半导体专业术语

精选文档精选文档PAGEPAGE6精选文档PAGE29.CD：（CriticalDimension）临界（要点）尺寸。在 工艺 钢结构制作工艺流程车尿素生产工艺流程自动玻璃钢生产工艺2工艺纪律检查制度q345焊接工艺规程 上平时指条宽，比方POLYCD为多晶条宽。1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)30.Characterwindow：特色窗口。用文字或数字描述的包含工艺全部特征的一个方形地域。31.Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面某种物质的方2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子法。Acid：酸4.Activedevice：有源器件，如32.Chemicalvapordeposition（CVD）：化学汽相淀积。一种经过化学反应生成一层薄膜的工MOSFET（非线性，可以对信号放大）艺。5.Alignmark(key)：对位标志33.Chip：碎片或芯片。6.Alloy：合金34.CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种7.Aluminum：铝综合方式。Ammonia：氨水9.Ammoniumfluoride：NH4F35.Circuitdesign：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现必定功能的技术。36.Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特别要求的特定地域。10.Ammoniumhydroxide：NH4OH37.Compensationdoping：赔偿混淆。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。11.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）38.CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在12.Analog：模拟的同一个硅衬底上混淆制造的工艺。13.Angstrom：A（1E-10m）埃39.Computer-aideddesign（CAD）：计算机辅助设计。14.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）40.Conductivitytype：传导种类，由多数载流子决定。在N型资猜中多数载流子是电子，在P15.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在必定采样下，可以95%置信度经过质型资猜中多数载流子是空穴。量标准（不一样于靠谱性，靠谱性要求一准时间后的无效率）16.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）41.Contact：孔。在工艺中平时指孔1，即连接铝和硅的孔。42.Controlchart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。17.Argon(Ar)氩43.Correlation：相关性。18.Arsenic(As)砷44.Cp：工艺能力，详见processcapability。19.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷45.Cpk：工艺能力指数，详见processcapabilityindex。20.Arsine(AsH3)46.Cycletime：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。平时用来衡量流通速度的快慢。21.Asher：去胶机47.Damage：伤害。对于单晶体来说，有时晶格缺点在表面办理后形成没法修复的变形也可以22.Aspectration：面貌比（ETCH中的深度、宽度比）叫做伤害。23.AutodopingSUB的浓度高，以致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延：自夹杂（外延时Defectdensity层）48.：缺点密度。单位面积内的缺点数。24.Backend：后段（CONTACT今后、PCM测试前）49.Depletionimplant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的状况下有电流流过的晶体管。）25.Baseline：标准流程50.Depletionlayer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的地域。26.Benchmark：基准51.Depletionwidth：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个地域的宽度。27.Bipolar：双极52.Deposition：淀积。一种在圆片上淀积必定厚度的且不睦下边层次发生化学反应的薄膜的一Boat：扩散用（石英）舟种 方法 快递客服问题件处理详细方法山木方法pdf计算方法pdf华与华方法下载八字理论方法下载 。53.Depthoffocus（DOF）：焦深。77.four-pointprobe：四点探针台54.designofexperiments(DOE)：为了达到花费最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的78.functionalarea：功能区统计合理性等目的，所设计的初始 工程 路基工程安全技术交底工程项目施工成本控制工程量增项单年度零星工程技术标正投影法基本原理 批试验计划。79.gateoxide：栅氧55.develop：显影（经过化学办理除掉曝光地域的光刻胶，形成所需图形的过程）80.glasstransitiontemperature：玻璃态变换温度56.developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液81.gowning：净化服57.die：硅片中一个很小的单位，包含了设计完好的单个芯片以及芯片周边水平易垂直方向上82.grayarea：灰区的部分划片槽地域。83.grazingincidenceinterferometer：切线入射干涉仪58.dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘资料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面资料，可以供给电84.hardbake：后烘绝缘功能。