模拟电子技术题库 答案

模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9模拟电子技术试题汇编-1-第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变宽。4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__绝缘栅场效应管_______。6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。7、半导体二极管的基本特性是单向导电性____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的___漂移_____运动。10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V，锗二极管的死区电压约为__0.1____V。11、晶体管穿透电流CEOI是反向饱和电流CBOI的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBOI尽量___小_______。12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_mg______。13、PN结具有__单向导电_______特性。14、双极型三极管有两个PN结，分别是___集电结____和_发射结______。模拟电子技术试题汇编-2-15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴，少数载流子应是电子。18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正____________向电压；（2）集电结外加___反________向电压。22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是________。25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会上________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。30、当温度升高时，三极管的参数β会变大________，CBOI会增加________，导通电压会变小_________。模拟电子技术试题汇编-3-31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。32、N型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是___空穴_____。33、某晶体管的极限参数mWPCM150，mAICM100，VUCEOBR30)(。若它的工作电压VUCE10，则工作电流不得超过__15_____mA；若工作电压VUCE1，则工作电流不得超过____100___mA；若工作电流mAIC1，则工作电压不得超过___30____V。34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为AV=－9V，BV=－6.2V，CV=－6V，则该三极管是______PNP_______型三极管，A为_______集电______极，B为_____基________极，C为______发射_______极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_____。36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。38、场效应管与晶体管比较，场效应管的热稳定好，输入电阻高，晶体管的放大能力强。39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（B）时处于正偏导通状态。A．0B．死区电压C．反向击穿电压D．正向压降2、杂质半导体中（A）的浓度对温度敏感。A．少子B．多子C．杂质离子D．空穴模拟电子技术试题汇编-4-3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（B），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（A），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（C）。A．截止B．放大C．饱和D．损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为(B)。A．前者反偏、后者也反偏B．前者正偏、后者反偏C．前者正偏、后者也正偏D．前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（A）和（B）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（A）的流动。A．多子B．少子C．自由电子D.空穴6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为CU（A）BU（A）EU。A．>B．<C．=D．≤7、对二极管正向电阻Zr和反向电阻Fr的要求是（C）A．Zr、Fr都大B．Zr、Fr都小C．Zr很小，Fr很大D．Zr大，Fr小8、稳压二极管动态电阻Zr（B），稳压性能愈好。A．愈大B．愈小C．为任意值9、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（C）状态。