结型场效应管型号（文档3篇）

结型场效应管型号（文档3篇） 以下是网友分享的关于结型场效应管型号的资料3篇，希望对您有所帮助，就爱阅读感谢您的支持。 第1篇 场效应管分类 型号 简介 封装 DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 1 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE 2 MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 TO-220 DISCRETE MOS FET TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9610 TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9620 TO-220 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE 3 MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR9020TF D-PAK DISCRETE MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F 4 DISCRETE MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F DISCRETE 5 MOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU410A 500V I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFZ20A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ30 TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ40 TO-220 DISCRETE 6 MOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETE MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETE MOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETE MOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETE MOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETE MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP9540 -100V,17A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220 7 DISCRETE MOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK DISCRETE MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK DISCRETE MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK DISCRETE MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F DISCRETE MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F DISCRETE MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK DISCRETE MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETE MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETE MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETE MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETE 8 MOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETE MOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETE MOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 9 DISCRETE MOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 10 DISCRETE MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P) DISCRETE MOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P) DISCRETE MOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETE 11 MOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P) 第2篇 结型场效应管 场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 场效应管分为结型和MOS型两种，结型包括N沟沟道和P沟道，MOS型也包括N沟道和P沟道两种，它们分别包含了增强型和耗尽型。 1. N沟道结型场效应管的结构和符号 结型场效应管是一种利用耗尽层宽度改变导电沟道的宽窄来控制漏极电流的大小的器件。它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。P区即为栅极g(G)，N型硅的一端是漏极d(D)，另一 12 端是源极s(S)。 箭头方向表示栅结正偏或正偏时栅极电流方向。 N沟道结型场效应管结构动画 (1)VGS对导电沟道的影响: (a) VGS=0，VDS=0,ID=0 VP(VGS(OFF) ):夹断电压栅源之间是反偏的PN结，RGS>107Ω，所以IG=0 (b) 0(2)VDS>0 但|VGS-VDS| (a) VDS增加，d端电位高，s端电位低，导电沟道内存在电位梯度，所以耗尽层上端变宽。 VDS?? ID ? (b)| VGS- VDS | = | VP |时，导电沟道在a点相遇，沟道被夹断。 