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计算机组成原理存储器EM实验

计算机组成原理存储器EM实验实验二存储器EM实验一、实验目的：了解模型机中程序存储器EM的工作原理及控制方法。二、实验要求：利用C0P2000实验仪上的K16..K23开关做为DBUS的数据，其它开关做为控制号，实现程序存储器EM的读写操作。三、实验原理：存储器EM由一片6116RAM构成，通过一片74HC245与数据总线相连。存储器EM的地址可选择由PC或MAR提供。存储器EM的数据输出直接接到指令总线IBUS，指令总线IBUS的数据还可以来自一片74HC245。当ICOE为0时，这片74HC245输出中断指令B8。ABUSO>ABUS1>...

实验二存储器EM实验一、实验目的：了解模型机中程序存储器EM的工作原理及控制方法。二、实验要求：利用C0P2000实验仪上的K16..K23开关做为DBUS的数据，其它开关做为控制号，实现程序存储器EM的读写操作。三、实验原理：存储器EM由一片6116RAM构成，通过一片74HC245与数据总线相连。存储器EM的地址可选择由PC或MAR提供。存储器EM的数据输出直接接到指令总线IBUS，指令总线IBUS的数据还可以来自一片74HC245。当ICOE为0时，这片74HC245输出中断指令B8。ABUSO>ABUS1>ABUS2>ABUS3_>ABU54>ABUS5>ABUS15>ABUS7>74HC04〈ENIWR〉22192120ITA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A1_W_G_E61164567S.AOBOAlBlA2B2A3B3A4B4A5B5A5B6A7B7EDIR—vcc74HC245EDIRD0D1D2DJD4D5D6D1BOBlB2B3B4B5B6B7■|j-DBUS1>DBUS2~>DBUS3~~>DBUS4>7^DBUS7>IS互H7T亘ITITIEUSO>BUSI>IBUS2>IBUS3~~>IBUS4__>IBUS.5__>IBUS6__>IBUS7>EM原理图连接线表连接信号孔接入孔作用有效电平1J2座J3座将K23-K16接入DBUS[7:0]2IRENK6IR,uPC写允许低电平有效3PCOEK5PC输出地址低电平有效4MAROEK4MAR输出地址低电平有效5MARENK3MAR写允许低电平有效6EMENK2存储器与数据总线相连低电平有效7EMRDK1存储器读允许低电平有效8EMWRK0存储器与允许低电平有效9PCCKCLOCKPC工作脉冲上升沿打入10MARCKCLOCKMAR工作脉冲上升沿打入11EMCKCLOCK写脉冲上升沿打入12IRCKCLOCKIR,uPC工作脉冲上升沿打入四、实验内容：内容1：PC/MAR输出地址选择置控制信号为：K5K4地址总线红色地址输出指示灯(PCOE)(MAROE)01PC输出地址PC地址输出指示灯亮10MAR输出地址MAR地址输出指示灯亮11地址总线浮空00错误，PC及MAR同时输出PC及MAR地址输出指示灯亮以下存贮器EM实验均由MAR提供地址内容2：存储器EM写实验将地址0写入MAR2将11H写入EM[0]3将地址1写入MAR4将22H写入EM[1]内容3：存储器EM读实验1将地址0写入MAR2读EM[0]的内容将地址1写入MAR读EM[1]的内容内容4：存储器打入IR指令寄存器/uPC实验1将地址0写入MAR2读EM[O],打入IR3将地址1写入MAR4读EM[1],打入IR操作步骤：1．PC/MAR输出地址选择按照连接表连接好线路，要选择PC,则将K5(PC0E)置为0,K4(MAR0E)置为1,则可选择PC,此时PC地址输出指示灯亮(红色灯亮)，同理要选择MAR,则将K5(PCOE)置为1,K4(MAROE)置为0，则可选择MAR,此时MAR地址输出指示灯亮(红色灯亮)。2．存储器EM写实验将地址0写入MAR把输入信号置为00000000，并把K0，K2,K3置为低电平，打入上升沿脉冲,便把地址0写入MAR。将11H写入EM[0]将输入信号置为00010001，并将K0,K2,K3置为低电平，打入上升沿脉冲,便把地址11H写入EM[0],把K4置为低电平，把地址0输出到地址总线上将地址1写入MAR把输入信号置为00000001，并把K0,K2,K3置为低电平，打入上升沿脉冲,便把地址0写入MAR。4将22H写入EM[1]将输入信号置为00100010，并将K0,K2,K3置为低电平，打入上升沿脉冲,便把地址22H写入EM[1],把K4置为低电平,把地址1输出到地址总线上。3．存储器EM读实验1将地址0写入MAR把输入信号置为00000000，并把K0,K2,K3置为低电平，打入上升沿脉冲,便把地址0写入MAR。2读EM[0]的内容把K1，K2，K4置为低电平，打入上升沿脉冲，即可读出EM[0]的内容3将地址1写入MAR把输入信号置为00000001，并把K3置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址1写入MAR。4读EM[1]的内容把K1，K2，K4置为低电平，打入上升沿脉冲，即可读出EM[0]的内容4•存储器打入IR指令寄存器/uPC实验1将地址0写入MAR把输入信号置为00000000，并把K0,K2,K3置为低电平，打入上升沿脉冲,便把地址0写入MAR。2读EM[0],打入IR将K1,K2,K4置为低电平，打入上市沿脉冲,然后将K6置为低电平，再打入上升沿脉冲，即将EM[0]的内容打入IR。3将地址1写入MAR把输入信号置为00000001，并把K0,K2,K3置为低电平，打入上市沿脉冲,便把地址1写入MAR。4读EM[1],打入IR将K1，K2，K4置为低电平,打入上市沿脉冲,然后将K6置为低电平，再打入上升沿脉冲，即将EM[0]的内容打入IR。五、实验心得体会：通过此次实验，我对存储器的地址的读和写都有了比较深刻的理解，让我实践动手的能力又进一步的增强了，这次是自己能够看着原理图自己能连线，但是还是不能很好的分析它的原理，在下一次的试验中一定要好好的学习，最好自己能够弄懂。

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