W25Q128BV中文版

1,描述串行flash存储器W25Q128BV为那些对空间大小，引脚数，功耗有限制的系统提供了一个存储解决 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 。25Q系列的灵活性和性能比一般的串行flash设备要高。利用串行FLASH可以实现代码映射到RAM，直接通过DUAL/QUADSPI方式来执行代码，存储声音，文本，数据。W25Q128BV供电范围为2.7——3.6V，在激活状态下电流功耗低到4MA，睡眠状态下则降低到1UA。所有的25Q系列都提供节省空间的封装。W25Q128BV由65536可编程的页组成的，每页有256个字节。一次最多可以写256个字节。可以一次擦除16页（4KBsectorerase），128页（32KBblockerase）,256页(64KBblockerase),或者擦除一整片。W25Q128BV有4096个可擦除的扇区，256可擦除的块。4KB的扇区对于数据和参数存储有更高的灵活性。W25Q128BV支持 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 SPI接口，以及更高性能的DUAL/QUADSPI，对应的管脚为时钟，片选，（I/O0）DI，（I/O1）DO，I/O2（/WP），I/O3（/HOLD）。SPI时钟可以达到104MHz，在DUAL使用快速读时就相当于208MHz，在QUAD使用快速读时相当于320MHz。这个传输速率比一般的异步8位，16位并行FLASH存储器要快。连续读模式访问存储器的效率很高，只要8个时钟的指令开销就可以读24位地址的数据，这样就可以实现XIP。HOLD，WP管脚，可编程的写保护，可分为顶部，底部，整个存储器。这些提供了更灵活的控制。一般地，W25Q128BV支持JEDEC标准，一个64位的独立串行数字，包含制造商和芯片ID。6．管脚描述6.1，封装类型W25Q128BV有8x6mm的WSON（封装代码为E），300mil的SOIC(封装代码为F)，封装的细节在数据 手册 华为质量管理手册 下载焊接手册下载团建手册下载团建手册下载ld手册下载 的最后。6.2，片选信号（/CS）SPI的片选信号可以使能和禁止芯片的操作。当/CS管脚为高电平时，芯片处在不选择的状态，此时串行数据输出管脚都处在高阻态。当芯片处在不选中的状态，芯片的功耗将处在待机状态的功耗，除非内部的擦写，编程，写寄存器周期还在进行。当/CS低电平时，芯片被选择，功耗处在激活状态下的功耗，这时可以进行相应的读写与擦除。上电后，在指令接受之前，/CS必须从高到低。上电后，/CS管脚必须跟踪VCC，所以在/CS管脚上加一个上拉电阻比较好。6.3，串行数据输入，输出，IO口W25Q128BV支持标准的SPI，DUALSPI，QUADSPI操作。标准的SPI指令使用单向的DI管脚在时钟的上升沿进行传输串行写指令，地址，数据到芯片上。也使用单向的DO管脚在时钟的下降沿从芯片上读数据，读寄存器的值。DUAL和QUADSPI指令使用双向的IO管脚，在时钟的上升沿写指令，地址，数据到芯片上，在时钟的下降沿从芯片上读取数据，寄存器值。QUADSPI指令的使用必须把状态寄存器2中的非易失性的QUAD使能位置位。QE=1，/WP，/HOLD管脚依次变为IO2，IO3。6.4，写保护（/WP）结合SRBP和SRP这两个寄存器，小至4KB，大至整个芯片能被硬件保护。/WP是低电平有效。当寄存器SR2中的QE位，被置1时，这时的/WP功能将无效，此时/WP已经被用为IO2。6.5，HOLD（/HOLD）当芯片被选择时，/HOLD管脚可以使芯片暂停中止。当芯片/HOLD为低电平，/CS也为低电平时，DO管脚将为高阻态，在DI和时钟管脚上的信号将被忽略。当/HOLD为高电平时，芯片恢复正常操作。当SPI总线上挂有多个设备时，/HOLD脚就有用了。/HOLD管脚低电平有效。当QE置位，/HOLD管脚作为IO3，/HOLD功能此时无效。6.6，串行时钟串行时钟为串行输入和输出操作提供时序。7,存储示意图图2.W25Q128BV串行闪存框图003000h0030FFh002000h0020FFh001000h0010FFhColumnDecodeAnd256-BytePageBufferBeginningPageAddressEndingPageAddressWW2525QQ112288BVBVSPICommand&ControlLogicByteAddressLatch/CounterStatusRegisterWriteControlLogicPageAddressLatch/CounterDO(IO1)DI(IO0)/CSCLK/HOLD(IO3)/WP(IO2)HighVoltageGeneratorsxx0F00hxx0FFFh•Sector0(4KB)•xx0000hxx00FFhxx1F00hxx1FFFh•Sector1(4KB)•xx1000hxx10FFhxx2F00hxx2FFFh•Sector2(4KB)•xx2000hxx20FFh•••xxDF00hxxDFFFh•Sector13(4KB)•xxD000hxxD0FFhxxEF00hxxEFFFh•Sector14(4KB)•xxE000hxxE0FFhxxFF00hxxFFFFh•Sector15(4KB)•xxF000hxxF0FFhBlockSegmentationDataSecurityRegister1-3WWrrititeeProtProtececttLoLoggicicandandRRowowDDeeccoodede000000h0000FFhSFDPRegister00FF00h00FFFFh•Block0(64KB)•000000h0000FFh•••3FFF00h3FFFFFh•Block63(64KB)•3F0000h3F00FFh40FF00h40FFFFh•Block64(64KB)•400000h4000FFh•••7FFF00h7FFFFFh•Block127(64KB)•7F0000h7F00FFh80FF00h80FFFFh•Block128(64KB)•800000h8000FFh•••FFFF00hFFFFFFh•Block255(64KB)•FF0000hFF00FFh8.