VGS=0时，产生夹断时的ID称为漏极饱和电流IDSS (c) VDS??夹端长度?场强?? ID=IDSS基本不变。 输出特性: 表示VGS一定时，iD与VDS之间的变化关系。 结型场效应管的输出特性动画 13 (1) 截止区(夹断区) 如果VP= -4V， VGS= -4V以下区域就是截止区 VGS? VP ID=0 (2) 放大区(恒流区)产生夹断后，VDS增 大，ID不变的区域 ?VGS -VDS ???VP? VDS??ID不变 处于恒流区的场效应管相当于一个压控电流源 (2) 饱和区(可变电阻区) 未产生夹断时，VDS增大，ID随着增大的区域 ?VGS -VDS???VP? VDS??ID 处于饱和区的场效应管相当于一个压控可变电阻 结型效应管的工作原理动画 转移特性 : 表示vDS一定时，iD与vGS之间的变化关系。 场效应管的转移特性曲线动画 转移特性描述了在VDS一定时，VGS对iD的控制作用。可直接从输出特性曲线上做图求出。 当|VGS - VDS |? | VP |后，管子工作在恒流区，VDS对iD的影响很小。实验证明，当|VGS - VDS |? | VP | 时，iD可近似表示为: 14 场效应三极管的型号 场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 几种常用的场效应三极管的主要参数见表 场效应管 总结 初级经济法重点总结下载党员个人总结TXt高中句型全总结.doc高中句型全总结.doc理论力学知识点总结pdf 场效应管总结(MOS N沟道增强型 P沟道增强型 场效应管总结(J) 15 N沟道耗尽型 P沟道耗尽型 第3篇 尼士单片机 系列场效应管型号技术参数 型 3DJ6 号 材料 NJ 管脚 16 用 途 参 20V0.35MA0.1W 数 低频放大 开 关 4405/R9524 2E3C 2SJ118 2SJ122 2SJ136 2SJ143 2SJ172 2SJ175 J177 2SJ177 J201 2SJ312 2SK30 2SK30A 2SK108 2SK118 2SK168 2SK193 2SK214 2SK241 2SK304 2SK385 2SK386 2SK413 2SK423 NMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS NJ NJ NJ NJ NJ NJ NMOS NMOS NJ NMOS NMOS NMOS NMOS GDS GDS GDS SDG SGD SGD SGD GSD GSD GSD DSG GSD GDS GDS GDS SDG 激 励 (无 ) 高频放 大 激 励 低放音频 -60V20A35W140/580nS0.085 10V0.4A1.3W8GHZ 60V14A40W30/120nS0.12 -50V0.5mA0.1W0.5dB GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 600V11A150W0.36 高速功放开 140V8A100W50/70nS0.5 17 关 高速功放开 60V10A50W60/100nS0.15 关 高速功放开 60V12A40W 70/165nS0.3 关 功放开关 激 励 激 励 -60V16A35W90/180nS0.035 -60V10A40W73/275nS0.18 -60V10A25W73/275nS0.18 低放低噪音 -50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 频 音频激励开 50V1-12mA0.3W70 1DB 关 音频话筒放 -50V0.01A0.1W0.5dB 大 高频放大 -30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 高频低噪放 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 大 高频高速开 160V0.5A30W 关 高频放大 音频功放 高速开关 高速开关 -20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 30V0.6-12mA0.15W 400V10A120W100/140nS0.6 450V10A120W100/140nS0.7 高速功放开 140V8A100W0.5 (2SJ118) 关 高速开关 100V0.5A0.9W4.5 尼士电子论坛 /bbs 18 尼士单片机 2SK428 2SK447 2SK511 2SK534 2SK539 2SK560 2SK623 2SK727 2SK734 2SK785 2SK787 2SK790 2SK791 2SK794 2SK832 2SK899 2SK962 2SK940 2SK1007 2SK1010 2SK1011 2SK1012 2SK1015 2SK1016 2SK1017 2SK1019 2SK1020 2SK1081 2SK1082 2SK1094 2SK1101 2SK1117 2SK1118 2SK1119 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS GDS SDG SDG GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS SDG GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 19 高速开关 60V10A50W45/65NS0.15 高速低噪开 250V15A150W0.24 可 驱 电 机 关 高速功 放开 250V0.3A8W5.0 关 高速开关 开关 高速开关 高速 开关 电源开关 电源开关 电源开关 高速开关 800V5A100W4.0 900V5A150W2.5 500V15A100W0.4 250V20A120W0.15 -900V5A125W110/420nS2.5 450V15A150W160/250nS0.52 500V20A150W105/240nS0.4 900V8A150W95/240nS1.6 高速功放开 500V15A150W0.4 可 驱 电 机 关 电源功 放开 850V3A100W4.5 可 驱 电 机 关 电源开关 高速开 关 功放开关 电源开关 激 励 .驱 动 功放开关 高速开关 高速开关 高速开关 功放开关 电源开关 电源开关 电源开 关 电源开关 激 励 ,驱 动 激 励 ,驱 动 激 励 ,驱 动 功 放开关 电源开关 电源开关 电源开关 900V5A150W2.5 可 驱 电 机 900V4A85W55/100nS4.0 500V18A125W130/440nS0.33 900V8A150W280/460nS2.0 60V0.8A0.9W0.55 螺 线 管 驱 动 450V5A60W60/130nS1.6 500V6A80W70/130nS1.6 20 450V10A100W110/240nS0.65 500V10A100W110/240nS0. 