A．放大B．截止C．饱和D．无法确定10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（A、D）A．自给偏压电路B．外加偏压电路C．无须偏置电路D．栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（A），而少数载流子的浓度与（B）有很大关系。A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度D．晶体管缺陷12、场效应管属于（B）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来 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，则可认为是（C）控制型器件。A．电荷B．电压C．电流模拟电子技术试题汇编-5-13、当PN节外加反向电压时，扩散电流（B）漂移电流，耗尽层（D）。A．大于B．小于C．等于D．变宽E．变窄F．不变14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（D）。A．左移，下移B．右移，上移C．左移，上移D．右移，下移15、PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（A）。A．变窄B．基本不变C．变宽D.先变窄，后变宽16、在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流Is≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（D）。AUth≈0.575V，Is≈0.05pABUth≈0.575V，Is≈0.2pACUth≈0.475V，Is≈0.05pADUth≈0.475V，Is≈0.2pA17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN或PNP）与三个电极时，最为方便的测试方法为（B）。A．测试各极间电阻B．测试各极间、对地电压C．测试各极电流三、判断题1、三极管在工作频率大于最高工作频率Mf时会损坏。（╳）2、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（╳）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（√）4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（╳）5、有人测得晶体管在BEU=0.6V时，BI=5A，因此认为在此工作点上的ber大约为265.2BmvKI。（√）6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（√）模拟电子技术试题汇编-6-7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（╳）8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（√）9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（╳）10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（╳）11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（√）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过。（╳）13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（╳）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（╳）15、有人测试晶体管的ber，方法是通过测得晶体管的7.0BEU，mAIB20，推算出KmAVIUrBBEbe3520/7.0/。（╳）四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分）晶体管1晶体管2管脚（各电极）电位3V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V电极(e或b或c)ebccbeNPN或PNPNPNPNP材料（Si或Ge）SiGe2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分）管子类型NPNPNPNPNPNPUeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc各电极电位（V）21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2状态cbda3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算UX和UY的值（共9分）模拟电子技术试题汇编-7-DR2R+10VUYUX（a）（b）答案：（a）D正偏导通I=R37.010xU2RI=37.010=6.2VVUy9.67.02.6（b）D仅偏截止I=0XU=0yU=10V4、如下图，设硅稳压管1DZV、2DZV的稳压值分别为6V和9V，求Uo为多少？（共3分）VD2VD1..20VUo1K答：0U=9-6=3V5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。