模拟电子技术题库答案

模拟电子技术试 题 快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题 汇编成都理工大学 工程 路基工程安全技术交底工程项目施工成本控制工程量增项单年度零星工程技术标正投影法基本原理 技术学院电子技术基础教研室2010-9模拟电子技术试题汇编第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变宽。4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__绝缘栅场效应管_______。6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。7、半导体二极管的基本特性是单向导电性____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN____型和__PNP____型两种，它们的符号分别为_______和________。9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的___漂移_____运动。10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V，锗二极管的死区电压约为__0.1____V。11、晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望ICBO尽量___小_______。gm12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_______。13、PN结具有__单向导电_______特性。14、双极型三极管有两个PN结，分别是___集电结____和_发射结______。-1-模拟电子技术试题汇编15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴，少数载流子应是电子。18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正____________向电压；（2）集电结外加___反________向电压。22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是________。25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会上________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。30、当温度升高时，三极管的参数β会变大________，ICBO会增加________，导通电压会变小_________。-2-模拟电子技术试题汇编31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。32、N型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是___空穴_____。33、某晶体管的极限参数PCM150mW，ICM100mA，U(BR)CEO30V。若它的工作电压UCEV，则工作电流不得超过__15_____mA；若工作电压UCE1V，10则工作电流不得超过____100___mA；若工作电流IC1mA，则工作电压不得超过___30____V。34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为VA=－9V，VB=－6.2V，VC=－6V，则该三极管是______PNP_______型三极管，A为_______集电______极，B为_____基________极，C为______发射_______极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是__。___36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。38、场效应管与晶体管比较，场效应管的热稳定好，输入电阻高，晶体管的放大能力强。39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（B）时处于正偏导通状态。A．0B．死区电压C．反向击穿电压D．正向压降2、杂质半导体中（A）的浓度对温度敏感。A．少子B．多子C．杂质离子D．空穴-3-模拟电子技术试题汇编3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（B），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（A），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（C）。A．截止B．放大C．饱和D．损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为(B)。A．前者反偏、后者也反偏B．前者正偏、后者反偏C．前者正偏、后者也正偏D．前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（A）和（B）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（A）的流动。A．多子B．少子C．自由电子D.