----word.zl-某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V〔以上均为直流电压〕，它的电压增益为〔C〕a、700b、650c、100d、-100当输入信号频率为fL或fH时，电压增益的幅值约下降为中频时的〔B〕a、05.b、0.7c、0.9d、1当输入信号频率为fL或fH时,电压增系下降了(B)。A、2dBB、3dBC、4dBD、6dB某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为〔C〕a、10KΩb、2KΩc、1KΩd、0.5KΩ用两个AU一样的放大电路A和B分别对同一个具有一样阻的电压信号进展放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B〔B〕a、一样b、差c、好d、无法判别用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进展放大。当输出端开路时VOA=VOB，都接入负载RL时，测得VOA
表
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示反相输入端、同相输入端和输出端，那么V0与VN、VP分别成〔D〕a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相假设要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，那么应选用〔D〕 A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路半导体N型半导体是在本征半导体中参加以下物质后形成的〔D〕。a、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素半导体中有两种载流子，它们分别是〔C〕a、电子和受主离子b、空穴和施主离子c、电子和空穴d、受主离子和施主离子在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于〔B〕a、温度b、杂质浓度c、掺杂工艺d、晶体缺陷在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是〔C〕a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为〔A〕a、自由电子和空穴数目都增多，且增量一样b、空穴增多，自由电子数目不变c、自由电子增多，空穴数目不变d、自由电子和空穴数目都不变二极管PN结不加外部电压时，PN结中的电流为〔B〕a、只从P区流向N区b、等于零c、只从N区流向P区d、无法判别流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压〔A〕a、减小b、增大c、根本不变d、无法确定当PN结外加正向电压时，耗尽层将〔C〕a、不变b、变宽c、变窄d、无法判别二极管正向电压从0.7V增大5%时，流过的电流增大为〔B〕a、5%b、大于5%c、小于5%d、不确定温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应〔A〕a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能利用二极管组成整流电路，是应用二极管的〔D〕a、反向击穿特性b、正向特性c、反向特性d、单向导电性PN结形成后，PN结中含有〔D〕a、电子b、空穴c、电子和空穴d、杂质离子PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应〔A〕a、相等b、大于c、小于d、无法确定稳压管能够稳定电压，它必须工作在〔D〕a、正向状态b、反向状态c、单向导电状态d、反向击穿状态以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是〔C〕a、2CZ11b、2AP6c、2CW11d、2CP10在一般电路分析计祘时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型。