所代表的意义: 符号 特征(型号的第三部分)的意义 (数字) 瓷介电容器 去母电容器 有机电容器 电解电容器 1 圆片 非密封 箔式 2 管型 非密封 非密封 箔式 3 迭片 密封 密封 烧结粉液体 4 独石 密封 密封 烧结粉固体 5 穿心 穿心 6 7 无极性 8 高压 高压 高压 9 特殊 特殊 4(选用常识 电容在电路中实际要承受的电压不能超过它的耐压值。在滤波电路中，电容的耐压值不要小于交流有效值的1.42倍。使用电解电容的时候，还要注意正负极不要接反。 不同电路应该选用不同种类的电容。揩振回路可以选用云母、高频陶瓷电容，隔直流可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容，滤波可以选用电解电容，旁路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。 电容在装入电路前要检查它有没有短路、断路和漏电等现象，并且核对它的电容值。安装的时候，要使电容的类别、容量、耐压等符号容易看到，以便核实。 二、电容器检测的一般方法 1.固定电容器的检测. A10pF以下的小电容 。因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。 B10PF,001μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是:在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C001μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。 2.电解电容器的检测 A 量程。根据经验，一般情况下，1,47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。 B将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。C 任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。D 行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。 3.可变电容器的检测 A用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。B 手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。CR×10k挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中，如果指针有时指向零，说明动片和定片之间存在短路点;如果碰到某一角度，万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值，说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象 ?1.整流元件(晶闸管) 简单地说:整流器是把单相或三相正弦交流电流通过整流元件变成平稳的可调的单方向的直流电流。其实现条件主要是依靠整流管,晶闸管等元件通过整流来实现.除此之外整流器件还有很多,如: 可关断晶闸管GTO,逆导晶闸管，双向晶闸管，整流模块,功率模块IGBT,SIT,MOSFET等等,这里只探讨晶闸管. 晶闸管又名可控硅,通常人们都叫可控硅.是一种功率半导体器件,由于它效率高,控制特性好,寿命长,体积小等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门独立的学科.“晶闸管交流技术”。 晶闸管发展到今天，在工艺上已经非常成熟，品质更好，成品率大幅提高，并向高压大电流发展。目前国内晶闸管最大额定电流可达5000A，国外更大。我国的韶山电力机车上装载的都是我国自行研制的大功率晶闸管。 晶闸管的应用: 一、可控整流 如同二极管整流一样，可以把交流整流为直流，并且在交流电压不变的情况下，方便地控制直流输出电压的大小即可控整流，实现交流——可变直流 二、交流调压与调功 利用晶闸管的开关特性代替老式的接触调压器、感应调压器和饱和电抗器调压。为了消除晶闸管交流调压产生的高次谐波，出现了一种过零触发，实现负载交流功率的无级调节即晶闸管调功器。交流——可变交流。 三、逆变与变频 直流输电:将三相高压交流整流为高压直流，由高压直流远距离输送以减少损耗，增加电力网的稳定，然后由逆变器将直流高压逆变为50HZ三相交流。直流——交流 中频加热和交流电动机的变频调速、串激调速等变频，交流——频率可变交流 四、斩波调压(脉冲调压) 斩波调压是直流——可变直流之间的变换，用在城市电车、电气机车、电瓶搬运车、铲车(叉车)、电气汽车等，高频电源用于电火花加工。 五、无触点功率静态开关(固态开关) 作为功率开关元件，代替接触器、继电器用于开关频率很高的场合 晶闸管导通条件: 晶闸管加上正向阳极电压后，门极加上适当正向门极电压，使晶闸管导通过程称为触发。晶闸管一旦触发导通后，门极就对它失去控制作用，通常在门极上只要加上一个正向脉冲电压即可，称为触发电压。门极在一定条件下可以触发晶闸管导通，但无法使其关断。