空穴6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为UC（A）UB（A）UE。A．>B．<C．=D．≤7、对二极管正向电阻rZ和反向电阻rF的要求是（C）A．rZ、rF都大B．rZ、rF都小C．rZ很小，rF很大D．rZ大，rF小8、稳压二极管动态电阻rZ（B），稳压性能愈好。A．愈大B．愈小C．为任意值9、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（C）状态。A．放大B．截止C．饱和D．无法确定10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（A、D）A．自给偏压电路B．外加偏压电路C．无须偏置电路D．栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（A），而少数载流子的浓度与（B）有很大关系。A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度D．晶体管缺陷12、场效应管属于（B）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（C）控制型器件。A．电荷B．电压C．电流-4-模拟电子技术试题汇编13、当PN节外加反向电压时，扩散电流（B）漂移电流，耗尽层（D）。A．大于B．小于C．等于D．变宽E．变窄F．不变14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（D）。A．左移，下移B．右移，上移C．左移，上移D．右移，下移15、PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（A）。A．变窄B．基本不变C．变宽D.先变窄，后变宽16、在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流Is≈0.1pA，则在35oC时，下列哪组数据可能正确：（D）。AUth≈0.575V，Is≈0.05pABUth≈0.575V，Is≈0.2pACUth≈0.475V，Is≈0.05pADUth≈0.475V，Is≈0.2pA17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN或PNP）与三个电极时，最为方便的测试方法为（B）。A．测试各极间电阻B．测试各极间、对地电压C．测试各极电流三、判断题1、三极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。（╳）2、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（╳）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（√）4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（╳）5、有人测得晶体管在UBE=0.6V时，IB=5A，因此认为在此工作点上的rbe大约为26mv5.2K。（√）IB6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（√）-5-模拟电子技术试题汇编7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（╳）8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（√）9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（╳）10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（╳）11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（√）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过。（╳）13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（╳）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（╳）15、有人测试晶体管的rbe，方法是通过测得晶体管的UBE0.7，IB20mA，推算出rbeUIBV/20mAK。（╳）BE/0.735四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分）管脚（各电极）电位晶体管1晶体管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V电极(e或b或c)ebccbeNPN或PNPNPNPNP材料（Si或Ge）SiGe2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分）管子类型各电极电位V）状态NPNPNPNPNPNPUeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2cbda3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算UX和UY的值（共9分）-6-模拟电子技术试题汇编+10VRUYDUX2R（a）答案：（a）正偏导通100.7I=3RUx100.72RI==6.2V3Uy6.20.76.9V+10V2RUYDUXRb）（b）仅偏截止I=0UX=0Uy=10V4、如下图，设硅稳压管VDZ1、VDZ2的稳压值分别为6V和9V，求Uo为多少？