一种铌酸锂晶体薄片生产工艺

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110421411A(43)申请公布日2019.11.08(21)申请号201910665283.4(22)申请日2019.07.23(71)申请人浙江新泰通讯科技有限公司地址312300浙江省绍兴市上虞区百官街道工业区江广路(72)发明人俞平　(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)B28D5/00(2006.01)权利要求 书 关于书的成语关于读书的排比句社区图书漂流公约怎么写关于读书的小报汉书pdf 1页 说明 关于失联党员情况说明岗位说明总经理岗位说明书会计岗位说明书行政主管岗位说明书 书3页附图2页(54)发明名称一种铌酸锂晶体薄片生产工艺(57)摘要本发明公开了一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，依次包括以下步骤：切条成形，在大片的铌酸锂片上切下小块的铌酸锂晶片，并将之加工成所需的形状；晶片抛光，对铌酸锂晶片的两面进行抛光处理；晶片镀膜，对铌酸锂晶片经过抛光的两面进行镀膜；检测，对镀膜后的铌酸锂晶片进行角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测，本发明工艺合理，按照工艺依次对铌酸锂晶片进行加工，使铌酸锂晶片能够根据客户需求生产出特定的铌酸锂晶片，使铌酸锂晶片的制作更加方便。CN110421411ACN110421411A权　利　要　求　书1/1页1.一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，其特征在于，依次包括以下步骤：A：切条成形，在大片的铌酸锂片上切下小块的铌酸锂晶片，并将之加工成所需的形状；B：晶片抛光，对铌酸锂晶片的两面进行抛光处理；C：晶片镀膜，对铌酸锂晶片经过抛光的两面进行镀膜；D：检测，对镀膜后的铌酸锂晶片进行角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测。2.根据权利要求1所述的一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，其特征在于，步骤A中，需要将在铌酸锂片上切下一个长方体形的铌酸锂晶片，在长方体形铌酸锂晶片的其中一条高所在的位置处，切割下一个沿铌酸锂高度方向的小长方体块，使铌酸锂晶片上设有一条划槽，留有划槽的铌酸锂晶片即为所需的铌酸锂晶片。3.根据权利要求1所述的一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，其特征在于，步骤B中，铌酸锂晶片的长和高所组成的两面设为S1面和S2面，与划槽直接接触的一面为S2面，位于S2面对面的一面为S1面，对S1面和S2面进行抛光处理，增加S1面和S2面的光洁度，对铌酸锂的其他四个面进行细磨处理。4.根据权利要求3所述的一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，其特征在于，所述抛光包括粗抛和精抛，所述粗抛的步骤包括，a：在铌酸锂晶片的表面涂上抛光液，有利于对铌酸锂晶片的抛光；b：将铌酸锂晶片放置到抛光机上，S1面朝下，S2面朝上，启动抛光机，对铌酸锂晶片的S1面进行抛光；c：将铌酸锂晶片从抛光机上取出，翻面后再次放入到抛光机上，此时S2面朝下，S1面朝上，启动抛光机，对铌酸锂晶片的S2面进行抛光，完成粗抛工作。5.根据权利要求1所述的一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，其特征在于，所述精抛的步骤包括：a：在铌酸锂晶片上抹上精抛助剂，之后再将铌酸锂晶片的S1面朝下放置在精抛装置上，通过人手压在S2面，来回推动铌酸锂晶片，实现对铌酸锂晶片S1面的精抛；b：再将铌酸锂晶片的S2面朝下放置在精抛装置上，通过人手压在S1面，来回推动铌酸锂晶片，实现对铌酸锂晶片S2面的精抛，从而实现对铌酸锂晶片的抛光。6.