【doc】蓝宝石上射频溅射沉积CeO2外延缓冲层

【doc】蓝宝石上射频溅射沉积CeO2外延缓冲层 蓝宝石上射频溅射沉积CeO2外延缓冲层 第33卷第2期 2005年2月 硅酸盐 JOURNAIOFTHECHINESECERAMICSOCIETY Vo1.33,No.2 February,2005 蓝宝石上射频溅射沉积CeO:外延缓冲层 熊杰,陶伯万,谢廷明,陈家俊,刘兴钊,李金隆,李言荣 (电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054) 摘要:研究了基片温度,溅射功率对采用射频溅射沉积在(1T02)蓝宝石基片上的CeOz薄膜生长的影响.过低的沉积温度,溅射功率都会导 致CeO2薄膜呈[111]取向生长.在基片温度为700,750C,溅射功率为100,150W,溅射气压为14Pa下沉积了高质量[oo1]取向的Ce()2缓 冲层.通过x射线衍射和原子力显微镜 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 征CeO2薄膜的结构和表面形貌.在最优化条件下制备的Ce02薄膜具有优良的面内面外取向性和 平整的表面.在ce0缓冲层上制得的YBa2CuO(YBCO)超导薄膜为完全[oo1]取向,面内取向性良好,并具有优越的电学性能,其临界转 变温度(丁)为89.5K.临界电流密度J(77K,0T)约为1.8×10A/cm,微波表面电阻R(77K,10GHz)大约为0.30mn. 关键词:钇钡铜氧超导薄膜;氧化铈缓冲层;蓝宝石;外延生长 中图分类号:0484.I文献标识码:A文章编号:0454一 GROWTHOFEPITAXIALCeO2THINFILMS0NSAPPHIREBYRADIO-FREQUENC YSPUTTERING XIONGJie,TAOBowan,XIETingrning,CHENJiajunLIUXingzhao,LlJinlong. 【lYunrong (CollegeofMicroelectronicsandSolidStateElectronics.UniversityofElectronicSciencean d TechnologyofChina,Chengdu610054.China) Abstract:[oo1]一orientedCeO2filmsweredepositedonsapphire(1102)byradio— frequencysputtering.TheCe()2filmsgrown on(1102)sapphirewithlowersubstratetemperatureandsputteringpowerhave[111]orientation.Ce()!filmswith[001]orien— tationcanbeobtainedatthesubstratetemperaturerangeof700to750.C,sputteringpowerfrom1O0lo150Wandsputtering gaspressureabout14Pa.CeO2filmswerecharacterizedbyXRDandAFM(atomicforcemicroscope).Ce()!filmspreparedun— dertheoptimizedconditionshaveexcellentin—planeandout— ofplaneorientation,andflatsurfaces.YBa2Cu3()一8(YBC())super— conductingfilmsgrownonCe02bufferlayersarein[OOljorientation.TheYBCOfilmisstrictlyin—planeandout—of—planeepi— taxialgrowthandhasgoodelectricalproperties,Thecriticaltransformtemperature(T)isabout89.5K,criticalcurrentden— sity(J)(77K,0T)is1.8× 10A/cmandmicrowavesurfaceresistance(R)(77K,10GHz)isabout0.3mn,whichwell meetstherequirementofthemicrowavedeviceapplication. Keywords:yttriumbariumcopperoxidesuperc.nduct.rthinfilms;ceriumoxidebufferlayer;sapphire;epitaxialgrowth 结晶良好的YBa.Cu.O(YBCO)薄膜具有优 越的电学性能,例如高临界转变温度(丁),高临界电 流密度(.,)和低微波表面电阻(R),因而在超导电 子学中被广泛应用.