[教学]8寸单晶硅片规格[教学]8寸单晶硅片规格
8? 单晶硅片技术规格
156×156Mono-crystalline Silicon Wafer Specification
晶体生长方式 CZ 类型 Crystal Growth Method
Type 型 号 P Conductance Type
电阻率 (Ω?cm) 1.0,3.0 Resistivity
3氧含量 (atoms/cm) 18 ?0.9 × 10 Oxygen
3碳含量 (atoms/cm) 16 ?5.0 × 10 Carbon 性能 capabil...
[教学]8寸单晶硅片规格
8? 单晶硅片技术规格
156×156Mono-crystalline Silicon Wafer Specification
晶体生长方式 CZ 类型 Crystal Growth Method
Type 型 号 P Conductance Type
电阻率 (Ω?cm) 1.0,3.0 Resistivity
3氧含量 (atoms/cm) 18 ?0.9 × 10 Oxygen
3碳含量 (atoms/cm) 16 ?5.0 × 10 Carbon 性能 capability 少子寿命 (μs) ?10 surface passivation
单晶晶向 <100>? 2.5? Pulled Ingot Orientation
3位错密度 ( / cm) ?1000 Dislocation density
硅片外形尺寸 (mm) 156×156 ?0.4 Dimensions Tolerance
硅片直径 (mm) 200?0.4 Wafer Diameter
硅片中心厚度(μm) 200?20 Center Thickness
外形 总厚度变化-TTV(μm) ?40 externality Total Thickness Variation
硅片相邻边垂直度(?) 90?0.3 perpendicularity
硅片边长极差(mm) ?1.5 Length difference
硅片弯曲度 (μm) ?30 BOW
线痕(μm) ?30 Sawmark
边缘缺陷: Edge defect quantity
深度?0.8 mm， Edge defect width ?
0.8mm 外观 ?2 长度?0.5mm Edge defect extensionappearance
?0.5mm 间隔?30mm Distance
?30mm
表面污点/斑点 None Dirt
表面穿孔/裂纹 None Hole/Crack
目视翘曲 None Obvious tactility
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