模拟电子技术试题汇编-8-D导通，VU306、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（9分）都不能放大电压信号（a）（b）（c）输入交流短路无直流基极偏压输入交流短路7、如下图，设硅稳压管1DZV、2DZV的稳压值分别为6V和9V，稳压管的正向压降为0.7V，试写出输出电压Uo为多少？（共8分）R1KVDZ1VDZ225V（a）VU150VU7.00（b）模拟电子技术试题汇编-9-（c）VU7.60（d）VU608、设二极管理想化，试判断下列各图二极管是否导通还是截止？并求出UO=？（a）D导通VU60（b）D截止VU120（c）1D导通2D截止（d）2D先导通1D截止0U=0V0U=-3V模拟电子技术试题汇编-1-第二章放大电路原理一、填空题1、BJT放大电路的三种基本组态中，_共集________组态带负载能力强，_共基____________组态频率响应好，__共射___________组态有倒相作用，__集共___________组态向信号源索取的电流小。2、多级放大电路的对数增益等于其各级对数增益的_之和______。3、BJT放大电路的三种组态是___共射__________、___共基__________、____共集_________。4、影响放大电路工作点稳定的主要原因是___温度变化__________。5、三极管___共集_________组态的放大电路具有输入电阻高、输出电阻低的特点。6、放大电路最常用的基本分析方法，就是__图解法________和_微变等效电路法___________。7、共集电极放大电路又称为___射极输出器或射随器_________。8、多级放大电路常用的耦合方式有三种：即___阻容耦合_________、__互接藕合__________、___变压器耦合_________。9、放大电路的三种基本组态中，__共射___________组态既具有电压放大能力又具有电流放大能力，___共集__________只具有电流放大能力，__共基___________组态只具有电压放大能力。10、放大的本质首先是实现_能量_____的控制；所谓放大作用，其放大的对象是_变化量_____。11、产生零点漂移的主要原因是放大器件的参数受__温度_______的影响而发生波动，导致放大电路的__静态工作点________不稳定。12、输出电压离开零点，缓慢地发生不 规则 编码规则下载淘宝规则下载天猫规则下载麻将竞赛规则pdf麻将竞赛规则pdf 的变化，这种现象称为__零点漂移_______。模拟电子技术试题汇编-2-二、选择题1、关于BJT放大电路中的静态工作点（简称Q点），下列说法中不正确的是（D）。A．Q点过高会产生饱和失真B．Q点过低会产生截止失真C．导致Q点不稳定的主要原因是温度变化D．Q点可采用微变等效电路法求得2、双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是___B________电路。A．共发射极B．共集电极C．共基极D．不能确定3、晶体管放大电路中，高频特性最好的电路是（D）。A.共射电路B.共集电路C.共源电路D.共基电路4、有两个放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B）。A．输入电阻大B．输入电阻小C．输出电阻大D．输出电阻小5、多极放大电路的增益uA是（B）、输入电阻iR是（A）、输出电阻oR是（C）。A．由第一级确定B.由各级共同确定C.由末级电路确定6、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻的输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C）A．10KB．2KC1KD0.5K7、放大电路产生零点漂移的主要原因是（A）。A．环境温度变化引起参数变化B．放大倍数太大C．晶体管的噪声太大D．外界存在干扰源8、在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适者：（本题可多选）（1）要求各级静态工作点互不影响，可选用（A,C）。（2）要求能放大直流信号，可选用（B）。模拟电子技术试题汇编-3-（3）要求能放大交流信号，可选用（A,B）。（4）要求电路的温漂小，可选用（A,C）。（5）为了实现阻抗交换，使信号与负载间有较好的耦合，应采用（C）。A．阻容耦合B．直接耦合C．变压器耦合9、用微变等效电路法分析放大电路（B）A．只能分析静态工作点B.只能分析动态参数C．既可分析静态，也能分析动态10、在下列电路中输入电阻最大的电路是（B）；既能放大电流，又能放大电压的电路是（C）。A．共基放大电路B．共集放大电路C．共射放大电路11、对于基本共射放大电路，如下图，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况,选择正确答案填入空格-+-+Vcc+RbRcC2+C1+UsUoVT1LRRs-+Ui（1）bR减小时，输入电阻iR_B____。（2）Rc增大时，输出电阻OR____A_。（3）信号源内阻Rs增大时，输入电阻iR___C___。（4）信号源远内阻Rs减小时，电压放大倍数UsoAuU__A____。（5）负载电阻LR增大时，电压放大倍数UioAuU__A___；（6）负载电阻LR减小时，输出电阻Ro____C__;模拟电子技术试题汇编-4-(7)若Rb减小，则静态的BI将__A____，CEQU将__B__电压放大倍数UioAuU将__A____。