（共3分）1KVD1VD220V1KUo..答：U0=9-6=3V5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。-7-模拟电子技术试题汇编D导通，U03V6、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（9分）都不能放大电压信号（a）（b）（c）输入交流短路无直流基极偏压输入交流短路7、如下图，设硅稳压管VDZ1、VDZ2的稳压值分别为6V和9V，稳压管的正向压降为0.7V，试写出输出电压Uo为多少？（共8分）RR1KVDZ11K25VVDZ225VVDZ1VDZ2（a）U015VU00.7V（）bR1K1KVDZ125VVDZ1VDZ225VVDZ2-8-模拟电子技术试题汇编（c）U06.7VU06V（d）8、设二极管理想化，试判断下列各图二极管是否导通还是截止？并求出UO=？DD++6V3KR15V3KRVOVO12V-12V-（a）D导通U06V（b）D截止U012VD1+D1D2D2+15V3KRVO3KRVO3V12V-12V-（c）D1导通D2截止（）D先导通D1截止d2U0=0VU0=-3V-9-模拟电子技术试题汇编第二章放大电路原理一、填空题1、BJT放大电路的三种基本组态中，_共集________组态带负载能力强，_共基____________组态频率响应好，__共射___________组态有倒相作用，__共集___________组态向信号源索取的电流小。2、多级放大电路的对数增益等于其各级对数增益的_之和______。3、BJT放大电路的三种组态是___共射__________、___共基__________、____共集_________。4、影响放大电路工作点稳定的主要原因是___温度变化__________。5、三极管___共集_________组态的放大电路具有输入电阻高、输出电阻低的特点。6、放大电路最常用的基本分析方法，就是__图解法________和_微变等效电路法___________。7、共集电极放大电路又称为___射极输出器或射随器_________。8、多级放大电路常用的耦合方式有三种：即___阻容耦合_________、__直接耦合__________、___变压器耦合_________。9、放大电路的三种基本组态中，__共射___________组态既具有电压放大能力又具有电流放大能力，___共集__________只具有电流放大能力，__共基___________组态只具有电压放大能力。10、放大的本质首先是实现_能量_____的控制；所谓放大作用，其放大的对象是_变化量_____。11、产生零点漂移的主要原因是放大器件的参数受__温度_______的影响而发生波动，导致放大电路的__静态工作点________不稳定。12、输出电压离开零点，缓慢地发生不 规则 编码规则下载淘宝规则下载天猫规则下载麻将竞赛规则pdf麻将竞赛规则pdf 的变化，这种现象称为__零点漂移_______。-1-模拟电子技术试题汇编二、选择题1、关于BJT放大电路中的静态工作点（简称Q点），下列说法中不正确的是（D）。A．Q点过高会产生饱和失真B．Q点过低会产生截止失真C．导致Q点不稳定的主要原因是温度变化D．Q点可采用微变等效电路法求得2、双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是___B________电路。A．共发射极B．共集电极C．共基极D．不能确定3、晶体管放大电路中，高频特性最好的电路是（D）。A.共射电路B.共集电路C.共源电路D.共基电路4、有两个放大倍数（电路相同，采用同一晶体管）相同，输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B）。A．输入电阻大B．输入电阻小C．输出电阻大D．输出电阻小5、多极放大电路的增益Au是（B）、输入电阻Ri是（A）、输出电阻Ro是（C）。A．由第一级确定B.由各级共同确定C.由末级电路确定6、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻的输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C）A．10KB．2KC1KD0.5K7、放大电路产生零点漂移的主要原因是（A）。A．环境温度变化引起参数变化B．放大倍数太大C．晶体管的噪声太大D．外界存在干扰源8、在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适者：（本题可多选）1）要求各级静态工作点互不影响，可选用（A,C）。2）要求能放大直流信号，可选用（B）。-2-模拟电子技术试题汇编3）要求能放大高频交流信号，可选用（A,B）。4）要求电路的温漂小，可选用（A,C）。5）为了实现阻抗交换，使信号与负载间有较好的耦合，应采用（C）。A．阻容耦合B．直接耦合C．变压器耦合9、用微变等效电路法分析放大电路（B）A．只能分析静态工作点B.只能分析动态参数C．既可分析静态，也能分析动态10、在下列电路中输入电阻最大的电路是（B）；既能放大电流，又能放大电压的电路是（C）。A．共基放大电路B．共集放大电路C．