如下图符号为〔C〕。A、理想模型B、恒压降模型C、折线模型D、小信号模型三极管放大电路的静态是指〔A〕a、输入端短路b、输入端开路c、交流信号短路d、交流信号为零三极管能起放大作用的部条件之一是发射区掺杂浓度〔C〕a、低b、中c、高d、以上均可三极管工作在饱和区时，b-e极间，b-c极间分别为〔D〕a、反偏，反偏b、反偏，正偏c、正偏，反偏d、正偏，正偏三极管工作在放大区时，b-e极间、b-c极间分别为〔D〕a、正编、正编b、反编、反编c、反编、正编d、正编、反编NPN型和PNP型三极管的区别是〔C〕a由两种不同的材料硅或锗构成b、掺入的杂质不同c、P区和N区的位置不同d、以上均否温度升高时，三极管的输出特性曲线将〔A〕a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能温度升高时，三极管极间反向电流将〔A〕a、增大b、减小c、不变d、无法确定某三极管的极限参数PcM=150mW，IcM=100mA，V〔BR〕CEo=30V，假设它的工作电压VcE=10V,那么工作电流Ic不得超过〔C〕a、100mAb、50mAc、15mAd、1mA某三极管的极限参数PCM=150mw，ICM=100mA，V〔BR〕cEO=30V，假设它的工作电压VCE=1V，那么工作电流不得超过〔D〕a、1mAb、15mAc、40mAd、100mA某三极管的极限参数PCM=150mw,ICM=100mA,V(BR)CE0=30V,假设工作电流IC=1mA,那么工作电压不得超过〔A〕a、30Vb、15Vc、10Vd、1V用两个Au一样放大电路A和B分别对同一个具有阻的电压信号进展放大，测试结果为VoA＞VoB,这是由于(C)a、输出电阻小b、输出电阻高c、输入电阻高d、输入电阻小三极管输入电阻rbe与静态电流IE的大小有关，因而rbe是(C)a、交、直流电阻b、直流电阻c、交流电阻d、以上均否如图示Us2=0，从集电极输出，那么该电路属于〔C〕a、无法确定b、共集c、其基d、共发检修某台无使用说明书的电子设备时，测得三极管各电极对地电压数据为VB=-0.2V,VC=-5V,VE=0,那么该三极管为〔B〕a、NPN型,锗管b、PNP型,锗管c、NPN型,硅管d、PNP型,硅管某放大电路，IA=1.5mA，IB=0.03mA,Ic=-1.53mA，那么A，B，C中极性分别是〔D〕a、〔e、b、c〕b、〔b、c、e〕c、〔c、e、b〕d、〔c、b、e〕有二只半导体三极管，A管子的β=200，IcEo=240μA，B管子的β=100，IcEo=20μA其他参数一样，那么管子的好坏为〔C〕a、均一样b、A管好c、B管好d、无法判别三极管能起放大作用的部条件之一是基区宽度〔A〕a、窄b、中c、宽d、以上均可在单管共射极电路中，换上β减小的管子，VCEQ将〔C〕a、不变b、减小c、增大d、无法确定三极管放大电路的三种组态〔D〕a、都有电压放大b、都有电流放大c、只有共射极才有功率放大d、都有功率放大如图示，US1=0，US2≠0从集电极输出，那么该电路属于〔〕a共射b、共基c、共集d、无法判别如下图，US1=0，US2≠0，从发射极输出，那么该电路属于〔C〕a、共射b、共基c、共集d、无法判别检修某台无使用说明书的电子设备时，VB=2.73V，VC=2.3V,VE=2V，那么该三管类型为〔D〕a、NPN型，锗管b、PNP型，硅管c、PNP型锗管d、NPN型硅管某放大电路，IA=-1.8mA,IB=-0.06mA,Ic=1.86mA，那么A、B、C中极性分别为〔A〕a、〔c、b、e〕b、〔b、e、c〕c、〔c、e、b〕d、〔e、c、b〕三极管能起放大作用的部条件之一是集电结面积比发射结面积〔C〕a、小b、一样c、大d、无法确定三极管工作在放大区时，流过发射结电流和流过集电结的电流主要是〔D〕a、均为扩散电流b、均为漂移电流c、漂移电流、扩散电流d、扩散电流、漂移电流温度升高时，VBE随温度上升而发生〔A〕a、减小b、增大c、不变d、无法确定某三极管各极对地的电压为VB=-0.3V，VC=-5.1V，VE=-0.1V，那