而对于微波应用而言,低介电 损耗的基片是必须的.在所有制备YBCO薄膜的 收稿Et期:2004—06—08.修改稿收到El期:2004—08—20. 第一作者:熊杰(1979,),男,博士研究生. 常用基片中,蓝宝石介电常数小(,.一9,12),介 质损耗低(tanSY3×10)引,机械强度大,热导率 高(是LaA10.基片的2O倍以上:),大面积的蓝宝 石单晶材料已经工业化生产且价格相对便宜,因 而倍受重视.由于蓝宝石与YBCO问晶格常数,热 Receiveddate:2004,06—08.Approveddate:2004—08—20 Firstauthor:XIONGJie(1979),male.1)ostgraduatestudentfor doctordegree. E—mail:bearbear622@163.com 硅酸盐 膨胀系数差别大,且相互之间易发生严重的扩散3], 直接在蓝宝石上沉积YBCO超导薄膜将影响薄膜 的性能.为了解决上述问 题 快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题 ,人们对多种缓冲层进 行了尝试].缓冲层的晶格常数和热膨胀系数必 须介于蓝宝石与YBCO之间,且在高温下化学性质 稳定. CeO:为立方晶体萤石结构,晶格常数为 0.5411nm[7],与YBCO匹配上有着绝对性的优势 (失配度<19/6),介电常数约为26],高温下化学稳 定性好,机械强度高,结构致密,是很好的缓冲材料. 制备CeO:薄膜的 方法 快递客服问题件处理详细方法山木方法pdf计算方法pdf华与华方法下载八字理论方法下载 很多,有PLD引,溅 射,MOCVDl17引,MBE_19等方法.相比其他 沉积技术,溅射法具有设备简单,膜厚可控性和重复 性好,所制备薄膜与基板附着性好,以及能够获得大 面积均匀薄膜的优点. 为此,实验采用溅射法在最优工艺条件下制得 了表面平整,取向较好的CeO缓冲层,并进一步得 到了性能优越的YBCO超导薄膜.研究了基片温 度,溅射功率等工艺参数对CeO.薄膜生长的影响. 1实验 用自制的476.2ram(3inch)四靶溅射系统(如 图1所示),该系统由CeO.溅射腔和YBCO溅射腔 组成.首先采用对靶射频溅射法沉积CeO.过渡层, 然后将基片传送入YBCO溅射腔内采用对靶直流 溅射法进行YBCO薄膜沉积,由于整个制备过程没 有破坏真空度,故保证了薄膜不受外界环境的污染. 实验分别采用直径均为50mm,高为45mm,厚度 5mm的空心圆柱状CeO2和YBa2Cu.O陶瓷 靶材. 图1大面积四靶溅射设备示意图 Fig.1Schematicillustrationforthefour-targetdeposi tionsystemoflarge—areathinfilmdeposition 实验中采用厚度为0.5mm,尺寸在476.2mm (3inch)以内的(15o2)蓝宝石作为基片.用热电偶 测定腔体内某个固定点温度的相对值作为基片温 度.CeO:生长中的工艺参数的研究范围为:基片温 度400,800.C,溅射功率30,200W变化.用 DX一1000X射线衍射仪和bedeD1多功能X射线 衍射仪对CeO:薄膜的微观结构,面外面内取向一致 性进行了衍射 分析 定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析 .用日本SEIKO仪器公司的 SPA300HV的原子力显微镜(atomicforcemicro— scope,AFM)对CeO:的表面形貌进行了表征.用美 国Gaertner科技公司的椭偏仪对CeO:薄膜的膜厚 进行测试. 2结果与讨论 2.1基片温度的影响 在保持其他的工艺参数(溅射氩气气压为14Pa, 氧氩比为1:2,溅射功率为100W)不变的情况下, 研究了基片温度变化对CeO:薄膜结构取向,表面形 貌的影响. 2.1.1对薄膜结构的影响图2为不同温度下 生长CeOz薄膜的XRD图谱.