要使导通的晶闸管恢复阻断，可降低阳极电压，或增大负载电阻，使流过晶闸管的阳极电流减小至维持电流(IH)(当门极断开时，晶闸管从较大的通态电流降至刚好能保持晶闸管导通所需的最小阳极电流叫维持电流)，电流会突然降到零，之后再提高电压或减小负载电阻，电流不会再增大，说明晶闸管已恢复阻断。 根据晶闸管阳极伏安特性，可以总结出: 1(门极断开时，晶闸管的正向漏电流比一般硅二极管反向漏电流大，且随着管子正向阳极电压升高而增大。当阳极电压升到足够大时，会使晶闸管导通，称为正向转折或“硬开通”。多次硬开通会损坏管子。 2(晶闸管加上正向阳极电压后，还必须加上触发电压，并产生足够的触发电流，才能使晶闸管从阻断转为导通。触发电流不够时，管子不会导通，但此时正向漏电流随着增大而显著增大。晶闸管只能稳定工作在关断和导通两个状态，没有中间状态，具有双稳开关特性。是一种理想的无触点功率开关元件。 3(晶闸管一旦触发导通，门极完全失去控制作用。要关断晶闸管，必须使阳极电流<维持电流，对于电阻负载，只要使管子阳极电压降为零即可。为了保证晶闸管可靠迅速关断，通常在管子阳极电压互降为零后，加上一定时间的反向电压。 晶闸管主要特性参数 1(正反向重复峰值电压——额定电压(VDRM 、 VRRM取其小者) 2(额定通态平均电流IT(AV)——额定电流(正弦半波平均值) 3(门极触发电流IGT，门极触发电压UGT， (受温度变化) 4(通态平均电压UT(AV)即管压降 5(维持电流IH与掣住电流IL 6(开通与关断时间 晶闸管合格证基本参数 IT(AV)= A(TC=?)------通态平均电流 VTM= V -----------通态峰值电压 VDRM = V -------------断态正向重复峰值电压 IDRM= mA -------------断态重复峰值电流 VRRM= V -------------反向重复峰值电压 IRRM = mA ------------反向重复峰值电流 IGT = mA ------------门极触发电流 VGT= V ------------门极触发电压 执行标准:QB-02-09 晶闸管的选择: 晶闸管的过载能力差，根据实际最大电流还要乘以1.5~3倍，即电流裕量。通常按平均电流IT(AV) 选取，额定电流的有效值ITe(即均方根值)为平均电流的1.57倍。 波形系数Kf=Ite/IT(AV)=1.57 额定电压应取实际工作时的可能最大电压2~3倍，即电压裕量。 同时还要加上必要的保护措施。 门极触发电流:几十个mA~几百mA，离开这个范围可能误触发或难触发 门极触发电压:3V左右 台面有凹台和凸台之分，散热器与此有关 ?2.主电路型式及多相整流 一(单相 1( 单相半波可控整流电路 2( 单相全波可控整流电路(双半波) 3( 单相半控桥式可控整流电路 4( 单相桥式可控整流电路 二(三相 1( 三相半波可控整流电路 ( 三相桥式全控整流电路 2 3( 三相桥式半控整流电路 4( 三相全控桥式同相逆并联整流电路 5( 双反星形带平衡电抗器可控整流电路 6( 双反星形带平衡电抗器全电路同相逆并联可控整流Δ/Y?Y+ Y?Y 三(多相整流 多相整流可以大幅降低高次谐波电流，减少对电网的污染。 不论是三相桥式还是双反星形电路都可以组成多相整流。如12、24、36、48脉波，即在一个交流周波中直流脉动次数。一般来说，24脉波以上变压器结构相对较复杂，整变阀侧出线铜排较多，这样带来了一些其它困难。大容量机组可以用多台整流机组，通过移相相位差及并联运行来实现多相整流。 ?3.保护 可控硅本身在选择时就已准备了很大的电流电压裕量。为了使整流器可靠的工作，还必须加上各种保护。过流，限流，过压，快熔断，元件损坏，水压异常，水温高，缺相，欠支路，桥臂过热，防雷击，控制电路过流过压失控等;整变轻重瓦斯，油温异常。 1(晶闸管关断过电压(换流过电压、空穴积蓄效应过电压)及保护 晶闸管从导通到阻断，线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，在关断过程中，管子在反向作用下，正向电流下降到零时，元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使残存的载流子迅速消失，这时反向电流减小即diG/dt极大，产生的感应电势很大，这个电势与电源串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压(换相过电压)。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施:在晶闸管两端并接阻容吸收电路。 2(交流侧过电压及其保护 由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程，会产生操作过电压。高压合闸的瞬间，由于初次级之间存在分布电容，初级高压经电容耦合到次级，出现瞬时过电压。措施:在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容，就可以显著减小这种过电压。与整流器并联的其它负载切断时，因电源回路电感产生感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时，初级拉闸，因变压器激磁电流的突变，在次级感生出很高的瞬时电压，这种电压尖峰值可达工作电压的6倍以上。交流电网遭雷击或电网侵入干扰过电压，即偶发性浪涌电压，都必须加阻容吸收路进行保护。 