模电笔记
1(PN结PN 结的单向导电性:正偏导通，呈小电阻，电流较大;
反偏截止，电阻很大，电流近似为零。
2. (1). 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。
高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向
导电性变差。
2. 结面积小时结电容小，工作频率高。
NPN PNP
C C
B B
E E \ IB = I BN - ICBO
IC = ICN + ICBO
硅管:UD(on) = (0.6---0.8) V 估算时取 0.7 V
锗管:(0.2 --- 0.4) V 0.3 V
3. 国家
标准
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对半导体三极管的命名如下:
• B 用字母表示同一型号中的不同规格
• 110 用数字表示同种器件型号的序号
• G 用字母表示器件的种类
• D 用字母表示材料
• 3 三极管
• 第二位:A表示锗PNP管、B表示锗NPN管、C表示硅PNP管、D表示硅NPN管
• 第三位:X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表
示高频小功率管、K表示开关管。
4. (1)电压放大倍数定义为: AU=UO/UI(重点)
2)电流放大倍数定义为: AI=IO/II
(3)互阻增益定义为: Ar=UO/II
(4)互导增益定义为: Ag=IO/UI
5. 输入电阻Ri Ri越大越好。
(1)Ri越大，ii就越小，从信号源索取的电流越小。
(2)当信号源有内阻时， Ri越大， ui就越接近uS。
输出电阻Ro是表明放大电路带负载的能力，Ro越小，放大电路带负载的能力越强，反之则差。
6例用估算法计算静态工作点。已知:VCC=12V，Rc=4K,， Rb=300K ,，,=37.5。
+VC
R R cb C
解:UBE ,0.7V
V12CC ?==I0.04mA40BμA300 Rb
IImACB籦=?37.50.041.5
UVIRc121.546VCECCC=-=-?
请注意电路中IB和IC的数量级
7、小信号等效
交流通路
+ +
Ci1 uB ce R C
R L + uRRuo B S CE + + + ube Vuu CC S BE V BB , , – 小信号等效 – –
–
ib
+ C B + RS RB r beR L + us , iRc uC o E ube
UU- BQBEQ –, , I=EQ
RE
II?CQEQ
II籦/ BQQC
UVIRR=-+()CEQCCCQCE
说明Q是否合适
+VCC
RC R IB1BQ ICQ
+
RB2 I+ 1 IR EQ E
UCEQ
8.零点漂移:晶体管参数随温度的变化将成为产生零点漂移的主要原因 UBEQ 零点漂移的严重性及其抑制方法:如果零点漂移的大小足以和输出的有用信号相比拟，就无法正确地将两者加以区分。因此，为了使放大电路能正常工作，必须有效地抑制零点漂 ,移。
1)采用恒温措施，使晶体管工作温度稳定。需要恒温室或槽，因此设备复杂，成本高。 ,
2)采用温度补偿法。就是在电路中用热敏元件或二极管(或晶体管的发射结)来与工作管的温度特性互相补偿。最有效的方法是设计特殊形式的放大电路，用特性相同的两个管子来提供输出，使它们的零点漂移相互抵消。这就是“差动放大电路”的设计思想。 3)采用直流负反馈稳定静态工作点。
4)各级之间采用阻容耦合。
9.阻容耦合放大电路:用于交流信号的放大。
变压器耦合放大电路:用于功率放大及调谐放大。
直接耦合放大电路:一般用于放大直流信号或缓慢变化的信号。
集成电路中的放大电路都采用直接耦合方式。为了抑制零漂，它的输入级采用特殊形式的差动放大电路。
浙公网安备 33021202002483