PVD、CVD工艺参数

PVD、CVD工艺参数PVD、CVD工艺参数一，化学气相沉积硅薄膜 -2背底真空1.33x10Pa 热丝电流6 (A) 工作气压100Pa 气体比例(CH4:SiH4:H2) 3:3:50 沉积时间110min 二,PECVD沉积氮化硅薄膜 o1，温度:450C NH/SiH=8:1 34 总气体流量:4320sccm 压力:170pa 沉积时间:720s 2，,,,,,,, ,, 流量比的范围为,(,—,(, ,,衬底温度范围为,,,,—,,,, 反应压力,,,,—,,,,, 淀积时间,,,—,,,, 为较...

PVD、CVD工艺参数一，化学气相沉积硅薄膜 -2背底真空1.33x10Pa 热丝电流6 (A) 工作气压100Pa 气体比例(CH4:SiH4:H2) 3:3:50 沉积时间110min 二,PECVD沉积氮化硅薄膜 o1，温度:450C NH/SiH=8:1 34 总气体流量:4320sccm 压力:170pa 沉积时间:720s 2，,,,,,,, ,, 流量比的范围为,(,—,(, ,,衬底温度范围为,,,,—,,,, 反应压力,,,,—,,,,, 淀积时间,,,—,,,, 为较理想的沉积工艺条件。三，PECVD淀积二氧化硅薄膜 o衬底温度:150-300C ,,,/CO=1:3-1:6 42 沉积时间:10-20分钟沉积压力:1.5-2.0托 -2真空度:2x10托四，射频磁控溅射制备ZNO薄膜 Ar 流量固定为 26 标况毫升每分(sccm) 功率:200W 压强:1PA 五，磁控溅射PbTe 纳米颗粒膜 -4背景真空: 2.0×10Pa 工作气体:高纯Ar 工作压力:0.15 Pa 溅射功率:30W 退火温度:400? 退火时间:15 min 六，磁控溅射CUO薄膜 -4真空度:2.0xlOPa 溅射气体:99.999%的高纯氩气沉积室的气压:0.5Pa 射频功率:35W o衬底温度为200C 溅射时间:1h。七，磁控溅射硅基薄膜射频频率: 13.56MHz 溅射气体:Ar，纯度 99(999, 溅射靶材:多晶硅，纯度 99(999,，直径 60mm 靶材与基片间的距离:8cm -4本底真空:1.4X10Pa 八，磁控溅射制备ZNO-SNS复合膜衬底温度为 400K, -4真空度为 4 . 0X10Pa 衬度与蒸发源的距离为 10cm o 蒸发源温度为 1000C 沉积时间:40min 工作气压:0.2pa 溅射功率:150W 九，三步共蒸法制备CIGS薄膜 -3真空度:10以下预蒸镀:5min 正式蒸镀:2min o预置层退火温度:350-400C CulnGaoSe的化学计量比称量原料(Cu:0.18929，ln:0.23939，Ga:0.10269，Se:0.47029)0.70.32-3抽真空至3.gx1o一:‘Pa，分三步蒸发Cu、In、Ga、Se材料，而后始终保持真空度为 3.9x10Pa以下，快速加热至所需温度进行原位真空退火. 第一步:常温下共蒸发工n、Ga、Se约1.smin，退火30min。制备过程中控制原料蒸发量，控制原子比例In:Ga=0.7:0.3，In+Ga/Se=2:3。第二步:常温下共蒸发Cu和Se约Zmin，550?下退火3Omin。 o第三步:常温下共蒸发In、Ga、Se约1.5min，550C下退火30min。十:直流磁控溅射制备ITO薄膜溅射压强:2mTorr 氩氧比例:16:0.5、退火温度为 427? 基板与靶材距离:15cm 退火时间为 1h 溅射功率:300W 退火氛围为真空沉积温度为 127?。十一磁控溅射制备ZNO薄膜 Zno:A1203氧化物靶的制备过程如下:用Zno和A12O3制备Zno:Al氧化物靶实际是一个固相反应的过程，所用的Zno和A12O3粉末的颗粒度越细则越有利于固相反应的进行。在本工作中所用的Zno粉末的纯度为99.99%，颗粒直径约为1~2pm，A1203粉末采用平均直径为0.05pm的超细高纯度氧化铝粉末。具体制靶的过程为:分别称取99.99%的ZnO和A12O3粉末若干，其中A12O3占混合物重量比的3%，混合物在玛瑙钵中反复研磨混合，使其充分细微均匀。然后在不锈钢模具中，在无锡建材研究所生产的Vax一32型压力机上进行压片，压力为200KN，保压时间是10分钟，脱膜时应小心谨慎，以免产生层裂。为了提高压片的效果，可以在混合物粉末中加入少量的乙醇。最后将此圆形靶置于A12O。陶瓷板上，放入通常用的半导体材料氧化(或扩散)高温炉内，温度调控在1000?。在加热过程中用压缩空气经酒精鼓泡将酒精带入炉管，酒精的温度控制在30?，在这温度下酒精的饱和蒸气压已达9000Pa，空气流量约为 0.5L/min。加热12h后靶随炉冷却至室温，在整个冷却过程中酒精蒸气流不可中断。靶冷却后取出，用万用表测量其电阻值应小于1k。如果靶的阻值过高，着可重复上述研磨一压靶一烧结过程。现将制靶过程的流程图表示如下ZNO.png: 用多靶磁控溅射镀膜机，溅射制备试样条件如下: A1203和Zno烧结成的陶瓷靶: ,56X5，A12O3及Zno的纯度均大于99.9% A1203的掺杂量分别为1%、2%、3%、4% 溅射气体:Ar(纯度妻99.99%，压强为1.OPa) 02(纯度)99.99%，压强为0.ZPa) 基片:载玻片，尺寸:25mmx50mm 靶基距:10cm 溅射时间:45min 溅射电压及溅射电流:440~500v;0.2A 热处理温度:300? 热处理时间:2小时(氮气保护下) 在每次开始溅射镀膜前，先在纯氢气的气氛下清洗靶材，同时辉光由紫红色变为兰紫色，就可以认为靶材己经清洗干净。热处理时(氮气保护气氛下)，首先从室温快速升到热处理温度，然后保温2小时，自然冷却溅射工艺流程图.png

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