3(直流侧过电压及保护 当负载断开时或快熔断时，储存在变压器中的磁场能量会产生过电压，显然在交流侧阻容吸收保护电路可以抑制这种过电压，但由于变压器过载时储存的能量比空载时要大，还不能完全消除。措施:能常采用压敏吸收进行保护。 4(过电流保护 一般加快速熔断器进行保护，实际上它不能保护可控硅，而是保护变压器线圈。 5(电压、电流上升率的限制 ?4.均流与晶闸管选择 均流不好，很容易烧坏元件。为了解决均流问题，过去加均流电抗器，噪声很大，效果也不好，一只一只进行对比，拧螺丝松紧，很盲目，效果差，噪音大，耗能。我们采用的办法是:用计算机程序软件进行动态参数筛选匹配、编号，装配时按其号码顺序装配，很间单。每一只元件上都刻有字，以便下更换时参考。这样能使均流系数可达到0.85以上。为了减少并联，选用大元件。这样可以进一步提高均流度，并减小损耗，因为每一只元件都存在一个 压降， 这也是整流器的主要损耗。 ?5.触发控制电路 目前，可控硅触发电路有很多:模拟IC集成触发电路，其中有国产IC KJ004(KJ009); 进口IC有TCA785 ，787电路;数字触发(一种逻辑芯片)模拟控制，可同步锁相;单片机触发控制电路也越来越广泛应用，都可PI调节。都能满足可控硅的触发要求。 设计要求 (1)画出电路原理图; (2) 元气件及其参数选择; (3) 电路仿真; (4) SCH文件生成。 2 技术任务 (1) 具有调压功能,输出电压范围100到220伏; (2)具有输出电压可调功能。可根据需要调节输出电压; (3) 所设计的电路具有一定的抗干扰功能。 3 编写设计报告 写出设计的全过程，附上有关资料和图纸，用心得体会。 4 答辩 在规定的时间内，完成叙述并回答问题。 可控硅交流调压电路 摘要:介绍一种交流调压电路的组成,性能,工作原理,并给出了电路原理图及参数的选择。 关键字:可控硅,双结晶体管,可变电阻,抗干扰电路 1 引言 可控硅是一种新型的半导体器件,它有体积小,重量轻,效率高,寿命长,动作快以及使用方便等优点。目前,交流调 压器多采用可控硅调压。下面介绍的是一种用可控硅为主要器件来实现自动调压的电路。 2 总体设计方案 2(1 可控硅交流调压电路设计思路 (1)电网提供220伏(有效值)50赫兹,通过整流电路变成单向的脉动 电流。 (2)将单向脉动支流电送到可控硅,经电阻降压,作为触发电路的直流电源。 (3)通过对电容的冲放电来控制张弛振荡器。 (4)形成一个尖脉冲送到可控硅的控制极。 (5)调节电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,来改变可控硅的导通时刻从而改变输出电压。 2(2 可控硅交流调压电路的原理方框图如图1所示 图1 可控硅交流调压方框图 (1)整流电路采用桥式整流,将220伏,50赫兹交流电压变为脉动直流电。 (2)抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。 (3)可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。 (4)张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。 (5)冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。 2(3 电路原理图 图2 交流调压电路的原理图 2(4 工作原理 图中TVP抗干扰普通电源电路。采用双向TVP管子。它对于电网的尖脉冲电压和雷电叠加电压等等干扰超过去额定的数值量,都能有效的吸 收。 整流电路采用桥式整流,由4只二极管组成,D1,D2,D3,D4组成。双基极二极管组成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后220伏交流电通过负载电阻Rc,二极管D1到D4整流,在可控硅SCH的A ,K两极形成一个脉动的直流电压。该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流的正半周时,整流电路通过电阻R1,可变电阻W1对电容充电。当充电电压T1管的峰值电压Up时,管子由截止变为导通。于是电容C通过T1管的e1,b1结和R2迅速的放电,结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极,使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低,一般小于1伏,所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过0点时,可控硅自行关断。当交流电在负半周时C又重新充电…周而复始。改变可变电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,从而改变可控硅的导通时刻,来改变负载上的的输出电压。 2(5 参数的选择 (1)二极管D1,D2,D3,D4于300伏,整流电流大于0.3安的硅流二极管。型号2CZ21B, 2CZ83E。 (2)晶闸管选用正向与反向电压大于300伏,额定平均电流大于1安的可控硅整流器件。型号 国产3CT。 (3)调压电位器选用阻值围470千欧的WH114—1型的合成炭膜电位器。 (4)电阻R1选用功率为1瓦的金属膜电阻。 (5)电阻R2,R3,R4选用功率为1/8瓦的炭膜电阻。 