从衍射结果来看,在 450.C时,薄膜[111]取向明显,几乎找不到(O01)面 衍射峰.随温度升高,(001)衍射峰逐渐增强,(111) 衍射峰减弱或消失.当基片温度达到700C时为完 全Eoo1]取向.足够高的基片温度能提供薄膜外延 生长粒子必须的能量,使沉积的粒子(团)具有足够 的能量在基片表面迁移,到达能量较低的位置,形成 稳定的结晶形态.在CeO.薄膜生长中,若生长温度 太低,则粒子到达基片表面后,化学反应速率较低, 且不能从基片(或薄膜)的晶格振动中获得足够的 动能进行迁移,在没有到达合适的位置就凝结下 来.因此溅射粒子在基片表面易按能量较低的 [111]取向进行生长.当基片温度升高时,粒子 2O 图2 Fig.2 405O6O 20/(.) 不同温度下沉积的CeO薄膜XRD衍射谱 XRDpatternsofCeO2filmsgrownonsapphire atdifferentsubstratetemperatures 第33卷第2期熊杰等:蓝宝石上射频溅射沉积CeO2外延缓冲层:: 或粒子团可以进行剧烈的运动以寻找低能位,由 TEoo1]取向比[111]取向稳定,最终形成更为稳定 的[oo1]取向_2. CeO薄膜取向程度对YBCO超导薄膜的生长 存在很大的影响,CeO[001]取向有利于YBCO按c 轴取向生长.CeO薄膜的[-001]取向程度Fooz可以 通过(002)与(111)峰相对强度来决定,并通过其衍 射峰理论值强度进行归一化口: .一[/28.3]/[-(Io./28.3)+(Jm/1oo)]×100 F1一[-i/100]/[-(Io.2/28.3)+(J11/1oo)]×100 由图3所示,当温度低于500.C时,[111]取向 的程度F…?1O0,随着温度升高,[1l1]取向程度 越来越小,而[-ooi]取向越来越高,从图看到,当温度 达到700.C后,[-001]取向程度达到饱和值,几乎不 再改变,CeO薄膜[-001]取向良好,F?1()(). 根据Nelson—Riley方程,计算每个基片温度下 CeO薄膜的晶格常数(n.),并用基片温度与对应晶 格常数作图,如图4所示.当基片温度低于500.C = ? 舌 量 g' 0 Substratetemperature/~C 图3F0.z与F随基片温度变化 . 3PlotoforientationdegreeF..2andFlllofCeO2 againstsubstratetemperature 图4CeO.薄膜晶格常数与基片温度的关系 Fig.4Latticeconstant(a.)inCeO2filmVSsubstrate temperature 得到的薄膜晶格常数a.值大约为0.545nm.随着 基片温度增加,a.值随着减小,在700.C以上,所得 到薄膜的晶格常数为0.541nm,几乎接近于CeO: 块材的晶格常数值(O.5411nm) 根据CeO(002)峰的XRD扫描半高宽 (FWHM)判断薄膜C轴取向程度.随着基片温度 从500.C增加,(002)峰的半高宽逐渐减小,大约在 700C时开始饱和,FwHM几乎保持不变,约为 0.5.. 2.1.2对表面形貌的影响图5是不同温度下 所沉积薄膜的表面AFM形貌.从图5可以看出, 当基层温度在500.C时,表面为稀疏颗粒组成,粒径 较小(图5a).随着温度升高,颗粒密度减小,粒径 增加(图5b).当基片温度继续升高,颗粒密度增 加,粒径减小,当基片温度为730C左右(图5c)时, 表面为致密球状颗粒,平均粒径大约为70nm.继 续升高温度时,薄膜中致密球状颗粒变为正方形晶 粒.因为当基片温度较低时,溅射粒子动能损失快, 在基片表面移动的速度慢,故在基片表面形成较多 的成核中心,因为粒子平均自由程短,所以晶核长大 慢,颗粒较小.当基片温度升高,由于溅射粒子在表 面获得较多的能量,粒子在基片表面运动能力增强, 在基片表面形成较少的成核中心,而晶粒的最终大 小受到沉积原子迁移的平均自由程限制,随着温度 增加自由程增大,晶粒尺寸变大.当基片温度足够 高时(对应图5e),晶核在溅射期间成长快,容易在整 个薄膜生长过程中形成均匀的高密度稳定晶核. 在此情况下晶粒的最终大小受到2个相邻的稳定晶 核间的距离限制,晶核密度越高.所形成的晶粒尺寸 越小.因此图5c的样品具有最平整的表面.随着 温度继续升高,由于溅射粒子或粒子团可以进行剧 烈的运动,导致薄膜晶粒一般较大,且可能生成较大 的孔洞,如图5d. 