根据权利要求1所述的一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，其特征在于，在S1面和S2面上镀上增透膜，增透膜的形状分别与S1面和S2面配合。7.根据权利要求1所述的一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，其特征在于，使用检测仪器对完成后的铌酸锂晶片的角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测。2CN110421411A说　明　书1/3页一种铌酸锂晶体薄片生产工艺技术领域[0001]本发明涉及光学元器件领域，特别涉及一种铌酸锂晶体薄片生产工艺。背景技术[0002]在光通信系统中，信号光在传输过程中会经过许多不同的光学界面，其经过每一个光学界面均会出现不同程度的反射，而反射产生的回程光可能会沿原光学路径返回光源，势必造成光源工作不稳定，产生频率漂移、信号衰减变化等问 题 快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题 ，从而影响整个光通讯系统正常工作。为了避免回程光对光源等器件产生影响，必须以光隔离器抑制回程光，以确保光通信系统的工作质量。而光隔离器是一种对正向传输光具有很低插入损耗，对反向传输光有很大衰减的非互易性无源器件，用以抑制光通讯系统中回程光对光源所造成的不利影响。[0003]中国专利公开号CN102707461B中公开了一种偏振无关光学隔离器的制造方法，先将第一双折射晶体平片、偏振旋转晶体平片、第二双折射晶体平片切割为同样的大通光尺寸。用氢氧催化键合工艺键合成一个大通光尺寸的复合晶体平片，再切成长条；磨抛楔角平面；镀制对空气增透的增透膜；按实际使用的尺寸切割成一体化的键合隔离器芯；最后组装成一个完整的偏振无关光纤在线隔离器。本发明无需单独制造隔离器芯的各分立光学元件，还保证了光路无胶，各光学部件之间不存在空气间隙，克服了由分立光学件装配很难克服的平行度问题，不仅减小偏振的相关损耗，提高了隔离器芯的使用范围及使用寿命，还很大程度地降低了生产成本，提高了生产效率。[0004]上述的光学隔离器的制造方法中两偏振选择晶片与偏振旋转器晶片先键合在一起后，再整体进行切条，若是某一个偏振选择晶片出现质量异常，就会造成原材料的浪费。针对以上问题，以下提出一种解决 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 。发明 内容 财务内部控制制度的内容财务内部控制制度的内容人员招聘与配置的内容项目成本控制的内容消防安全演练内容 [0005]本发明的目的是提供一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，具有能够单独对铌酸锂进行切割加工，使一片铌酸锂晶片损坏时不会影响其他铌酸锂晶片的品质，防止浪费的优点。[0006]本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，依次包括以下步骤：A：切条成形，在大片的铌酸锂片上切下小块的铌酸锂晶片，并将之加工成所需的形状；B：晶片抛光，对铌酸锂晶片的两面进行抛光处理；C：晶片镀膜，对铌酸锂晶片经过抛光的两面进行镀膜；D：检测，对镀膜后的铌酸锂晶片进行角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测。[0007]作为优选，步骤A中，需要将在铌酸锂片上切下一个长方体形的铌酸锂晶片，在长方体形铌酸锂晶片的其中一条高所在的位置处，切割下一个沿铌酸锂高度方向的小长方体块，使铌酸锂晶片上设有一条划槽，留有划槽的铌酸锂晶片即为所需的铌酸锂晶片。[0008]作为优选，步骤B中，铌酸锂晶片的长和高所组成的两面设为S1面和S2面，与划槽3CN110421411A说　明　书2/3页直接接触的一面为S2面，位于S2面对面的一面为S1面，对S1面和S2面进行抛光处理，增加S1面和S2面的光洁度，对铌酸锂的其他四个面进行细磨处理。[0009]作为优选，所述抛光包括粗抛和精抛，所述粗抛的步骤包括，a：在铌酸锂晶片的表面涂上抛光液，有利于对铌酸锂晶片的抛光；b：将铌酸锂晶片放置到抛光机上，S1面朝下，S2面朝上，启动抛光机，对铌酸锂晶片的S1面进行抛光；c：将铌酸锂晶片从抛光机上取出，翻面后再次放入到抛光机上，此时S2面朝下，S1面朝上，启动抛光机，对铌酸锂晶片的S2面进行抛光，完成粗抛工作。