在熟悉LDO的测试之后,相信你已经掌握了一般的直流参数测试,接下来将为你准备了一个比LDO相对有点难度的芯片测试实例,那就是我们经常接触到的音频功率放大器,本文以目前流行的音频功放LM4990为例做详细介绍,此例中既包含了直流测试,也有交流参数的测试,属于LDO的晋级篇,熟悉本例之后将对以后的大规模SOC测试有很大帮助,具体如下:
1、芯片简介
LM4990 音频功率放大器适用于移动电话、音乐播放器、DVD、笔记本电脑以 及其他便携式电子产品。在5V 电源供电,输出信号的THD 小于1% 的条件下,能 够向8Ω 负载提供1.25W 的连续功率。LM4990 的工作电源电压范围为2.2V~5.5V, 可通过外部电阻来设置增益。基本应用图及功能框图如下:
序号
名称
说明
1
SHUTDOWN
芯片关断引脚,低电平有效
2
BYPASS
VDD/2引脚,推荐外接1uf电容,电容可选
3
IN+
正差分输入引脚
4
IN-
负差分输入引脚
5
VO1
正差分输出引脚
6
VDD
电源引脚,外接1uf电容
7
GND
接地引脚
8
VO2
负差分输出引脚
具体
资料
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参考如下:
LM4990芯片资料下载
2、测试参数及
规范
编程规范下载gsp规范下载钢格栅规范下载警徽规范下载建设厅规范下载
测试项目
工作条件
最小值
最大值
Open-Short
IQ
SHUTDOWN= 0 V,VDD=3.6V,负载断开
-0.1uA
1uA
ICC
SHUTDOWN= 3.6 V,VDD=3.6V,负载断开
1mA
6mA
VBYPASS
SHUTDOWN= 3.6 V,VDD=3.6V,负载断开
1.66V
1.86V
Vo1
SHUTDOWN= 3.6 V,VDD=3.6V,负载断开
1.66V
1.86V
Vo2
SHUTDOWN= 3.6 V,VDD=3.6V,负载断开
1.66V
1.86V
Voffset
Vo1-Vo2
-40mV
40mV
VOP-P
SHUTDOWN= 3.6 V,VDD=3.6V,VSINP-P=2.0Vp-p,驱动负载
3.8V
4.2V
THD
SHUTDOWN= 3.6 V,VDD=3.6V,VSINP-P=2.0Vp-p,驱动负载
-100dB
-50dB
PO
SHUTDOWN= 3.6 V,VDD=3.6V,VSINP-P=3.0Vp-p,驱动负载
0.45W
1.2W
3、测试图
基于以上测试参数,本例选用eagle测试机,当然,目前市场上的V50、ASL1000、AST2000等都可以满足测试需求,后两者需要配置相关测试板卡,相比之下,eagle会更合适一些,具体见下图:
-
4、测试项目说明:
1:Open-Short测试:主要测试各管脚对地及对电源的ESD保护二极管是否正常,也能检测到芯片和测试机的连接状态是否正常,所以有时也叫连接性测试。
测试条件:FSS9(VDD)=0V,K1、K2、K3断开,除VDD和GND脚外,其它脚拉出100uA电流,分别测试管脚1、2、3、4、5、8的电压VShort;
测试规范:-0.8 V
0.45W
5、测试程序
由于篇幅较大,在此不一一显示,请下载后参考: LM4990_program
6、调试难点
1、 openshort测试一般较为简单,只要连接OK,不用花太多时间进行调试。
2、 IQ测试,一定要记住要断开K1,因为K1是连接电源上的电容到地的,如果K1闭合,那么测试时就先要对电容进行充电,因为测试IQ时选择的电流量程会比较小,所以需要很长时间的充电,浪费测试时间,另外电容也存在漏电,会影响测试结果,所以测试时K1一定要断开。
3、ICC测试也比较简单,直接测试电源端电流即可,基本不存在什么问
题
快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题
,不过要记住这时输入端不能有信号进入,不然可能测试不稳。可直接由APU7加0V电压进行控制
4、 静态输出共模电压测试 ,条件如同ICC测试,只不过由于BYPASS端接1UF电容,所以要等待足够长的时间才能测到比较稳定准确的电压值。
5、THD测试,主要难点在于测试板的结构,和地线的干净与否关系甚为重大,如果THD测试值太差,请务必考虑地线的布局是否合理,另外BYPASS电容最好离芯片管脚越近越好。
6、功率测试时,由于电流比较大,输出端务必使用开尔文接触进行测试,否则可以调试好,但量产时会出现种种问题。
7、测试数据
Datalog for Serial#: 207, Site #2 **** DEVICE PASSED ****
Software Bin Number: 1
Hardware Bin Number: 1
TEST#
RESULT
UNITS
LOWER
UPPER
TEST NAME
1
-0.5066
V
-0.8
-0.2
INP
1.1
-0.5115
V
-0.8
-0.2
INN
1.2
-0.515
V
-0.8
-0.2
SD
1.3
-0.5043
V
-0.8
-0.2
VO1
1.4
-0.5053
V
-0.8
-0.2
VO2
1.5
0.502
V
0.2
0.8
BP
1.6
0.6557
V
0.2
0.8
INP
1.7
0.6606
V
0.2
0.8
INN
1.8
0.6664
V
0.2
0.8
SD
1.9
0.5884
V
0.2
0.8
VO1
1.1
0.5892
V
0.2
0.8
VO2
1.11
0.645
V
0.2
0.8
BP
2
0.0065
uA
-0.1
1
Iq
3
2.3131
mA
1
6
Icc
4
1.8056
V
1.65
1.85
Vbypass
4.1
1.7655
V
1.65
1.85
Vo1
4.2
1.7698
V
1.65
1.85
Vo2
4.3
-4.2888
mV
-30
30
voffset
5
4.05
V
3.8
4.2
VOp-p
5.1
-57.5724
dB
-100
-50
THD
6
0.51
W
0.45
1.2
PO
对本篇文章有疑问者,可直接发送mail至ictest@ictest8.com共同讨论
作者:derek sun
2008/06/11