多次重复实验的结果表明,当基片温度为 700,750.C时能获得高质量的CeO:薄膜. 2.2溅射功率的影响 保持基片温度为730.C,溅射气压为14Pa,氧 氩比为1:2,薄膜膜厚固定为30nm,研究溅射功率 对Ce0薄膜生长的影响. 2.2.1对微观结构的影响由图6可以看出,当 射频功率为3Ow时,XRD图谱的曲线上未见Ce(): 的衍射峰,而且,AFM图像也证明蓝宝石衬底上没 有沉积得到CeO薄膜.由此可知,射频功率为 3Ow时,轰击靶材的Ar的能量还没有达到CeO ?&?c.童c?IJ0llu暑c.:喜j 图5不同温度F积的L'()游艇的襄而AFM形糗 FigAFMirnaE…fr(】u…m/~ri>wlIdifft'r~n suI)s1ra1t?rnr'ra【lIr 第s3营第!—— 竖尘篓:些互塑塑璺生竺望星 子在基片表面剧烈运动,类似于垦片温度对薄膜表 02468 『叫 llI12IX1 图丽{!瞧射功率F机祀蚋Cv()薄膜表啕的^FMJf;竣 Ilg7AFMll!?】f【'f),[ilmsHrownaIdillr|_l spu1rlng1cI 面形貌的影响(如图d).虽终形成夫}粒j溅射 功率适当.溅射粒子到达基片表_叫后.基片表形 成较多的成棱中心.随着溅射的进衍,很多小岛械洼 矮J};成平整度高的薄膜丧面, 此.当溅射功术处于n,】.50W洲.,'"J薄 睦c轴取向虞最高,薄膜表也最平静 出丁YH('【)薄膜性能与Ce()博麒呐晶格取. 丧耐形貌以殷厚度有关.因此.步『矸究r【'【):r 薄睦厚鹰埘CeO缓冲层生长的影啊XRD研究结 粜H示:薄膜厚度对L'()过渡层岫影响际r表现 衍!i_f峰慢凄外,与取向j{:无太大是系.所得到的 【'()均匀完全LOl1]取向 采J羽原子力显微镜对不同噬的?【】薄膜咀 进frr捉丽形貌观测.当薄膜厘度超过l-llrl-岳.薄 睡的获瞳【粗糙度突然增JJ口.AFM{]捕豫中群品襄 面牲晰发也速增多,町"认为这是山于【(】炭 …能减小趋势的俘在,导致r小岛0小岛之I}JJ台jf 肜成大岛.引起表面l耗【糙度的增堀.还会因此出削微 裂纹当Le(】.薄膜厚度太小.iIm于Ce()筒帷刚 蒿之问仃存大晌特等异.致切阶段二占 之存庄较大的应力.表而粗糙发十几时较大.H尢法 止监'百与Y,f)之间的栩扩敞实骑I州: 当('【j一薄膜厚度大于I-1nn1,能得刮':能良}帕 ,.I{【'c】簿嚷 因L.当L'()薄睫厚度为I,l1rlIII一1.肓 最为平祭的表面形貌.】{_能得到忡能优越的YI'【) 赳膜 存L述研究础L.往(1】n!,蕊基HL采 川片温J望73(1(,溅射功率!-W最优化兼什 r制备得到厚度约Ihill的Ce(】薄帻填XRI]【刳 瞒如图昕示.所得到n勺薄膜为伞一…,j取 ;l的插『訇为Ce().薄膜(002苇摇摆曲线.牛高宽 约?L'()薄膜(?|I!)峰采?1XR【]扫描榭 到je而取n1]程度.l陌l所示I*叫为个分 离-相等高斯射峰.说驯所得到"一):薄噤面lq 般向rj:良好=在这样的L()游&I(r『HJ(牡『 嚏为扎m,10『llnlY'.J薄膜完轴取向.对 Y?{(..)(1ll】峰进{描显其lJ,l墩向良 . 同I1,f世具有优越的电学竹能:ll徉转变温J耍-丁.) 15Kr1I,,临群电流帑l复Jl77K.-rI 约I.d.-10A-L'T%I.i:=堑艘丧J町I乜2R,c77K lcl(Hz)大约为0.30mn.I. 86420 硅酸盐2005钲 3 0 O 一 寸 0 0 2030405O60 28/f.1 图8最优条件下生长的CeO!薄膜的XRD图谱 Fig.8XRDpatternofCeO2filmsgrownon【?02)sap— phireunderoptimumgrowthconditionsandthe insetshows?一scanof(002)reflectionofCeO2 film CeO2(202) 【,i 5OO5O1oo15O2002503oo350 /I.1 图9CeO(202)衍射峰X射线扫描图谱 Fig.9一scanpatternof(202)reflectionofCeO2on sapphire 结论 研究了工艺参数对蓝宝石上射频溅射法原位生 长CeO薄膜的影响.结果显示在基片温度高于 700.C,溅射功率为1OO,15Ow,溅射气压为14Pa 下能制备得到高质量Eoo]]取向CeO?