功能描述8.1，SPI操作8.1.1，标准SPI指令访问W25Q128BV可以通过与SPI兼容的四线制总线：CLK,/CS,DI,DO。标准SPI使用DI管脚，在时钟的上升沿，来进行传输串行写指令，地址，数据到芯片。在时钟的下降沿使用DO管脚来进行读数据和读状态。SPI总线操作模式0和模式3都是被支持的。模式0与模式3的最大区别在于，当SPI总线的主设备处在待机状态，并且没有数据传输到串行FLASH时的CLK的信号状态。对模式0来说，当/CS在上升沿和下降沿的时候，CLK总是在处在低电平。在模式3的时候，当/CS处在上升沿和下降沿的时候，CLK总是处在高电平。8.1.2DUALSPIinstructions8.1.3QUADSPIinstructions8.1.4HOLD功能对于标准的SPI和DUALSPI操作时，当W25Q128BV被激活时（/CS为低电平），可以使用/HOLD信号使W25Q128BV的操作暂停。当SPI的数据与时钟信号与别的设备共用的时候，/HOLD这个功能就可以用到。例如，当页缓冲区只有部分写进FLASH，这时一个高优先级的中断要使用SPI总线。在这种情况下，/HOLD功能就可以保持当前指令的状态，等到SPI总线再次有效的时候，就可以把缓冲区的数据写入FLASH。/HOLD功能只在标准的SPI和DUALSPI操作下有效，在QUAD下无效。开始/HOLD功能的条件，芯片必须是处在激活状态，也就是/CS为低电平。锁定功能在/HOLD信号下降沿如果CLK为低电平的时候被激活。如果CLK不在低电平，锁定功能将在下一时钟下降沿被激活。在/HOLD信号的上升沿时，如果CLK已经为低电平，锁定功能将被终止。如果CLK不是低电平，那么锁定功能将在下一个时钟下降沿被终止。在锁定期间，DO处在高阻态，DI和CLK信号被忽略。在整个锁定期间，片选信号应该一直保持低电平，避免重启片内逻辑状态。8.2，写保护对于把W25Q128BV当非易失性的存储器的应用来说，必须考虑噪声污染和其他的可能破坏数据完整性的系统因素。为了解决这一问题，W25Q128BV提供了几种保护数据不意外写进FLASH的方法。8.2.1写保护的特性*芯片复位当VCC低于门槛电压*唤醒后禁止写的延迟时间*写禁止指令，擦写之后自动禁止写*软件写保护和硬件写保护*使用Power-down指令*LockDown写保护*一次编程写保护（永久的，不可逆）无论是唤醒状态还是睡眠状态，当电压VCC低于门限电压Vwi时，W25Q128BV都会复位。当复位重启这个过程中，所有的操作都是被禁止的，指令也是不被识别的。在唤醒过程中，当电压VCC升到高于Vwi时，编程和擦除的相关指令仍然要等待一段时间tpuw，这些指令包括写使能，页写，擦除扇区，擦除块，擦除整个芯片和写状态寄存器。上电过程中，/CS必须踪电压VCC，直到电压达到VCC_min后再延迟tvsl时间。可以在/CS管脚上加一个上拉电阻来实现。上电后，芯片处在禁止写的状态，WEL位为0。在进行页写，扇区擦除，段擦除，芯片擦除，写状态寄存器之前，必须先发送写使能。完成这些指令后，WEL位自动清除。通过写状态寄存器和设置SRP0，SRP1，BP相应的位来实现软件控制写保护是很方面的。这种方法可以设置小到4KB，大到整个芯片为只读，也就是写保护。结合/WP管脚，可以通过硬件控制来使能或者禁止状态寄存器的改变。详细的说明请看状态寄存器那一段。在睡眠模式下，其实提供了一种额外的写保护，因为此时只识别唤醒指令。9.控制和状态寄存器9.1.1，BUSYBUSY位是在S0中的一个只读位。当执行页写，QUAD页写，扇区擦除，块擦除，片擦除，写状态寄存器，擦写安全寄存器时，BUSY位将会置1。在BUSY位置1期间，只识别读状态寄存器指令，擦写SUSPEND指令。当擦写指令，写状态寄存器的指令完成后，BUSY位自动清零，表示芯片已经准备好接受其他指令。9.1.2，写使能锁存（WEL）WEL位是在S1中的一个只读位，当执行完写使能的时候置1。当芯片被写禁止的时候清0．当上电过程中或执行以下这些指令后：写禁止，页写，QUAD页写，扇区擦除，块擦除，芯片擦除，写状态寄存器，擦写安全寄存器时，芯片将处在写禁止状态。9.1.3，块保护位（BP2，BP1，BP0）BP位都是在状态寄存器中非易失性的，可读可写的位（对应为S4，S3，S2）。写这些位可以进行相应的写保护控制，读这些位可以知道当前块保护的状态。读写这些位都是通过相应的状态寄存器指令。整个芯片或者一部分可以保护起来，当然也可以不保护。默认的就是不保护。9.1.4，顶部/底部块保护（TB）、非易失性的TB位，可以控制BP是从顶部开始还是底部开始。TB=0，从顶部开始，TB=1从底部开始。默认的是从TB=0顶部开始的。TB位是可以通过写状态寄存器指令来操作的。9.1.5，扇区/块保护（SEC）非易失性的SEC位决定是以4KB扇区还是以64KB的块来进行存储。SEC默认值是0，以64KB的块来进行保护。9.1.6，完全保护（CMP）CMP是在状态寄存器中的一位非易失性的可读可写的位（S14）。与SEC，TB，BP位结合，使得存储器的保护 措施 《全国民用建筑工程设计技术措施》规划•建筑•景观全国民用建筑工程设计技术措施》规划•建筑•景观软件质量保证措施下载工地伤害及预防措施下载关于贯彻落实的具体措施 更加灵活。一旦CMP位置1，SEC，TB，BP位将保留。当CMP=0，当顶部4KB以外的部分没有被保护的时候，顶部4KB将被保护。当CMP=1，除顶部4KB以外的部分将被保护。默认的CMP=0。详细情况参看SRMP参考。9.1.7，状态寄存器保护位（SRP1，SRP0）SRP1，SRP0是状态寄存器中非易失性的可读写的两位（S8，S7）。