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GTR和IGBT吸收电路参数的选择
The Selection of the GTR and 叩T⋯Snub、ber Pa．rameters
成都佳灵电气制造公司 兰_皇竺 墨 奶
GTR和 IGBT组装的逆变器，主电路线路
和吸收电路的引线均有电感，负载大多为感性
负载，且这两种元件处于高速开关状态，再加上
di／dt的存在，对这两种元 件构成 了极太的危
机。现将如何正确选甩吸收电路参数介绍如下。
1 主回路构成与吸收电路
以IGBT为例。额定电流为 10~100A的6
个组装在一个基 板上 ，150～300A的两个组装
在一个基板上，蚰OA以上为单个安装。主电路
与
2 吸收电路 ． ⋯
根据圭电路逆变元件额窟电流的太小及组
装形式．，观将嗳收回路分为兰类：
① lO～1DOA，吸'收 回路采用 图 3a或 图
3b}
．
@150～300A，各相的吸收同．路 采用图
3a}
⑨4o0A以上·奇 的吸性回辟采用图3a
和图 3c． ．．r ．
可能为IGBT谴成损坏。其尖峰电压值为 根据图 1、式_(1)及能量定恒定律，可得下
crc 一c + Id ／at (1) 列关系式 、
式中 ——集．射极间的尖峰电压(v) ，．‘ "UcsP=U~+UF( >+Lldi／dt
u 一 直流电压(v 再 由图 2且忽略 (，F ，(快恢复三极管 的管压
厶——主电站和引线电路电感之和(H) ／降)得
越／ ——IGBT集电极电流变化速率(A／s) LlL‘f ／z=G(C 一U ) ／z (2)
关断时iGBT．上的电压、电流变化{li『线如 由式(2)可得
图 2所示。 。 一 G=Lt， ／(Uc~-- ) (3)
田 2 ￡r吒和 L的变化曲线
R。≤1／6Gf (4)
电阻的功率损耗
’
P％一L1口 ／2 (5)
为避免吸收回路电容与主电路电感产生振
荡，需用下式进行校棱。
J — - - — — —
J
、 2 LI／C．1 200V，换流电容为 6O F，当换
流 电容增 加到 86sF时，由公式 计 算所得 的
dV／dt增加不到 1．5倍 ，但所有晶闸管却不能
正常工作。这说明原装置的dV／dt参数均处于
临界状态，在装置运行中难以保证可靠运行。我
们在换流电感上加上 0．1 F的电容，该 电容大
约为换流电感分布龟容的几十倍，则大大降低
了对 dV／at值的要求 ，使d ／出值为200V的
管子均能可靠运行，从而肯定了线性铁芯电感
在装置上的应用。
匿 5 加接 电窨 C。后的柝 臂电路 ．
参 考 文 献
l 张承志等著．不间断供电系统 北京：机攘工 2 Bodford B D，Ho(z R G．Principles of Inverter
业出版社，1987． Circuit．Inc．New York，1 964．
(上接第 42页)
(c)
图6 ， 与Lk的关系曲线
(a墙}图 3c接法的工作波形
(b)按图 3a接涪的工 作波形
(c)拄固 3b接法的工作波形
由这些工作波形可知，集电极电流截止时
dl／dt增值不大．而直流电压 L7 一般都在 100V
以内，所以对 [GBT造成二次击穿的可能性很
小。
5 小 结
以上数据在逆变器系列上使用，多年来还
未发生过故障+舟户反映很好。最近又在IGBT
逆 变式直流电焊机上应用，效果也很好
参 考 文 献
l 由宇 羲珍．IGBT~，-pI一 正 匕使用
法．技术七三，十．1989(2) 356~358
2 宫奉 惠意 IGBT乇 工一， ’／， 回路
；：挡时5保护技术．畜士时报，1990，63(9)：634~636
3 M ITSUBISHI ELEcTRIC．IGBT M odule Per．
[ormance＆ Aspects of Applieation．1992
维普资讯 http://www.cqvip.com
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