85.heteroepitaxy：单晶长在不一样资料的衬底上的外延方法59.diffusedlayer：扩散层，即杂质离子经过固态扩散进入单晶硅中，在周边硅表面的地域形86.high-currentimplanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产成与衬底资料反型的杂质离子层。87.hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大60.drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。于0.3um的颗粒61.dryetch：干刻，指采纳反应气体或电离气体除掉硅片某一层次中未受保护地域的混淆了物88.host：主机理腐化及化学腐化的工艺过程。89.hotcarriers：热载流子62.effectivelayerthickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅90.hydrophilic：亲水性锭前端的深度。91.hydrophobic：疏水性63.EM：electromigration，电子迁徙，指由经过铝条的电流以致电子沿铝条连线进行的自扩92.impurity：杂质散过程。93.inductivecoupledplasma(ICP)：感觉等离子体64.epitaxiallayer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材94.inertgas：惰性气体料，这一单晶半导体层即为外延层。95.initialoxide：一氧65.equipmentdowntime：设备状态异常以及不可以完成预约功能的时间。96.insulator：绝缘66.etch：腐化，运用物理或化学方法有选择的去除不需的地域。97.isolatedline：隔断线67.exposure：曝光，使感光资料感光或受其余辐射资料照耀的过程。98.implant:注入68.fab：常指半导体生产的制造工厂。99.impurityn:混淆69.featuresize：特色尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。100.junction:结70.field-effecttransistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的101.junctionspikingn:铝穿刺多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。102.kerf:划片槽71.film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。103.landingpadn:PAD72.flat：平边104.lithographyn制版73.flowvelocity：流速计105.maintainability,equipment:设备产能74.flowvolume：流量计106.maintenancen:养护75.flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数107.majoritycarriern:多数载流子76.forbiddenenergygap：禁带108.masks,deviceseriesofn:一成套光刻版109.materialn:原料141.processcontroln:过程控制。半导系统造过程中，对设备或产品规范的控制能力。110.matrixn1:矩阵142.proximityX-rayn:近X射线：一种光刻技术，用X射线照耀置于光刻胶上方的掩膜版，从111.meann:均匀值而使对应的光刻胶暴光。112.measuredleakraten:测得漏率143.purewatern:纯水。半导体生产中所用之水。113.mediann:中间值144.quantumdevicen:量子设备。一种电子设备结构，其特征源于电子的颠簸性。114.memoryn:记忆体145.quartzcarriern:石英舟。115.metaln:金属146.randomaccessmemory(RAM)n:随机储存器。116.nanometer(nm)n：纳米147.randomlogicdevicen:随机逻辑器件。117.nanosecond(ns)n：纳秒148.rapidthermalprocessing(RTP)n:迅速热办理(RTP)。118.nitrideetchn：氮化物刻蚀149.reactiveionetch(RIE)n:反应离子刻蚀(RIE)。119.nitrogen(N2)n：氮气，一种双原子气体150.reactorn:反应腔。反应进行的密封隔断腔。120.n-typeadj：n型151.recipen:菜单。生产过程中对圆片所做的每一步办理规范。121.ohmspersquaren：欧姆每平方:方块电阻152.resistn:光刻胶。122.orientationn：晶向，一组晶列所指的方向153.scanningelectronmicroscope(SEM)n:电子显微镜(SEM)。123.overlapn：交迭区154.scheduleddowntimen:(设备)预约歇工时间。124.oxidationn：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应155.Schottkybarrierdiodesn:肖特基二极管。125.phosphorus(P)n：磷，一种有毒的非金属元素156.scribelinen:划片槽。126.photomaskn：光刻版，用于光刻的版157.sacrificialetchbackn:牺牲腐化。127.photomask,negativen：反刻158.semiconductorn:半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。128.images：去掉图形地域的版159.sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质混淆水平。129.photomask,positiven：正刻160.sideload:边沿载荷，被曲折后产生的应力。130.pilotn：先行批，用以考据该工艺能否吻合规格的片子161.silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片131.plasman：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体162.smallscaleintegration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。