大多数国家特别是发达国家的政府，为了保护消费者的利益，都制定了一些法律条文来保护产品的安全，对涉及安全、卫生、环境保护和电磁干扰等项目的产品，都直接或间接地要求实行强制性的认证。比如在欧盟国家要求所有电器产品必须满足CE。这就意味着对我们的产品(灯具)而言，必须满足当地的标准后才能进入市场后才能进行销售。为了减少风险，生产厂家、中间商(出口商和进口商)及零售商一般会先选择第三方机构或官方指定的测试部门进行测试认证，获得相应合格证书或 许可 商标使用许可商标使用许可商标使用许可商标使用许可商标使用许可 证后才能批量生产销售。 比较常见的产品认证有:中国CCC(以前长城认证)，欧盟CE，美国UL，加拿大CSA，日本JET/PSE等等。 常见标志含义如下: SASO 国际符合性认证计划(ICCP)是由沙特阿拉伯标准组织(SASO)自1995年起率先执行的一项对规定产品进行包含符合性评定、装船前验货及认证的综合计划，以保证进口的商品出运前能全面符合沙特的产品标准。 CE标志是欧洲共同市场安全标志，是一种宣称产品符合欧盟相关指令的标识。 使用CE标志是欧盟成员对销售产品的强制性要求。目前欧盟已颁布12类产品指令，主要有玩具、低压 电器、医疗设备、电讯 终端(电话类)、自动衡器、电磁兼容、机械等。 FCC是美国联邦通讯委员会的简称，它要求对所有在美国市场上销售的电子产品的电磁干扰进行强制性认证，因此FCC认证是美国联邦法规规定必须获得的认证。 UL是美国保险商实验室，它是一个国际认可的安全检验及UL标志的授权机构，对机电包括民用电器类产品颁发安全保证标志。部分UL安全标准被美国政府采纳为国家标准。产品要行销美国市场，UL认证标志是不可缺少的条件。 GS标志是德国安全认证标志， 它是德国劳工部授权由特殊的TUV法人机构实施的一种在世界各地进行产品销售的欧洲认证标志。GS标志虽然不是法律强制要求，但是它确实能在产品发生故障而造成意外事故时，使制造商受到严格的德国(欧洲)产品安全法的约束，所以GS标志是强有力的市场工具，能增强顾客的信心及购买欲望，通常GS认证产品销售单价更高而且更加畅销。 FDA是美国食品及药品管理局的简称。下设有DHHS部门，针对3类电子产品进行人体安全方面的控制: 1、激光类电子产品;2、微波类电子产品;3、X射线类电子产品。 FDA是美国强制执行的认证之一，进入美国海关及在美销售的上述三类电子产品必须取得FDA的认可和授权。 CB制度是国际电工委员会(，,,,,)建立的一套全球性互认制度， 全球有,,个国家的,,个认证机构参加这一互认制度,这一组织的成员国及成员机构正在不断扩大。企业从其中一个认证机构取得,,证书后，可以较方便地转换成其它机构的认证证书，由此取得进入相关国家市场的准入证。CB制度的成员国包含了所有中国机电产品的重要出口地区:美国、日本、西欧、北欧、波兰、俄国、东盟、南非、澳大利亚和新西兰等。 CSA是加拿大标准协会它成立于1919年， 是加拿大首家专为制定工业标准的非盈利性机构。在北美市场上销售的电子、电器等产品都需要取得安全方面的认证。目前CSA是加拿大最大的安全认证机构，也是世界上最著名的安全认证机构之一 。它能对机械、建材、电器、电脑设备、办公设备、环保、医疗防火安全、运动及娱乐等方面的所有类型的产品提供安全认证。CSA已为遍布全球的数千厂商提供了认证服务，每年均有上亿个附有CSA标志的产品在北美市场销售。 常见认证标志如下: 灯具产品常见危险: 1)机械危险 2)电气危险 3)过热/起火 4)紫外线辐射 灯具安全国际标准:IEC60598-1，IEC60598-2-系列 欧盟安全标准:EN60598-1，EN60598-2-系列 中国国标:GB7000系列 美国标准:UL153(可移式灯具)， UL1598(固定式灯具) 节能灯电子镇流器的设计是照明行业设计的一大难点。很多厂家生产的产品由于质量不过关，给用户造成“节能不节钱”的现象，严重地影响了节能灯的声誉。这其中很大的部分问题是镇流器的质量不过关，镇流器的质量首先是和电路的设计有关，下面就介绍一些笔者的成功设计经验，供大家参考。 节能灯镇流器的原理并不难，难就难在它工作在高温和高密度元件排列的状况下，对元器件之间的搭配要求很高，搭配稍微有点偏差，就会直接导致整批产品质量不过关，目前尚未见到有关的节能灯设计的专著出版。本人在日常的工作中经过大量的实验，经过分析整理浩如烟海的实验数据后，总结出节能灯的十大经验定律。现介绍如下，供大家在设计荧光灯电子整流器时参考。 定律1。隔热层的选用:实际功率在20瓦以下的节能灯不需要隔热层，20瓦以上的节能灯需在灯罩上加装能和外界对流的空气隔热层。 定律2。磁芯的选用规律是:,瓦以下的灯用EE10mm,11瓦以下的灯用EE13mm，15瓦以下的灯用 ，20瓦以下的灯用EE19mm，40瓦以下的灯用EE25mm，60瓦以下的灯用EI28mm，100瓦以下EE16mm 的灯用EI33mm。磁芯间隙的规律是:20瓦以下的灯用0。4mm，40瓦以下的灯用0。6mm，100瓦以下的灯用0。8mm。 定律,。脉冲变压器(俗称磁环)的选用规律是:,瓦以下的灯用,,mm、,K磁环，用电磁线按,:,,:,绕成。,—,,瓦的灯用,,,mm、,K磁环，用电磁线按,:,:,绕成。,,—,,瓦的灯用,,,mm、,K磁环，用电磁线按,:,:,绕成。,,—,,瓦的灯用,,,mm、,K磁环，用电磁线按,:,:,绕成。,,—,,瓦的灯用,,,mm、,K磁环，用电磁线按,:,:,绕成。