CVD制程工艺及设备介绍

CVD制程工艺及设备介绍2014年05月10日李广录.主要内容1.PECVD制程工艺介绍2.PECVD设备介绍.PECVD制程工艺介绍1.TFT-LCD基本概念2.CVD工程目的及原理介绍3.PECVD设备及反应原理4.工艺参数及检查项目.TFT-LCD基本概念ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay薄膜晶体管液晶显示器 ThinFilm：薄膜，膜厚在um(10-6m)级以下 Transistor：电晶体，固态半导体元件，作为一种可变开关，基於输入的电压可控制输出的电流 LiquidCrystal：液晶，不同轴向透光性不同，具有依照电场方向旋转排列功能 ThinFilmTransistor：Controlthepixelsignalon/off LiquidCrystal：Controlthelightpolarization.黑矩阵背光源ＴＦＴ-ＬＣＤ结构图..TFT-LCD名词解释分辨率（DisplayResolution）：显示器上水平方向和垂直方向上相素（Pixel）的数目。注：一个相素有R、G、B三个子相素（Sub-Pixel）。对比度（ContrastRatio）：显示器最大亮度值（全白）与最小亮度值（全黑）之比值。一般TFT-LCD的对比值为200:1至400:1。视角（ViewingAngle）：在大角度观看的情况下，显示器亮暗对比变差会使画面失真，而在可接受的观测角度范围就称为视角。反应时间（ResponseTime）：从输入信号到输出影像所经历的时间，一般液晶显示器反应时间为20~30毫秒。（标准电影格式每画面为40毫秒）..*TFT基本概念.CVD工程在TFT 流程 快递问题件怎么处理流程河南自建厂房流程下载关于规范招聘需求审批流程制作流程表下载邮件下载流程设计 中的作用.*CVD工程在TFT流程中的作用.TFT等效电路.CVD各层膜的用途及特性 要求 对教师党员的评价套管和固井爆破片与爆破装置仓库管理基本要求三甲医院都需要复审吗 TFT断面图CVD工程在TFT流程中的作用 作用 特性要求 G-SiNx（栅极绝缘层） 绝缘保护 电介质系数高 a-Si（通道层） 电子沟道 电子迁移率高 N+a-Si（欧姆接触层） 信号线性传输 形成欧姆接触 Pas-SiNx（绝缘保护层） 绝缘保护 抗化学腐蚀性好，抗潮湿.CVD原理介绍CVD(ChemicalVaporDeposition)化学气相沉积借由气体混合物发生的化学反应，包括利用热能、等离子体(Plasma)或紫外光（UV）照射等方式，在基板(Substrate)表面上沉积一层固态化合物的过程。关键点经由化学反应或热分解薄膜的 材料 关于××同志的政审材料调查表环保先进个人材料国家普通话测试材料农民专业合作社注销四查四问剖析材料 源由外加气体供给制程反应物必须为气相的形式.几种常见CVD比较 种类 热CVD 等离子CVD AP-CVD(AtmosphericPressureCVD) LP-CVD（LowPressureCVD） PE-CVD(PlasmaenhancedCVD) 设备简图 反应压力 大气 真空 真空 基板温度 700~800℃ 700~800℃ 200~400℃ 使用产业 IC IC LCD，IC，Solar.PECVD反应原理Plasma的概念通常被视为物质除固态、液态、气态之外存在的第四种形态,它是一种中性、高能量、离子化的气体，由是大量的带电的正粒子、负粒子（其中包括正离子、负离子、电子、自由基和各种活性基团等）组成的集合体，其中正电荷和负电荷的电量相等，故称等离子体（Plasma）。等离子体是宇宙中存在最广泛的一种物态，目前观测到的宇宙物质中,99%都是等离子体,但分布的范围很稀薄。注意点非束缚性：异类带电粒子之间相互“自由”，等离子体的基本粒子元是带正负电荷的粒子（电子、离子），而不是其结合体。粒子与电场的不可分割性：等离子体中粒子的运动与电场（外场以及粒子产生的自洽场）的运动紧密耦合，不可分割。集体效应起主导作用：等离子体中相互作用的电磁力是长程的库仑力。.Plasma产生原理在气压恒定的条件下，对气体增加能量(热能，电能等)，当气体中的温度足够高时，气体中的分子就会分解为原子气。进一步升高温度，原子就会分解为带电的自由离子(电子和正离子)，此时气体进入等离子体态。