SRP位决定着写保护的方法，软保护，硬件保护，电源锁定，一次编程保护。注意：1，当SPR1，SRP0=(1,0)，一个POWER-DOWN，POWER-UP周期后，SRP1，SRP0就变为了（0，0）状态。2，这是一条特别的命令。详细情况联系华邦。9.1.8，擦写暂停寄状态位（SUS）SUS是在状态寄存器中的只读位（S15）。当执行完擦写暂停指令位后，SUS置位。当执行指令7AH以及POWER-DOWN，POWER-UP周期后，SUS被清零。9.1.9，安全寄存器锁定位（LB3，LB2，LB1，LB0）LB位是在状态寄存器中非易失性的一次编程位（S13，S12，S11，S10）。LB控制写保护，描述安全寄存器的状态。默认的LB位都为0,即安全寄存器没有被锁定。LB位可以通写状态寄存器指令来置1。LB位都是一次编程，所以一旦写1，相应的256字节的安全寄存器将会变得永久只读。9.1.10，QUAD使能（QE）QE是在状态寄存器中的非易失性的可读可写的一位（S9）。QE置位，表示进行的是QUADSPI操作。默认的QE是0，/WP，/HOLD都是使能的。当QE是1时，IO2，IO3管脚被被使能。注意：当芯片处在标准SPI或者DUALSPI，并且/WP，/HOLD管脚夫是直接接在高电电平或者地上时，QE位不要设置为1。SRP1SRP0/WP状态寄存器描述00X软件保护/WP引脚没有控制权。状态寄存器可以写使能指令之后被写入，WEL=1。[出厂默认]010硬件保护当/WP引脚为低电平状态寄存器锁定，不能被写入.011硬件不受保护当/WP引脚为高电平状态寄存器被解锁，可以写使能指令之后被写入，WEL=1。10X电源锁定状态寄存器的保护，不能被再次写入，直到下一次断电，上电周期。(1)11XOneTimeProgram(2)状态寄存器是永久保护，不能被写入。S7S6S5S4S3S2S1S0SRP0SECTBBP2BP1BP0WELBUSYSTATUSREGISTERPROTECT0(non-volatile)SECTORPROTECT(non-volatile)TOP/BOTTOMPROTECT(non-volatile)BLOCKPROTECTBITS(non-volatile)WRITEENABLELATCHERASE/WRITEINPROGRESS图3a。状态寄存器-19.1.11，状态寄存器存储保护（CMP=0）S15S14S13S12S11S10S9S8SUSCMPLB3LB2LB1(R)QESRP1SUSPENDSTATUSCOMPLEMENTPROTECT(non-volatile)SECURITYREGISTERLOCKBITS(non-volatileOTP)QUADENABLE(non-volatile)STATUSREGISTERPROTECT1(non-volatile)RESERVED图3b。状态寄存器-2STATUSREGISTER(1)W25Q128BV(128M-BIT)MEMORYPROTECTION(3)SECTBBP2BP1BP0PROTECTEDBLOCK(S)PROTECTEDADDRESSESPROTECTEDDENSITYPROTECTEDPORTION(2)XX000NONENONENONENONE00001252thru255FC0000h–FFFFFFh256KBUpper1/6400010248thru255F80000h–FFFFFFh512KBUpper1/3200011240thru255F00000h–FFFFFFh1MBUpper1/1600100224thru255E00000h–FFFFFFh2MBUpper1/800101192thru255C00000h–FFFFFFh4MBUpper1/400110128thru255800000h–FFFFFFh8MBUpper1/2010010thru3000000h–03FFFFh256KBLower1/64010100thru7000000h–07FFFFh512KBLower1/32010110thru15000000h–0FFFFFh1MBLower1/16011000thru31000000h–1FFFFFh2MBLower1/8011010thru63000000h–3FFFFFh4MBLower1/4011100thru127000000h–7FFFFFh8MBLower1/2XX1110thru255000000h–FFFFFFh16MBALL10001255FFF000h–FFFFFFh4KBU-1/409610010255FFE000h–FFFFFFh8KBU-1/204810011255FFC000h–FFFFFFh16KBU-1/10241010X255FF8000h–FFFFFFh32KBU-1/512110010000000h–000FFFh4KBL-1/4096110100000000h–001FFFh8KBL-1/2048110110000000h–003FFFh16KBL-1/10241110X0000000h–007FFFh32KBL-1/512Notes:1.X=don’tcare2.L=Lower;U=Upper3.IfanyEraseorProgramcommandspecifiesamemoryregionthatcontainsprotecteddataportion,thiscommandwillbeignored.9.1.12，状态寄存器存储保护（CMP=1）状态寄存器(1)W25Q128BV(128M-BIT)存储器保护(3)SECTBBP2BP1BP0PROTECTEDBLOCK(S)PROTECTEDADDRESSESPROTECTEDDENSITYPROTECTEDPORTION(2)XX0000thru255000000h-FFFFFFh16MBALL000010thru251000000h-FBFFFFh16,128KBLower63/64000100thru247