9 450V18A125W170/230nS0.45 500V15A125W170/230nS0.55 500V20A150W250/490nS0.35 450V35A300W360/900nS0.2 500V30A300W360/900nS0.25 900V6A125W 145/250nS2.8 ? 900V6A125W 145/250nS2.8 60V15A25W80/300nS0.065 450V10A50W165/360nS0.65 -600V6A100W1.25 -600V6A45W65/105nSD1.25 -1000V4A100W3.8 尼士电子论坛 /bbs 21 尼士单片机 2SK1120 2SK1161 2SK1170 2SK1180 2SK1195 2SK1198 2SK1217 2SK1221 2SK1247 2SK1254 2SK1271 2SK1329 2SK1335 2SK1358 2SK1379 2SK1387 2SK1388 2SK1419 2SK1445 2SK1459 2SK1460 2SK1463 2SK1507 2SK1535 2SK1537 2SK1540 2SK1544 2SK1567 2SK1611 2SK1681 2SK1745 2SK1794 2SK1796 2SK1850 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 22 电源开关 电源开关 电源开关 投影机用 电梯用 高速开 关 电源开关 电源开关 电源开关 低噪放大 功放开关 电 源开关 -1000V8A150W1.8 450V10A100W75/135nS0.8 500V20A120W147/290nS0.27 500V10A85W60/40nS0.6 230V1.5A10W37/100nS 700V2A35W20/80nS3.2 90V8A100W280/460nS2.0 250V10A80W60/150nS0.4 500V5A30W50/90nS1.4 120V3A20W25/195nS0.4 1400V5A240W55/260nS4.0 500V12A60W90/180nS0.6 功放开关变 200V3A20W37/50nS0.8 频 电源开关 激励, 开关 激励, 开关 激励, 开关 高速开关 高速开关 高速开 关 高速开关 高速开关 高速开关 通 通 用 用 900V9A150W65/120nS1.4 60V50A150W78/640nS0.017 60V35A40W66/500nS0.035 30V35A60W125/480nS0.022 60V15A25W55/150nS0.08 450V5A30W45/175nS1.4 900V2.5A30W40/160nS6.0 900V3.5A40W50/265nS3.6 900V4.5A60W50/265nS3.6 600V9A50W110/240nS1.0 900V3A30W45/110nS5.0 900V5A100W65/145nS3.0 变频开关功 450V7A60W70/135nS0.8 放 变频开关功 23 500V25A200W240/590S0.2 放 电源开关 电源开关 电源开 关 激励, 开关 500V7A35W70/135nS0.9 800V3A50W40/135nS4.0 500V30A300W180/320nS0.35 500V18A150W120/210nS0.36 电源激励开 900V6A100W50/105nS2.8 关 功放开关 900V10A150W90/230nS1.2 开关电机驱 60V10A1.8W110/360nS0.07 动 尼士电子论坛 /bbs 24 尼士单片机 2SK1916 2SK1937 2SK2039 2SK2082 2SK2101 2SK2141 2SK2147 2SK2189 2SK2485 2SK2487 2SK4847 3SK103 3SK122 BS170 BUZ11A BUZ20 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 开关电源用 电源开关 电源开关 传动驱动 高速开关 450V18A80W170/33nS0.45 开 关 UPS 用 500V15A125W100/230nS0.48 900V5A150W 70/210nS2.5 开 关 UPS 用 900V9A150W 85/210nS1.40 800V6A50W 50/130nS2.1 600V6A35W 30/880nS1.1 25 开 关 UPS 用 900V6A80W 145/250nS2.8 500V10A70W 70/400nS1.0 监视器用电 900V6A100W 30/85 nS 2.80 源 监视器用电 900V8A140W 50/153nS1.1 源 电源开关 100V36125W0.08 15V0.02A0.2W900MHz 20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB 60V0.3A0.63W12/12nS5.0 gGDS 高 频 放 大 gGDS 高 频 放 大 开关 功放开关 GDS GDS 50V25A75W60/110nS0.055 100V12A75W75/80nS IRF130(铁 ) IRF230(铁 ) IRF440(铁 ) IRF450(铁 ) IRF460(铁 ) 2404 (铁 ) IRF530 IRF540 IRF541 IRF610 IRF630 IRF640 IRF720 IRF730 IRF740 IRF830 IRF840 IRF9530 IRF9531 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS PMOS 26 GD S 功 放 开 关 GD S 功 放 开 关 GD S 功 放 开 关 GD S 功 放 开 关 GD S 功 放 开 关 GD S 功 放 开 关 GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开 关 功放开关 功放开关 功放开关 100V14A79W75/45nS0.16 200V9A75W50/40nS0.4 500V8A125W35/30nS0.85 500V13A125W66/60nS0.4 500V A W66/60nS0.4 400V30A200W 100V14A79W51/36nS0.18 100V28A150W110/75nS0.077 80V28A150W110/75nS0.077 200V3.3A43W26/13nS1.5 200V9A75W50/40nS0.4 200V18A125W77/54nS0.18 400V3.3A50W21/20nS1.8 