Plasma包含neutralgasatomsormoleculesionsfreeradicalsElectronsphotons人为产生等离子体的主要方法其中辉光放电(GlowDischarge）所产生的等离子体在薄膜材料的制备技术中得到了非常广泛的应用，Sputter和CVD设备采用的正是辉光放电来产生等离子体。.等离子体（Plasma）形成中电子碰撞引发的过程PECVD原理反应气体在高温和高频射频电源作用下形成等离子体（整体呈现电中性），等离子体中含有正离子、负离子，自由基以及活性基等，这些活性基团通过化学反应和吸附结合作用，形成固体化合物的过程。 类型 分解(Dissociation) 电离(Ionization) 激发(Excitation) 说明 e+CCl4→e+Cl+CCl3 e+Ar→2e+Ar+ 电子跃迁 图例.PECVD反应示意图（1）电子和反应气体发生碰撞，产生大量的活性基；（2）活性基被吸附在基板上，进行表面反应；（3）被吸附的原子在自身动能和基板温度的作用下，在基板表面迁移，选择能量最低的点堆积下来；（4）同时，基板上的原子不断脱离周围原子的束缚，进入等离子体气氛中参与化学反应，达到动态的平衡；（5）不断地补充原料气体，使原子沉积速率大于原子逃逸速率，薄膜持续生长；（6）二次生成物和未反应的气体会经排气口排出。PECVD反应过程..PECVDProcessParameter Gasflowrate(SiH4,NH3,H2,PH31%/H2,N2,Ar,NF3) ChamberPressure…….(pumpingspeed,throttlevalveposition) RFPower Substratetemperature ElectrodespacingPECVDFilmsforTFTa-Si(SiH4,H2)SiH4+H2a-Si:HN+a-Si(SiH4,H2,PH31%/H2)SiH4+H2+PH3N+a-Si:HSiNx(SiH4,NH3,N2)SiH4+NH3+N2SiNx:H Lowerprocesstemperature(300~450℃)forglasssubstrate Plasmaassist Lessglassdamage Betterthicknessuniformityforlargeareadeposition massproductionbylargeareasubstrates WhyPECVDforTFT?.*CVD工程使用的气体◎气体的性质(物理和化学性质），纯度等需考虑 3-Layer Pas-SiNx Cleaning G-SiNx a-Si N+a-Si SiH4 ○ ○ ○ ○ PH3(1%)/SiH4 ○ NH3 ○ ○ N2 ○ ○ H2 ○ ○ ○ Ar ○ NF3 ○.膜质确认的目的维持品质(如TFT特性)确认装置的状态（如MFC/RF/真空计是否异常）膜质及影响膜质的参数影响膜质的工艺参数工艺参数及检查项目 参数 通常对膜质的影响 备注 基板温度 膜的致密性，组份 气体流量 沉积速度 气体流量比 膜的折射率，组份 RFPower 沉积速度，组份 沉积速度影响设备生产节拍 Pressure 沉积速度 Pressure和Spacing对于膜厚分布影响较大 Spacing 沉积速度 成膜时间 膜厚.工艺参数及检查项目----工程管理 3-Layer成膜工程 频度 项目 目的 3-Layer后斜光检查 4Pcs/Lot ①Mura②成膜区域③基板破损，划伤④异常放电 ①特性特性异常②成膜区域③防止后工程基板裂纹④特性异常 外观检查 1Lot/2days Particle 点缺陷和线缺陷 N+Photo①AM图像检查②AP缺陷数趋势 ①Trouble时②趋势监控 ①Mura②Particle ①特性异常②点缺陷，线缺陷 Array检查 趋势监控 ①Particle①特性异常 ①点缺陷，线缺陷②特性异常 Pas成膜工程 频度 项目 目的 Pas后斜光检查 4Pcs/Lot ①Mura②成膜区域③基板破损，划伤④异常放电 ①特性异常②成膜区域③防止后工程基板裂纹④特性异常 N+Photo①AM图像检查②AP缺陷数趋势 ①Trouble时②趋势监控 ①Mura②Particle ①特性异常②点缺陷，线缺陷.PECVD设备简介1.CVD设备主机台AKT25K/25KAX2.