毕业论文--ZrCL4分子层在羟化硅表面消去氯原子反应机理的理论研究（可编辑）

毕业 论文 政研论文下载论文大学下载论文大学下载关于长拳的论文浙大论文封面下载 --ZrCL4分子层在羟化硅 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面消去氯原子反应机理的理论研究（可编辑） ZrCL4分子层在羟化硅表面消去氯原子反应机 理的理论研究 第23个氯原子 摘要 ZrCl4分子在羟化硅表面ALD的薄层中释放cl原子的研究是建立在密度函 数理论的基础之上现已有14种用来详细的研究脱去cl原子的反应途径实验表明 HCL自身消除在低温下占有一定优势脱去第二个cl原子的水解反应在高温下占 优势然而计算表明升高温度不会导致HCL自身的消除反应处于不利地位对于第 三个和第四个cl原子其在二聚物上的聚集反应在低温下更有利但是高温下有利 于第三个cl原子的释放出现在邻近的二聚物上第四个cl原子的释放出现在自身 的二聚物 关键词密度函数理论ZrCl4薄膜原子层沉积 A density functional theory study on the reactions of chlorine loss in ZrCl4thin films by atomic-layer deposition Abstract The chlorine loss reactions of ZrCl4 thin films of ALD on the hydroxylated silicon surface have been studied by the density functional theory Fourteen possible pathways have been designed to investigate the detailed chlorine loss reaction mechanism Based on the eExperiment shows that HCl self-elimination is the dominant reaction pathway at the low temperatures and that hydrolysis is the dominant pathway at the high temperatures for the second chlorine loss reactionHowever calculations show that find that raising temperature would not result in HCl self-elimination reaction to be unfavorable For the third and the fourth chlorines loss the reactions on the two-dimer trench cluster are energetically more favorable at the low temperatures However the third chlorine loss occurs on the adjacent dimers and the fourth chlorine loss occurs on the samedimer more easily at the high temperatures Keywords Density functional theoryZrCl4 Thin film Atomic layer deposition 目录 1绪论 5 2量子化学 6 21量子化学概念 10 22量子化学发展史 10 23量子化学采用的理论方法 11 24量子化学研究 内容 财务内部控制制度的内容财务内部控制制度的内容人员招聘与配置的内容项目成本控制的内容消防安全演练内容 12 3理论基础与应用软件 12 31 Gaussian软件 12 com Gaussian基本功能 13 com Gaussian 03计算原理 13 32密度泛函理论 14 4实验部分 15 41第二个氯原子消去反应中通过羟基的自消除反应 16 42水的脉冲中第四个氯原子的消去反应 