么该三极管构造及工作状态为〔D〕a、NPN型放大b、PNP型饱和c、NPN型饱和d、PNP型放大晶体三极管的关系式iB=f(uBE)︱VCE,它代表三极管〔D〕a、共基极输入特性b、共集电极输入特性c、共射极输出特性d、共射极输入特性对于根本共射放大电路，当RC增大时，其输出电阻〔C〕a、不变b、减小c、增大d、无法确定单管共射极电路中，输入f=1KHZ的正弦电压信号后，分别用示波器观察输入信号和输出信号，那么二者波形应该是〔A〕a、相差180°b、相差90°c、相差45°d、同相对于根本共射放大电路，负载RL减小时，输出电阻〔C〕a、增大b、减小c、不变d、无法确定在单管射极放大电路，Rb、Rc分别是基极和集电极偏置电阻，用直流电压表测出VCEQ≈VCC，有可能因为〔B〕a、Rb短路b、Rb开路c、RC开路d、β过大场效应管场效应管控制漏极电流的大小是利用外加电压产生的〔A〕a、电场b、磁场c、电流d、以上均否场效应管漏极电流是由载流子的漂移动形成，这种载流子是〔B〕a、少子b、多子c、两种载流子d、正负离子三极管和场效应管应分别是〔A〕a电流和电压控制器件b、电压和电流控制器件c、均为电流控制器件d、均为电压控制器件N沟道场效应管的漏极电流是由载流子的漂移形成的，这种载流子是〔D〕a、正负离子b、电子和空穴c、空穴d、电子一场效应管的转移特性曲线如图示，那么它属于类型为〔A〕a、N沟道结型管 b、P沟道结型管c、P沟道MOS管 d、N沟道MOS管一场效应管的转移特性曲线如上图，那么它的VT或VP、ＩDSS分别为〔B〕a、VP=-4V,IDSS=0b、VT=-4V,IDSS=0c、VP=-4V,IDSS=3mAd、VT=-4V,IDSS=3mA结型场效应管改变导电沟道的宽度是利用栅源极间所加电压为〔B〕a、正向b、反向c、以上均可d、以上均否MOS管中的漏极电流〔C〕a、穿过PN结和衬底b、穿过衬底c、不穿过PN结d、穿过PN结功率放大电路在甲类、乙类、甲乙类放大电路，效率最低的是〔B〕a、一样b、甲类c、乙类d、甲乙类在甲类、乙类、甲乙类放大电路中，属于OCL电路是〔B〕a、甲类b、乙类c、甲乙类d、均不是一场效应管的转移特性如图示，那么它属于类型为〔〕a、P沟道耗尽型管b、N沟道耗尽型管c、P沟道增强型管d、N沟道增强型管互补对称功率放大电路失真较小而效率又较高是采用〔B〕a、甲类放大b、甲乙类c、乙类放大d、以上均可在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导电角较小的是〔D〕a、一样b、甲类c、甲乙类d、乙类在甲乙类电路中采用自举电容的目的，是将电压〔A〕a、提高b、降低c、保持稳定d、无法确定由于功放电路中的三极管常处于接近极限工作状态，因此在选择三极管时必须特别注意的参数之一为〔D〕a、IcBob、βc、ƒTd、PcM功放电路输入幅度大，增益高，因此常采用的分析方法是〔C〕a、微变等效法b、π型法c、图解法d、叠加法在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，存在交越失真的电路是〔B〕a、甲类b、乙类c、甲乙类d、均存在在甲类、乙类和甲乙类放大电路中效率最高是〔C〕a、甲类b、甲乙类c、乙类d、无法确定在功放电路中属于OTL电路的是〔B〕a、双电源甲乙类b、甲类c、双电源乙类d、以上均否在甲乙类电路中采用自举电容的目的，是将电压〔A〕a、提高b、降低c、保持稳定d、无法确定〔互补对称〕功率放大电路失真较小而效率又较高是采用〔B〕a、甲类放大b、甲乙类c、乙类放大d、以上均可负反应信号源阻很小，要求充分发挥负反应作用，应选〔B〕。