模电专业术语助你速懂电子电路基础

模电专业术语助你速懂电子电路基础! 1 半导体(semiconductor):导电能力随外界条件发 生显著变化的材料称为半导体,如硅 2 导体(conductor):容易传导电流的材料称为导体,如金属、电解液等。E5060101010 3 绝缘体(nonconductor):几乎不传导电流的材料 称为绝缘体,如橡胶、陶瓷、石英、 塑料等 (Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等 4 本征半导体(intrinsic semiconductor):不含杂质,完全纯净的、结构完整的半导体 晶体称为本征半导体。 5 杂质半导体(extrinsic semiconductor):在本征 半导体中掺入微量的杂质元素,其导 电性能就会发生显著的改变。掺有杂质的本征半导体称 为杂质半导体。因掺入杂质的不同, 杂质半导体分为N 型半导体和P 型半导体。 6 N 型半导体(N-type semiconductor):在本征半 导体中掺入微量五价元素(如磷(P)、 砷(As))的杂质后,自由电子成为多数载流子,而空 穴成为少数载流子。这种主要依靠自 由电子导电的杂质半导体称为N 型半导体。 E50601010106 7 P 型半导体(P-type semiconductor):在本征半 导体中掺入微量三价元素(如硼(B)、 铟(In))的杂质后,空穴成为多数载流子,而自由电 子成为少数载流子。这种主要依靠空 穴导电的杂质半导体称为P 型半导体。 8 空穴(hole):电子挣脱共价键的束缚成为自由电子 后所留下的空位称为空穴。空穴的 出现是半导体区别于导体的一个重要特点,通常可将空 穴视为带正电的粒子。9 载流子(c arrier):在半导体中,将能移动的电荷统称为载流子, 包括电子和空穴。E50601010109 10 扩散(diffusion):在P 型半导体和N 型半导体的 交界处,由于多数载流子浓度的差 别,载流子将从浓度较高的区域向浓度低的区域运动, 多数载流子的这种运动称为扩散。扩 散和漂移产生方向相反的电流。 11 漂移(drift):在扩散产生的内电场作用下,少数载 流子有规则的运动,称为漂移运 动,简称漂移。漂移和扩散产生方向相反的电流。 12 PN 结(PN junction):由于载流子的扩散和漂移,在P 区和N 区交界处的两侧形成一 个空间电荷区(space-charge region),这个空间电 荷区称为PN 结。PN 结也称为耗尽层 或阻挡层。 13 耗尽层(depletion layer):在空间电荷区中,多 数载流子扩散到对方并被复合掉, 或者说多数载流子被消耗尽了,所以这个空间电荷区也 称为耗尽层。 14 阻挡层(barrier layer):在空间电荷区中,由静止 电荷所建立的内电场对多数载流 子的扩散起阻挡作用,所以这个空间电荷区又称为阻挡 层。 15 偏置(bias):在PN 结上外加一定的电压,称为偏置。在PN 结上加正向电压,称为正 向偏置,简称正偏(forward bias);在PN 结上加反 向电压,称为反向偏置,简称反偏(r everse bias)。 16 半导体二极管(PN junction diode):在一个PN 结的P 区和N 区分别加上相应的电极 引线,外加管壳密封制成的器件,称为半导体二极管。 17 二极管导通压降(forward voltage of a PN junction diode):二极管正向导通时其 两端所加的电压称为二极管导通压降,如硅管的导通压降为0.6V~0.7V,锗管为0.2V~0.3V, 砷化镓为1.3 ~1.5V 等。 18 二极管的伏安特性(current-voltage characteristics of a PN junction diode): 二极管的端电压与流过二极管的电流之间的关系称为二极管的伏安特性。 19 死区(dead zone):当二极管所加的正向电压较小时,由于外部电场不足以克服内电 场对多数载流子扩散运动所造成的阻力,因此这时的正向电流很小,二极管呈现较高的电阻。 这段区域称为“死区”。 20 最大反向工作电压(maximum peak reverse voltage):指二极管安全工作时所能承受 的最高反向电压。