安全方面介绍.MainframeStructure.MainframeStructureDDSLTransferChamberProcessChamber.MainframeStructure Item Description DDSL Pumpsdownincomingsubstratesandcoolshotsubstratespriortosubstrateunloading. Processchamber Performsprocesses(serialorparallel)onsinglesubstrateswithplasmaenhancedchemicalvapordeposition. Heatchamber Batchpreheatssubstratespriortoprocessing. Transferchamber(withvacuumrobot) Containsavacuumrobotthatmovessubstratesundervacuumbetweenchambers. Gaspanel Controlsprocessgasflowtoprocesschambers. Mainframecontroltower Housesthemainframepowerdistribution,DCpowersupplies,mainframeVMEcontroller,andheatchambertemperaturecontroller..DDSL全称为DoubleDualSlotLoadLock，也可以直接称之为loadlock。它是为进入的Substrate的降压和为已镀膜的Substrate降温。.侧面图.DDSL内玻璃位置调节功能.DDSL的工作原理SubstrateLoad送片时，ATMRobot将玻璃放到DDSL的Inputplatepin上，这时coolingplate上升,Actuator将pinplate上的Alignment顶起，固定住玻璃。然后coolingplate下降，回到原来位置.通入N2作用是Vent。SubstrateUnload取片时，T/CRobot将玻璃放到coolingplate的Liftpin上，然后coolingplate上升，贴近玻璃表面，给玻璃降温，之后回到原来位置。四个位置Load：Robot刚进入Loadlock时的位置Exchange：Robot将玻璃放在Pin时的位置Cool：玻璃从T/C到loadlock时，coolingplate上升后的停止位置Clamp：玻璃从ATMRobot到loadlock后，随coolingplates上升，Actuator推动ClampingMechanism夹紧玻璃时的位置.TransferchamberTransferchamber的作用在真空的环境下完成真空机械手臂从DDSL取片并将其放入到Processchamber中，并将Processchamber中镀膜完成的基板取出放入DDSL中。4个viewport：用来观察基板的状态、位置是否放好。12个sensor:用来侦测是否有破片外部结构内部结构.SubstrateSensor.AKT25KAX.TCEndEffectorPadPad作用：通过静摩擦来固定基板；采用四根叉子保证了基板的平稳；采用碳素钢增加了硬度，减少了基板和叉子的下垂量，有效地利用反应室的空间。.3层的pad采用表面凸起的类型，这样有利于增加pad和玻璃基板的接触面积，加大摩擦力，延长了pad的使用寿命。PAS层的pad则采用表面是网状的pad，此方法是通过减少接触面积达到防止静电的目的。因为如果产生了静电会破坏N+层膜。PadImprovement.AKT25K与25KAX的不同 项目 25K 25KAX Loadlock DDSL TSSL 有2层，每层都有一个inputplate和coolingplate，玻璃进出不必一致，可以从第一层进，从第二层出。 有三层，基板每层都可以进出，即从第一层进未必从第一层出。 TransferChamber 单层VacuumRobot 双层VacuumRobot 腔室顶部为平的 腔室顶部为穹顶.ProcesschamberProcesschamber简称为PC，为CVD机台的成膜制程腔室，AKT-25K每个机台有4个PC，而AKT-25KAX每个机台有5个PC。.ProcessChamber的构成.P/CChamberlid.Diffuser(上电极).P/CChamberlid气体通过BafflePlate向diffuser扩散，起均匀分布作用。