000000h–F7FFFFh15,872KBLower31/32000110thru239000000h-EFFFFFh15MBLower15/16001000thru223000000h-DFFFFFh14MBLower7/8001010thru191000000h-BFFFFFh12MBLower3/4001100thru127000000h-7FFFFFh8MBLower1/2010014thru255040000h-FFFFFFh16,128KBUpper63/64010108thru255080000h-FFFFFFh15,872KBUpper31/320101116thru255100000h-FFFFFFh15MBUpper15/160110032thru255200000h-FFFFFFh14MBUpper7/80110164thru255400000h-FFFFFFh12MBUpper3/401110128thru255800000h-FFFFFFh8MBUpper1/2XX111NONENONENONENONE100010thru255000000h–FFEFFFh16,380KBL-4095/4096100100thru255000000h–FFDFFFh16,376KBL-2047/2048100110thru255000000h–FFBFFFh16,368KBL-1023/10241010X0thru255000000h–FF7FFFh16,352KBL-511/512110010thru255001000h–FFFFFFh16,380KBU-4095/4096110100thru255002000h–FFFFFFh16,376KBU-2047/2048110110thru255004000h–FFFFFFh16,368KBU-1023/10241110X0thru255008000h–FFFFFFh16,352KBU-511/512Notes:1.X=不关心2.L=Lower;U=Upper3.IfanyEraseorProgramcommandspecifiesamemoryregionthatcontainsprotecteddataportion,thiscommandwillbeignored.9.2，指令W25Q128BV共有34个基本指令。指令都是以/CS下降沿开始的。第一个传输的字节是指令码。在DI上传输的数据是在时钟的上升沿被锁存的。MSB首先被传输。指令的长度是不定的，有单字节的，也有多字节的。指令代码后可能还跟有地址，数据，无关的字节，有可能还是几个的组合。指令是以/CS上升沿结束的。每个指令的时序图都包含在图片4中。所有的读指令可以在任何时钟周期结束。但是，所有的擦写指令必须在/CS拉高之后还有一个8位的时钟间隔，否则前面的擦写指令将被忽略。这样可以保护芯片意外被写。当芯片正在进行擦写操作，写寄存器时，直到完成，除了读状态寄存器以外的所有指令都将被忽略。9.2.1，制造商和芯片ID9.2.2，指令表1（擦写表1）制造商ID(MF7-MF0)华邦串行闪存EFh设备ID(ID7-ID0)(ID15-ID0)指令ABh,90h,92h,94h9FhW25Q128BV17h4018h指令名称字节1(代码)字节2字节3字节4字节5字节6WriteEnable06hWriteEnableforVolatileStatusRegister50hWriteDisable04hReadStatusRegister-105h(S7–S0)(2)ReadStatusRegister-235h(S15–S8)(2)WriteStatusRegister01hS7–S0S15-S8PageProgram02hA23–A16A15–A8A7–A0D7–D0QuadPageProgram32hA23–A16A15–A8A7–A0D7–D0,…(3)SectorErase(4KB)20hA23–A16A15–A8A7–A0BlockErase(32KB)52hA23–A16A15–A8A7–A0BlockErase(64KB)D8hA23–A16A15–A8A7–A0ChipEraseC7h/60hErase/ProgramSuspend75hErase/ProgramResume7AhPower-downB9hContinuousReadModeReset(4)FFhFFhNotes:1.DatabytesareshiftedwithMostSignificantBitfirst.Bytefieldswithdatainparenthesis“()”indicatedatabeingreadfromthedeviceontheDOpin.2.TheStatusRegistercontentswillrepeatcontinuouslyuntil/CSterminatestheinstruction.3.QuadPageProgramInputData:IO0=D4,D0,……IO1=D5,D1,……IO2=D6,D2,……IO3=D7,D3,……4.ThisinstructionisrecommendedwhenusingtheDualorQuad“ContinuousReadMode”feature.Seesection7.2.19&7.2.20formoreinformation.9.2.3，指令表2（读指令）9.2.4，指令表4（ID，安全指令）指令名称字节1(代码)字节2字节3字节4字节5字节6ReadData03hA23-A16A15-A8A7-A0(D7-D0)FastRead0BhA23-A16A15-A8A7-A0dummy(D7-D0)FastReadDualOutput3BhA23-A16A15-A8A7-A0dummy(D7-D0,…)(1)FastReadQuadOutput6BhA23-A16A15-A8A7-A0dummy(D7-D0,…)(3)FastReadDualI/OBBhA