缓冲层,其结 晶性能良好,摇摆曲线半高宽约为0.5.,且面内取向 性好.用这些缓冲层作为生长面制备得到的YBCO 超导薄膜具有良好的面内面外取向以及优越的电学 性能. 致谢:作者谨对电子科技大学分析中心姬洪老师,戴林 杉,陈坤,曾慧中在薄膜测试方面给予的帮助表示感谢;感谢 四川大学朱居木老师给予XRD测试以及有益的讨论. 参考文献: [1]ABRUTISA,KUBILIUSV,BIGE[YTEV,t"c.[resit" heteroepitaxialgrowthofCeO2/YBa2Cu3O7filmsonsapphire byinjectionCVDEJ].MaterLeu.1997?3l:2Ol2()7. KOTEIYANSKIIIM,LUZAN()VVA.DIKAEVYaM,el "f.Depc,sitionofCeO2filmsincludingareaswiththediffer enceorientationandsharpborderbetweenthemJ].Thin SolidFilInS,l996,280:163166. SPEI1ERSC.Thalliumbasedhightemperaturesupercon ductorsformicrowavedeviceapplications[J].MaterSci Techno1,2003,19:269—282. S()KoL()VSV,KN()TK()AV,PUTIAYKVVI.ela1. CharacterizationofCeO2thinfilmsonasapphire[J-.Super latticesMicrostruct,1998,24:49—53, ZAITSEVAG,WORDENWEBFRB.()CKEFUBG.el a1.Microwavelossesandstructuralpropertiesoflargearea YBa!Cu.()filmsonr_cutsapphirebufferedwith(001)/ (111)orientedCeO2[J].IEEETransApplSupercond.l997, 7:l482—1485. 张其瑞.高温超导电性[M].杭州:浙江大学出版社.l992. 48O483. ZHANGQirui.HighTemperatureSuperConducti~lty(inChi nese).Hangzhou:Zh~iangUniversityPress.1992.180—183. WUXD.DYERC.MUENCHAUSERE,ela1.Epitaxial Ce()2filmsasbufferlayersforhightemperaturesupercon ductingthinfilms[J].ApplPhysi.ett.I991.58:2I65 2l67. KUPPUSANIP,RAGHUNATHAS.Processingandprop— ertiesofthinfilmsofhighcriticaltemperaturesuperconduc torsEJ].1ntMaterRev,2003,48:1l3. KIMInSein.LIMHae—Ryong.KIMDongHo.ela1.Sur facemorphologyandcriticalcurreutdensityofhighquality YBaCu3O7thinfilmsonsapphiresubstrateEJ].IEEETrails Magn,1999,35:4O73—4075. CASTE[X,GUILLOUX—VIRYM,PERRINA.el"f.High crystallinequalityCeO2bufferlayersepitaxiedon(IIO2)sap phireforYBa2Cu30thinfilmsEJ].JCrystGrowth.I998. 187:211—22O BANGH,CHOJH,KIMHK,elalX'ray'reflectivity studiesofhighlycrystallineCeO2fihnsoil(1102)AI!