VCSEL工艺简介课件垂直腔面发射激光器（VCSEL）制作工艺简介BeijingAsiaScience&Technology1VCSEL基本简介垂直腔表面发射激光器(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser,即VCSEL)区别于边发射激光器沿平行于衬底表面、垂直于解理面的方向出射，而是面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面，如下图：边发射激光器（a）面发射激光器(b)www.astchina.comVCSEL基本简介-基本构成1977年，日本东京工业大学的伊贺健一(KenichiIga)提出VCSEL的...
垂直腔面发射激光器（VCSEL）制作工艺简介BeijingAsiaScience&Technology1VCSEL基本简介垂直腔表面发射激光器(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser,即VCSEL)区别于边发射激光器沿平行于衬底表面、垂直于解理面的方向出射，而是面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面，如下图：边发射激光器（a）面发射激光器(b)www.astchina.comVCSEL基本简介-基本构成1977年，日本东京工业大学的伊贺健一(KenichiIga)提出VCSEL的概念，其光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够实现芯片表面的激光发射。典型的VCSEL为顶发射结构。结构示意图如下图所示VCSEL的结构示意图（顶部布拉格反射器（P-DBR）、谐振腔和底部N-DBR）www.astchina.comVCSEL的制作总工艺过程工艺过程总流程图侧向选择氧化制备工艺流程图www.astchina.comVCSEL的制作总工艺过程工艺制备图侧向选择氧化制备工艺流程图www.astchina.com外延材料制备MOCVD侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontactwww.astchina.comVCSEL的制作芯片工艺与关键设备芯片流片芯片流片过程www.astchina.com外延材料制备沉积SiO2侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateP-ringcontact沉积SiO2www.astchina.com外延材料制备光刻+腐蚀做SiO2掩膜侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateP-DBRP-ringcontactwww.astchina.com外延材料制备台面腐蚀侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontactwww.astchina.com外延材料制备去掩膜侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontactwww.astchina.com外延材料制备局部氧化侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontactwww.astchina.com外延材料制备沉积SiO2侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontactwww.astchina.com外延材料制备光刻、刻蚀、开窗侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontactwww.astchina.com外延材料制备光刻、电极、出光孔侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontact电极出光孔www.astchina.com
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