21 5结论 24 参考文献 25 致谢 27 1绪论 根据ZrO2高的介电常数广泛的能带间隙高的热稳定性在high-k材料的候选物中ZrO2是替代二氧化硅的一种很有前景的应用材料[1]在发展中的众多的组合hing-k材料中良好的整合性精确的厚度控制直至纳米级和在大的区域内有统一的膜性能原子层沉积显示了其独特的优势在ALD中材料可以一层层地基于交替自限性表面因此每个ALD周期单层沉积都能得以实现[2] 正如我们知道的增长机制包括反应动力学和热化学会有利于优化工艺条件因此当前工作特别关注high-k氧化物薄膜的原子层沉积反应从化学动力学和热力学角度的观点近年来人们大量的从实验和理论上研究high-k氧化物薄膜例如Hfo2[12345]二氧化锆[678]和三氧化铝[910]在硅表面上的原子沉积层反应 二氧化锆薄膜的原子层沉积反应被广泛用作四氯化锆[671112]和四碘化锆[813]的金属前驱物其中的氧通常来自于水过氧化氢臭氧[81314]四氯化锆被用作金属前导具有明显诸如氯和释放的污染腐蚀物如盐酸副产品因此获得氯在二氧化锆薄膜的原子沉积层的反应途径是十分重要的实验[15]表明两个氯原子配体在低温下如180?从四氯化锆的脉冲中被释放出来剩下的二氯基团在水的脉冲表面被释放出来然而随着物质反应温度的上升氯原子在四氯化锆脉冲中的释放逐渐减少在400?时只有一个氯原子配体被释放出来剩余的三个氯原子在水 的脉冲中被释放出来 基于两种不同的反应模式对于二氧化锆的沉积四氯化锆作为沉积金属先导水为氧源总的来讲四个氯原子的消去反应被划分为十四种途径R1a-R7a and R1b-R7b来描述第一组R1a到R7a二聚体的表面反应发生在自身R1b到R7b表面反应发生在相邻的两个二聚体R1a和R1b第一个氯原子消去反应分别发生在自身的二聚体和相邻的二聚体R2a和R2b对于第二个氯原子的消去反应显示了两个可能的途径 AR1a和R1b易于和它邻近的氢原子发生反应BZrCl4的第二个氯原子失去也可以在水及其产物的前体R1a和R1b也就是说R3a和R3b处完成反应R2a R2bR3a R3b的产物跟水一起与ZrCl4的第三个氯反应由于经过第一个第二个氯的反应之后没有足够的能力和邻近的参加反应的氢氧根反应它们分别通过R4b R4aR5a和R5b引入R6aR7a和R7b途径同样适用于表示第四个氯分别与水的前体和R4b R4aR5a和R5b的产物的消去反应 2量子化学 21量子化学概念 量子化学是应用量子力学的规律和和研究化学问题的一门学科将量子理论应用于原子体系还是分子体系是区别量子物理和量子化学的分界线目前认为最早的量子化学计算是物理学家海特勒和伦敦在1927年对氢气分子的计算是他们开创了量子化学这一分支叉学科经过80年发展之后量子化学已经成为化学家们广泛应用的一种理论方法 22量子化学发展史 1925年和1926年物理学家海森堡 W Heisenberg 和薛定谔 E Schrdinger 各自建立了矩阵力学和波动力学标志着量子力学的诞生同时也为化学家提供了认识物质化学结构的新理论工具1927年物理学家海特勒和伦敦将量子力学处理原子结构的方法应用于氢气分子成功地定量阐释了两个中性原子形成化学键的过程他们的成功标志着量子力学与化学的交叉学科量子化学的诞生[16] 在海特勒和伦敦之后化学家们也开始应用量子力学理论并且在两位物理学家对氢气分子研究的基础上建立了三套阐释分子结构的理论莱纳斯鲍林 L Pauling 在最早的氢分子模型基础上发展了价键理论并且因为这一理论获得了1954年度的诺贝尔化学奖1928年物理化学家马利肯 R Mulliken 提出了最早的分子轨道理论1931年休克E Hückel发展了马利肯的分子轨道理论并将其应用于对苯分子等共轭体系的处理贝特 H Bethe 于1931年提出了配位场理论并将其应用于过渡金属元素在配位场中能级裂分状况的理论研究后来配位场理论与分子轨道理论相结合发展出了现代配位场理论价键理论分子轨道理论以及配位场理论是量子化学描述分子结构的三大基础理论早期由于计算手段非常有限计算量相对较小且较为直观的价键理论在量子化学研究领域占据着主导地位[17]1950年代之后随着计算机的出现和飞速发展以及Gauss函数的引进海量计算已经是可以轻松完成的任务分子轨道理论的优势在这样的背景下凸现出来逐渐取代了价键理论的位置目前在化学键理论中占主导地位 