,,—,,,瓦的灯用,,,mm、,K磁环，用电磁线按,:,:,绕成。 定律,。滤波电解电容器的选用规则是:,瓦以下的灯用,。,uF，,—,,瓦的灯用,。,uF，,,—,,瓦的灯用,。,uF，,,—,,瓦的灯用,,uF，,,—,,瓦的灯用,,uF，,,—,,瓦的灯用,,uF，,,—,,,瓦的灯用,,uF。 定律,。灯头电容的选用规律是:第一，灯头电容的耐压值一定要,,,,伏以上;第二，电容量的选择是这样的，,瓦以下的灯用,,,，,—,,瓦的灯用,,,，,,—,,瓦的灯用,,,，,,—,,瓦的灯用,,,，,,—,,瓦的灯用,,,，,,—,,瓦的灯用,,,，,,—,,瓦的灯用,,,，,,—,,瓦的灯用,,,，,,—,,瓦的灯用,,,，,,—,,,瓦的灯用,,,。 定律,。三极管的选用规则是:,瓦以下的灯用,,,,,，,—,,瓦的灯用,,,,,，,,—,,瓦的灯用,,,,,，,,—,,瓦的灯用,,,,,，,,—,,瓦的灯用,,,,,，,,—,,,瓦的灯用,,,,,。 定律,。保险丝的选用规律是:考虑到镇流器启动时电流较大，,,瓦以下的灯用,安的，,,—,,瓦的灯用,。,安的，,,—,,瓦的灯用,安的，,,—,,瓦的灯用,。,安的，,,—,,,瓦的灯用,安的。 定律,。三极管基极电阻的选用规律是:,,瓦以下的灯用,,,,，,,欧姆，,,—,,瓦的灯用,,,,，,,欧姆，,,—,,瓦的灯用,,,,，,。,欧姆，,,—,,瓦的灯用,,,,，,。,欧姆，,,—,,,瓦的灯用,,,,，,。,欧姆。 定律,。三极管发射极电阻的选用规律是:,,瓦以下的灯用,,,,，,欧姆，,,—,,瓦的灯用,,,,，,欧姆，,,—,,瓦的灯用,,,,，,。,欧姆，,,—,,,瓦的灯用,,，,。,欧姆。 定律,,。电磁线的使用规律是，7瓦以下的灯用,0。10mm, 7—13瓦的灯用,0。17mm, 13—20瓦的灯用,0。25mm, ,,—40瓦的灯用,0。,0mm×,股, ,,—,,0瓦的灯用,0。,0mm×,股。 单向可控硅具有一触即发实现自锁的功能。实验发现，关断单向可控硅的方式有两种:其中一种是众所周知的，就是可控硅的阳极电位低于阴极电位或阳极电流小于维持电流时，可由导通转为关断。别一种则是将可控硅的控制极对地短路，也可以将其关断，本人利用它的这个特性制作了下面这款简单的红外遥控开关电路，如图1所示。 一、工作原理 ,,,,交流电压经电容,,降压，,,,、,,,、,,整流滤波，,,,稳压后输出,,,直流电压给本电路供电用。,,,直流电压再经,,、,,,、,,进一步稳压滤波后供红外接收头,,,作电源用。 开启过程:静态时脉冲放大管外于饱和状态，集电极输出,(,,低电平，此时可控硅触发电路不工作。瞬间按遥控器(各类彩电、,,,遥控器均可)，接收头接收到红外遥控信号，其输出端输出解调后的序列指令脉冲，经,,放大信号分成两路:一路经,,对,,进行充电，别一路经,,对,,进行充电，由于,,的容量远大于,,，所以充电速度较慢，不能使,,导通，而,,上充得的瞬间脉冲电压足以使可控硅,,,触发导通，继电器,得电，常开触点,,,闭合，插座,,中的负载得电工作。,,,作工作状态指示用。 关闭过程:再次按遥控器按键超过,秒时，,,上充得的电压足使,,由截止进入导通状态，从而可将可控硅控制极对地短路，可控硅被关断，继电器失电，触电断开，负截停止工作。随后,,上充得的电压很快通过,,、,,的集电极、发射极对地放电，电路进入等待状态。 二、元件作用与参数选择 ,(电路中采用的一体化红外接收头型号为,,,,,,,,,，它可接收各类遥控发射的红外遥控信号，并输出解调后的序列指令脉冲信号。读者可以根据条件选择其他不同类型的红外接收头，其功能大都相同，相互间可以互换，但管脚排列会有所不同，注意不要将接收头电源端和接地端接错，否则极易造成接收头损坏。,,(为,,可靠地由截止状态进入饱和导通状态，保证可控硅被关断,,必须满足,,的阻值小于,,的β与继电器线圈阻值的乘积，否则将不能关断可控硅。本电路中的继电器型号为,,,,,,,，其线圈阻值约为,,,Ω，那么按照要求,,不得大于,,,Ω(设,,的β,,,,)。 ,(单向可控硅可选择,,,,,,,,，其最大工作电流(,,)和最高工作电压(,,,,)完全能满足本电路的需要，控制极电流在,,μ,,,,μ,之间，故触发灵敏度很高。在制作过程中会发现即使省略,,，可控硅仍可正常触发和关断，但此电路抗干扰性将变差，极易受到外界干扰而使可控硅出现误导通，所以,,绝不可省略。 ,(若发现关断可控硅所需时间偏长，那么可通过适当减小,,的容值进行调节。 什么是太阳能电池 太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。 太阳能电池的原理 太阳光照在半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。 一、太阳能发电方式太阳能发电有两种方式，一种是光—热—电转换方式，另一种是光—电直接转换方式。 (1)光—热—电转换方式通过利用太阳辐射产生的热能发电，一般是由太阳能集热器将所吸收的热能转换成工质的蒸气，再驱动汽轮机发电。前一个过程是光—热转换过程;后一个过程是热—电转换过程，与普通的火力发电一样.太阳能热发电的缺点是效率很低而成本很高，估计它的投资至少要比普通火电站贵5,10倍.一座1000MW的太阳能热电站需要投资20,25亿美元，平均1kW 的投资为2000,2500美元。