半导体器件物理(第八章) 施敏第二版课件

半导体器件物理(第八章) 施敏第二版课件第8章微波二极管、量子效应和热电子器件8.1基本微波技术8.2隧道二极管8.3碰撞电离雪崩渡越时间二极管8.4转移电子器件8.5量子效应器件8.6热电子器件8.1基本微波技术微波频率范围：0.1GHz——3000GHz对应波长：300cm——0.01cm毫米波：30GHz——300GHz，10mm——1mm毫米波系统：具有重量轻、尺寸小、频带宽和高分辨率的窄频宽等优点。8.2隧道二极管典型隧道二极管的I-V特性与量子隧穿...

第8章微波二极管、量子效应和热电子器件8.1基本微波技术8.2隧道二极管8.3碰撞电离雪崩渡越时间二极管8.4转移电子器件8.5量子效应器件8.6热电子器件8.1基本微波技术微波频率范围：0.1GHz——3000GHz对应波长：300cm——0.01cm毫米波：30GHz——300GHz，10mm——1mm毫米波系统：具有重量轻、尺寸小、频带宽和高分辨率的窄频宽等优点。8.2隧道二极管典型隧道二极管的I-V特性与量子隧穿现象相关，穿越器件的隧穿时间非常短。电流-电压特性的实验式：IP/IV之比是衡量隧道二极管好坏的一个指标。8.2IMPATT二极管8.3.1静态特性8.3.2动态特性8.4转移电子器件（TED）8.4.1负微分电阻8.4.2器件工作原理畴的形成8.5量子效应器件共振隧道二极管8.6热电子器件热电子异质结双极型晶体管实空间转移晶体管

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