电工学简明教程五后

null§ 10.5差分放大电路§ 10.5差分放大电路10. 5. 1 差分放大电路的工作原理 电路结构对称，在理想的情况下，两管的特性及对应电阻元件的参数值都相等。差分放大电路是抑制零点漂移最有效的电路结构。差分放大原理电路 两个输入、两个输出两管静态工作点相同1. 零点漂移的抑制1. 零点漂移的抑制uo= VC1 － VC2 = 0uo= (VC1 + VC1 ) － (VC2 +  VC2 ) = 0静态时，ui1 = ui2 = 0当温度升高时ICVC （两管变化量相等） 对称差分放大电路对两管所产生的同向漂移都有抑制作用。VC1VC22. 有信号输入时的工作情况2. 有信号输入时的工作情况 两管集电极电位呈等量同向变化，所以输出电压为零，即对共模信号没有放大能力。(1) 共模信号 ui1 = ui2　大小相等、极性相同 差分电路抑制共模信号能力的大小，反映了它对零点漂移的抑制水平。共模信号 需要抑制uo1uo2 --++null两管集电极电位一减一增，呈等量异向变化，(2) 差模信号 ui1 = – ui2　大小相等、极性相反uo= (VC1－VC1 )－(VC2 + VC１ ) =－2 VC1 即对差模信号有放大能力。差模信号 是有用信号(3) 比较输入(3) 比较输入 ui1 、ui2 大小和极性是任意的。例1: ui1 = 10 mV, ui2 = 6 mV ui2 = 8 mV － 2 mV 例2: ui1 =20 mV, ui2 = 16 mV 可分解成: ui1 = 18 mV + 2 mV ui2 = 18 mV － 2 mV 可分解成: ui1 = 8 mV + 2 mV共模信号差模信号 放大器只 放大两个 输入信号 的差值信 号—差动 放大电路。 这种输入常作为比较放大来应用，在自动控制系统中是常见的。 10. 5. 2 典型差动放大电路10. 5. 2 典型差动放大电路RE的作用：稳定静态工作点，限制每个管子的漂移。EE：用于补偿RE上的压降，以获得合适的工作点。一、结构null为了使左右平衡，可设置调零电位器: 特点：加入射极电阻RE ；采用正负双电源供电。双电源的作用：（1）使信号变化幅度加大。 （2）IB1、IB2由负电源-UEE提供。null二、 静态分析 温度TICIE = 2ICUEUBEIBIC1. RE的作用 设ui1 = ui2 = 0RE 具有强负反馈作用—— 抑制温度漂移，稳定静态工作点。nullnull(一) 差模输入均压器三、 动态分析nullRE 对差模信号作用 ui1 ui2ib1 , ic1ib2 , ic2ic1 = - ic2iRE = ie1+ ie2 = 0uRE = 0RE对差模信号不起作用null差模信号通路T1单边微变等效电路null1. 放大倍数单边差模放大倍数:null若差动电路带负载RL (接在 C1 与 C2 之间), 对于差动信号而言，RL中点电位为 0, 所以放大倍数：即：总的差动电压放大倍数为：差模电压放大倍数:nullro = 2RC ro输入电阻：输出电阻：2. 输入输出电阻思考题：电路去掉RB能正常工作吗？ RB的作用是什么？null四种差分放大电路单端输出差分电路的电压放大倍数 只有双端输出差分电路的一半null(二) 共模输入RE对共模信号有抑制作用（原理静态分析，即由于RE的负反馈作用，使IE基本不变） 。uC ic1 、 ic2 iRE 、 uRE null共模信号通路:nullT1单边微变等效电路AC  0问题：负载影响共模放大倍数吗？不影响！null 全面衡量差分放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。差模放大倍数共模放大倍数 KCMR越大，说明差放分辨 差模信号的能力越强，而抑制 共模信号的能力越强。10.5.4 共模抑制比共模抑制比null 若电路完全对称，理想情况下共模放大倍数 Ac = 0 输出电压 uo = Ad （ui1 － ui2 ） = Ad uid 若电路不完全对称，则 Ac 0， 实际输出电压 uo = Ac uic + Ad uid 即共模信号对输出有影响 。例: Ad=-200 Ac=0.1 KCMRR=20 lg  (-200)/0.1 =66 dB§ 10.6 互补对称功率放大电路§ 10.6 互补对称功率放大电路10.6.1 对功率放大电路的基本要求 功率放大电路的作用：是放大电路的输出级，去推动负载工作。例如使扬声器发声、继电器动作、仪 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 指针偏转、电动机旋转等。(1) 在不失真的情况下能输出尽可能大的功率。(2) 由于功率较大，就要求提高效率。null晶体管的工作状态甲类工作状态 晶体管在输入信号 的整个周期都导通 静态IC较大，波形好, 管耗大效率低。乙类工作状态 晶体管只在输入信号 的半个周期内导通， 静态IC=0，波形严重失真, 管耗小效率高。甲乙类工作状态 晶体管导通的时间大于半个周期，静态IC 0，一般功放常采用。10.6.2 互补对称放大电路10.6.2 互补对称放大电路 互补对称电路是集成功率放大电路输出级的基本形式。当它通过容量较大的电容与负载耦合时，由于省去了变压器而被称为无输出变压器(Output Transformerless)电路，简称OTL电路。若互补对称电路直接与负载相连，输出电容也省去，就成为无输出电容(Output Capacitorless)电路，简称OCL电路。 OTL电路采用单电源供电， OCL电路采用双电源供电。1. OTL电路1. OTL电路(1) 特点T1、T2的特性一致； 一个NPN型、一个PNP型 两管均接成射极输出器； 输出端有大电容； 单电源供电。(2) 静态时(ui= 0), IC1 0， IC2  0OTL原理电路电容两端的电压null(3) 动态时 设输入端在UCC/2 直流基础上加入正弦信号。T1导通、T2截止； 同时给电容充电T2导通、T1截止； 电容放电，相当于电源 若输出电容足够大，其上电压基本保持不变，则负载上得到的交流信号正负半周对称。ic1ic2交流通路uo输入交流信号ui的正半周输入交流信号ui的负半周null (4) 交越失真 当输入信号ui为正弦波时， 输出信号在过零前后出现的 失真称为交越失真。 交越失真产生的原因 由于晶体管特性存在非线性， ui < 死区电压晶体管导通不好。　采用各种电路以产生有不大的偏流，使静态工作点稍高于截止点，即工作于甲乙类状态。克服交越失真的措施null 动态时，设ui 加入正弦信号。