A、并联负反应B、串联负反应C、电压负反应D、电流负反应为稳定静态工作点，应选择的负反应组态为〔A〕a、直流负反应b、交流负反应c、电压负反应d、电流负反应要求提高输入电阻，应选择负反应组态为〔C〕a、交流负反应b、并联负反应c、串联负反应d、电流负反应要求提高输出电阻，应选择负反应组态为〔A〕a、电流负反应b、串联负反应c、并联负反应d、电压负反应负反应放大电路只须满足下述条件就将产生自激振荡〔B〕a、反应量与净输入量幅值相等b、c、反应量与净输入量同极性d、以上均否负反应放大电路中，当AF=-1，那么该电路将处于〔C〕a、开环状态b、深度闭环状态c、自激状态d、无法确定差分放大电路电流源电路是一个〔D〕a、四口网络b、三口网络c、二口网络d单口网络差分放大电路的主要性能指标仅与〔B〕a、输入方式有关b、输出方式有关c、两者均有关d、两者均无关共模抑制比KcMR越大，说明电路〔C〕a、放大倍数越稳定b、交流放大倍数越大c、抑制温漂能力越强d、输入信号中差模成分越大集成运放部是直接耦合放大电路，因此能放大〔C〕a、直流信号b、交流信号c、交直流信号d、两者均否为了减小温漂，减小输出电阻，大多输入级和输出级分别采用〔D〕a、共集或共漏b、互补对称和电流源c、差分和电流源d、差分和互补对称差分放大电路双端输出时的差模电压增益与半边差模等效电路的电压增益应是〔B〕a、1倍b、相等c、2倍d、一半差模输入电阻不管双端输入还是单端输入方式，应是半边差模等效电路输入电阻的〔D〕a、一半b、相等c、1倍d、2倍在采用正反应的条件下，如果正弦波振荡电路反应网络的相移为фf，放大电路的相移为фa，那么满足相位的平衡条件是〔фa+фf〕为〔B〕a〔2n-1〕πb、2nπc、〔2n+1〕πd、无法确定要使电路振荡，只要满足相位条件，且︱AF︱应〔A〕a、大于1b、等于0.5c、小于1d、等于零正弦波振荡电路为正反应电路，产生正弦波振荡的条件是〔C〕A、=-1 B、=0 C、=1 D、|1+|≥1RC串并联桥式震荡电路〔文氏电桥震荡电路〕A=〔A〕A、3B、-3C、1/3D、-1/3以下传递函数哪个为二阶低通滤波电路的传递函数〔B〕A、B、C、D、在图示方波发生器中，A为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为12V；稳压管和二极管的正向导通电压均为0.7V。正常工作时，输出电压峰-峰值为〔 C〕。a、4.6V b、6V c、12V d、24Ve、9.2V正弦波振荡电路如下图，集成运放A具有理想特性，电阻R2＝10k，R1＝4.7k〔可调〕＋18k时，试选择正确
答案
八年级地理上册填图题岩土工程勘察试题省略号的作用及举例应急救援安全知识车间5s试题及答案
填空：(A)a、能振荡，且uO波形较好；b、能振荡，且uO波形不好；c、不振d、无法判别在图示电路中，A为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为12V；稳压管和二极管的正向导通电压均为0.7V。正常工作时，输出电压峰-峰值为12V的〔 B 〕。A、三角波 Ｂ、方波 Ｃ、正弦波 D、以上均不对正弦波振荡电路为正反应电路，产生正弦波振荡的条件是〔C〕A、=-1 B、=0 C、=1 D、ＡＦ＝１图示电路中〔二极管为理想〕，假设U2=20V，那么VL=(A)A、18VB、20VC、24VD、28.28上图中将RL换成电容C输出电压平均值Uo(AV)=(D)。A、18VB、20VC、24VD、28.28V图示电路中〔二极管为理想〕，假设U2=20V(有效值，50Hz)、Ｒ=110Ω，输出电压Vo(平均值)=24V。试求C=(B)a、2200μFb、470μFc、1000μFd、220μF假设要组成输出电压可调、最大输出电流为1A的小功率直流稳压电源，那么应采用。(C)a、电容滤波稳压管稳压电路b、电感滤波稳压管稳压电路c、电容滤波串联型稳压电路d、电感滤波串联型稳压电路图示电路中〔二极管为理想〕，假设U2=20V(有效值，50Hz)、ＲC=50ms，那么输出电压 Vo=(D )。A、28.28VB、20VC、18VD、24V电感滤波与电容滤波相比，哪一个整流管的导电角较大〔A〕a、电感滤波b、电容滤波c、相等d、不能确定串联反应式稳压电路，指的是(B)。A、电路采用电压串联负反应放大电路B、电路采用的BJT与负载串联C、电路采用串联反应电路D、以上均不景一．选择
题