(8)若换一个值较小的晶体管，则静态的BI将___C__。(9)bR增大时，CEQU将_A_____。(10)Rc增大时，CEQU将__B____。(11)Rs增大时，CEQU将__C____。(12)LR增大时，CEQU将__C____。A.增大B.减小C.不变12、由NPN晶体管组成的基本放大电路，如图：-+-+Vcc+RbRcC2+C1+UsUoVT1LRRs-+Ui输出电压波形出现了顶部削平的失真，则：（1）这种失真是___B______A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真。（2）为了消除这种失真，应___D_____A．减小集电极电阻RcB.改换小的管子C.增大基极偏置电阻RbD．减小基极偏置电阻Rb,E.减小电源电压CCV。13、由PNP晶体管组成的基本放大电路，如图：模拟电子技术试题汇编-5-电压波形出现了顶部削平的失真:则(1)这种失真是___A______A.饱和失真B.截止失真C交越失真D频率失真。（2）为了消除这种失真，应___C______A．减小集电极电阻RcB.改换小的管子C增大基极偏置电阻RbD.减小基极偏置电阻RbE.减小电源电压CCV。14、如下图，选择正确答案填空（1）要使静态工作电流CI减小，则2bR应_A_____。（2）2bR在适当范围内增大，则|uA|_B_____，iR_A_____，oR_C_____。（3)eR在适当范围内增大，则|uA|_B_____，iR__C____，oR_C_____。(4)从输出端开路，到接上LR，静态工作点将_C_____，oU_B_____，（设静态工作点偏低）(5)CCV减小时，直流负载线斜率__C____。模拟电子技术试题汇编-6-(6)CR减小时，直流负载线斜率__A____。A.增大B.减小C.不变(7)若CCV=10V,1bR=4K，2bR=6K，eR=3.3K，CR=2K，1C、2C足够大，设VUBE7.0则:①Vi=0，管压降CEU大约是__B____（A．4VB．4.7VC7VD5V)②使管子由50改为100（'bbr=0）则uA|是__C__________（A.约为原来的2倍B.约为原来的21C.基本不变D约为原来的4倍）③保持=50不变，将eR由3.3K改为6.6K，则|uA|_B_____。（A约为原来的2倍B约为原来的21C基本不变D约为原来的4倍E约为原来的41）15、两级放大电路1uA=-40，2uA=-50，若输入电压mVui5,则输出电压ou为_C_____A．-200mVB.-250mVC.10VD.100V三、判断题1、试判断图示各电路能否放大交流电压信号（能放大的√，不能正常放大的画×）。模拟电子技术试题汇编-7-√××2、测得某些电路中几个三极管各极的电位如下图所示，试判断各三极管晶体管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。+5V0V+0.7V.(a)...+10.3V+10V+10.75V.(d)....0V-6V-5.3V.(c)....放大截止饱和放大3、判断三极管的工作状态（放大、截止、饱和）。（6分）5V0V0.7V.(a)放大(b)截止4、判断图示电路是否有信号放大作用（用“√”，“×”表示。每图3分，共12分）模拟电子技术试题汇编-8-(a)×(b)×(c)×（d）×(e)×(f)√5、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（6分）.+Vcc.+Vc.+Vcc(a)√(b)×(c)×6、如下图，判断是否正确：模拟电子技术试题汇编-9-（1）iR=1bR//2bR//（ber+eR）（×）（2）iR=1bR//2bR//[ber+(1+)eR]（×）（3）iR=1bR//2bR//ber（√）（4）oR=cR//LR（×）（5）oR=cR（√）（6）uA=-ebeLcRrRR//（×）（7）uA=beLcrRR//（×）（8）uA=-beLcrRR//（√）7、判断下列说法是否正确，对的画√，错误的画×(1)晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（×）(2)在基本共射放大电路中，为得到较高的输入电阻，在固定不变的条件下，晶体管的电流放大系数应该尽可能大些。（×）(3)在基本共射放大电路中，若晶体管的增大一倍，则电压放大倍数也相应增大一倍。（√）(4)对于基极分压式工作点稳定电路来说，其电压放大倍数也随的增大成正比的增大。（×）模拟电子技术试题汇编-10-(5)共集放大电路的电压放大倍数是小于1，故不能用来实现功率放大。（×）(6)共射放大电路既能放大电压，也能放大电流。（√）(7)共集放大电路可放大电压，但不能放大电流。（×）(8)共基放大电路只能放大电流，但不能放大电压。（×）四分析题1、试指出下图中电路的错误，并画出正确的电路（图中晶体管类型不允许改变）有三个错误：（1）：电源极性错（2）：21.CC极性错（3）：CR位置接错2、分析下图有何错误，应如何改正才能使电压正常放大，画出更改后的电路，要求所用的晶体管不变以及其他元件不增减。模拟电子技术试题汇编-11-有三个错（1）bR位置接错（2）2C位置接错（3）3C位置接错3、分析下图能否对KHz1的正弦电压进行线性放大，如不能指出错在哪里，并进行改正，要求不增减元件，且电压放大倍数绝对值要大于1，Ou无直流成分。答：不能正常放大。错误有：（1）1C位置接错。（2）2C位置接错。（3）1C、2C极性接反。（4）若要1UA，则不能从射极输出。UA=11//ebeLCRrRR,且OV无直流成分。4、有两个放大电路如下图所示，向各是什么组态？