23-A8(2)A7-A0,M7-M0(2)(D7-D0,…)(1)FastReadQuadI/OEBhA23-A0,M7-M0(4)(x,x,x,x,D7-D0,…)(5)(D7-D0,…)(3)WordReadQuadI/O(7)E7hA23-A0,M7-M0(4)(x,x,D7-D0,…)(6)(D7-D0,…)(3)OctalWordReadQuadI/O(8)E3hA23-A0,M7-M0(4)(D7-D0,…)(3)SetBurstwithWrap77hxxxxxx,W6-W4(4)注意事项：1.DualOutputdataIO0=(D6,D4,D2,D0)IO1=(D7,D5,D3,D1)2.DualInputAddressIO0=A22,A20,A18,A16,A14,A12,A10,A8A6,A4,A2,A0,M6,M4,M2,M0IO1=A23,A21,A19,A17,A15,A13,A11,A9A7,A5,A3,A1,M7,M5,M3,M13.QuadOutputDataIO0=(D4,D0,…..)IO1=(D5,D1,…..)IO2=(D6,D2,…..)IO3=(D7,D3,…..)4.QuadInputAddressSetBurstwithWrapInputIO0=A20,A16,A12,A8,A4,A0,M4,M0IO1=A21,A17,A13,A9,A5,A1,M5,M1IO2=A22,A18,A14,A10,A6,A2,M6,M2IO3=A23,A19,A15,A11,A7,A3,M7,M3IO0=x,x,x,x,x,x,W4,xIO1=x,x,x,x,x,x,W5,xIO2=x,x,x,x,x,x,W6,xIO3=x,x,x,x,x,x,x,x5.FastReadQuadI/ODataIO0=(x,x,x,x,D4,D0,…..)IO1=(x,x,x,x,D5,D1,…..)IO2=(x,x,x,x,D6,D2,…..)IO3=(x,x,x,x,D7,D3,…..)6.WordReadQuadI/ODataIO0=(x,x,D4,D0,…..)IO1=(x,x,D5,D1,…..)IO2=(x,x,D6,D2,…..)IO3=(x,x,D7,D3,…..)7.最低地址位必须为0.(A0=0)8.最低4位地址位必须为0.(A0,A1,A2,A3=0)9.2.5，写使能（06h）写使能指可以设置状态寄存器中的WEL位置1。在页写，QUAD页写，扇区擦除，块擦除，片擦除，写状态寄存器，擦写安全寄存器指令之前，必须先将WEL位置1。写使能指令是以/CS拉低开始的，将06H通过DI在时钟的上升沿锁存，然后/CS拉高来结束指令。9.2.6，易失性的寄存器写使能（50H）非易失性的状态寄存器位在9.1节已经描述过，也可以像易失性的位一样进行写操作。这样对芯片配置会更灵活，对存储保护也不用等待慢速的非易失性位的写入，也就不会影响到状态寄存器中的非易失性位。为了写状态寄存器中的那些易失性位的值，必须在在写状态寄存器指令（01H）前，写入易失性的状态寄存器指令（50H）。写易失性的状态寄存器指令不会使改变WEL位。这条指令的惟一的作用是使得写入写状态寄存器指令可以改变状态寄存器中的易失性位。INSTRUCTIONNAMEBYTE1(CODE)BYTE2BYTE3BYTE4BYTE5BYTE6ReleasePowerdown/DeviceIDABhdummydummydummy(ID7-ID0)(1)Manufacturer/DeviceID(2)90hdummydummy00h(MF7-MF0)(ID7-ID0)Manufacturer/DeviceIDbyDualI/O92hA23-A8A7-A0,M[7:0](MF[7:0],ID[7:0])Manufacture/DeviceIDbyQuadI/O94hA23-A0,M[7:0]xxxx,(MF[7:0],ID[7:0])(MF[7:0],ID[7:0],…)JEDECID9Fh(MF7-MF0)Manufacturer(ID15-ID8)MemoryType(ID7-ID0)CapacityReadUniqueID4Bhdummydummydummydummy(ID63-ID0)ReadSFDPRegister5Ah00h00hA7–A0dummy(D7-0)EraseSecurityRegisters(3)44hA23–A16A15–A8A7–A0ProgramSecurityRegisters(3)42hA23–A16A15–A8A7–A0D7-D0D7-D0ReadSecurityRegisters(3)48hA23–A16A15–A8A7–A0dummy(D7-0)Notes:1.TheDeviceIDwillrepeatcontinuouslyuntil/CSterminatestheinstruction.2.SeeManufacturerandDeviceIdentificationtableforDeviceIDinformation.3.SecurityRegisterAddress:SecurityRegister1:A23-16=00h;A15-8=10h;A7-0=byteaddressSecurityRegister2:A23-16=00h;A15-8=20h;A7-0=byteaddressSecurityRegister3:A23-16=00h;A15-8=30h;A7-0=byteaddress/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Mode0Mode3Instruction(06h)HighImpedance图4.写使能指令序列图9.2.7，写禁止（04H）写禁止指令使得状态寄存器中的WEL位为0。写禁止指令是以/CS低电平开始的，然后在DI传输指令代码04H到芯片，最后是以/CS拉高结束。当上电后，以及完成写状态寄存器，擦写安全寄存器，页写，QUAD页写，扇区擦写，块擦写，芯片擦写指令后，WEL位是自动清零的。