一用ir2113高电平转换能力,外加图腾柱输出和负压形成电一用ir2113高电平转换能力,外加图腾柱输出和负压形成电
一(用ir2113高电平转换能力,外加图腾柱输出和负压形成电路,可产生,15v和,12v的驱动信号,驱动电流可为8A
用400A IGBT作为负载,输入电容为60nf,基本上可模拟8管ixfn36n100并联的情况,外加电源后,输入方波的频率为20KHZ-70KHZ之间调节,发现ir2113发热严重,无法正常工作。
原理分析:
c3,c4,D3,D4组成负压形成电路,当hin为高时,vb与ho相当于短接,则c5,ho,c3,d4给c3充电;当hi...
一用ir2113高电平转换能力,外加图腾柱输出和负压形成电
一(用ir2113高电平转换能力,外加图腾柱输出和负压形成电路,可产生,15v和,12v的驱动信号,驱动电流可为8A
用400A IGBT作为负载,输入电容为60nf,基本上可模拟8管ixfn36n100并联的情况,外加电源后,输入方波的频率为20KHZ-70KHZ之间调节,发现ir2113发热严重,无法正常工作。
原理分析:
c3,c4,D3,D4组成负压形成电路,当hin为高时,vb与ho相当于短接,则c5,ho,c3,d4给c3充电;当hin为低时,vs与ho相当于短接,则c3,ho,vs,c4,d3给c4充电,这样在c4上形成负压;C2,D2,r2组成电平转换电路,这样当ho为高时,Q3,Q2导通,输出高电平给mosfet,当ho为低时,Q1,Q4导通,输出c4上的负压给mosfet。 现象分析:当电容值取如图所示的值时,c5,c3的值都比较接近,当频率很高时,充放电速度很快,功耗很大,导致芯片发热严重。然而继续加大c3的值和缩小c5的值都不太合适。
改进:取消负压形成电路,只加图腾柱输出如下:
二(取消负压形成电路。
自举电容可选0.1uf。
缺点:没有负压。尽管mosfet不需要负压,但是负压还是能加快速度和防止噪声干扰。 问题:我觉得ir公司的驱动芯片很好用,但是在我这种情况,好像不太好用,所以我只好自己做电路去实现驱动,如果要采用ir公司芯片,您有什么建议马,
三(脉冲变压器实现。
看过相关资料觉得用脉冲变压器实现的方法主要有两种,如下两图:
图一
图二
图一的缓冲电路没有画出
问题:
1. 图一是一个成熟电路,当v1关断时,L3上负下正,则晶体管v4饱和导通,栅极电容
通过v4放电,为什么是这样, 饱和导同时,两个pn结都正偏,这只说明上面pn结正
偏,be间正偏吗,
2. 如果原理没问题,图一的电路很适合大功率的mosfet驱动,变压器设计起来最关键的是
不是,在导通和截止期间,变压器不能饱和,
3. 图二我觉得也很适合驱动mosfet,这种情况下,变压器好像可以饱和,是吗, 4. 计算时,我可以这样算功率吗:希望mosfet输入电容0.1uf充上15伏电压,w,0.5*c*u*u*f
四(直接用推挽输出
原理:
1. 当输入信号为高时,q1饱和导通,q2截止,q3栅极通过r3,d1,q1放电;q4栅极通过
r2,d3,d1,q1放电,为防止q3,q4直通,应该使q4放电快些,即:r2比r3小。 2. 当输入信号为低时,q2饱和导通,q1截止,电源通过q2,d2,r1对q3的栅极充电;通
过q2,r4对q4的栅极充电,为防止q3,q4直通,应该q3充电快些,即:r1小些。 同时为加快充放电速度,尽量使r1-r4小些
问题:
如果驱动高端时,当s端电压跳为500v时,上面电路的地怎么解决,
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