填空题 磁阻传感器与地磁场测量 填空题 1.地磁场是一个向量场。地磁场磁感应强度矢量B与水平面之间的夹角称为 地磁倾角 。地磁场强度矢量B在水平面上的投影为地磁场的 水平分量 。地磁场磁感应强度矢量B总和地磁场的水平分量B// 构成的平面称为地磁的 子午面 。 2.磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值 随外加磁场变化而变化 的现象。 3.用亥姆霍兹线圈轴心中点附近产生的磁场作为已知量，测量磁阻传感器的灵敏度 。测励磁电流为正向和反向时两次传感器输出电压的目的是 消除地磁沿亥姆霍兹线圈轴线方向分量的影响 。 4.已知地磁倾角β，地磁场磁感应强度B总的值。计算地磁场的垂直分量的公式为 。 5．磁阻传感器遇强磁场时，会产生 磁畴饱和 现象而使灵敏度降低。这时可按 “复位”按钮 使恢复到原灵敏度。 6．HMC1021Z磁阻传感器的工作电路是以 非平衡电桥 形式输出，它直接将磁阻变化转换成电压输出， 7．对于一定的工作电压，HMC1021Z磁阻传感器输出电压 与外界磁场的磁感应强度B成 正比 关系，即： 问答题 1.什么是磁阻效应？简述磁阻效应的物理机制？ 磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。 磁阻效应是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。 2.说明HMC1021Z型磁阻传感器的结构特点和输出特性？ HMC1021Z磁阻传感器由四条铁镍合金磁电阻组成一个非平衡直流电桥，非平衡电桥输出部分接集成运算放大器，将信号放大输出。由于适当配置的四个磁电阻电流方向不相同，当存在外界磁场时，引起电阻值变化有增有减。 对于一定的工作电压，如 ，HMC1021Z磁阻传感器输出电压 与外界磁场的磁感应强度成正比关系，即 式中 为传感器的灵敏度， 为待测磁感应强度。 为外加磁场为零时传感器的输出量。 HMC1021Z磁阻传感器是一种单边封装的磁场传感器，它能测量与管脚平行方向的磁场。 3.磁阻传感器和霍耳传感器在工作原理和使用方法方面各有什么特点和区别？ 磁阻元件类似霍尔元件，但它的工作原理是利用半导体材料的磁阻效应(或称高斯效应)。与霍尔效应的区别如下；即霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。 霍耳传感器的工作原理是基于霍耳效应，一般用它可以直接测量霍耳电势差的大小，测出磁场强度，也可用以判别磁感应强度方向。 磁阻传感器是利用置于磁场中的合金带自身的阻值发生变化来测量磁场的大小和方向。与大多数固态传感器一样，磁阻传感器的工作电路是以非平衡电桥形式输出，它直接将磁阻变化转换成电压输出， 4.如果在测量地磁场时，在磁阻传感器周围较近处，放一个铁钉，对测量结果将产生什么影响？ 很明显，铁磁性物质放在磁阻传感器周围较近处，将干扰地磁场的大小，甚至干扰局部地磁场的方向，使测量结果发生异常。利用这一点可以探测铁矿。 数据处理 测量磁阻传感器的灵敏度k数据记录 励磁电流 I/mA U/mv /mv 磁感应强度B/10-6T 正向U1 mv 反向U2mv 10 2.41 -2.43 2.42 44.96 20 4.83 -4.87 4.85 89.92 30 7.19 -7.30 7.25 134.88 40 9.57 -9.73 9.65 179.84 50 11.88 -12.16 12.24 224.80 60 14.19 -14.60 14.40 269.76 参考数据参数 N=500匝 R=10.00cm μ0= 1．作U—B曲线，在曲线上取两点P1 (1.5,3.6)，P2 (5.8,13.8)求斜率，从而得到磁阻传感器的灵敏度k。 2．测量地磁场的水平分量B// 输出电压：U1=0.41mv U2= -2.41mv 则 3．测量地磁场的磁感应强度B总；垂直分量 和磁倾角β 输出电压 =1.90mv 角游标读数 U总= B总= U总 B总sin =0.536
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