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(整理)48所扩散过程中问题解决方案.精品文档48所扩散过程中问题解决方案问题原因解决方法扩散不到1•炉门没关紧,有源被抽风抽走。2•携带气体大氮量太小,不能将源带到管前。3•管口抽风太大。1.由设备人员将炉门重新定位,确保石英门和石英管口很好贴合。2•增大携带气体大氮的流量。3•将石英门旁边管口抽风减小。扩散方块电阻偏咼/偏低偏咼:1•扩散温度偏低。2.源量不够,不能足够掺杂。3•源温较低于设置20度。4•石英管饱和不够。1•升高扩散温度,加大源量•2•延长扩散时间。3•增加淀积温度。偏低。1•扩散温度偏咼。2•源温较咼于2...

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精品文档48所扩散过程中问题解决 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 问题原因解决方法扩散不到1•炉门没关紧,有源被抽风抽走。2•携带气体大氮量太小,不能将源带到管前。3•管口抽风太大。1.由设备人员将炉门重新定位,确保石英门和石英管口很好贴合。2•增大携带气体大氮的流量。3•将石英门旁边管口抽风减小。扩散方块电阻偏咼/偏低偏咼:1•扩散温度偏低。2.源量不够,不能足够掺杂。3•源温较低于设置20度。4•石英管饱和不够。1•升高扩散温度,加大源量•2•延长扩散时间。3•增加淀积温度。偏低。1•扩散温度偏咼。2•源温较咼于20度。1•减小扩散温度。2•减少扩散时间。3•减少淀积温度。扩散片与片间方块电阻不均匀扩散温度不均匀重新拉扩散炉管恒温扩散后单片上方块电阻不均匀扩散气流不均匀,单片上源沉积不均匀。1.调整扩散气流量,加匀流板。2•调整扩散片与片之间距离。扩散后硅片上有色斑甩干机扩散前硅片没甩干调整甩干机设备及工艺条件扩散过程中偏磷酸滴落长时间扩散后对扩散管定期进行HF浸泡清洗环境湿度过大增大除湿机功率太阳能电池效率忽咼忽低扩散间或石英管被污染,特别是在生产线被改造时最明显。清洗石英管及石英制品,加强扩散间工艺卫生,强化TCA。扩散方块电阻正常,但填充因子偏低。品质因子有问题,n趋向于2,J02偏大, 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 明结区复合严重。方法同上Tempress扩散过程中问题解决方案问题原因解决方法方块电阻在源一侧低,炉口处高1.炉门与炉管的密封性不好尾部排气严重4.假片数量太少调整炉门密封性减少尾部排气气流使用更多的假片精品文档单片(交叉)方块电阻在源一侧低,炉口处高炉门与炉管的密封性不好2.尾部排气严重假片数量太少1.调整炉门密封性3.减少尾部排气气流5.使用更多的假片单片(交叉)方块电阻均匀性差P0CI3不够2.排气压力过高沉积温度过高增加小N2流量降低排气压力降低沉积温度顶部的方块电阻低,底部的高舟被污染校准硅片不是最好的(可能被磨光)硅片在炉管中的位置太高桨比硅片和炉管温度低使用新的干净的舟使用好的校准硅片,而不阜就*^是磨丿光。使用低脚的舟。在升温步后插入回温步骤。边缘处方块电阻低,中心高假片被污染校准硅片不是最好的(可能被磨光)硅片在炉管中的位置太高桨比硅片和炉管温度低使用新的假片使用好的校准硅片,而不阜就*丿匕使用低脚的舟在升温步后插入稳定温度步骤方块电阻均匀性不连续炉管和舟没有饱和假片被污染校准硅片不是最好的(可能被磨光)石英件或硅片脏沿着扩散炉通风气流不足预先处理炉管和舟使用新的假片使用好的校准硅片,而不阜就*^是磨丿光清洗炉管、舟、隔热包块和匀流挡板使用干净的硅片通过关闭可能的通风孔减小通风或者减小洁净室的过压。增加N2和干02流量整管方块电阻太高沉积时间过短沉积温度过低推进时间太短推进温度太低增加沉积时间增加沉积温度增加推进温度增加推进温度整管方块电阻太低沉积时间过长沉积温度过高推进时间太长推进温度太高减少沉积时间减少沉积温度减少推进温度减少推进温度返工处理精品文档2.低于方块电阻不在规定范围内:1.轻微超出范围要求重新扩散,严重超出要求重新制绒。范围要求从新制绒。氧化发蓝:去PSG工序,反面扩散。色斑等由硅片表面问题引起的玷污:去PSG后从新制绒。偏磷酸:去PSG后,重新制绒。
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