一般 规定 关于下班后关闭电源的规定党章中关于入党时间的规定公务员考核规定下载规定办法文件下载宁波关于闷顶的规定 最大反向工作电压为反向击穿电压的1/2~2/3。 21 反向饱和电流(reverse saturation current):在二极管两端外加反向电压不超过一 定范围时,由少数载流子的漂移形成很小的反向电流。在一定温度下,一定范围内增加反向 电压不会使少数载流子的数目明显增加,即反向电流与反向电压基本无关,故此时的反向电 流通常称为反向饱和电流。 22 整流(rectification):将交流电转变为直流电的过程叫整流。 23 滤波(filtering):将交流电转变为直流电的过程叫整流。将整流输出的单向脉动电 压变换为脉动程度小的平滑直流电压的过程称为滤波。 24 参数(parameter): 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 征元器件特性或描述元器件安全工作范围的一些数据称为参数。 参数一般可从手册中查到。 25 稳压管(Zener diode):稳压管又称齐纳二极管, 是工作在反向击穿区的特殊硅二极 管,常利用它在反向击穿状态下的恒压特性构成简单的 稳压电路。 26 温度系数(temperature coefficient):表征元器 件温度敏感性的参数。通常用某个 电压变化的百分数与元器件工作环境温度的变化量的度 数之比来表示,由元器件生产厂提 供。当环境温度上升时,元器件的有关参数值也上升, 称为正温度系数;反之为负温度系数。 例如稳压管,稳定电压在6 伏以上时,温度系数为正; 6 伏以下时,温度系数为负。 27 双极型晶体管( bipolar junction transistor , BJT):双极型晶体管是一种具有两 种载流子(自由电子和空穴)参与导电,并有三个电极 的电流控制型器件。 28 场效应晶体管(field-effect transistor ,FET): 场效应晶体管是一种具有一种载 流子(自由电子或空穴)参与导电、并有三个电极的电 压控制型器件。场效应晶体管可分为 结型和绝缘栅型两大类,绝缘栅型场效应晶体管 (insulated gate type FET)又称为MOS 场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOS FET)。 29 共发射极电路(common-emitter circuit):利用 晶体管组成的放大电路,其中总有一 个电极是信号的输入、输出回路的公共端,而另外两个 电极分别是输入端和输出端。当发射 极作为信号的输入、输出回路的公共端,基极是输入端、集电极是输出端所组成的电路就称 为共发射极电路。 30 共集电极电路(common-collector circuit):利用晶体管组成的放大电路,其中总有 一个电极是信号的输入、输出回路的公共端,而另外两个电极分别是输入端和输出端。当集 电极作为信号的输入、输出回路的公共端,基极是输入端、发射极是输出端所组成的电路就 称为共集电极电路,也称为射极输出器、射极跟随器。31 共基极电路(common-base circuit):利用晶体管组成的放大电路,其中总有一个电 极是信号的输入、输出回路的公共端,而另外两个电极分别是输入端和输出端。当基极作为 信号的输入、输出回路的公共端,发射极是输入端、集电极是输出端所组成的电路就称为共 基极电路。 32 输入特性(input characteristics):输入电压与输入电流之间的关系,称为输入特 性。一般用曲线表示,称为输入特性曲线。 33 输出特性(output characteristics):输出电流与输出电压之间的关系,称为输出特 性。一般是以某一输入量为参变量的一族曲线。 34 电流放大系数(current amplification coefficient):表征BJT 电流控制作用的参 数,例如共基极接法时的电流放大系数α、共射极接法时的电流放大系数β。 35 集电极—基极反向饱和电流ICBO(collector –base reverse saturation current): 集电极—基极反向饱和电流指发射极开路时,集电结在反向电压的作用下,集电区的少数载 流子向基区漂移而形成的反向电流。 36 集电极—发射极反向饱和电流ICEO(collector-emitter reverse saturation curren