特点
85Vac~265Vac宽电压输入
待机功耗小于 120mW@220Vac
集成高压启动电路
集成高压功率开关
60KHz固定开关频率
9V~30V宽 VDD工作电压范围
电流模式 PWM控制方式
内置过温、过流、过压、欠压
等保护功能
兼容 VIPer22管脚
(不需要修改电路走线及变压
器)
封装形式:DIP8
应用领域
小功率充电器
小功率适配器
待机电源
DVD、DVB以及其他便携式设备
电源
概述
LK VIPer22A是采用电流模式 PWM控制方式的功率开关芯片,集成
高压启动电路和高压功率管,为低成本开关电源系统提供高性价比的解
决
方案
气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载
。
芯片 VDD的工作电压范围宽,很方便的应用于充电器领域。芯片提
供了过温、过流、过压、欠压等保护功能,保证了系统的可靠性。
管脚图
DIP8
输出功率
表
关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf
输入电压
85Vac~265Vac 180Vac~265Vac
输出功率
12W 20W
注:输出功率 10W以上,建议根据实际方案增加散热
措施
《全国民用建筑工程设计技术措施》规划•建筑•景观全国民用建筑工程设计技术措施》规划•建筑•景观软件质量保证措施下载工地伤害及预防措施下载关于贯彻落实的具体措施
:
增加独立散热片;
其他散热措施。
典型示意电路图
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LK VIPer22A
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LK VIPer
22A
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内部方框图
--
+8V/14.5V
--
+
S
R1
R2 R3
0.23V
S2
R1
Q
Q
GND
DRAI
N
FB
VDD
LVDD
VREF
S1
VDD 230ohm
1K ohm
管脚示意图
DRAIN
DRAIN
DRAIN
DRAIN
GND
GND
FB
VDD
1
2
3
4 5
6
7
8
DIP8
管脚说明
名称
管脚序号
管脚说明
GND 1,2 芯片地,同时也是内置高压 MOS管 SOURCE端口
FB 3 反馈输入端口
VDD 4 芯片电源端,工作电压范围可达 9V——30V
DRAIN 5,6,7,8 内置高压 MOS管的 DRAIN,同时芯片启动时,也做芯片的启动
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极限参数
极限参数(TA= 25℃)
符号
说明
范围
单位
VDS(max)
芯片 DRAIN脚最高耐压
-0.3~730 V
VDS(ST)
芯片启动时,DRAIN脚最高耐压
-0.3~400 V
VDD 芯片电源电压
-0.3~30 V
Ivdd
嵌位电流
10 mA
IFB 最大反馈电流
3 mA
VESD ESD电压
>4000 V
TJ
结温
-40~150 ℃
TSTG
存储温度
-55~150 ℃
热阻参数
符号
说明
单位
RthJA
热阻(1) 45 ℃/W
注(1):芯片要焊接在有 200mm2铜箔散热的 PCB板,铜箔厚度 35um,铜箔连接到所有的 GND脚。
电气工作参数
(除非特殊说明,下列条件均为 TA=25℃,VDD=18V)
范围
符号
说明
条件
最小
典型
最大
单位
BVDS
漏源击穿电压
VFB=2V; ID=1mA 730 - - V
IDSS
DRAIN端关断态漏电流
VFB=2V; VDS=500V - - 0.1 mA
RDS(on)
源漏端导通电阻
ID=0.2A - 12 - Ohm
VDDON
VDD开启电压
13 14.5 16 V
VDDOFF
VDD关闭电压
7 8 9 V
VDDHYS
VDD迟滞阈值电压
- 6.5 - V
VDDOVP
VDD过压保护阈值
- 32 - V
IDD1 VDD工作电流
IFB=2.0mA - 0.4 - mA
IDD2 VDD工作电流
IFB=0.5mA;ID=50mA - 1.0 - mA
IDDCH
芯片充电电流
VDS=100V; VDD=5V - -220 - uA
FOSC 芯片振荡频率
- 60 - KHz
GID
IFB/IDRAIN增益
- 560 -
ILIMIT
峰值电流阈值
VFB=0V - 700 - mA