GasInletBackingPlateLidFrame.RFMatchBox外部结构匹配原理R--负载电阻(阻抗)r--电源的内阻(阻抗)当电阻R=r时，负载R吸收的能量最大，即RF有效输出功率最大。射频电源的输出阻抗通常与输出电缆的特征阻抗相同，设备负载的阻抗可表示为Z=R+jX。要使负载与电缆的特性阻抗相匹配，就需要加匹配网络，使得电源的输出功率全部加到负载上，而无反射功率或反射功率很小。.RPSUnitRPSC的清洗流程RPSUnit结构4000Hz，6500W.ProcessChamberLid各部件作用 Item Functions RFmatchbox 主要用来消除的容抗和感抗得到较纯正的阻抗，其目的是提高RF的功率，其值大约为50欧姆。 RPSCUnit 主要用来清洗PC腔室的。 CoolingPlate 对PC上面的部件有一个冷却的作用，还有一个作用可能是维持PC腔室温度的稳定。 Resistormanifold 传递RF和plasma到腔体内。.P/CChamberBodySusceptor（下电极）Susceptor是chamberbody的重要组成部分，主要是在成膜过程中承载基板。.Vacuum/ThrottleValve气体管道ValvePCBody部件ThrottleValve：主要作用是通过调节角度控制腔室内压力。VacuumValve：控制腔室内是否抽真空。.P/CChamberbody部件.P/CChamberbody部件CeramicShaftSusceptorSupportPlate定位孔.P/CChamberbody部件.P/CChamberbase.SlitValve.PCVacuumGauge较大的VacuumGauge范围是0.001Torr到10Torr，精确度高且敏感。较小的那个是0.1到1000Torr，且二者之间有一个Isolationvalve（隔离阀）。20TorrSensor（传感器）是用来检测腔内压力，当腔内压力小于20Torr时，才能把压力值反映到机台控制电路板上，进而打开控制气体的阀门，才会使制程气体流入到腔室，也就是相当于联动装置。.GaspanelandMainframeControlTowerBoxGaspanel气体从这里分开到各chamberMainframecontroltower为机台提供440V和208V电源.Remotesystem.RFGeneratorRFGeneratorT/CpumpAirtank&ManifoldLocalscrubberP/CpumpDP/CpumpAP/CpumpERemoteACPowerBoxHeatexchangerP/CpumpCACPowerControlTowerL/LpumpRemotesystem.HeatExchanger为MatchBox和processchamber供DIWater.RFGenerator为Processchamber提供RFenergy.Airtank储存气体给机台的气动阀供气。.RemoteACPowerBox为机台提供AC电源.ProcessChamberPump为ProcessChamber抽真空（A400BP和AAS200WN的组合）。.L/LPump为Loadlock抽真空（共有五个单体组合而成，AA201BP两台，A25S三台）。.DDSLpump实物图.T/CPump为TransferChamber抽真空（所用型号为A200W）.BurnerCVD的尾气处理装置，主要是将制程残气燃烧处理掉。.CVD安全方面的介绍1.高温CVD机台是高温机台，Processchamber温度很高，镀N+层膜机台的温度为340-360℃，镀PAS层膜机台的温度为270-280℃，要防止高温烫伤。.2.高电压CVD机台用到电压有440V，208V交流电压所以要防止触电的危险。.3高周波高周波即高频具有辐射性.4特气CVD机台所用气体有几种是毒性很强的气体.注意因气体泄漏造成火灾或者爆炸的危险.5.驱动部件的危险真空手臂的升降，旋转运行，门阀的开关等.6.注意跌倒CVD机台很高，有许多地方时高低不平.谢谢！.**