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1．在反应放大电路中，如果反应信号和输出电压成正比，称为__C___反应。A.电流 B. 串联 C.电压 D.并联2．在以下图所示的硅三极管放大电路中，虚线表示短路故障，×表示断路故障。当用电压表测量图中各故障电路的集电极对地静态电压时，电压读数分别约为 ①___-12_______V，②__-0.7_____V，③___15____V，④___15___V。3．定性判断图示各放大电路的根本构造是否有错误，假设有错，那么指出错误性质〔从下面列出的错误性质中选择正确答案，用A、B、C…答复〕。A．极性不正确；B．栅、源间缺少必要的正向静态电压；；C．栅、源间缺少必要的负向静态电压；；D．输入信号被短路；E．输入信号开路.。 ①____C___②_____B_____③____C_____4．当图示电路中晶体管的从100降低到80〔其它参数不变〕，电路的电压放大倍数将_B___，输入电阻将__C__，输出电阻将__C__。〔A．增大， B．减小， C．变化不大〕从括号中选择正确答案,用A、B、C填空。 二．判断题1．甲、乙两同学在推导输出电压的表达式时，得到如下不同的结果。你认为谁的结果正确？图示运算电路中，A1、A2为理想运算放大器。甲：乙：2．假设，，，你认为输出电压＝？3．放大电路和测得的信号电压波形如下图，试问该放大电路产生了饱和失真还是截止失真，为了减小失真，应增大还是减小？ 三、计算题〔〕1．微分运算电路如图〔a〕所示，图〔b〕为输入电压波形，A为理想运算放大器。试画出输出电压的波形图，并标明有关数值。 在如下图全波整流滤波电路中，变压器副边中心抽头接地，，变压器阻和二极管的正向电阻均可忽略不计，电容C取值满足RLC＝〔3～5〕〔T＝20ms〕。〔1〕．输出电压平均值?〔2〕．假设P1开路，是否为原来的一半？〔3〕．假设P3开路，那么？〔4〕．假设P4开路，那么？〔5〕．假设P1、P3均开路，那么？3．在如下图OCL电路中，VT1的偏置电路未画出。输入电压为正弦波，VT1所构成的共射放大电路的电压放大倍数，共集放大电路的电压放大倍数约为1。设输入电压有效值＝0.5V，试问：〔1〕．输出功率Po？〔2〕．电源消耗的功率PV？设VT1的功耗和VT2、VT3的静态功耗可忽略。〔3〕．VT2、VT3集电极的功耗各为约多少？〔4〕．电路的效率 4．图示电路中晶体管的＝110，，UBEQ＝－0.3V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。〔1〕．估算电路静态时的、、；〔2〕．求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。如下图电路，试用二极管折线模型求解以下问题(设Vth=0.5V、rD=200Ω)。画该电路的电压传输特性曲线〔即Vo=f(Vi)〕Vi=0V、4V时相应的输处电压Vo值〔取两位有效数字放大电路A=1000，由于环境温度的变化使增益下降为900，引入负反应后(F=0.099)，求闭环增益AF的相对变化量(△AF/AF)。如下图电路，A为理想运放，V1=0.1V、V2=0.2V、V3=0.3V,R1=1k、R2=2k、R3=5k、R4=10k，求Vo＝？对于乙类互补对称电路设Vcc=12V、RL=4Ω，三极管极限参数为Icm=3.5A、|V〔BR〕CEO|=30V、Pcm=5W最大输出处(理想)功率Pom及效率η。6%检验所给管子是否平安〔判断过程3%，结论1%〕如下图电路中，设Vcc=VEE=15V，Rc=RL=10K，Re=14.3K,β=50。求：(1)Vs1=10mvVs2=20mv求VsdVsc;(2)双端输出时的差模电压增益Avd;(3)当RL接在T1管的集电极与地之间时的差模电压增益Avd1、共模电压增益Avc1和共模抑制比KCMR1:如下图电路，R1=100K、C=2uF且t=0时Vc(0)=0,Vs输入如下图。试画出Vo的波形，并标出Vo的幅值和回零时间。负反应对放大电路性能的改善表现在那几方面？N沟道场效应管的种类及电路符号？画出串联反应式稳压电路一般构造图，为什么称为串联式稳压电路？属于什么负反应类型？为什么该类型具有稳压作用？如下图电路，A1、A2、A3为理想运级，V1、V2为输入，求Vo输出表达式
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