因此，目前只能小规模地应用于特殊的场合，而大规模利用在经济上很不合算，还不能与普通的火电站或核电站相竞争。 (2)光—电直接转换方式该方式是利用光电效应，将太阳辐射能直接转换成电能，光—电转换的基本装置就是太阳能电池。太阳能电池是一种由于光生伏特效应而将太阳光能直接转化为电能的器件，是一个半导体光电二极管，当太阳光照到光电二极管上时，光电二极管就会把太阳的光能变成电能，产生电流。当许多个电池串联或并联起来就可以成为有比较大的输出功率的太阳能电池方阵了。太阳能电池是一种大有前途的新型电源，具有永久性、清洁性和灵活性三大优点.太阳能电池寿命长，只要太阳存在，太阳能电池就可以一次投资而长期使用;与火力发电、核能发电相比，太阳能电池不会引起环境污染;太阳能电池可以大中小并举，大到百万千瓦的中型电站，小到只供一户用的太阳能电池组，这是其它电源无法比拟的 太阳能电池的分类 太阳能电池按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非结晶系薄膜式(以下表示为a-)两大类，而前者又分为单结晶形和多结晶形。 按材料可分为硅薄膜形、化合物半导体薄膜形和有机膜形，而化合物半导体薄膜形又分为非结晶形(a-Si:H,a-Si:H:F,a-SixGel-x:H等)、?V族(GaAs,InP等)、??族(Cds系)和磷化锌(Zn3p2)等。 太阳能电池根据所用材料的不同，太阳能电池还可分为:硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池四大类，其中硅太阳能电池是目前发展最成熟的，在应用中居主导地位。 (1)硅太阳能电池 硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。 单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。在实验室里最高的转换效率为23%,规模生产时的效率为15%。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于单晶硅成本价格高，大幅度降低其成本很困难，为了节省硅材料，发展了多晶硅薄膜和非晶硅薄膜做为单晶硅太阳能电池的替代产品。 多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较,成本低廉，而效率高于非晶硅薄膜电池，其实验室最高转换效率为18%,工业规模生产的转换效率为10%。因此，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。 非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻，转换效率较高，便于大规模生产，有极大的潜力。但受制于其材料引发的光电效率衰退效应，稳定性不高，直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题，那么，非晶硅大阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品之一。 (2)多元化合物薄膜太阳能电池 多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。 硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产品。 砷化镓(GaAs)III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。 铜铟硒薄膜电池(简称CIS)适合光电转换，不存在光致衰退问题，转换效率和多晶硅一样。具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。唯一的问题是材料的来源，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到限制。 (3)聚合物多层修饰电极型太阳能电池 以有机聚合物代替无机材料是刚刚开始的一个太阳能电池制造的研究方向。由于有机材料柔性好，制作容易，材料来源广泛，成本底等优势，从而对大规模利用太阳能，提供廉价电能具有重要意义。但以有机材料制备太阳能电池的研究仅仅刚开始，不论是使用寿命，还是电池效率都不能和无机材料特别是硅电池相比。能否发展成为具有实用意义的产品，还有待于进一步研究探索。 (4)纳米晶太阳能电池 纳米TiO2晶体化学能太阳能电池是新近发展的，优点在于它廉价的成本和简单的工艺及稳定的性能。其光电效率稳定在10,以上，制作成本仅为硅太阳电池的1/5,1/10(寿命能达到2O年以上。 但由于此类电池的研究和开发刚刚起步，估计不久的将来会逐步走上市场。 太阳能电池(组件)生产工艺 组件线又叫封装线，封装是太阳能电池生产中的关键步骤，没有良好的封装工艺，多好的电池也生产不出好的组件板。电池的封装不仅可以使电池的寿命得到保证，而且还增强了电池的抗击强度。产品的高质量和高寿命是赢得可客户满意的关键，所以组件板的封装质量非常重要。 