132.plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n：等离子体化学气相淀积，低温条件174.spinwebbing:旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的节余物。下的等离子淀积工艺175.sputteretch:溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除掉薄膜。133.plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺176.stackingfault:堆垛层错，原子一般积聚规律的背叛产生的2次空间错误。134.pnjunctionn：pn结177.steambath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其余温度热源的暴光。135.pockedbeadn：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠178.stepresponsetime:瞬态特征时间，大多数流量控制器实验中，一般变化时段到气流刚到达136.polarizationn：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语特定地带的那个时刻之间的时间。137.polyciden：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构179.stepper:步进光刻机（按BLOCK来曝光）138.polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高浓度混淆（>5E19）的硅，能导电。180.stresstest:应力测试，包含特定的电压、温度、湿度条件。139.polymorphismn：多态现象，多晶形成一种化合物以最少两种不一样的形态结晶的现象181.surfaceprofile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的状况下）。140.probern:探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。182.symptom:征兆，人员感觉到在必定条件下产生变化的弊端的主观认识。183.tackweld:中断焊，平时在角落上找寻早先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。7.Alloy交融：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值184.Taylortray:泰勒盘，褐拈土构成的高膨胀物质。8.ARC：anti-reflectcoating防反射层185.temperaturecycling:温度周期变化，丈量出的重复出现周边似的高低温循环。9.ASHER:一种干法刻蚀方式186.testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。10.ASI光阻去除后检查187.thermaldeposition:热堆积，在超出950度的高温下，硅片引入化学混淆物的过程。11.Backside晶片反面188.thinfilm:超薄薄膜，积聚在原片表面的用于传导或绝缘的一层特别薄膜。12.BacksideEtch反面蚀刻189.titanium(Ti):钛。13.Beam-Current电子束电流190.toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。14.BPSG:含有硼磷的硅玻璃191.1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这类混15.Break中断，stepper机台内半途停止键合物不溶于水但溶于酒精和大气。16.Cassette装晶片的晶舟192.tungsten(W):钨。17.CD：criticaldimension要点性尺寸193.tungstenhexafluoride(WF6):氟化钨。无色无味的气体也许是淡黄色液体。在CVD中WF618.Chamber反应室用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。19.Chart图表194.tinning:金属性表面覆盖焊点的薄层。20.Childlot子批195.totalfixedchargedensity(Nth):以下是硅表面不行动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密21.Chip(die)晶粒度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获取电荷密度(Nit)。22.CMP化学机械研磨196.watt(W):瓦。能量单位。23.Coater光阻覆盖（机台）197.waferflat:从晶片的一面直接切下去，用于表示自由载流子的导电种类和晶体表面的晶向，24.Coating涂布，光阻覆盖也可用于在办理和雕合过程中的摆列晶片。25.ContactHole接触窗198.waferprocesschamber(WPC):对晶片进行工艺的腔体。26.ControlWafer控片199.well:阱。27.Criticallayer重要层200.wetchemicaletch:湿法化学腐化。28.CVD化学气相淀积201.trench:深腐化地域，用于从另一地域隔断出一个地域也许在硅晶片上形成储存电容器。29.Cycletime生产周期202.via:通孔。使隔着电介质的上下两层金真实现电连接。30.Defect缺点203.window:在隔断晶片中，同意上下两层实现电连接的绝缘的通道。31.DEP:deposit淀积204.torr:托。压力的单位。32.Descum预办理205.vaporpressure:当固体或液体处于均衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物33.Developer显影液；显影（机台）质和温度相关的函数。34.Development显影206.vacuum:真空。35.DG:dualgate双门207.transitionmetals:过渡金属36.DIwater去离子水4.ADIAfterdevelopinspection显影后检视37.Diffusion扩散5.AEI蚀科后检查38.Doping混淆6.Alignment排成向来线，对平39.Dose剂量40.Downgrade降级41.DRC:designrulecheck设计规则检查42.DryClean干洗72.Loop巡路103.PORProcessofrecord43.Duedate交期73.Lot批104.PP:p-dopedplus(P+)P型重混淆44.Dummywafer挡片74.Mask(reticle)光罩105.PR:photoresist光阻45.E/R:etchrate蚀刻速率75.Merge合并106.PVD物理气相淀积46.EE设备工程师76.MetalVia金属接触窗107.PW:p-dopedwellP阱47.EndPoint蚀刻终点77.MFG制造部108.Queuetime等候时间48.ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage静电78.Mid-Current中电流109.R/C:runcard运作卡离子伤害79.Module部门110.Recipe程式49.ET:etch蚀刻80.NIT:Si3N4氮化硅111.Release放行50.Exhaust排气（将管路中的空气消除）81.Non-critical非重要112.Resistance电阻51.Exposure曝光82.NP:n-dopedplus(N+)N型重混淆113.Reticle光罩52.FAB工厂83.NW:n-dopedwellN阱114.RF射频53.FIB:focusedionbeam聚焦离子束84.OD:oxidedefinition定义氧化层115.RM:remove.除掉54.FieldOxide场氧化层85.OM:opticmicroscope光学显微镜116.Rotation旋转55.Flatness平坦度86.OOC超出控制界线117.RTA:rapidthermalanneal迅速热退火56.Focus焦距87.OOS超出规格界线118.RTP:rapidthermalprocess迅速热办理57.Foundry代工88.OverEtch过蚀刻119.SA:salicide硅化金属58.FSG:含有氟的硅玻璃89.Overflow溢出120.SAB:salicideblock硅化金属阻挡区59.Furnace炉管90.Overlay丈量前层与本层之间曝光的正确度121.SAC:sacrificelayer牺牲层60.GOI:gateoxideintegrity门氧化层完好性91.OX:SiO2二氧化硅122.Scratch刮伤61.Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增92.P.R.Photoresisit光阻123.Selectivity选择比加光阻与晶片表面附着力的化合物，称93.P1:poly多晶硅124.SEM：scanningelectronmicroscope扫描式电子显微镜62.HCI:hotcarrierinjection热载流子注入94.PA;passivation钝化层125.Slot槽位63.HDP：highdensityplasma高密度等离子体95.Parentlot母批126.Source-Head离子源64.High-Voltage高压96.Particle含尘量/微尘粒子127.SPC制程统计管制65.Hotbake烘烤97.PE:1.processengineer;2.plasmaenhance1、工艺工程师2、128.Spin旋转66.ID辨识，判断等离子体加强129.SpinDry旋干67.Implant植入98.PH:photo黄光或微影130.Sputter溅射68.Layer层次99.Pilot实验的131.SRO:Sirichoxide富氧硅69.LDD:lightlydopeddrain轻混淆漏100.Plasma电浆132.Stocker仓储70.Localdefocus局部失焦因机台或晶片造成之脏污101.Pod装晶舟与晶片的盒子133.Stress内应力71.LOCOS:localoxidationofsilicon局部氧化102.Polymer聚合物134.STRIP:一种湿法刻蚀方式135.TEOS–(CH3CH2O)4Si四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常166.IGBT绝缘门双极晶体管Strip湿式刻蚀法的一种温下液态。作LPCVD/PECVD生长SiO2的原料。又指用TEOS167.PMDpremetaldielectric电容TM:topmental顶层金属层生长获取的SiO2层。168.TCUtemperaturecontrolunit温度控制设备WEE周边曝光136.Ti钛169.arcchamber起弧室PSG硼硅玻璃137.TiN氮化钛vaporizer蒸发器MFG制造部138.TM:topmetal顶层金属层filament灯丝Runcard运作卡139.TORToolofrecordrepeller反射板POD装晶舟和晶片的盒子140.UnderEtch蚀刻不足ELSextendedlifesource高寿命离子源Scratch刮伤141.USG:undoped硅玻璃analyzermagnet磁解析器Reticle光罩142.W(Tungsten)钨postaccel后加速器Sputter溅射143.WEE周边曝光quadrupolelens磁聚焦透镜Spin旋转144.mainframe主机disk/flagfaraday束流丈量器Merge合并145.cassette晶片盒e-shower中性化电子子发生器146.amplifier放大器extrantionelectrode高压吸极147.enclosure外壳disk靶盘148.wrench扳手rotarydrive旋转运动149.swagelok接头锁紧螺母linerdrive直线来去运动150.clamp夹子gyrodrive双方向偏转151.actuator激励flataligener平边检测器152.STIshallowtrenchisolantion浅沟道隔断层loadlockvalve靶盘腔装片阀153.SAB硅铝块reservoir水槽154.UBM球下金属层镀模工艺stringfilter过滤器155.RDL金属连线重排工艺DIfilter离子交换器156.RIEreactinvionetch反应离子etchchiller制冷机157.ICPinductivecoupleplasma感觉等离子体heatexchange热交换机158.TFTthinfilmtransistor薄模晶体管Yield良率159.ALDatomiclayerdeposition原子层淀积Parameter参数160.BGAballgridarray高脚封装PAC感光化合物161.AASatomicabsorptionsspectroscopy原子吸附光谱ASIC特别应用集成电路162.AFMatomicforcemicroscopy原子力显微Solvent溶剂163.ASIC特定用途集成电路Carbide碳164.ATE自动检测设备Refractive折射165.SIPself-ionizedplasma自电离电浆Expansion膨胀