写禁止指令（04H）也被用来取消易失性的写使能指令（50H）。9.2.8，读状态寄存器1（05H）和读状态寄存器2（35H）指令读状态寄存器指令允许读8位状态寄存器位。这条指令是以/CS拉低开始，然后通过DI在时钟的上升沿传输指令代码05H（读寄存器1指令）或者是35H（读寄存器2指令），然后状态寄存器的相应位通过DO在时钟的下降沿从高位到低位依次传出。最后以/CS拉高结束。读状态寄存指令可以任何时间使用，在擦写，写状态寄存器指令周期中依然可以。这样就可以随时检查BUSY位，检查相应的指令周期有没有结束，芯片是不是可以接受新的指令。状态寄存器可以连续的读出来，如图7。/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Mode0Mode3Instruction(50h)HighImpedance图5.写使能挥发性状态寄存器指令序列图/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Mode0Mode3Instruction(04h)HighImpedance图6.写禁止指令序列图9.2.9，写状态寄存器（01H）写状态寄存器可对状态寄存器进行写操作。但是仅仅是那非易失性的位，SRP0，SEC，TB，BP，CMP，LB，QE，SRP1。其他的位将不会受到这条指令的影响。LB是非易失性的一次编程（OTP）位，一旦写1，将不能清零。对于写非易失性的状态寄存器位，写状态寄存器指令（01H）之前，必须先写入写使能(06H)指令（要保证WEL位为1）。一旦写使能，写状态寄存器指令（01H）将会以/CS拉低开始，然后通过DI线上传输指令代码（01H），然后传输相应的状态寄存器位。最后以/CS拉高结束。对于写易失性的状态寄存位，在写状态寄存器之前必须先写入写易失性状态寄存器位指令（50H）。SRP1，LB位是一次编程，所以不可能从1写为0。易失性的位在掉电后其值就被丢掉了，非易失性的位则一直保持。为了完成写状态寄存器指令，/CS管脚必须在数据传输完成后拉高。如果/CS没有拉高，那么写状态寄存指令将不会被最终执行。如果/CS在第8个时钟拉高（25系列的），CMP，QE，SRP1将被清零。在对非易失性的状态寄存器位写操作（06指令与01H指令）期间，当/CS拉高后，其内建时间是tw。当写状态寄存指令在执行期间，读状态寄存器指令仍然可以继续，去检查BUYS位。在写状态寄存器指令周期中BUSY位为1，当该指令完成后，BUSY位被清零，WEL位也被清零，表明芯片准备接受的新指令。在对易失性寄存器位（50H和01H）操作时，/CS拉高后，在tSHSL2时间内，状态寄存器的相应位将被新的值刷新。在状态寄存器刷新期间，BUSY位仍然是0。/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567指令(05hor35h)高阻抗89101112131415161718192021222376543210765432107状态寄存器1or2out状态寄存器1or2out**=MSB*图7.读状态寄存器指令序列图9.2.10，读数据（03H）读数据指令允许从存储器读一个字节和连续多个字节。该指令是以/CS拉低开始，然后通DI在时钟的上升沿来传输指令代码（03H）和24位地址。当芯片接受完地址位后，相应地址处的值将会，在时钟的下降沿，以高位在前低位在后的方式，在D0上传输。如果连续的读多个字节的话，地址是自动加1的。这意味着可以一次读出整个芯片。该指令也是以/CS拉高来结束的。如果当BUSY=1时执行该指令，该指令将被忽略，并且对正在执行的其他指令不会有任何影响。读数据指令的时钟可以从D.C到最大的fR.9.2.11,快速读指令（0BH）快速读指令与读数据指令比较相似，差别在于快速读数据指令可以以最高的频率读。只是在传输完24位地址后，另加8位无关的数据。在传输8位无关的数据时间内，芯片用来建立初始地址，这时DO上的数据也是无关的。/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Instruction(01h)HighImpedance8910111213141516171819202122237654321015141312111098StatusRegister1inStatusRegister2inMode0Mode3**=MSB*图8.写状态寄存器指令序列图/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Instruction(03h)HighImpedance891028293031323334353637383976543210724-BitAddress2322213210DataOut1**=MSB*图9.读取数据指令序列图9.2.12，DUAL输出快速读（3BH）略9.2.13，QUAD快速读（6BH）略9.2.14，DUALIO快速读（BBH）略9.2.15，QUADIO快速读（EBH）略9.2.16，字读QUAD（E7H）略9.2.17，8个字一起读（E3H）略9.2.18————9.2.20略9.2.21，页编程指令（02H）页编程指令允许1到256字节写入存储器的某一页，这一页必须是被擦除过的（也就是只能写0，不能写1，擦除时是全写为1）。在页编程指令之前，必须先写入写使能指令。页编程指令是以/CS拉低开始，然后在DI上传输指令代码02H，再接着传输24位的地址，接着是至少一个字节的数据。/CS管脚必须一直保持低。页编程指令的时序图如图19。如果一次写一整页数据（256字节），最后的地址字节应该全为0。如果最后8字节地址不为0，但是要写入的数据长度超过页剩下的长度，那么芯片会回到当前页的开始地址写。写入少于256字节的的数据，对页内的其他数据没有任何影响。对于这种情况的惟一要求是，时钟数不能超过剩下页的长度。