流程: 1、电池检测——2、正面焊接—检验—3、背面串接—检验—4、敷设(玻璃清洗、材料切割、玻璃预处理、敷设)——5、层压——6、去毛边(去边、清洗)——7、装边框(涂胶、装角键、冲孔、装框、擦洗余胶)——8、焊接接线盒——9、高压测试——10、组件测试—外观检验—11、包装入库 组件高效和高寿命如何保证: 1、高转换效率、高质量的电池片; 2、高质量的原材料，例如:高的交联度的EVA、高粘结强度的封装剂(中性硅酮树脂胶)、高透光率高强度的钢化玻璃等; 3、合理的封装工艺 4、员工严谨的工作作风; 由于太阳电池属于高科技产品，生产过程中一些细节问题，一些不起眼问题如应该戴手套而不戴、应该均匀的涂刷试剂而潦草完事等都是影响产品质量的大敌，所以除了制定合理的制作工艺外，员工的认真和严谨是非常重要的。 太阳电池组装工艺简介: 工艺简介:在这里只简单的介绍一下工艺的作用，给大家一个感性的认识. 1、电池测试:由于电池片制作条件的随机性，生产出来的电池性能不尽相同，所以为了有效的将性能一致或相近的电池组合在一起，所以应根据其性能参数进行分类;电池测试即通过测试电池的输出参数(电流和电压)的大小对其进行分类。 以提高电池的利用率，做出质量合格的电池组件。 2、正面焊接:是将汇流带焊接到电池正面(负极)的主栅线上，汇流带为镀锡的铜带，我们使用的焊接机可以将焊带以多点的形式点焊在主栅线上。焊接用的热源为一个红外灯(利用红外线的热效应)。焊带的长度约为电池边长的2倍。多出的焊带在背面焊接时与后面的电池片的背面电极相连 3、背面串接:背面焊接是将36片电池串接在一起形成一个组件串，我们目前采用的工艺是手动的，电池的定位主要靠一个膜具板，上面有36个放置电池片的凹槽，槽的大小和电池的大小相对应，槽的位置已经设计好，不同规格的组件使用不同的模板，操作者使用电烙铁和焊锡丝将“前面电池”的正面电极(负极)焊接到“后面电池”的背面电极(正极)上，这样依次将36片串接在一起并在组件串的正负极焊接出引线。 4、层压敷设:背面串接好且经过检验合格后，将组件串、玻璃和切割好的EVA、玻璃纤维、背板按照一定的层次敷设好，准备层压。玻璃事先涂一层试剂(primer)以增加玻璃和EVA的粘接强度。敷设时保证电池串与玻璃等材料的相对位置，调整好电池间的距离，为层压打好基础。(敷设层次:由下向上:玻璃、EVA、电池、EVA、玻璃纤维、背板)。 5、组件层压:将敷设好的电池放入层压机内，通过抽真空将组件内的空气抽出，然后加热使EVA熔化将电池、玻璃和背板粘接在一起;最后冷却取出组件。层压工艺是组件生产的关键一步，层压温度层压时间根据EVA的性质决定。我们使用快速固化EVA时，层压循环时间约为25分钟。固化温度为150?。 6、修边:层压时EVA熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边，所以层压完毕应将其切除。 7、装框:类似与给玻璃装一个镜框;给玻璃组件装铝框，增加组件的强度，进一步的密封电池组件，延长电池的使用寿命。边框和玻璃组件的缝隙用硅酮树脂填充。各边框间用角键连接。 8、焊接接线盒:在组件背面引线处焊接一个盒子，以利于电池与其他设备或电池间的连接。 9、高压测试:高压测试是指在组件边框和电极引线间施加一定的电压，测试组件的耐压性和绝缘强度，以保证组件在恶劣的自然条件(雷击等)下不被损坏。 10、组件测试:测试的目的是对电池的输出功率进行标定，测试其输出特性，确定组件的质量等级。 太阳能电池阵列设计步骤,.计算负载24h消耗容量P。 P=H/V V——负载额定电源 2.选定每天日照时数T(H)。 3.计算太阳能阵列工作电流。 IP=P(1+Q)/T Q——按阴雨期富余系数，Q=0.21,1.00 4.确定蓄电池浮充电压VF。 镉镍(,,)和铅酸(,,)蓄电池的单体浮充电压分别为1.4,1.6V和2.2V。 5.太阳能电池温度补偿电压VT。 VT=2.1/430(T-25)VF 6.计算太阳能电池阵列工作电压VP。 VP=VF+VD+VT 其中VD=0.5,0.7 约等于VF 7.太阳电池阵列输出功率,,平板式太阳能电板。 WP=IP×UP 8.根据VP、WP在硅电池平板组合系列表格，确定标准规格的串联块数和并联组数。 一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数,断态电压临界上升率dlvdlt。它表明晶闸管(可 控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。 在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。 由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。 二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择 电容的选择 C=(2.5-5)×10的负8次方×If If=0.367Id Id-直流电流值 如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅) 可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF 选用2.5mF，1kv 的电容器 电阻的选择: R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56 选择10欧 PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2 Pfv=2u(1.5-2.0) u=三相电压的有效值 阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。 