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C8051F的超大容量Flash存储器扩展

C8051F的超大容量Flash存储器扩展C8051F的超大容量Flash存储器扩展摘要:NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择，当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证，揭示了NAND结构Flash的操作规律。关键词:NAND Flash 数据存储 C8051F 引言大容量数据存储是单片机应用系统的瓶颈，受到容量、功耗、寻址方式的约束。突破容量限制，可以很大程度上扩展和提高应用系统的总体功能。Sumsung公司的NAND结构Flash存储器...

C8051F的超大容量Flash存储器扩展摘要:NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择，当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证，揭示了NAND结构Flash的操作规律。关键词:NAND Flash 数据存储 C8051F 引言大容量数据存储是单片机应用系统的瓶颈，受到容量、功耗、寻址方式的约束。突破容量限制，可以很大程度上扩展和提高应用系统的总体功能。Sumsung公司的NAND结构Flash存储器件是一款性价比很高的超大容量数据存储器件，在MP3、U盘、数码相机和PDA中有广泛的应用，且市场占有份额逐年加大。用该器件作为各种单片机尤其是嵌入式系统的数据存储器，可以完美地解决容量限制，实现灵活操作，势必成为数据存储的主流方向。 1 器件介绍 NAND结构Flash是Sumsung公司隆重推出并着力开发的新一代数据存储器件，电源电压1.7,3.6V，体积小，功耗低，容量最大可达1GB，按页进行读写，按块擦除，通过I/O口分时复用作为命令/地址/数据。本次应用开发的是NAND结构16MB的K9F2808UOB，其它大容量的器件只比该型号送出的地址多了几字节，操作指令和时序相同。具体结构说明如图1所示。由图1可知，该器件由1K个块(block)组成，每个块有32页，每页有528字节，这528字节分成A、B、C三个区。对每一页的寻址需要通过I/O口送出三个地址，第二、三行地址(A9,A23)指明寻址到某一页，第一列地址指明寻址到页的指定区中某一字节。对页的分区命令如表 1所列。表1 起始指针位置与区域关系对照表命令指针位置/字节区域

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