如果一次写入多于是256字节的数据，那么在页内会回头写，先前写的数据可能已经被覆盖。作为擦写指令，当最后字节的第8位进入芯片后，/CS必须拉高。如果/CS没有拉高，/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Instruction(0Bh)HighImpedance89102829303124-BitAddress2322213210DataOut1*/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)3233343536373839DummyClocksHighImpedance404142444546474849505152535455765432107DataOut2*76543210*43310=MSB*图10.快速读取指令序列图那么页写指令将不被执行。/CS拉高后，页编程指令的内建时间为tpp。在页写指令执行期间，读状态寄存器指令仍然可以识别，以此来进行检查BUSY位。当页写指令执行期间，BUSY位为了1。当执行完后，BUSY为0，表明可以接受新的指令了。页写指令完成后WEL位自动清零。如果该指令要操作的页已经被保护起来，那么该指令也将不执行。9.2.22，QUADINPUTPAGEPROGRAM(32h)略9.2.23，扇区擦除（20H）扇区擦除可以擦除4K-byte存储空间（全为0XFF）。进行扇区擦写指令之前，必须进行写使能指令。该指令是以/CS拉低开始的，然后在DI上传输指令代码20H和24位地址。时序图如图21。当最后字节的第8位进入芯片后，/CS必须拉高。如果/CS没有拉高，那么扇区擦写指令将不被执行。/CS拉高后，扇区擦写指令的内建时间为tSE。在扇区擦写指令执行期间，读状态寄存器指令仍然可以识别，以此来进行检查BUSY位。当扇区擦写指令执行期间，BUSY位为了1。当执行完后，BUSY为0，表明可以接受新的指令了。扇区擦写指令完成后WEL位自动清零。如果该指令要操作的任何一页已经被保护起来，那么该指令也将不执行。/CSCLKDI(IO0)Mode0Mode301234567Instruction(02h)89102829303924-BitAddress232221321*/CSCLKDI(IO0)4041424344454647DataByte2484950525354552072765432105139031032333435363738DataByte17654321*Mode0Mode3DataByte320732074207520762077207820790DataByte256*76543210*76543210*=MSB*图19.页面编程指令序列图9.2.24，32KB块擦除指令（52H）块擦除可以擦除32K-byte存储空间（全为0XFF）。进行块擦写指令之前，必须进行写使能指令。该指令是以/CS拉低开始的，然后在DI上传输指令代码02H和24位地址。时序图如图22。当最后字节的第8位进入芯片后，/CS必须拉高。如果/CS没有拉高，那么块擦写指令将不被执行。/CS拉高后，块擦写指令的内建时间为tBE1。在块擦写指令执行期间，读状态寄存器指令仍然可以识别，以此来进行检查BUSY位。当块擦写指令执行期间，BUSY位为了1。当执行完后，BUSY为0，表明可以接受新的指令了。块擦写指令完成后WEL位自动清零。如果该指令要操作的任何一页已经被保护起来，那么该指令也将不执行。/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Instruction(20h)HighImpedance8929303124-BitAddress2322210*Mode0Mode3=MSB*图21.扇区擦除指令序列图/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Instruction(52h)HighImpedance8929303124-BitAddress2322210*Mode0Mode3=MSB*图22.32KB块擦除指令序列图时序图如图23。当最后字节的第8位进入芯片后，/CS必须拉高。如果/CS没有拉高，那么块擦写指令将不被执行。/CS拉高后，块擦写指令的内建时间为tBE。在块擦写指令执行期间，读状态寄存器指令仍然可以识别，以此来进行检查BUSY位。当块擦写指令执行期间，BUSY位为了1。当执行完后，BUSY为0，表明可以接受新的指令了。块擦写指令完成后WEL位自动清零。如果该指令要操作的任何一页已经被保护起来，那么该指令也将不执行。9.2.26，芯片擦除（C7/60H）芯片擦除可以擦除64K-byte存储空间（全为0XFF）。进行芯片擦写指令之前，必须进行写使能指令。该指令是以/CS拉低开始的，然后在DI上传输指令代码C7H或者60H。时序图如图24。当最后字节的第8位进入芯片后，/CS必须拉高。如果/CS没有拉高，那么芯片擦写指令将不被执行。/CS拉高后，芯片擦写指令的内建时间为tBE。在芯片擦写指令执行期间，读状态寄存器指令仍然可以识别，以此来进行检查BUSY位。当芯片擦写指令执行期间，BUSY位为了1。当执行完后，BUSY为0，表明可以接受新的指令了。芯片擦写指令完成后WEL位自动清零。如果该指令要操作的任何一页已经被保护起来，那么该指令也将不执行。/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Instruction(D8h)HighImpedance8929303124-BitAddress2322210*Mode0Mode3=MSB*图23.64KB块擦除指令序列图9.2.25，64KB块擦除指令（D8H）块擦除可以擦除64K-byte存储空间（全为0XFF）。进行块擦写指令之前，必须进行写使能指令。该指令是以/CS拉低开始的，然后在DI上传输指令代码D8H和24位地址。