共射放大电路11、对于基本共射放大电路，如下图，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况,选择正确答案填入空格+VccRcRb++C1C2+VT1RsRUo+L+UiUs---1）Rb减小时，输入电阻Ri_B____。2）Rc增大时，输出电阻RO____A_。3）信号源内阻Rs增大时，输入电阻Ri___C___。Uo（4）信号源远内阻Rs减小时，电压放大倍数AuUs__A____。AuUoUi__A___；（5）负载电阻RL增大时，电压放大倍数（6）负载电阻RL减小时，输出电阻Ro____C;-3-模拟电子技术试题汇编若Rb减小，则静态的IB将__A____，UCEQ将__B__电压放大倍数UoAuUi将__A____。若换一个值较小的晶体管，则静态的IB将___C__。Rb增大时，UCEQ将_A_____。Rc增大时，UCEQ将__B____。Rs增大时，UCEQ将__C____。RL增大时，UCEQ将__C____。A.增大B.减小C.不变12、由NPN晶体管组成的基本放大电路，如图：+VccRcRb+C1++VT1C2RRs+LUo+UsUi---输出电压波形出现了顶部削平的失真，则：1）这种失真是___B______A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真。（2）为了消除这种失真，应___D_____A．减小集电极电阻RcB.改换小的管子C.增大基极偏置电阻RbD．减小基极偏置电阻Rb,E.减小电源电压VCC。13、由PNP晶体管组成的基本放大电路，如图：-4-模拟电子技术试题汇编+VccRcRb++C1C2+RRsVT1Uo+L+UiUs---电压波形出现了顶部削平的失真:则(1)这种失真是___A______A.饱和失真B.截止失真C交越失真D频率失真。2）为了消除这种失真，应___A，B，C______A．减小集电极电阻RcB.改换小的管子C增大基极偏置电阻RbD.减小基极偏置电阻RbE.减小电源电压VCC。14、如下图，选择正确答案填空+VCCRb2Rc+C2C1++VT3+RLReUoUiRb1+Ce--（1）要使静态工作电流IC减小，则Rb2应_A_____。2）Rb2在适当范围内增大，则|Au|_B_____，Ri_A_____，Ro_C_____。（3)Re在适当范围内增大，则，，|Au|_C_____Ri__C____Ro_C_____。从输出端开路，到接上RL，静态工作点将_C_____，Uo_B_____，（设静态工作点偏低）(5)VCC减小时，直流负载线斜率__C____。-5-模拟电子技术试题汇编RC减小时，直流负载线斜率__A____。A.增大B.减小C.不变(7)若VCC=10V,Rb1=4K，Rb2=6K，Re=3.3K，RC=2K，C1、C2足够大，设UBE0.7V则:Vi=0，管压降UCE大约是__B____（A．4VB．4.7VC7VD5V)②使管子由50改为100，则Au|是__A__________1（A.约为原来的2倍B.约为原来的2C.基本不变D约为原来的4倍）③保持=50不变，将Re由3.3K改为6.6K，则|Au|_C_____。1（A约为原来的2倍B约为原来的2C基本不变1D约为原来的4倍E约为原来的4）15、两级放大电路Au1=-40，Au2=-50，若输入电压ui5mV,则输出电压uo为_C_____A．-200mVB.-250mVC.10VD.100V三、判断题1、试判断图示各电路能否放大交流电压信号（能放大的√，不能正常放大的画×）。-6-模拟电子技术试题汇编√××2、测得某些电路中几个三极管各极的电位如下图所示，试判断各三极管晶体管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。..+5V+12V+0.7V+2V0V+3V.(a).(b)......+10.3V0V+10.75V-5.3V+10V-6V(d)(c)....放大截止饱和放大3、判断三极管的工作状态（放大、截止、饱和）。（6分）.5V0.7V0V.(a)(a)放大.(b)截止4、判断图示电路是否有信号放大作用（用“√”，“×”表示。每图3分，共12分）-7-模拟电子技术试题汇编+Vcc+Vcc+VccC(a)(b)(c)(a)×(b)×(c)×+Vcc+Vcc+Vcc..(d)(e)(f)（d）×(e)×(f)√5、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（6分）+Vcc+Vcc+Vcc...(a)(b)(c)(a)√(b)×(c)×6、如下图，判断是否正确：-8-模拟电子技术试题汇编+VCCRb2Rc+C2C1+++RLUoUiRb1Re+Ce--（1）R=Rb1//Rb2//（r+Re）（×）ibe（2）Ri=Rb1//Rb2//[rbe+(1+)Re]（×）（3）Ri=Rb1//Rb2//rbe（√）（4）Ro=Rc//RL（×）（5）Ro=Rc（√）（6）Au=-Rc//RL（×）rbeRe（7）Au=Rc//RL（×）rbe（8）Au=-Rc//RL（√）rbe7、判断下列说法是否正确，对的画√，错误的画×晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（×）在基本共射放大电路中，为得到较高的输入电阻，在固定不变的条件下，晶体管的电流放大系数应该尽可能大些。（×）在基本共射放大电路中，若晶体管的增大一倍，则电压放大倍数也相应增大一倍。（√）(4)对于基极分压式工作点稳定电路来说，其电压放大倍数也随的增大成正比的增大。