1928年哈特里 D R Hartree 提出了Hartree方程方程将每一个电子都看作是在其余的电子所提供的平均势场中运动的通过迭代法给出每一个电子的运动方程[18]1930年福克V A Fock对Hartree方程补充了泡利原理提出Hartree-Fock方程进一步完善了由哈特里发展的Hartree方程为了求解Hartree-Fock方程1951年罗特汉 C C J Roothaan 进一步提出将方程中的分子 轨道用组成分子的原子轨道线性展开发展出了著名的RHF方程这个方程以及在这个方程基础上进一步发展的方法是现代量子化学处理问题的主要方法[19] 虽然量子力学以及量子化学的基本理论早在1930年代就已经基本成型但是所涉及的多体薛定谔方程形式非常复杂至今仍然没有精确解法而即便是近似解所需要的计算量也是惊人的例如一个拥有100个电子的小分子体系在求解RHF方程的过程中仅仅双电子积分一项就有1亿个之巨这样的计算显然是人力所不能完成的因而在此后的数十年中量子化学进展缓慢甚至为从事实验的化学家所排斥1953年美国的帕里瑟 Parise 帕尔 R Parr 和英国的约翰波普 J Pople 使用手摇计算器分别独立地实现了对氮气分子的RHF自洽场计算虽然整个计算过程耗时整整两年但是这一成功向试验化学家证明了量子化学理论确实可以准确地描述分子的结构和性质[20]并且为量子化学打开了计算机时代的大门因而这一计算结果有着划时代的意义 1952年日本化学家福井谦一 S Fukui 提出了前线轨道理论1965年美国有机化学家伍德沃德 R B Woodward 和量子化学家霍夫曼 R Hoffmann 联手提出了有机反应中的分子轨道对称性守恒理论福井伍德瓦尔德和霍夫曼的理论使用简单的模型以简单分子轨道理论为基础回避那些高深的数学运算而以一种直观的形式将量子化学理论应用于对化学反应的定性处理通过他们的理论实验化学家得以直观地窥探分子轨道波函数等抽象概念福井和霍夫曼凭借他们这一贡献获得了1981年度的诺贝尔化学奖 在计算方法方面随着计算机的发展量子化学计算方法也飞速发展在1920年代至今的数十年内涌现出了组态相互作用方法多体微扰理论密度泛函理论以及数量众多形式不一的旨在减少计算量的半经验计算方法由于量子化学家们的工 作现在已经有大量商用量子化学计算软件出现其中很多都能够在普通PC机上实现化学精度的量化计算昔日神秘的量子化学理论已经成为化学家常用的理论工具[21]约翰波普 J Pople 与沃尔特科恩 W Kohn 分别因为发展首个普及的量子化学软件 Gaussian 和提出密度泛函理论 Density Functional Theory 而获得1998年诺贝尔化学奖 23量子化学采用的理论方法 1 分子轨道理论分子体系中的电子用单电子波函数满足Pauli不相容原理的直积 如Slater行列式 来描述其中每个单电子波函数通常由原子轨道线性组合得到 类似于原子体系中的原子轨道 被称作分子轨道分子轨道理论是目前应用最为广泛的量子化学理论方法 2 HF方法Hartree-Fock方法用单个Slater行列式构造近似的波函数通过对该行列式形式的波函数变分极小来确定据确定具体的波函数形式 是其他高级分子轨道理论方法的基础 3 密度泛函理论方法当分子体系各原子核空间位置确定后电子密度在空间中的分布也确定可以将体系的能量表示为电子密度的泛函密度泛函 分析 定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析 变分法求出能量最低时的电子密度分布和体系能量 24量子化学研究内容 1 分子结构 通过计算不同分子结构的体系能量量子化学方法可以找到分子势能面上的最低点从而确定分子在某一电子态的稳定构型 2 化学反应 化学反应的过程可以看做分子体系在势能面上滑动的过程通过量子化学的计算可以找到势能面上的驻点处于最低点的反应物和产物以及处于鞍点的过渡态对比所有可能的反应途径极其相对应的反应活化能可以找 到最有可能的反应途径 3 分子性质 