IFBSD
FB关断电流
- 0.9 - mA
RFB
FB输入电阻
ID=0mA - 1.23 - Kohm
tLEB
前置消隐时间
- 300 - ns
tON(min)
最小导通时间
- 700 - ns
tOVT
过温保护温度
- 150 - ℃
tHYS
过温迟滞阈值温度
- 30 - ℃
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功能表述
电路图说明
上图中 D1-D4、C2组成全波整流,D6、R1、C3组成 RCD吸收回路,消除变压器 T2漏感产生的尖峰电压,
避免击穿 内部的高压 MOS管。
输出部分 U3、U2、R5、R6、R3、R4、C8组成采样反馈电路,R5、R6决定系统的输出电压,输出电压 VOUT
等于:
2.5V
R6
R6R5VOUT ×+=
R3、R4限制 U2光耦 PC817B的电流,避免影响反馈回路。C8的加入使得系统反馈更加稳定,避免振荡。
VDD电压部分
芯片工作电压范围宽,达到 9V——30V,此特性可以很方便的应用在某些特殊的领域,比如电
池充电器等。
当开关电源启动后,C2电容上的电压会通过 T2原边线圈、芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 VDD 电容
C4充电。当 C4电容电压达到 16V,内部高压启动 MOS管关闭,同时 PWM开启,系统开始工作。
当 C4电容电压下降到 9V以下,关闭 PWM信号,同时芯片将会产生复位信号,使系统重新启动。这就是
欠压保护。
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FB部分
通过高压 MOS的电流 ID分成两个部分,其中一部分为 IS,这部分电流为芯片采样电流。IS与 ID成比例关系:
SIDD I•G=I
通过上图可知: ,由此可以得到:- VRII FBS 23.02)( =•+
FBS I-2R
V230
=I
.
以上
公式
小学单位换算公式大全免费下载公式下载行测公式大全下载excel公式下载逻辑回归公式下载
合并,可得到:
)
.
( FBIDD I-2R
V230
•G=I
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如果将 FB脚对地短接,此时 IFB的电流等于:
1R
V230
-=IFB
.
再将上式合并,最终得到 IDLIM:
)(. 2R
1
+1R
1
•V230•G=I IDDLIM
然而在实际应用中,FB脚是上拉的方式接入到 VDD,不可能对地短路。当系统启动或者短路时,此时 FB
脚的电压比较接近于 0V,通过内部高压 MOS管漏极电流则为最大值 IDLIM。
FB
D
ID IΔ
IΔ
=G
1R
V230
-=IFB
.
从上图可以看出,IFB电流大,ID的电流就小;IFB电流小,ID的电流就大。当 IFB的电流大于 IFBSD时,
芯片会关闭 PWM,此时的 ID的值大约为 85mA,同时芯片会自动进入突发模式。这对于系统工作在空载或者轻
载至关重要。
过压保护
当芯片 VDD的电压超过 VDDOVP时,会触发内部复位信号,导致系统重新启动。
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12V/0.8A反激电源应用方案
原理图:
D1
D4
D3
D2 C2 C6
D7
C7
L1 12V/0.8AF1
CX1
C1
LT1
LT2
R1
D5
C3
C4
C5
R2
CY1
R4 R5 R7
C8U2
U3
D6
R8
RT1
T1
R6
R3
BOM
清单
安全隐患排查清单下载最新工程量清单计量规则下载程序清单下载家私清单下载送货清单下载
:
CX1 X电容
C8 104 R1 100K/1W R8 5.1K
C1 10uF/400V D1、D2 IN4007 R2 9.1K U1 LKVIPER
22A
C2 15uF/400V D3、D4 IN4007 R3 100Ω
U2 光耦
C3 102/1KV D5、D6 FR107 R4 270 U3 TL431
C4 103 D7 SR3100 R5 1K F1 1A/250V
C5 10uF/50V LT UU9.8 R6 47K Y1 222/250V
C6、C7 470uF/35V L1 3uH R7 33K RT1 5D-9
变压器参数:
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