9.2.27-------9.2.28略9.2.29，Power-Down指令（B9H）尽管在正常工作时，待机电流已经很小，但是利用Power-Down指令可以使得待机电流更小。对于利用电池供电的系统应用来说，Power-Down指令会变得非常有用。该指令是以/CS拉低开始，然后在DI上传输指令代码B9H。当最后字节的第8位进入芯片后，/CS必须拉高。如果/CS没有拉高，那么Power-Down指令将不被执行。/CS拉高后，芯片进入到Power-Down状态的时间为tDP。当芯片处在Power-Down状态时，只识别ReleasefromPower-Down/芯片ID指令，这两个指令可以使芯片恢复到正常状态。其他的指令都不识别，读寄存器指令也不识别。这是Power-Down状态下最大的写保护，只识别一条指令。芯片在正常工作状态下都是处于Power-Up状态，待机电流为ICC1。9.2.30，ReleasePower-Down/DeviceID(ABH)/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Instruction(C7h/60h)HighImpedanceMode0Mode3Figure24.ChipEraseInstructionSequenceDiagram/CSCLKDI(IO0)Mode0Mode301234567Instruction(B9h)Mode0Mode3tDPPower-downcurrentStand-bycurrent图27.DeepPower-down指令序列图该指令是一个多功能的指令。可以用来把芯片从Power-Down状态下唤醒，也可以用来读取芯片的ID号。为了把芯片从Power-Down状态下唤醒，该指令以/CS拉低开始，然后在DI上传输指令代码ABH，然后拉高/CS。从Power-Down状态下唤醒到芯片恢复正常操作，其他的指令都识别需要的时间为tRES1。在这段时间内/CS必须还一直保持高电平。当不在Power-Down状时，就用该指令来读取芯片ID。以/CS拉低开始，然后在DI传输指令代码ABH，接着传3字节的无关位。芯片ID将会在时钟的下降沿以高位在前的方式在DO上输出。W25Q128BV的芯片ID是由制造商和芯片ID组成。芯片ID可以连续读出来。该指令以/CS拉高结束。当该指令用来唤醒芯片和获取芯片ID时，跟前面描述的基本都是一样的。但是作为唤醒芯片时，/CS拉高后其内建时间为tRES2，内建完成后，芯片恢复到正常状态，其他的指令也将被识别。当BUSY=1时执行这条指令，将被唿略，并且对当前正在执行的指令没有任何影响。9.2.31，读制造商和芯片ID（90h）/CSCLKDI(IO0)Mode0Mode301234567Instruction(ABh)Mode0Mode3tRES1Power-downcurrentStand-bycurrent图28A。释放掉电指令序列tRES2/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Instruction(ABh)HighImpedance892930313DummyBytes2322210*Mode0Mode376543210*32333435363738DeviceIDPower-downcurrentStand-bycurrent=MSB*图28B。释放掉电/设备ID指令序列图该指令可以替代ReleasefromPower-Down/DeviceID指令，该指令读出的JEDEC签名的制造商ID和特殊的芯片ID。该指令与ReleasefromPower-Down/DeviceID指令相似。该指令以/CS拉低开始，然后通过DI传输指令代码90H和24位的地址（全为000000H）。这之后，WINBOND的ID（EFH）和芯片ID将在时钟的下降沿以高位在前的方式传出。关于W25Q128BV的芯片和制造商ID，在图29中列出。如果24位地址传输的是000001H，那么芯片ID将首先被传出，然后紧接着的是制造商ID。这两个是连续读出来的。该指令以/CS拉高结束。9.2.32，ReadManufacturer/DeviceIDDualI/O(92h)(略)9.2.33，ReadManufacturer/DeviceIDQUADI/O(94h)(略)9.2.34，读独立的ID序列（4BH）该指令可以读取一个芯片已经固化的只读的64位ID。每一片W25Q128BV的ID都是独立的。该ID序列与用户软件可以一起实现防止对系统的拷贝和克隆。该指令以/CS拉低开始，然后传输指令代码（4BH）和4字节的无关位。这之后，64位的独立ID在时在时钟的下降沿通过DO传出。/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Instruction(90h)HighImpedance891028293031Address(000000h)2322213210DeviceID*/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)3233343536373839ManufacturerID(EFh)40414244454676543210*43310Mode0Mode3=MSB*图29.读制造商/设备ID图9.2.35，读JEDECID（9FH）考虑到兼容性的原因，W25Q128BV提供了一系列的确定芯片ID的指令。该指令与2003通过的SPI串行存储设备的JEDEC标准是兼容的。该指令是以/CS拉低开始，然后在传输指令代码9FH，一个字节的WINBOND的JEDEC制造商签名和两字节的芯片ID字节（存储类型，容量）将在时钟的下降沿以商位在前的方式在D0上传输出来。/CSCLKDI(IO0)DO(IO1)Mode0Mode301234567Instruction(4Bh)HighImpedance891011121314151617181920212223/CSCLKDI(IO0)DO