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单晶车间基础理论考试试卷B
姓名:分数:
一填空题(45分,每空1.5分)
1. 是常用的半导体材料参数,它反映了半导体内杂质浓度的高低和半导体材料导电能力的强弱。
2.晶体硅有和,密度。
3.检查籽晶绳时,应先将重锤取下,使籽晶处于自由状态、观察籽晶吊绳的弯曲状态,观察其是否处于
是否有或等.且将重锤取下后不能防止籽晶绳脱槽。
4.在单晶生长过程中,和等炉内物件会由于高温产生大量硅氧化物(主要成分是
SiO,也有少量Si02,呈黄色烟尘状)、杂质挥发物以及挥发性气体。这些气尘粒子飘浮在单晶生长界面周围。当减小氩气流量时,能明显看到硅熔液上方有烟尘翻腾,俗称“冒烟”。
5.打开温度稳定时,设定温度值要分多次慢降,实际温度相对于设定温度不要大于以上,否则
会由于功率到零而发出报警。
6.我公司目前生产的单晶型号为,晶向是。
7.热场组装到位后,检查操作屏幕上是否有显示,若没有显示则需进行.
8.转肩后,程序自动进入等径程序,此时相机的读数会有所变化。点击工序参数进入参数修改页,将
中的值修改成此时的相机读数值,并按执行按钮执行。
9.装炉时,按炉筒降,炉筒降到位后,要校对,防止测光信号过小无法温度自控。
10.安装电极时,检查接触面是否,上下接触面要放一层,防止热场打火。
11.料熔完后,将温度值稳定至,将埚升至稳定即导流筒至液面距离为左
右。
12.若收尾结束后,观察液面与导流筒接近且剩料比较多时,应转为手动将下降左
右并确认动作停止。
13.列举车间炉台使用的热场石墨件名称(列举5
个以上)
14.等径时ADC1控制.
15.拉晶时,工艺参数的晶转为、埚转为、氩气流量, 炉内压力。二判断题(10分,每题1分)
1.装料时大块硅料放坩埚底部,中等大小硅料放中部,小料放坩埚上部. ()
2.热场安装好后,只需检查排气孔是对准,热场之间是否均匀,水平即可. ()
3.我们在升降温度时,为了节约时间可一次加减10 deg. ()
4.放肩要尽量放平肩,注意放肩的形态,放肩过快或过慢要适当的加减温度或拉速. ()
5.CZ法等径生长过程中,埚随比的变化是和晶体直径的变化成正比的. ()
6.原料是不能受到污染的,所以炉内的石墨件和炉筒,炉盖一定要打扫干净,至于炉体外面,因为不会与原料有接触,所以可以不用打扫. ( )
7.在引晶时如果温度不合适,可以及时的调节温度,直到引完晶或找到合适的温度. ( )
8.晶棒完全入架后,按住籽晶,用钳子将籽晶从细颈处剪断后,应稳定重锤. ( )
9.装料时,如果手套破了一个小口,手上没有汗的话可以不用更换. ( )
10.用专用工具装好托杆后,一定要拧紧托杆螺丝,防止因松动造成液面晃动. ( )
三.简答题(共45分)
1.硅单晶生产的作业
流程
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?(10分)
2. 单晶炉工作时,停水应怎样处理?(15分)
3. 单晶炉工作时,石英坩埚裂开或漏料,如何处理?(10分)
4. 拉晶过程中,如果压缩空气停止了应如何处理?(10分)
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