（共射，共基，共集）若晶体管都工作在放大区，输入端均加上正弦小信号电压，请问图中所示的输出波形是否正确？若有错误，应如何改正？设电容都很大。模拟电子技术试题汇编-12-均为共基组态。0U波形有错。（a）图0U波形应与Ui波形相同。（b）图OU波形应无直流分量五、计算题1、在下图的放大电路中,设三极管的=30，BEQU=0.7V，ber=1k,1bR=10k,250bRK,eR=1.3k,cR=LR=5k,CCV=12V。模拟电子技术试题汇编-13-（1）试估算静态时的BQI、CQI、CEQU；（5分）（2）设电容1C、2C和eC均足够大，试估算放大电路的中频电压放大倍数umA；（5分）（3）估算放大电路的输入电阻iR和输出电阻oR；（5分）（4）如果去掉旁路电容eC，写出此时放大电路的中频电压放大倍数umA和输入电阻iR和输出电阻oR的表达式（可不计算出具体数值）。（5分）（1）VRRIIVVmARUVIIVRRVRUecCQCQCCCEQeBEQBQEQCQbbccbBQ7.5)3.15(*112)(13.17.022501012*10211（2）751)15//5(30)//(beccumrRRA(3)kRRkrrRRRcbebebbi51////021(4)eC断开，eR有电流串联负反馈，（umA下降），iR增加，0R不变；kRRRrRRRRrRRAcebebbiebeLcum5])1(//[//)1()//(021模拟电子技术试题汇编-14-2、（20分）图示电路中，已知UBEQ=0.7V，β=100，'bbr=374Ω，RB1=5kΩ，RB2=15kΩ，RE=2.3kΩ，RC=RL=3kΩ，VCC=12V。（1）估算电路的静态工作点UBQ、ICQ、UCEQ（2）画出微变等效电路，计算电压放大倍数uA、输入电阻Ri、输出电阻Ro（3）若信号源内阻为RS=1kΩ时，求SusUUA0的数值。（1）VRRVRUBBCCBBQ3155125211mARUUIIEBEQBQEQCQ13.27.03VRRIVUECCQCCCEQ7.6)3.23(112)(（2）图略krbe3126)1001(374503)3//3(100)//(.beLCurRRAkRRkkRCi366.13//15//50（3）2.31)50(66.1166.1..uisiusARRRA3、如下图，14~CC足够大，模拟电子技术试题汇编-15-（1）画出直流通路和微变等效电路（6分）。（2）设0.7BEQUV，求静态工作点CQI、CEQU（4分）（3）求iR、oR、...ouiUAU，设=30，'bbr=194（6分）（4）CEOI、CESU忽略不计，估算最大不失真输出电压峰值omU（4分）（总共20分）解:（1）图略（2）VRRRIVUmARUUIIVVRRRUCQCCCEQBEQBQEQCQCCBQ7.5)3.3101(120)(13.37.04,4208020205435212（3）1501)10//10(30)//(101126)301(19426)1(////4040'31beLuEQbbbebeirRRuUAKRRKIrrrRRR（4）不饱和失真VUUCEQom7.5不截止失真VRRIULCQom5)10//10(1)//(4最大不是真输出电压峰值VUom5模拟电子技术试题汇编-16-4、如图所示电路中，已知三极管T为硅管'bbr=337Ω,UBEQ=0.7V,β=50；Rb1=51KΩ,Rb2=15KΩ,RE=1KΩ,Rc=2KΩ,RL=2KΩ,VCC=12V。(共18分)试求：（1）静态工作点Q（IBQ.ICQ.UCEQ）？（2）电压放大倍数AU＝？输入电阻Ri＝?输出电阻Ro＝?b1CuEVC+R+RCCCR2Eb2iR-L+C-O1Ru解：（1）VRRIVUmAIImARUUIIVRRVRUECCQCCCEQCQBQEBEQBQEQCQbbCCbBQ6)12(212)(04.0502217.07.27.215511215212（2）501)2//2(50)//(21126)501(33726)1(1////0'21beLcioucEQbbbebebebbirRRUUAKRRKIrrKrRRRR5、电路如下图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom。（共15分）模拟电子技术试题汇编-17-解：VRUKRmAiuVuiiRuARUVIuLCQLCCECEccCELbBEQBBBQi3)3//3(2'I,34312,012,0312U,2010152.010OM3这时做直流负载线6.根据图示放大电路及晶体管的输出特性曲线。（共15分）（1）图解法静态工作点Q（CQI、CEQU）。（设BQI=40uA,=50）（6分）（2）画出微变等效电路，估算放大器的动态参数uA、iR、oR（设rbb'=340，=60）（9分）解:作直流负载线)1(mAiUVUiRiVUCCECECCCCCCE8.4,012,0uAIBQ40相交Q点，得VUmAIceqCQ12,4.2(2)KrrRIbebebi1//Rc5KR590K+VccuoR5Kuib+24VL05101520251.22.43.64.880uA60uA40uA20uA24ic/mAuCE/V模拟电子技术试题汇编-18-KRRKIrrrRRACOEQbbbebeLCu5126)1(1251)5//5(50_//('7、如下图，1C~3C足够大，（1）画出直流通路和微变等效电路（4分）。（2）求静态工作点BQI、CEQU。（4分）（3）求输入、输出电阻iR、oR及电压放大倍数uA各自的表达式。