小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆1W，C=0.01微法400~630V。 大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆10W，C=1微法630~1000V。 R的选取:小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻;大功率选RX21线绕或水泥电阻。 C的选取:CBB系列相应耐压的无极性电容器。 看保护对象来区分:接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴;接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。 随着多种电器进入家庭，人们不免要担心受到电磁辐射的伤害，但一般人却未曾想到自制个简单的小装置，检测一下电磁辐射是否会危及你和家人的健康。这里介绍的电磁辐射检测器采用极简单的电路设计和最常见的廉价元件(爱好者可自己动手制作。 1(原理 如图1所示。检测器所用的敏感元件是一个与场效应晶体管(T1)连接的电感线圈(L1)。T1是通过串接的固定电阻(R1)和可变电阻(AJ1)在其导 电区始端被极化的。T1的漏极上将呈现出L1中产生的经过放大的电动势。呈现在电阻R2端脚上的被放大的信号经由电容C1送到设置在围绕NPN晶体管T2建立的公共发射极上的第二放大级。T2的集电极上呈现的信号的幅度当然取决于周围的辐射强度;如果用示波器进行测试时，可在T2集电极看到100mV以上的电压波形。电容C2是耦合电容，它将T2放大后的信号送到T3，同时又起到隔直流的作用。 T3的基极是通过固定电阻R5、R6和可变电阻AJ2建立偏置电压的。调节AJ2可使T3达到无辐射截止点，从而熄灭集电极电路中的发光二极管D1。当辐射达到一定强度时，T2输出信号的负半波将导通T3，从而点亮发光 二极管D1。电阻R7可限制通过发光二极管D1的电流。 因为检测器只是用来判断辐射污染范围的，所以要设置一个简单的开关按钮(P1)。电容C3作电源(BAT1)滤波用。 2(制作 图2为印制电路布线图。图3为元件装配图。考虑到整个电路和电池要装在一个塑料盒里。印制电路的尺寸不能太大，元件的插脚不能留得过长，以免装不进去或盖不上盖子。 3(调试 安装完毕后，首先把检测器放置在远离照明线或电压较高的电线的位置上(例如房间中央)。当检查晶体管和发光二极管的安装方向正确之后，要顺时针方向旋转AJ1，直至电压达到9V，指示灯点亮为止。调节前，最好用电烙铁把按钮P1临时焊下来。否则在调节过程中要一直按住该按钮。向正反两个方向调节AJ2，调节应起始于发光二极管点亮状态，终止于熄灭状态。一旦发光二极管熄灭，AJ2就已调节到位。不要再调。调节AJ1时。检测器应靠近(距离几厘米)辐射源(如壁嵌式电源插座、电视机、HI-FI设备等)。 在逆时针方向旋转AJ1的情况下，当调到某一特定位置时，检测器越是接近辐射源，发光二极管就越是容易点亮 先把检测器逐步移近辐射源，一直移到D1开始发光的位置;再把检测器逐步移开，一直移到D1不再持续发光的位置。若晶体管T1持续导通，则表明AJ1还没有调节好。AJ1虽不容易一次调准，但只需反复进行几次就可调节到位。 调准AJl之后就可以试用检测器了。试用结果表明，只要离开视频设备或计算机屏幕1m以上。离开电子闹钟40cm以上，离开床头灯电源线20cm以上，就不会受电磁辐射伤害。你还会发现。接地金属屏蔽罩具有令人称奇的防辐射效果，被屏蔽设备的对外辐射量接近于零。检测器还可测出从电源线上牵出的插座板或配线板上的开关是否已关断等。总之，你会随时发现它的新用途。 电路概述: 这是一个很有特色的电源电路。它不仅电路简单，且造价低廉，制作也非常简单。由 于都是一些常用器件，很适合电子爱好者仿制。电路输出0-15V连续可调，并可输出1A 的电流，很适合我们做简易的实验电源。由R2实现电压调节，Q1在大电流输出时(如1A 电流)必需加散热器。 R1= 56R 2W C5= 100nF 100V R2= 330R 线性电位器 GR1= 4 X 1N4007 C1= 2200uF 35V Q1= 2N3055 C2= 100uF 35V T1=220V@18V 1.5A电源变压器 C3= 10uF 25V D1= 18V 1.5W 稳压管 C4= 220uF 25V / 本逻辑测试笔(仅用一块NE555时基集成块和外围少量的元件组成.这种测试笔可用于对数字电路中的高低信号电平和脉冲信号的有无进行判别。 工作原理: 电路如图所示。如探针悬着时，合上电源开关SA后，红、绿发光二极管VDl,VD2均被点亮。当探针接触到被铡电路其逻辑电平呈"1"时，IC的3脚输出低电平，VDl仍被点亮，VD2熄灭;当探针所测到的逻辑电平呈“0”时，IC的3脚输出为高电乎，VD2被点亮，VD1熄灭。当探针接触到的是连续变化的脉冲信号时，VD1、VD2将交替地被点亮。 使用与制作: 整个电路可直接用导线联接或制作一块小型的印刷电路板，将元器件焊入，再装在一个小盒子内。其电源采用型号为9v层叠电池。VD1、VD2选用高亮度的发光二极管并安装在外壳的表面处，以便观看。探针可用一根合适的铜丝或取一只万用表表棒的一小段。接地端用一只鳄鱼夹接上这样测试时较为方便。