（×）-9-模拟电子技术试题汇编共集放大电路的电压放大倍数是小于1，故不能用来实现功率放大。（×）共射放大电路既能放大电压，也能放大电流。（√）共集放大电路可放大电压，但不能放大电流。（×）共基放大电路只能放大电流，但不能放大电压。（×）分析题1、试指出下图中电路的错误，并画出正确的电路（图中晶体管类型不允许改变）+VccRb+C2Rc+C1++UoUi--有三个错误：1）：电源极性错2）：C1.C2极性错3）：RC位置接错2、分析下图有何错误，应如何改正才能使电压正常放大，画出更改后的电路，要求所用的晶体管不变以及其他元件不增减。+VCCRc+C1++C2+C3RbRe+UiUo---10-模拟电子技术试题汇编有三个错1）Rb位置接错2）C2位置接错3）C3位置接错3、分析下图能否对1KHz的正弦电压进行线性放大，如不能指出错在哪里，并进行改正，要求不增减元件，且电压放大倍数绝对值要大于1，uO无直流成分。-12VRb1Rc3K510KC1++10uFUiRe++1KRLUoC2-100uF3K-答：不能正常放大。错误有：（1）C1位置接错。（2）C2位置接错。（3）C1、C2极性接反。（4）若要AU1，则不能从射极输出。AURC//RL1,且VO无直流成分。=Rerbe14、有两个放大电路如下图所示，向各是什么组态？（共射，共基，共集）若晶体管都工作在放大区，输入端均加上正弦小信号电压，请问图中所示的输出波形是否正确？若有错误，应如何改正？设电容都很大。-11-模拟电子技术试题汇编-VccRb2RcUo+uiuOvuivRb10Cb0+Re(a)均为共基组态。U0波形有错。（a）图U0波形应与Ui波形相同。+VccRcC1+C2+UiUoR2uvR1Ouiv0R30+C3(b)（b）图UO波形应无直流分量五、计算题1、在下图的放大电路中,设三极管的=30，UBEQ=0.7V，rbe=1k,Rb1=10k,Rb250K,Re=1.3k,Rc=RL=5k,VCC=12V。-12-模拟电子技术试题汇编+VccRb2RcC2.C1R.Rb1LUoUiReCe（1）试估算静态时的IBQ、ICQ、UCEQ；（5分）（2）设电容C1、C2和Ce均足够大，试估算放大电路的中频电压放大倍数Aum；5分）3）估算放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro；（5分）（4）如果去掉旁路电容Ce，写出此时放大电路的中频电压放大倍数Aum和输入电阻Ri和输出电阻Ro的表达式（可不计算出具体数值）。（5分）1）UBQRb1Vcc10*122VRb1Rb21050ICQIEQVBQUBEQ20.7Re1mA1.3VCEQVCCICQICQ(RcRe)121*(51.3)5.7V2）Aum(Rc//Rc)30(5//15)rbe751(3)RiRb1//Rb2//rberbe1kR0Rc5k(4)Ce断开，Re有电流串联负反馈，（Aum下降），Ri增加，R0不变；Aum(Rc//RL)rbe(1)ReRiRb1//Rb2//[rbe(1)Re]R0Rc5k-13-模拟电子技术试题汇编2、（20分）图示电路中，已知UBEQ=0.7V，β=100，rbb'=374Ω，RB1=5kΩ，RB2=15kΩ，RE=2.3kΩ，RC=RL=3kΩ，VCC=12V。+VccRRCB2C2C1T.LRs.RUo+RRC.UiB1EEUs-.（1）估算电路的静态工作点UBQ、ICQ、UCEQ（2）画出微变等效电路，计算电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro（3）若信号源内阻为RSΩ时，求AusU0US的数值。=1kUBQRB1VCC512（1）RB1RB253V15ICQIEQUBQUBEQ30.71mARE2.3UCEQVCCICQ(RCRE)121(32.3)6.7V（2）图略rbe374(1263k100)1.(RC//RL)100(3//3)Au50rbe3Ri5//15//3k1.66kR0RC3k（3）.Ri.1.66(50)31.2AusAuRsRi11.663、如下图，C1~C4足够大，-14-模拟电子技术试题汇编..+Vcc(+20V)R31KC3R1R480K10KC2C1RL.R2R510KUoUiC420K3.3K.（1）画出直流通路和微变等效电路（6分）。（2）设UBEQ0.7，求静态工作点ICQ、UCEQ（4分）V..（3）求Ri、Ro、AuU.o，设=30，rbb'=194（6分）Ui（4）ICEO、UCES忽略不计，估算最大不失真输出电压峰值Uom（4分）（总共分）解:（1）图略（2）R2VCC20204V,ICQIEQUBQUBEQ40.7UBQ20R51mAR1R2803.3UCEQVCCICQ(R3R4R5)201(1103.3)5.7V（3）RiR1//R3//rberberbb'(1)2626194(130)1KIEQ1R0R410KAuU0(R4//RL)30(10//10)urbe1150（4）不饱和失真UomUCEQ5.7V不截止失真UomICQ(R4//RL)1(10//10)5V最大不是真输出电压峰值Uom5V-15-模拟电子技术试题汇编4、如图所示电路中，已知三极管T为硅管rbb'=337Ω,UBEQ=0.7V,β=50；Rb1=51KΩ,Rb2=15KΩ,RE=1KΩ,Rc=2KΩ,RL=2KΩ,VCC=12V。(共18分)试求：（1）静态工作点Q（IBQ.ICQ.UCEQ）？U＝?输出电阻Ro＝?（2）电压放大倍数A＝？