量子化学计算可以获得分子体系的电子波函数通过这些电子波函数可以求算偶极矩极化率等分子性质的计算但是由于数学方法的局限量子化学计算方法只能从上方逼近真实的分子体系能量是一种近似计算[22]虽然能量的计算可以获得较好的结果但是获得的电子波函数质量却很差因而分子性质计算的精度远远不及分子体系能量的计算另一方面改进量子化学计算方法以获得质量更好的电子波函数也是量子化学家目前面临的挑战之一 3理论基础与应用软件 徐光宪院士说过进入21世纪以来计算方法与分子模拟虚拟实验已经继实验方法理论方法之后成为第三个重要的科学方法对未来科学与技术 的发展将起着越来越重要的作用量子化学方法的软件包如MOPACZindoGaussianDmol3和GamesCASTEP等其中MOPAC和Zindo基于半经验算法Gaussian和Games基于Hartree-Fock方法但现在均已加入了密度泛函 DFT 方法DMol3和CASTEP是近年来发展起来的基于D F T算法的量子化学软件包 31 Gaussian软件[23] Gaussian是一个量子化学软件包是目前应用最广泛的计算化学软件之一其代码最初由理论化学家1998年诺贝尔化学奖得主约翰波普爵士编写Gaussian软件的出现降低了量子化学计算的门槛使得从头计算方法可以广泛使用从而极大地推动了其在方法学上的进展 Gaussian是应用最广泛的半经验计算和从头计算量子化学软件可以研究 的内容包括分子能量和结构过渡态的能量和结构化学键以及反应能量分子轨道偶极矩和多极矩原子电荷和电势振动频率红外和拉曼光谱NMR化率和超极化率 热力学性质反应路径计算可以模拟在气相和溶液中的体系模拟基态和激发态对周期边界体系进行计算因为这款软件在计算时占用资源不大所以通过引入该软件解决实际问题来强化学生对《结构化学》这门课程重要性的认识 com Gaussian基本功能 1 简单快速地构造分子 可以使用原子环基团和氨基酸从其它程序获取结构对PDB文件自动加氢用鼠标检查和修改结构参数放大和缩小功能平滑地三维旋转即使是对大分子四种显示模式线形管型球棍以及连接球 2 设置Gaussian的计算 支持Gaussian的全部主要计算功能自动确定电荷和自旋多重度定义任务类型和化学模型简单设置ONIOM计算自动设置适当的Link 0命令随时监测计算 3 显示Gaussian的计算结果 优化的结构分子轨道振动频率的简正模式原子电荷电子密度曲面静电势曲面NMR屏蔽密度曲面可以用实面半透明和网格形式显示曲面可以按照不同的特性着色 4 创建三维分子模型 根据需要显示或隐藏构造面板允许自定义分子片断库校正分子的方向按照对称性限制分子的结构对一维二维和三维周期体系的计算根据空间群创建结构单元 com Gaussian 03计算原理 分子力学方法为很多情况下对大分子体系的处理可以完全避免使用量子化学计算分子力学模拟使用经典力学模型例如谐振子描述化合物的能量分子力学 模型的所有常数均通过实验数据或第一原理计算结果得到参数和方程的优化结果称为分子力场 电子结构理论方法为电子结构可以通过求解定态薛定谔方程也成为不含时薛定谔方程得到求解过程常使用原子轨道线性组合 LCAO 得到的基组来进行近似通过这种近似薛定谔方程可以转化为一个简单的电子哈密顿量的本征值方程该方程的解为离散集解得的本征值是分子结构的函数这种对应关系称为势能面 第一原理电子结构方法的常可分为Hartree-Fock方程多体微扰理论多组态自洽场理论 MCSCF 组态相互作用方法 CI 多组态相互作用 MRCI 耦合簇理论 Coupled Cluster 二次组态相互作用 QCI 量子蒙特卡罗 密度泛函理论 广义价键理论 GVB 现代价键理论 32密度泛函理论 密度泛函理论可以是笛卡尔高斯函数或纯角动量函数多种基组存储于程序中通过名称调用即可对任何一般的收缩Gaussian函数进行单电子和双电子积分这些基函数分可储存在内存外接存储器上或用到时重新计算对于某些类型的计算计算的花费可以使用快速多极方法 FMM 和稀疏矩阵技术线性化将原子轨道 AO 积分转换成分子轨道的计算可用的方法有in-core将AO积分全部存在内存里直接不需储存积分半直接储存部分积分和传统方法所有AO积分储存在硬盘上 从20实际60年代密度函数理论DFT提出并在局域密度近似LDA导出著名的Kohn,Sham方程以来DFT已经成为凝聚态物理领域电子结构计算的有力工具最近几年密度泛函方法 