（4分）（总共12分）UiC3C1C2UoRL+Vcc...RcR1R2(1)略（2）CCBEQCBQVVRRIRBI)()1(21CBQCCCEQCBEQCCBQRIBVVRRRBVVI)1(,)1(21（3）iR=1R//berR0=R2//R3uA=10uu=-beLrRRR)////(32ber=bbr+(1+)EQI26=bbr+BQImv26模拟电子技术试题汇编-19-8．电路如下图所示，晶体管的β＝100，rbb’=100Ω，BEQU=0.7V。（共20分）（1）画直流通路和微变等效电路。（6分）（2）求电路的Q点、Au、Ri和Ro；（9分）（3）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（5分）(2)BQU=255125=2VCQI=3.17.02=1mACEQU=12-1(5+1.3)=5.7vber=100+(1+100)126=2.7kUA=-3.0)1001(7.2)5//5(100=-7.64IR=1bR//2bR//[ber+(1+)fR]=3.66k0R=CR=5k(3)Ce开路，Au下降，Ri上升，0R不变9．如图所示的放大电路（10分）（1）写出01u输出，02u输出时，电路的电压放大倍数1uA、2uA的表达式。（2）根据输入波形，当ecRR时，画出01u、02u的波形。模拟电子技术试题汇编-20-1,1,)2()1()1()1()1(41022011uuECebeeuebeciuAARRRrRUiUARrRUUA时10.如下图，VT1的gm=10ms,VT2的=100，rbe=K1，试估算：（1）uA的值；(2)iR；（3）OR。(C1到C4足够大）RAgmRAAAAULUuuu1,)1(2121模拟电子技术试题汇编-21-MRRRRRAKRRrRRRRggiKlebebbaL100//)2(10011010101010)]10//10)(1001(1//[30//60//20)])(1(//[////21332111KRRKRrRRLSsbeEO10110]100110110[1//'1''11.如下图，求（1）LR接在A(2VT断开）时1uA，（2）LR接在B点时的uA，设rbe=K1，=100，并求这时的iR，OR。C足够大。LR（1）beLrBRAu'11=100'1LR=LCRR//K1（2）])1(//[''ebeCLRrRRK10100)1()1('''21ebeebeLUuURrRrBRAAAkrRRRbebb1////211KRRKRrRRCSsbeeo10,110]1001101//10[1//''模拟电子技术试题汇编-22-12.如下图：（1）推导出饱和条件（与电路参数关系式）（2）若bR=120KΩ，KRc2，=100，BEQV=0.7V,试问电路工作在什么状态(放大，饱和，截止）（3)应如何改变电路参数，使之脱离上述工作状态？(1),7.0VUBEQNPN管发射结正偏，要使集电结也正偏，必须CEBEUU,即CbCCbBCCRIVRIU得CbRR为饱和条件。（2）KKRKRCb2002100120此时电路工作在饱和状态。（3）为了脱离饱和状态，有三个方法：①β，CR不变，KRb200②,bR不变，KRc2.1③cbRR,不变，换管子使60模拟电子技术试题汇编-1-第三章频率响应一、填空题1、下限频率Lf和上限频率Hf之间的频率范围称为____通频带BW______。2、频率失真是由于放大电路的__频带___不够宽，因而对不同频率的信号响应不同而产生的；而非线性失真是由放大器件的___非线性___特性而产生的。3、增益带宽积是指__中频增益_____与_____频带宽度_________的乘积，通常以此乘积来表示放大电路综合性能的优劣。4、影响三极管放大器高频响应的电容主要是ebC',cbC'。5、一阶滤波电路阻带幅频特性以___-20dB_____/十倍频斜率衰减，二阶滤波电路则以___-40db_____/十倍频斜率衰减。阶数越__高___，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。6、已知某晶体管的Tf=150MHZ,0=50,则当其工作频率为50MHz,||__3___7、一阶RC高通电路截止频率0f=RC21，在截止频率处，输入信号比通带内输出信号小___3___dB二、选择题1、高频信号输入时，放大倍数下降，主要是因为（C）的影响；低频信号输入时，放大倍数下降，主要是因为（A）的影响。A．耦合电容C1、C2，射极电容CeB．晶体管的非线性特性C．晶体管的极间电容和装配时的分布电容2．关于三极管高频参数，下列说法中不准确的为（B）。A．ffT0B．ff)1(0C．ffTD．ff模拟电子技术试题汇编-2-3．多级放大电路放大倍数的波特图是（A）A．各级波特图的叠加。B．各级波特图的乘积C．各级波特图中通频带最宽者4．在阻容耦合单管共射放大电路中，为了降低下限频率Lf应该采取的措施是(D)A．提高三极管的B降低三极管的极间电容C．减小输入电阻iRD．增大输入端耦合电容1C5.幅度失真和相位失真称为（B)失真（A.交越B.频率），它属于（A）失真（线性B.非线性），在出现这类失真时，若iu为正弦波，则ou为（A)(A.正弦B.非正弦）.若iu为非正弦波，则ou与iu的频率成分（A)(A.相同B.不同）6．饱和失真，截止失真，交越失真都属于（B）失真（A.线性B.非线性）在出现这类失真时，若iu为正弦波，则ou为（B）波（A．正弦B.非正弦），则ou与iu的频率成分（B）（A.相同B.不同）7．在下图的放大电路中，选用正确答案填空（A.增大B.减小C.不变或基本不变）（1）增大电容C1，则中频电压放大倍数|umA|(C)，下限频率Lf（B），上限频率（C）。（2）减小电阻cR，则|umA|（B），Lf（C），Hf(A).