输入电阻Ri+VCCb12RCC1R++COLuiRb2RuECRE--解：（1）UBQRb2VCC15122.7VRb1Rb25115ICQIEQUBQUBEQ2.70.72mARE1IBQICQ20.04mA50UCEQVCCICQ(RCRE)122(21)6V（2）RiRb1//Rb2//Rberbe1Krberbb'(1)26337(150)261KIEQ1R0Rc2KAuUo(Rc//RL)50(2//2)50Uirbe1、电路如下图（）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。5a）所示，图（b利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom。（共15分）-16-模拟电子技术试题汇编ui0IBQVBBBEQ10.22015103b解：ic0,uCE12VR,做直流负载线UCE12ic312LuCE0,iC4mA6.根据图示放大电路及晶体管的输出特性曲线。（共315分）（1）图解法静态这工时作点Q（ICQ、UCEQ）。（设IBQ=40uA,=50）（6分）RL3K,UOMICQRL'2(3//3)3V（2）画出微变等效电路，估算放大器的动态参数Au、Ri、Ro（设rbb'=340，=60）（9分）ic/mA+24V4.880uARc+Vcc60uA3.65K590KRb2.440uARLuo20uA1.2ui5K240510152025uCE/V解:(1)作直流负载线iC0,UCE12VVCCiCRCUCE0,iC4.8mAUCEIBQ40uA相交Q点，得ICQ2.4mA,Uceq12V(2)IiRb//rberbe1K-17-模拟电子技术试题汇编Au(RC//RL_50(5//5)rbe1251rberbb'(1)261KIEQRORC5K7、如下图，C1~C3足够大，1）画出直流通路和微变等效电路（4分）。2）求静态工作点IBQ、UCEQ。（4分）3）求输入、输出电阻Ri、Ro及电压放大倍数Au各自的表达式。（4分）（总共12分）+VccRcC3R1R2C1UoRL.UiC2..(1)略（2）IBQ(1B)RCI(R1R2)VBEQVCCIBQVCCVBEQ,VCEQVCC(1B)IBQRC(1B)RCR1R2（3）Ri=R1//rbeR0=R2//R3uAu=u0(R2//R3//RL)=-1rberbe=rbb+(1+)26=rbb+26mvIEQIBQ-18-模拟电子技术试题汇编8．电路如下图所示，晶体管的β＝100，rbb’=100Ω，UBEQ=0.7V。（共20分）1）画直流通路和微变等效电路。（6分）2）求电路的Q点、Au、Ri和Ro；（9分）3）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（5分）(2)UBQ=512=2VICQ=20.7=1mA5251.3UCEQ=12-1(5+1.3)=5.7vrbe=100+(1+100)26=2.7k1AU=-100(5//5)=-7.64(1100)2.70.3RI=Rb1//Rb2//[rbe+(1+)Rf]=3.66kR0=RC=5k(3)Ce开路，Au下降，Ri上升，R0不变9．如图所示的放大电路（10分）（1）写出u01输出，u02输出时，电路的电压放大倍数Au1、Au2的表达式。（2）根据输入波形，当RcRe时，画出u01、u02的波形。-19-模拟电子技术试题汇编+VccRcRbuo1uo2uiReU01Rc(1)Au1rbe(1)ReUiU02(1)ReAu2rbe(1)ReUi(2)RCRE时,Au11,Au4110.如下图，VT1的gm=10ms,VT2的=100，rbe=1K，试估算：（1）Au的值；(2)Ri；（3）RO。(C1到C4足够大）+VccRdRb2R220K30KC22M+C1VT1++RgVT210M+C42Kui+Rb1+ReR1C3RL60K10kuo47K10K--AuAu1Au2AU1gmRL,AU21R-20-模拟电子技术试题汇编RL1Ra1//Rb1//Rb2//[rbe(1)(ReRl)]20//60//30//[1(1100)(10//10)]K10KA10103101031100(2)RiRgR1//R2Rg100MRORE//rbeRs'[1011011]K100110RS'RL1'10K如下图，求（1）RL接在A(VT2断开）时Au1，（2）RL接在B点时的Au，设rbe=1K，=100，并求这时的Ri，RO。C足够大。+VccRcRb210K100kAVT2C+VT1++CBUi+Re+1KRb1CRLUo100k10k1K--'（1）Au1BRL1=100rbe'1KRL1=RC//RL''（2）RLRC//[rbe(1)Re]10KAUAu1AU2BRL'(1)Re'100rberbe(1)Re'R1Rb1//Rb2//rbe1kRoRe//rbeRs'110]K'RC10K1[10//110,RS1100-21-模拟电子技术试题汇编如下图：+VccRcRb+C2C1++VT1RL+UoUi--（1）推导出饱和条件（与电路参数关系式）（2）若Rb=120KΩ，Rc2K，=100，VBEQ=0.7V,试问电路工作在什么状态(放大，饱和，截止）3)应如何改变电路参数，使之脱离上述工作状态？(1)UBEQ0.7V,NPN管发射结正偏，要使集电结也正偏，必须UBEUCE,即UCCIBRbVCCIbRC得RbRC为饱和条件。（2）Rb120KRC1002K200K此时电路工作在饱和状态。（3）为了脱离饱和状态，有三个方法：①β，RC不变，Rb200KRb,不变，Rc1.2K③Rb,Rc不变，换管子使60-22-