Density Functional Theory MethodsDFT 得到了广泛的应用 密度泛函理论最初来源于对下面这个问题的考虑在量子化学从头算中对于 一个N电子体系N电子波函数依赖于3N个空间变量及N个自旋变量共4N个变量我们是否能用其它相对简单的变量来替换这4N个变量以达到简化计算的目的如用体系的电子密度因为对于波函数计算上无法准确测定而电子密度却可以电子密度同波函数模的平方相联系另一方面对于依赖4N个变量的波函数将随着体系变大电子数增多使计算变得越来越困难而体系的哈密顿只不过由单电子和双电子算符组成同时只跟体系中的单个电子和双电子的信息有关因此波函数中4N个变量已经包含了多余的信息对我们的计算目的而言因此以电子密度为变量用Thomas-Fermi模型作了最初的尝试将能量表示为密度的泛函这里有个问题要注意的是泛函和复合函数的区别TFM虽然是一个很粗糙的模型但是它的意义非常重要因为它将电子动能第一次明确地以电子密度形式表示至此说简单些密度泛函方法就是以体系的电子密度为变量的方法 密度泛函DFT是量化计算中非常常用的方法它通过泛函来计算电子相关其将电子能量分为几个部分动能电子-核相互作用库仑排斥以及其余部分的交换相关项最后一部分又根据密度泛函方法分解为交换和相关项DFT方法考虑了电子相关而且算起来也快所以很多人喜欢用其中又以B3LYP最为常用所以清楚每种方法的优劣和适用范围有利于我们对问题的理解[3] 梯度修正泛函 Gradient-corrected functionals 包含了电子自旋密度和其梯度其中的一些泛函也被称为非局域泛函最普遍应用的梯度修正交换泛函是1988年Becke提出的泛函最广泛应用的梯度修正相关泛函是LeeYangParr提出的LYP泛函这两个方法的结合就是Gaussian中的BLYP方法Perdew也提出了重要的泛函如Perdew86和perdew-Wang 91混合泛函混合泛函将交换泛函定义为Hartree-Fock局域和梯度修正交换项的线性组合这样得到的泛函就是局域和非 局域泛函的组合Gaussian提供的最有名的方法是B3LYP和B3PW91B3LYP与其它泛函相比对分子基态得到的特性一般相差不大所以B3LYP很常用 4实验部分 计算方法和模型 基于Si9H12的主要特点一个二聚体组合[24-28]被经常应用在模拟Si 100 -2×1 在先前的研究中在目前的研究中一个更大的Si23H24二聚体被用来降低团簇大小效应Si23H24二聚体组由四个层硅原子组成这里顶部的四个硅原子组成表面二聚物剩下的三个硅原子构成了三个被氢原子终止的表面层以阻止不切实际的电荷转移Si23H24- OH 4的四个羟基将被用来与表面进来的先驱者其反应这些模型的结构将在所有计算中完全的最优化 本文所有的计算都是基于Gaussian03软件[32]中的Beckes三参数函数 B3LYP [29-31]在此研究中根据混合 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 用来减少计算时间6-31G d 基组依据的活泼CLOH原子设定被在每一个计算中LANL2DZ设置和有效的核心势能都用来描述锆原子和硅原子通过几何优化 opt 和频率分析 ts 来证实它在自然状态下几何构型包括能量最小值过渡态和获得能量的驻点所有的能量被描述包括零势能点的修正 图1 ZrCl4在Si二聚体表面的反应水解消去第三四个氯原子 41第二个氯原子消去反应中通过羟基的自消除反应 图2 ZrCl4水解消去第二个氯的两种途径 对于HCL通过羟基的自身消除反应其它两个路径R3a 和R3b的势能如图所示2 气态水的前体和表面的三氯化锆通过R3a和R3b途径的化学吸附释放能量分 commol这里的化学吸附是由于水中氧原子在锆原子的空轨道上提供的孤对电子然后两种途径形成第四个过渡态如图2R3b的能垒是698KJmol比R3a高31KJmol最终反应经过一个物理吸附形成一个产物从图2可以看出R3a是一个放热反应R3b是一个吸热反应因此我们得出一个结论R3a比R3b反应有利 在R3a和R3b中都可以发现物理吸附应当指出的是氢原子的相互粘结的羟基来自不同的R1aR1bR2aR2bR3aR3b导致HCL发生物理吸附图中显示R1aR1b和R2aR2b以及新形成的R3aR3b的锆羟基 