()J]. ApplSurfSci,2001,174:257260. DEVEI|OSKD,MASASHIM,()HSHIMAS.et",.Elimi nationof"一axisgrowthinYBa2CuII()—filmsonCe()!buff eredAI203EJ].JpnJApplPhys.2000,39:1I16I12o. IEEJH,K()YB.CorrelationbetweenthemicrowavesUr. faceresistanceandthecrystalstructuresofYBa2Cn()7-afilms onCe02一bufferedsapphire[J].SupA,rcondSciTeclmol,2003, 16:386391. ZArTSEVAG,0CKENFUSSG.GUGGrD.el",.Strnc turalperfectionof(001)Ce()2thillfilmsOil(1102)sapphire [J].JApplPhys,1997,81:3O69—3073. KAWAGISHIK,K()M()RIK.FUKUT()MrM,el",.Fac torsaffectingthem}crowavesurfaceresislanceofcrackfree thickYBCOfilmsonsapphiresubstrates[J].PhysicaC, 2003,392—396:1236—1240.(continuedOIlP.159) 一_H,三=1一 第33卷第2期郑治祥等:A1O./SiC复合材料表面裂纹鱼鱼鱼兰堡堕?159? 和1400.C空气中保温1h后,抗弯强度分别恢复提 高至560,601MPa和740MPa.相对应的纯氧化 铝基本不发生高温自愈合现象,高温处理后,由于打 压痕裂纹引起的强度急剧下降,没有得到恢复. (2)A1O.一20SiC复合材料的高温自愈合 过程是氧与SiC晶须反应生成SiO.玻璃相,进而与 Al.o.基体反应生成莫来石相,逐步填充裂纹的结 果. (3)氧的存在与传输对AlO.一2OSiC复合 材料的高温自愈合过程有重要影响,它对氧化反应 过程的进行至关重要.氧同位素示踪实验显示,氧 分子是通过相界面/晶界面等快速传输通道向莫来 石SiO一SiC界面迁移,而不是离子氧的点阵空位扩 散传输的.这种传输方式是氧化反应和裂纹自愈合 过程的持续进行的主要原因. 参考文献: [1]WEIG,BECHERP.DevelopmentofSiC—whisker—reinforced ceramics[J].AmCeramSocBull,1985,64(2):298—304. Ee]HOMENYJ,V~UGHNW,FERBERM.Processingand mechanicalpropertiesofSiC—whisker—AI203matrixcompos— ites[J].AmCeramSocBul1.1987,66(2):333—338. r3]TIEGST,BECHERP.Thermalshockbehaviorofanalumi— na—SiCwhickercomposite[J].JAmCeramSoc,1987,70 (5):C一1O9一C一111. E4]LEEW,CASEE.CyclethermalshockinSiC—whisker—rein— forcedaluminacomposite[J].MaterSciEng.1989?A119: 113—126. Es]林广涌,周玉,I~1磊,等.SiC晶须增韧AI2Oa及ZrOe (YO.)基陶瓷复合材料的抗热震行为[J].材料科学与工艺? 1994,2(1):21—25. LINGGuangyong,ZHOUYu,TIANLei.eta1.MaterSci Technol(inChinese),1994,2(1):2I一25. [6]吕瑁,郑治祥,金志浩.氧化铝基陶瓷复合材料的阻力行 为及抗热震性能[J].复合材料,2001.(4):76—81. LOJun.ZHENGZhixiang.JINZhihao.ActaMaterCompos Sinica(inChinese).2001(4):76—81. [7]THOMPSONAM,CHANHM,HARMERMP.Crack healingandstressrelaxationinAI2()SiCnanoeomposites [J].JAmCeramSoc,1995,78(3):567—571. [8]MARSHALLDB,LAWNBR,CHANTIKELIP.Residual stresseffectsinsharpcontactcracking.partII.strength