400V5.5A75W29/24nS1.0 400V10A125W41/36nS0.55 500V4.5A75W23/23nS1.5 500V8A125W35/33nS0.85 100V12A75W140/140nS0.4 60V12A75W140/140S0.3 尼士电子论坛 /bbs 27 28 尼士单片机 IRF9541 IRF9610 IRF9630 IRFS9630 IRFBC20 IRFBC30 IRFBC40 IRFBE30 IRFD113 IRFD120 IRFD123 IRFD9120 IRFI730 IRFI744 IRFP054 IRFP140 IRFP150 IRFP240 IRFP250 IRFP340 IRFP350 IRFP353 IRFP360 IRFP440 IRFP450 IRFP460 IRFP9140 IRFP9240 IRFPF40 IRFPG42 IRFU020 PMOS PMOS PMOS PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS PMOS NMOS NMOS NMOS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放 29 开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开 关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功 放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 IGBT IGBT IGBT 功放开 关 60V19A125W140/141nS0.2 200V1A20W25/15nS2.3 200V6.5A75W100/80nS0.8 200V6.5A75W100/80nS0.8 600V2.2A50W15/30nS4.4 600V3.6A74W20/21nS2.2 600V6.2A125W27/30nS1.2 800V2.8A75W15/30nS3.5 60V0.8A1W0.8 100V1.3A1W70/70nS0.3 80V1.1A1W70/70nS0.3 100V1A1W0.6 400V4A32W1.0 400V4A32W1.0 60V65A180W0.022 100V29150W0.85 100V40A180W210/140nS0.55 200V19A150W0.18 200V33A180W180/120nS0.08 400V10A150W0.55 400V16A180W77/71nS0.3 350V14A180W77/71XnS0.4 400V23A250W140/99nS0.2 500V8.1A150W0.85 500V14A180W66/60nS0.4 500V20A250W120/98nS0.27 100V19A150W100/70nS0.2 200V12A150W68/57nS0.5 900V4.7A150W2.5 1000V3.9A150W4.2 50V15A42W 83/39nS0.1 600V20A150W 300/500NS 600V30A200W 30 300/500NS 600V60A250W 300/500NS 500V2A75W5.5 代 J117 IXGH20N60A NMOS IXGH30N60A NMOS IXGH60N60A NMOS IXTP2P50 M75N06 MTH8N100 PMOS NMOS NMOS 音频功放开 60V75A120W 关 功放开关 1000V8A180W175/180nS1.8 尼士电子论坛 /bbs 31 尼士单片机 MTH10N80 MTM30N50 MTM55N10 MTP27N10 MTP2955 MTP3055 MTP40N06 MTP60N06 RFP40N10 RFP50N05 RFP50N06 RFP6N60 RFP60N06 RFP70N06 P70N08 P6NA80 SMP50N06 SMP60N06 SMW20N10 SMW20N10 SSH7N90 SSP6N60 SSP6N80 SSP7N80 SUP75N06 G40N150D GT15Q101 GT25J101 GT25Q101 GT40T101 GT50J101 GT60M103 GT60M301 NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS GDS 功放开关 32 800V10A150W 功 放 开 关 (铁 ) 500V30A250W GD S 功 放 开 关 (铁 ) 100V55A250W350/400nS0.04 GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开 关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功 放开关 功放开关 100V27A125W0.05 60V12A75W75/50nS0.3 60V12A75W75/50nS0.3 功 放 开 关 (双 ) 60V40A150W/70nS0.3 60V60A150W44/44nS0.028 100V40A160W30/20nS0.04 50V50A132W55/15nS0.022 60V50A145W55/15nS0.022 600V6A75W80/100nS1.50 60V60A120W50/15nS0.03 60V70A150W 80V75A150W 800V6A125W 50V60A125W50nS0.026 60V60A125W50nS0.023 100V20A150W 100V20A150W 高速电源开 900V7A150W 关 高速电源开 600V6A150W 关 高速电源开 关 高速电源开 800V7A75W 关 功放 开 33 关 IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT 60V75A125W0.05 1500V40A300W 1400V15A150W 800V25A150W 1400V25A180W 1500V40A300W 1000V50A350W 900V60A300W 无 900V60A300W 无 1000V60A300W IMBH60-100 NMOS 尼士电子论坛 /bbs 34 尼士单片机 IMBH60D-10 NMOS W5NA90 W12NA60 NMOS NMOS GDS GDS GDS IGBT 功放开关 场效应模块 1000V60A300W(带 阻 ) 900V5A150W 600V12A180W 500V45A400W TSD45N50V NMOS TN2460L 35N120 1200V35A250W 场效应管型号字母的参数含义 2007-05-26 10:28 Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比(占空系数，外电路参数) di/dt---电流上升率(外电路参数) dv/dt---电压 35 上升率(外电路参数) ID---漏极电流(直流) IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流(射频功率管) IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) IG---栅极电流(直流) IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时，截止栅电流 IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流 IGP---栅极峰值电流 IF---二极管正向电流 IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱 和电流 Iu---衬底电流 Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数) gfs---正向跨导 Gp---功率增益 Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 尼士电子论坛 /bbs 36 尼士单片机 GPD---共漏极中和高频功率增益 ggd---栅漏电导 gds---漏源电导 K---失调电压温度系数 Ku---传输系数 L---负载电感(外电路参数) LD---漏极电感 Ls---源极电感 rDS---漏源电阻 rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻 rGS---栅源电阻 Rg---栅极外接电阻(外电路参数) RL---负载电阻(外电路参数) R(th)jc---结壳热阻 R(th)ja---结环热阻 PD---漏极耗散功率 PDM---漏极最大允许耗散功率 PIN--输入功率 POUT---输出功率 PPK---脉冲功率峰值(外电路参数) to(on)---开通延迟时间 td(off)---关断延迟时间 ti---上升时间 ton---开通时间 toff---关断时间 tf---下降时间 trr---反向恢复时间 Tj---结温 Tjm---最大允许结温 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tstg---贮成温度 VDS---漏源电压(直流) VGS---栅源电压(直流) VGSF--正向栅源电压(直流) VGSR---反向栅源电压(直流) VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数) VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数) Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数) VGS(th)---开启电压或阀电压 V(BR)DSS---漏源击穿电压 V(BR)GSS---漏源短路时栅 37 源击穿电压 尼士电子论坛 /bbs 38 尼士单片机 VDS(on)---漏源通态电压 VDS(sat)---漏源饱和电压 VGD---栅漏电压(直流) Vsu---源衬底电压(直流) VDu---漏衬底电压(直流) VGu---栅衬底电压(直流) Zo---驱动源内阻 η---漏极效率(射频功率管) Vn---噪声电压 aID---漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数 场效应管的检测方法与经验 2007-05-26 10:27 一、用指针式万用表对场效应管进行判别 (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的 PN 结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效 应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在 R×1k 档上，任选两个电极，分别测 出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时， 则该两个电极分别是漏极 D 和源极 S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可 互换，剩下的电极肯定是栅极,。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意 接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两 次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为 漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是,,结的反向，即都是反向电 阻， 39 可以判定是,沟道场效 应管，且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均 很小，说明是正向,,结，即是正向电阻，判定为,沟道场效应管，黑表笔接的 也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到 判别出栅极为止。 (2)用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、 栅极与源极、 栅极与漏极、 栅极,1 与栅极,2 之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别 管的好坏。具体方法:首先将万用表置于,×,,或,×100 档，测量源极,与 漏极,之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知，各种不同型号 的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接 触不良;如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于,×,, ,档，再测栅极,1 与,2 之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测 得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通 路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检 测。 (3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法:用万用表电阻的 R×100 档，红表笔接源极,，黑表笔接漏极,， 给场效应管加上 1.5,的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后 用手捏住结型场效应管的栅极,， 40 将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由 于管的放大作用，漏源电压 VDS 和漏极电流 I,都要发生变化，也就是漏源极间 电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆 尼士电子论坛 /bbs 41 尼士单片机 动较小，说明管的放大能力较差;表针摆动较大，表明管的放大能力大;若表针 不动，说明管是坏的。 根据上述方法，我们用万用表的 R×100 档，测结型场效应管 3DJ2F。先将 管的,极开路，测得漏源电阻 RDS 为 600Ω，用手捏住,极后，表针向左摆动， 指示的电阻 RDS 为 12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的 放大能力。 运用这种方法时要说明几点:首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用 表针可能向右摆动(电阻值减小)，也可能向左摆动(电阻值增加)。这是由于 人体感应的交流电压较高， 而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同 (或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致，试验表明，多数管的 RDS 增大，即 表针向左摆动; 少数管的 RDS 减小， 使表针向右摆动。 但无论表针摆动方向如何， 只要表针摆动幅度较大，就说明 管有较大的放大能力。第二，此方法对 MOS 场效 应管也适用。但要注意，MOS 场效应管的输人电阻高，栅极,允许的感应电压不 应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去 碰触栅极，以防 42 止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次测量 完毕，应当 G-S 极间短路一下。这是因为 G-S 结电容上会充有少量电荷，建立起 ,G,电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将 G-S 极间电荷短路放掉才 行。 (4)用测电阻法判别无标志的场效应管 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极,和漏极,， 余下两个脚为第一栅极 G1 和第二栅极 G2。把先用两表笔测的源极,与漏极,之 间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻 值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极,;红表笔所接的为源极,。用这种方 法判别出来的,、,极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大 能力大的黑表笔所接的是,极;红表笔所接地是,极，两种方法检测结果均应一 样。当确定了漏极,、源极,的位置后，按,、,的对应位置装人电路，一般 G1、G2 也会依次对准位置，这就确定了两个栅极 G1、G2 的位置，从而就确定了 ,、S、G1、G2 管脚的顺序。 (5)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小 对,,,, ,沟道增强型场效应管测量跨导性能时， 可用红表笔接源极,、 黑表笔接漏极,，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开 路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在 R×10kΩ 的高阻 档，此时表内电压较高。当用手接触栅极,时，会发现 43 管的反向电阻值有明显地 变化， 其变化越大， 说明管的跨导值越高; 如果被测管的跨导很小， 用此法测时， 反向阻值变化不大。 二、.场效应管的使用注意事项 (1)为了安全使用场效应管，在线路的 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 中不能超过管的耗散功率，最 大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 (2)各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵 守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是,,结，,沟道管栅极不 能加正偏压;,沟道管栅极不能加负偏压，等等。 (3)MOS 场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚 短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能 将 MOS 场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的 尼士电子论坛 /bbs 44 尼士单片机 防潮。 (4)为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙 铁、 线路本身都必须有良好的接地; 管脚在焊接时， 先焊源极; 在连入电路之前， 管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上 取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然，如果能采用先 进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全;在未关断电源 时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全 措施 《全国民用建筑工程设计技术措施》规划•建筑•景观全国民用建筑工程设计技术措施》规划•建筑•景观软件质量保证措施下载工地伤害及预防措施下载关于贯彻落实的具体措施 在使用场效应管时 必须注意。 (5)在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了 防管件振动，有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸 ,毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。 尼士电子论坛 /bbs 45 46 47