半导体物理考试
试卷
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（2004-11）
姓名 学号
一、 填空（每空1分，共34分）
1．纯净半导体Si中掺
族元素的杂质，当杂质电离时释放 。这种杂质称 杂质；相应的半导体称 型半导体。
2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 运动。
3．nopo=ni2标志着半导体处于 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？ ；当温度变化时，nopo改变否？ 。
4．非平衡载流子通过 而消失， 叫做寿命τ，寿命τ与 在 中的位置密切相关，对于强p型和 强n型材料，小注入时寿命τn为 ，寿命τp为 。
5． 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 ，称为 关系式。
6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是 和
。前者在 下起主要作用，后者在
下起主要作用。
7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 ；深能级杂质所起的主要作用 。
8．对n型半导体，如果以EF和EC的相对位置作为衡量简并化与非简并化的
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，那末， 为非简并条件； 为弱简并条件； 为简并条件。
12．当P-N结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 ，其种类为： 、和 。
13．指出下图各表示的是什么类型半导体？
二、 将下列英文名词翻译成中文，并解释之（每
题
快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题
6分，共24分）
（1）indiect recombination （2）diffusion length
（3）hot carriers （4）space charge region
三、 简要回答（共26分）
1．（7分）平衡p-n结的空间电荷区示意图如下，画出空间电荷区中载流子漂移运动和扩散运动的方向（在下图右侧直线上添加尖头即可）。并说明扩散电流和漂移电流之间的关系。
2．（10分）n型半导体的电阻率随温度的变化曲线如图所示，试解释为什么会出现这样的变化规律。
3. （9分）光照一块n型硅样品，t=0时光照开始，非平衡载流子的产生率为G，空穴的寿命为τ，则光照条件下少数载流子所遵守的运动方程为
，
（1） 写出样品在掺杂均匀条件下的方程表达式
（2）写出样品掺杂均匀、光照恒定且被样品均匀吸收条件下的方程表达式
四、 计算（16分）
1、 单晶硅中均匀地掺入两种杂质掺硼1.51016cm-3, 掺磷5.01015cm-3。试计算：
（1）室温下载流子浓度（4分）；
（2）室温下费米能级位置（4分）；
（3）室温下电导率（4分）；：
（4）600K下载流子浓度（4分）。
已知：室温下ni=1.51010cm-3, NC=2.81019cm-3,
NV=1.01019cm-3, k0T=0.026eV；
600K时ni=61015cm-3。
浙公网安备 33021202002483