degradation[J].JMaterSci,1976.14(9):2225—2235. [9]ZHENGZ,TRESSLERRE,SPEARKE.Oxidationofsin glecrystalsiliconcarbide,partI.experimentalstudies[J].J ElectrochemSoc,1990,137(3):854--858. [1O]ZHENGZ.TRESSLERRE,SPEARKE.Oxidationofsin— glecrystalsiliconcarbide.partII.kineticmodel[J].JElec— trochemSoc,1990.137(9):2812--2816. [11]IuJun,ZHENGZX,DINGHF.eta1.Preliminarystudy ofthecrackhealingandstrengthrecoveryofAleOa—matrix composites[J].FatigueFractEngMaterStruct,2004,27 (2).89—97. ※※※※※※※※ (continuedfromP.154) [16]KAWAGISHK,KOMORIK,FUKUTOMIM,eta1.Thick— nessandcompositiondependenceofmicrowavepropertiesof YBCOthinfilmsonCeO2一bufferedsapphiresubstrates[J]. PhysicaC,2002,372—3761659—662. [173BECHTM,MORISHITAT.Preparationofbufferlayersfor HTSmaterialsbyMOCVD[J].JAlloysCompd,1997,251: 31O一313. [18]FROHLICHK,MACHAJDIKD.VAVRAI,eta1.Super conductingYBa2Cu307filmspreparedbyaerosolmetalorganic chemicalvapourdepositiononAI2O3substratewithCeO2buff— erlayer[J].SupercondSciTechnol,1997,10:657—662. [19]KURIANJ,NAITOM.GrowthofepitaxialCeO2thinfilms onrmCUtsapphirebymolecularbeamepitaxy[J].PhysicaC, 2004,4O2:31—37. [2O]KIMLeejun,KIMJinmo,JUNGDonggeun,eta1.Effectsof depositionparametersonthecrystallinityofCeO2thinfilms depositedonSi(100)substratesbyr.f.一magnetronsputtering [21] [22] 23] [J].ThinSolidFilm,2000,360:154—158. SAVVIDESN,THORIEYA,GNANARAJANS,eta1. Epitaxialgrowthofceriumoxidethinfilmbufferlayersdepos— itedbyd.cmagnetronsputtering[J].ThinSolidFilms,2001. 388:177—182. DEVEI0SKD.YAMASAKIH.SAWAA.et".Onthe originofsurfaceoutgrowthsinpulsed—-laser——depositedYBCO/ CeO2/AI2Oathinfilms[J].PhysicaC,2001,361:121—129. 熊杰,陶伯万,谢廷明,等.3英寸YBC()/CeO2/AI2O3双面 超导外延薄膜的制备研究[A].第五届中国功能材料及其应 用学术会议Ec].北京,2004. XIONGJie,TAOBowan.XIETingming.eta1.Preparation of?3"large—areadoublesidedYBCOthinfilmonCeO2buff— eredr—planesapphire[A].FifthChinaNationalConferenceon FunctionalMaterialsandApplications(inChinese).Beijing, 2004.