相应的优化结构如图3 P R1a P R1b TS R3a TS R3b P R3a P R3b 图3 42水的脉冲中第四个氯原子的消去反应 图4 ZrCl4水解消去第三个氯的两种途径 对于HCL通过羟基的自身消除反应其它两个路径R5a 和R5b的势能如图所示4有两种类型的产物即Si-O2-ZrCl4和SiOH-O-ZrCl2OH在第二个氯失去的反应中形成R3aR3b行成的ZrCl2团体只会与水反应前体因为没有更多的邻近表面的有能力与氯原子反应的羟基R5aR5b分别是R3aR3b在水的作用下的反应产物 在表4中显示了这些途径的相应能量R5b产生HCL的活化障碍相对于吸附状 态是486KJmol比R4a低321KJmolR5aR5b都是吸热反应它们所需要的能量分commol可以发现R5b相对于R5a有较低的活化障碍和反应热因此我们认为在高温下R5b更有利于第三个氯原子消去在0?时R5a比R5b途径更有利 相应的优化结构如图5 TS R5a TS R5b P R5a P R5b 图5 5结论 DFT方法已经被用来详细的描述ZrClH2O做前体组合来研究ZrCl4原子沉积成表面氯原子的消去反应依据表面反应是发生在自身二聚体或是越过沟壑发生在相邻的二聚体这里有14种通道被提了出来我们发现在14种通道中ZrCL4的前体可以直接在硅羟基表面的产生稳定的吸附综合体其产物HCL易于留在具有表面活性的表面这些结果表明消除氯的污染过程中需要制造氧化锆薄膜在0?时一个标准大气压下R3a是一个放热反应R3b是一个吸热反应因此我们得出一个结论R3a比R3b反应有利R5aR5b分别是接着R3aR3b的水解反应产物可以发现R5b相对于R5a有较低的活化能和反应热因此我们认为R5b比R5a反应有利 参考文献 [1]comRM Wallacecomonycom89 2001 5243 [2] M RitalaMLeskelaincoma Ed Handbook of Thin Film MaterialsVol1Academic Press San Diego2002p103 [3] M Gutowski JE Jaffe CL Liu M Stoker RI HedgeRS Raicomn com80 2002 1897 [4]M-HChoYS Rohcomg KJeongcomD-HKo comcomKFujihara Appl Phys Lett 81 2002 472 [5] com LKang R NiehWJ Qi JC Lee ApplPhys Lett 76 2000 1926 [6] E P Gusev E Cartier D A Buchanan M Gribelyuk M Copel H Okorn-Schmidt CDEmic Microelectronic Engineering 59 2001 341 [7] RM Wallace GD Wilk Crit Rev Solid State Mater Sci 28 2003 231 [8] J Robertson Rep Prog Phys 69 2006 327 [9] E P Gusev M Copel E Cartier I J R Baumvol C Krug M A Gribelyuk Appl Phys Lett 76 2000 176 [10]DHanJKangcomHanMicroeleccom 2003 643 [11] L Niinisto J Paivasaari J Niinisto M Putkonen M Nieminen Phys Status Solidi A 201 2004 1443 [12] M Ritala M Leskela Appl Surf Sci 75 1994 333 [13] K Kukli K Forsgren J Aarik T Uustare A Aidla A Niskanen M Ritala MLeskela A Harsta J Cryst Growth 231 2001 262 [14] J Niinisto A 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Burant