（3）换一个fT较低的晶体管，则|umA|（C），Lf（C），Hf(B)模拟电子技术试题汇编-3-（4）当信号频率等于上限频率时，OU与iU的相位差io（E）（A.45B90C.45D．135E.225）三判断题（正确的画√，错误的画×）1.增大耦合电容1C、2C将有利于高频信号流通，因此可以提高上限频率Hf（X）2.当集电极电阻CR增大时，中频增益|umA|增大，由于电路的增益带宽积近似为常数，因此Hf减小（√)3.cbC'通常远小于ebC'，所以它对频率特性的影响可以忽略不计，在分析Hf时，不需考虑cbC'的作用就行了（Ⅹ）4.只要晶体管的f高，电路的Hf就高，因此，为改善电路的高频特性，要选用f大的管子（Ⅹ）5.多级放大电路的通频带比组成它的各个单管放大电路的通频带宽（Ⅹ）6.多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单管放大电路在相同频率下产生的附加相移大（√）7.阻容耦合的多级放大电路在低频时产生的附加相移比组成它的各个单管放大电路在相同频率下产生的附加相移小（Ⅹ）四计算题如下图，测出数据如下表，（1）求中频时|Au|=|UioU|=？SusUUA0=?（2）iR=?（3）OR=?（4）Lf=?模拟电子技术试题汇编-4-SRK1SUK4uF1uF10iU解：（1）,LR30010*55.13uA，150105.12usAKRL4,20010*513uA,1001012usA(2)kRUiUsURsii1，（3）KRUUURLoooo2'（（4）HZCRRfsiL6.79)(211模拟电子技术试题汇编-1-第四章功放电路一、填空题1、乙类互补对称功率放大电路中，由于三极管存在死区电压而导致输出信号在过零点附近出现失真，称之为交越失真。2、甲类放大电路是指放大器的导通角等于___2π___，乙类放大电路其导通角等于__π，在甲乙类放大电路中，放大器导通角为__π<2θ<_2π_。3、乙类推换功率放大电路的___效率___较高。在理想情况下其数值可达_78.5%_____。但这种电路会产生一种被称为__交越____失真的特有的非线性失真现象。为了消除这种失真，应当使推换功率放大电路工作在__甲乙____类状态4、设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若用乙类推换功率放大，应选至少为___4___W的功率管两个。二、选择题1、甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是（C）A．输出功率大B．效率高C．无交越失真D．电路结构简单E.不用输出端大电容2、功率放大电路的主要性能指标是（B）。A．uA，iR，oRB．OP，，失真C．BW，of，选择性D．oI,oV,Zr3、乙类互补对称功率放大电路（C）A．能放大电压信号，但不能放大电流信号B．既能放大电压信号，也能放大电流信号C．能放大电流信号，但不能放大电压信号D．既不能放大电压信号，也不能放大电流信号4、交越失真是（D）A．饱和失真B．频率失真C．线性失真D．非线性失真模拟电子技术试题汇编-2-5、在OCL功率放大电路中，输入信号为1KHZ，10V的正弦电压，输出电压波形如下图所示，这说明电路中（D）6、为了改善上述的输出波形应（C）A.进行相位补偿B.适当减小功放器的静态BEUC.适当增大功放管的静态BEUD适当增加负载电阻LR7、OCL电路如下图所示，若输入为正弦电压，互补管1VT、2VT的饱和压降可以忽略，试选择正确答案填空。R1D1D2R2R3VT1VT2-VCC+VCCRLuoui..（1）1VT、2VT的工作方式为（C）A.甲类B.乙类C.甲乙类（2）电路的最大输出功率为（A）（A.LCCRV22B．LCCRV42C.LCCRV2D．LCCRV82)三判断题1、功率放大电路中，输出功率越大，三极管的管耗也越大。（×）2、乙类功率放大电路，在输出功率最大时，管子消耗的功率也为最大。（×）模拟电子技术试题汇编-3-3、功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号（√）4、功率放大电路所要研究的问题就是一个输出功率大小问题（×）5、顾名思义，功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用（×）6、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路方法已不再适用（√）7、当甲类功放电路的输出功率为零时，管子功耗的功率最大（√）8、在输入电压为零时，甲乙类推换功放电路中的电源所消耗的功率是两个管子的静态电流与电源电压的乘积(×)9、如下图，判断复合管是否连接正确？如正确，指出等效什么类型？（共9分）不正确正确PNP正确NPN正确PNP不正确不正确四、综合题、计算题1、（6分）在图示OCL电路中，已知V1T、V2T管的VUCES1，电源电压为±VCC＝±9V，负载电阻RL=8Ω，试计算最大输出功率Pom及效率η。(a)(b)(c)(a)(b)(c)模拟电子技术试题汇编-4-解：WRUVPLCESCCOM48)19(21)(2122WRVPVLCC44.6892222%1.6244.64VOMPP2、如下图所示：（1）静态时，流过负载电阻LR的电流LI=?（2）1R、2R、3R、1D、2D各起什么作用？（3）1D、2D中有一个接反，会出现什么后果？解：（1）静态时1R使021CCLIII模拟电子技术试题汇编-5-（2）31,RR为21,TTVV提供基极电流通路，也为21,DD提供电流通路。2R、1D、2D为1TV、2TV提供静态偏压，克服交越失真。