正半周T2 截止，T1基极电位进一步提高，进入良好的导通状态。负半周T1截止，T2基极电位进一步降低，进入良好的导通状态。 静态时T1、T2 两管发射结电压分别为二极管D1、D2的正向导通压降，致使两管均处于微弱导通状态。(5) 克服交越失真的电路null2. OCL电路ic1ic2静态时：ui = 0V, iC1 0， iC2 0 uo = 0V。动态时：ui < 0VT2导通，T1截止ui > 0VT1导通，T2截止特点： 双电源供电、 输出无电容器。uoOCL原理电路§ 10.7 场效应管及其放大电路§ 10.7 场效应管及其放大电路 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。结型场效应管按结构不同场效应管有两种:绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分10.7.1 绝缘栅场效应管10.7.1 绝缘栅场效应管漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。(1) N沟道增强型管的结构栅极G源极S1. 增强型绝缘栅场效应管 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014 。符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014 。 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。null(2) N沟道增强型管的工作原理 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。null 当UGS > 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。当UGS >UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。(2) N沟道增强型管的工作原理nullN型导电沟道当UGS  UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。(2) N沟道增强型管的工作原理null(3) 特性曲线有导电沟道转移特性曲线无导电 沟道开启电压UGS(th）UDSUGS/ 漏极特性曲线恒流区可变电阻区截止区null符号：结构(4) P沟道增强型 SiO2绝缘层加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效应管只有当UGS  UGS(th）时才形成导电沟道。2. 耗尽型绝缘栅场效应管2. 耗尽型绝缘栅场效应管符号： 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。(1 ) N沟道耗尽型管SiO2绝缘层中 掺有正离子予埋了N型 导电沟道2. 耗尽型绝缘栅场效应管2. 耗尽型绝缘栅场效应管 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。 当UGS > 0时，使导电沟道变宽， ID 增大； 当UGS < 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。 当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失， ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UGS(off）表示。 这时的漏极电流用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。null(2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线夹断电压 耗尽型的MOS管UGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。 UGS(off)IDSS2. 耗尽型绝缘栅场效应管2. 耗尽型绝缘栅场效应管(3) P 沟道耗尽型管予埋了P型 导电沟道SiO2绝缘层中 掺有负离子耗尽型耗尽型G、S之间加一定 电压才形成导电沟道在制造时就具有 原始导电沟道3. 场效应管的主要参数3. 场效应管的主要参数(1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： (3) 饱和漏电流 IDSS：(4) 低频跨导 gm：表示栅源电压对漏极电流 的控制能力极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。 场效应管与晶体管的比较 场效应管与晶体管的比较类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道10.7.2 场效应管放大电路10.7.2 场效应管放大电路 场效应晶体管具有输入电阻高、噪声低等优点，常用于多级放大电路的输入级以及要求噪声低的放大电路。 场效应管的源极、漏极、栅极相当于双极型晶体管的发射极、集电极、基极。 场效应管的共源极放大电路和源极输出器与双极型晶体管的共发射极放大电路和射极输出器在结构上也相类似。 场效应管放大电路的分析与双极型晶体管放大电路一样，包括静态分析和动态分析。 null1.自给偏压式偏置电路 栅源电压UGS是由场效应管自身的电流提供的，故称自给偏压。UGS = –RSIS = –RSIDT为N沟道耗尽型场效应管 增强型MOS管因UGS=0时， ID 0，故不能采用自给偏压式电路。null静态分析可以用估算法或图解法( 略 )估算法：UGS = – RSID将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式，解出UGS、ID; 由 UDS= UDD –ID(RD+ RS) 解出UDS列出静态时的关系式 对增强型MOS管构成的放大电路需用图解法来确定静态值。null例：已知UDD =20V、RD=3k、 RS=1k、 RG=500k、UGS(off)= –4V、IDSS=8mA， 确定静态工作点。解：用估算法UGS = – 1 IDUDS= 20 – 2（ 3 + 1 ）= 12 V列出关系式解出 UGS1 = –2V、UGS2 = –8V、ID1=2mA、ID2=8mA 因UGS2