[0010]作为优选，所述精抛的步骤包括：a：在铌酸锂晶片上抹上精抛助剂，之后再将铌酸锂晶片的S1面朝下放置在精抛装置上，通过人手压在S2面，来回推动铌酸锂晶片，实现对铌酸锂晶片S1面的精抛；b：再将铌酸锂晶片的S2面朝下放置在精抛装置上，通过人手压在S1面，来回推动铌酸锂晶片，实现对铌酸锂晶片S2面的精抛，从而实现对铌酸锂晶片的抛光。[0011]作为优选，步骤C中，在S1面和S2面上镀上增透膜，增透膜的形状分别与S1面和S2面配合。[0012]作为优选，步骤D中，使用检测仪器对完成后的铌酸锂晶片的角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测。[0013]采用本发明的技术方案所制作的铌酸锂晶片，在最初切片的步骤时，即将铌酸锂禁片的外形确定，在之后的工艺中，无需再对铌酸锂晶片的外形进行调整，能够降低工作人员的劳动量。附图说明[0014]图1为实施例的结构示意图；图2为实施例的主视图；图3为实施例的左视图；图4为实施例的俯视图。[0015]附图标记：1、划槽。具体实施方式[0016]以下所述仅是本发明的优选实施方式，保护范围并不仅局限于该实施例，凡属于本发明思路下的技术方案应当属于本发明的保护范围。同时应当指出，对于本技术领域的普通技术人员而言，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。[0017]一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，依次包括以下步骤：A：切条成形，在大片的铌酸锂片上切下小块的铌酸锂晶片，并将之加工成所需的形状；B：晶片抛光，对铌酸锂晶片的两面进行抛光处理；C：晶片镀膜，对铌酸锂晶片经过抛光的两面进行镀膜；D：检测，对镀膜后的铌酸锂晶片进行角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测。[0018]步骤A中，需要将在铌酸锂片上切下一个长方体形的铌酸锂晶片，在长方体形铌酸4CN110421411A说　明　书3/3页锂晶片的其中一条高所在的位置处，切割下一个沿铌酸锂高度方向的小长方体块，使铌酸锂晶片上设有一条划槽，留有划槽的铌酸锂晶片即为所需的铌酸锂晶片。[0019]切割所得的长方体铌酸锂晶片的长度为2.0mm，高度为1.5mm，长和高的长度偏差不超过0.05mm，长方体铌酸锂晶片的宽度为0.72mm，误差不超过0.02mm。划槽的截面小于0.1mm*0.1mm。[0020]步骤B中，铌酸锂晶片的长和高所组成的两面设为S1面和S2面，与划槽直接接触的一面为S2面，位于S2面对面的一面为S1面，对S1面和S2面进行抛光处理，增加S1面和S2面的光洁度，对铌酸锂的其他四个面进行细磨处理。[0021]抛光包括粗抛和精抛，粗抛的步骤包括，a：在铌酸锂晶片的表面涂上抛光液，有利于对铌酸锂晶片的抛光；b：将铌酸锂晶片放置到抛光机上，S1面朝下，S2面朝上，启动抛光机，对铌酸锂晶片的S1面进行抛光；c：将铌酸锂晶片从抛光机上取出，翻面后再次放入到抛光机上，此时S2面朝下，S1面朝上，启动抛光机，对铌酸锂晶片的S2面进行抛光，完成粗抛工作。[0022]精抛的步骤包括：a：在铌酸锂晶片上抹上精抛助剂，之后再将铌酸锂晶片的S1面朝下放置在精抛装置上，通过人手压在S2面，来回推动铌酸锂晶片，实现对铌酸锂晶片S1面的精抛；b：再将铌酸锂晶片的S2面朝下放置在精抛装置上，通过人手压在S1面，来回推动铌酸锂晶片，实现对铌酸锂晶片S2面的精抛，从而实现对铌酸锂晶片的抛光。[0023]步骤C中，在S1面和S2面上镀上增透膜，增透膜的形状分别与S1面和S2面配合。[0024]步骤D中，使用检测仪器对完成后的铌酸锂晶片的角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测。其中光洁度需要在20-10，镀膜后，膜面颜色均匀，表面无划痕、无印记或抛光粉等杂物。5CN110421411A说　明　书　附　图1/2页图1图26CN110421411A说　明　书　附　图2/2页图3图47