（3）1D、2D中有一个接反，可使322122RRUVIIBECCBB可能过大，121BCCIII也过大，使211CECECCEPUIP可能大于CMP,21,TTVV过热损坏。3、OCL甲乙类功率放大器，如上图，设电源电压ccV=12V，负载LR=8，晶体管的饱和压降CESU=1V。求负载可获得的最大功率omP（忽略电路的其它损耗）。（6分）解：WRVVPLCESCC56.78)112(21)(212204、求上图中所示电路中，输出到LR的最大不失真功率是多少。设1VT和2VT的饱和管压降CESU为2V，iu为正弦电压。（共8分）解：WRVVPLCESCC25.68)212(21)(212205、如下图，输入信号是正弦电压，V1T、V2T管的饱和压降可以忽略,且静态电流很小，Vcc=16V,LR=8。（1）求最大输出功率maxOP；1：（2）求电源供给的最大平均功率maxrP；（3）求电路的最大效率max模拟电子技术试题汇编-6-1：WRVPLCCo168)16(212122max2：wRVPLCCV37.208162222ππ3：%5.784maxmaxπvopp或%5.7837.20166、如图所示功放电路，设V1T、V2T的特性完全对称，Ui为正弦电压，CCV=10v，LR=16，试回答以下问题：（1）静态时，电容2C两端的电压时多少？（2）动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？解：1:VVUCCC5212模拟电子技术试题汇编-7-2:应调整2R,使之增大。7、如上图中CCV=35vLR=35，设0UCES,求：（1)负载上所能得到的最大功率maxOP；（2)电源提供的平均功率VP;(3）每个管子的最大管耗maxTP（1）WRPL54.3)245.0(2max0（2）W545.035CMvIVccP（3）WP708.02.0Pmax0maxT8、集成功放的一种应用电路如下图，假定集成电路内输出级晶体管的饱和压降可以忽略不计，iU为正弦电压：（1）求最大输出功率maxOP（2）求电源峰值电流VmI（3）求电源平均电流)(AVVI（4）求电路输出级的效率（5）指出该电路是何类型的功放电路。（1）WRVPLCC1.284215222max0（2）ARVILCCVm75.3415（3）AIIVmAVV388.275.322)(（4）WIVPAVVCCV8.35388.215)(模拟电子技术试题汇编-8-%5.780VMAXPP（5）是OCL功率放大器模拟电子技术试题汇编-1-第五章集成运算放大电路一、填空题1.差动放大电路具有电路结构___对称_____的特点，因此具有很强的抑制__零点漂移______的能力。它能放大__差_______模信号，而抑制___共______模信号。2．集成运放存在失调电压和失调电流，所以在小信号高精度直流放大电路中必须进行____调零_____。3.理想集成运放差模输入电阻为________,开环差模电压放大倍数为________，输出电阻为___0_______。4.集成运放的输入级大都采用______差分放大电路________结构。5．差分放大电路的发射极接入一个长尾电阻或恒流源电路，其作用是引入一个______共模___负反馈，来抑制零点漂移。6．在差分放大电路发射极接入长尾电阻或恒流三极管后，它的差模放大倍数dA将_______不变______，而共模放大倍数cA将___大大减小__________，共模抑制比CMRK将____增大_________。7.阻容耦合放大电路不适合传送__直流或变化缓慢________信号。8、运算放大器的u=u称___虚短__________，I=I=0称___虚断__________。9．差分放大电路的共模抑制比描述电路对____零点漂移______的抑制能力，理想差放的共模抑制比为__________。10．集成运算放大电路内部通常包含四个基本组成部分，即___输入级_________、________中间级____、____输出级________和_偏置电路___________。11.偏置电路的任务是向各放大级提供合适的偏置电流，确定___静态工作点________。12．差分放大电路单端输出时，差模电压放大倍数dA和输出电阻oR约为双端输出时的___一半___。模拟电子技术试题汇编-2-13.多级放大电路的输入电阻基本上等于_第一___级的输入电阻；而多级放大电路的输出电阻约等于__末__级的输出电阻。14．集成运放的中间极为获得极高的电压增益，常常采用__有源负载_______和____复合管______等结构形式。二、选择题1、集成运放的输入级通常采用差分放大电路，目的是（B）A．提高差模电压放大倍数B．提高共模抑制比C．提高差模输入电阻D．减小非线性失真2．几种差分放大电路中，（C）的共模抑制比CMRK最高，抑制零点漂移能力最强。A．基本差分放大电路B．长尾式差分放大电路C．恒流源式差分放大电路3．理想集成运放具有以下特点：（B）。A．开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞B．开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=0C．开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞D．开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=04、通用型集成运放的输入级多采用（D）；输出级多采用（B）。A．共基接法B．共集接法C．共射接法D．差分接法5、直接耦合放大电路的放大倍数uA越大，在输出端出现的零点漂移现象越（A）。A．严重B．轻微C．与uA无关6、差分放大电路是为了（C）而设置的；A．稳定放