JM Millam SS Iyengar J Tomasi V Barone B Mennucci M Cossi G Scalmani N Rega GA Petersson H Nakatsuji M Hada MEhara K Toyota R Fukuda J Hasegawa M Ishida T Nakajima Y Honda O Kitao H Nakai M Klene X Li JE Knox HP Hratchian JB Cross C Adamo J Jaramillo R Gomperts comtmann O Yazyev AJ Austin R Cammi C Pomelli JW Ochterski PY Ayala K MorokumaGA Voth P Salvador JJ DannenbergVG Zakrzewski S Dapprich AD Daniels MC Strain O Farkas DK Malick AD Rabuck K Raghavachari JB Foresman JV Ortiz Q CuiAG Baboul S Clifford J Cioslowski BB Stefanov G Liu A Liashenko P Piskorz IKomaromi RL Martin DJ Fox T Keith MA Al-Laham CY Peng A Nanayakkara MChallacombe com Gill B Johnson W Chen MW Wong C Gonzalez JA Pople Gaussian 03 Gaussian Inc Pittsburgh PA 2003 致谢 该论文能如期顺利地完成完全得益于来自各方面的帮助和支持 首先感谢我的指导老师崔乘幸老师崔老师不仅学识渊博治学严谨而且做人 达观为人谦和他严谨细致一丝不苟的作风一直是我工作学习中的榜样崔老师循 循善诱的教导和认真严谨的科学研究态度让我铭记在心在论文的选题研究和撰 写中崔老师给了我充分的指导崔老师的指导认真细致让我如沐春风崔老师既是 我的良师也是我的益友崔老师的这些优秀品质会一直激励着我前进使我在以后 的学习和工作中取得更大的进步在此对崔老师的指导和帮助表示我最真挚的感 谢 另外还要感谢大学里所有传授我知识的老师是你们丰富的知识和精彩的授 课拓宽了我的视野也使我提高了自己的能力并最终能更顺利地完成这篇文章也 是你们教会了我为人处世的道理让我更加坚强和自信在此我也表示我最真挚的感谢 最后也要感谢我可爱的同学们因为你们我的大学生活才这样丰富和精彩感谢你们的鼓励和支持此次毕业设计才会得以顺利完成在此我深表感谢 感谢各位老师的指导感谢各位同学的帮助感谢所有给与我帮助和支持的人谢谢 袄芈蒇袇螀芇蕿蚀聿芆艿蒃肃芅蒁螈羁芄薃薁袆芃芃螆螂芃莅蕿肁节蒈螅羇莁薀荟袃莀艿螃蝿荿莂薆膈莈薄袁肄莇蚆蚄羀莇莆袀袆羃蒈蚂螂羂薁袈肀肁芀蚁罴肁莃袆袂肀薅虿袈聿蚇蒂膇肈莇螇肃肇葿薀罿肆薂螆袅肃芁荟螁膅莃蛳聿膄蒆薇罗腽蚈螂羁膂莈蚅袇膁蒀袀螃膀薂蚃肂腿节衿羁腿莄蚂袄芈蒇袇螀芇蕿蚀聿芆艿蒃肃芅蒁螈羁芄薃薁袆芃芃螆螂芃莅蕿肁节蒈螅羇莁薀荟袃莀艿螃蝿荿莂薆膈莈薄袁肄莇蚆蚄羀莇莆袀袆羃蒈蚂螂羂薁袈肀肁芀蚁罴肁莃袆袂肀薅虿袈聿蚇蒂膇肈莇螇肃肇葿薀罿肆薂螆袅肃芁荟螁膅莃蛳聿膄蒆薇罗腽蚈螂羁膂莈蚅袇膁蒀袀螃膀薂蚃肂腿节衿羁腿莄蚂袄芈蒇袇螀芇蕿蚀聿芆艿蒃肃芅蒁螈羁芄薃薁袆芃芃螆螂芃莅蕿肁节蒈螅羇莁薀荟袃莀艿螃蝿荿莂薆膈莈薄袁肄莇蚆蚄羀莇莆袀袆羃蒈蚂螂羂薁袈肀肁芀蚁罴肁莃袆袂肀薅虿袈聿蚇蒂膇肈莇螇肃肇葿薀罿肆薂螆袅肃芁荟螁膅莃蛳聿膄蒆薇罗腽蚈螂羁膂莈蚅袇膁蒀袀螃膀薂蚃肂腿节衿羁腿莄蚂袄芈蒇袇螀芇蕿蚀聿芆艿蒃肃芅蒁螈羁芄薃薁袆芃芃螆螂芃莅蕿肁节蒈螅羇莁薀荟袃莀艿螃蝿荿莂薆膈莈薄袁肄莇蚆蚄羀莇莆袀袆羃蒈蚂螂羂薁袈肀肁芀蚁罴肁莃袆袂肀薅虿袈聿蚇蒂膇肈莇螇肃肇葿薀罿肆薂螆袅肃芁荟螁膅莃蛳聿膄蒆薇罗腽蚈螂羁膂莈蚅袇膁蒀袀螃膀薂蚃肂腿节衿羁腿莄蚂袄芈蒇袇螀芇蕿蚀聿芆艿蒃肃芅蒁螈羁芄薃薁袆芃芃螆螂芃莅蕿肁节 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